JPH02254164A - 分割スパッタリングターゲット - Google Patents
分割スパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JPH02254164A JPH02254164A JP7596389A JP7596389A JPH02254164A JP H02254164 A JPH02254164 A JP H02254164A JP 7596389 A JP7596389 A JP 7596389A JP 7596389 A JP7596389 A JP 7596389A JP H02254164 A JPH02254164 A JP H02254164A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering target
- targets
- divided
- bonding material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 2
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 abstract 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〉
本発明は、薄膜形成に用いるスパッタリングターゲット
に関する。
に関する。
（従来の技術）
スパッタリング法は、真空中にＡｒガスを導入し、陰極
に負電位を与えてグロー放電を発生させる。ここで生成
したＡｒイオンはターゲット（陰極）に衝突し、ターゲ
ットをスパッタし、被スパツタ粒子は対向した陽極上の
基板上に堆積し薄膜を形成する。
に負電位を与えてグロー放電を発生させる。ここで生成
したＡｒイオンはターゲット（陰極）に衝突し、ターゲ
ットをスパッタし、被スパツタ粒子は対向した陽極上の
基板上に堆積し薄膜を形成する。
このスパッタリング法で用いられるターゲットはボンデ
ィング材でバッキングプレートと接合して使用される。
ィング材でバッキングプレートと接合して使用される。
一般にバッキングプレートは純銅あるいは銅系合金が使
用され、ボンディング材はインジウムのような低融点金
属、半田のような合金、ロウ材、樹脂等が使用される。
用され、ボンディング材はインジウムのような低融点金
属、半田のような合金、ロウ材、樹脂等が使用される。
近年、スパッタリング法に用いるスパッタリング装置が
益々大型化しているが、これにともなってスパッタリン
グターゲットも大型化している。
益々大型化しているが、これにともなってスパッタリン
グターゲットも大型化している。
このため−枚のターゲットでは製作が不可能となり、数
枚のターゲットを製作しこれを継いでバッキングプレー
トに接合する、いわゆる、分割スパッタリングターゲッ
トで大型化に対応している現状である。
枚のターゲットを製作しこれを継いでバッキングプレー
トに接合する、いわゆる、分割スパッタリングターゲッ
トで大型化に対応している現状である。
また、種類の異なったターグツ１〜を同一・バッキング
プレートに接合し、スパッタリング法により薄膜を形成
する場合がある。この場合も分割スパッタリングターゲ
ットを必要とする。
プレートに接合し、スパッタリング法により薄膜を形成
する場合がある。この場合も分割スパッタリングターゲ
ットを必要とする。
しかし、分割スパッタリングターゲラ１〜の場合にはタ
ーゲットと他のターグツ１へとの継ぎ目に隙間ができ易
く、ボンディング材はパッキングプレ−１−との接合時
には流動体であるため、その隙間に容易に侵入する欠点
がある。
ーゲットと他のターグツ１へとの継ぎ目に隙間ができ易
く、ボンディング材はパッキングプレ−１−との接合時
には流動体であるため、その隙間に容易に侵入する欠点
がある。
このような状態でターゲットをスパッタすると形成され
た膜の中にボンディング材が不純物としで侵入し膜特性
を悪化させる原因となる。
た膜の中にボンディング材が不純物としで侵入し膜特性
を悪化させる原因となる。
これを防止するために、従来、ターゲラ１−間の継ぎ目
を第２図に示すように、斜めに加工してターゲラ１〜を
継ぎパツキングア１ノー１へに接合している。
を第２図に示すように、斜めに加工してターゲラ１〜を
継ぎパツキングア１ノー１へに接合している。
しかし、このようにターゲットを斜めに加工することは
継ぎ面積が増えるためターゲラ［−間の隙間が大きく間
かないような加工精度が要求され、このため加工コスト
が著しく高くなる欠点がある。
継ぎ面積が増えるためターゲラ［−間の隙間が大きく間
かないような加工精度が要求され、このため加工コスト
が著しく高くなる欠点がある。
また、このような斜め加工をすることによってターゲッ
ト間の隙間が完全になくなる訳ではなく隙間の程度が小
さくなるに過ぎない。
ト間の隙間が完全になくなる訳ではなく隙間の程度が小
さくなるに過ぎない。
（解決しようとする問題点）
本発明は、ターゲラ１−の斜め加工をせずに、ターゲッ
トの継ぎ目の隙間にボンディング材が侵入しない分割ス
パッタリングターゲットを提供しようとするものである
。
トの継ぎ目の隙間にボンディング材が侵入しない分割ス
パッタリングターゲットを提供しようとするものである
。
（問題を解決する手段）
本発明は、ターゲラ１〜の継ぎ目に裏打ち材を貼付して
ターゲット間の隙間にボンディング材が浸入しないよう
にしたものである。
ターゲット間の隙間にボンディング材が浸入しないよう
にしたものである。
裏打ち材としてはテフロン、ポリイミドのような高分子
耐熱性シートあるいはターゲットが金属の場合は同質の
金属シートが好ましい。
耐熱性シートあるいはターゲットが金属の場合は同質の
金属シートが好ましい。
第１図は本発明になる分割スパッタリングターゲットの
断面図である。
断面図である。
本発明を第１図にしたがって説明すると１．ターゲット
１−１と１−２の継ぎ目に裏打ち材４を裏打ちし、ボン
ディング材３でパツキンダブ１ノー１へ２に接ａ−シて
いる。この裏打ち材によってボンディング材がターゲッ
ト間の隙間に侵入することを防止している。
１−１と１−２の継ぎ目に裏打ち材４を裏打ちし、ボン
ディング材３でパツキンダブ１ノー１へ２に接ａ−シて
いる。この裏打ち材によってボンディング材がターゲッ
ト間の隙間に侵入することを防止している。
（実施例）
寸法１２７ｍｍｘ３００ｍｍ厚ざ６ｍｍの五酸化タンタ
ルのターゲットを３枚継ぎ、寸法１５２ｍｍｘ９５０ｍ
ｒｎ厚さ１０ｍｍ（７）無酸素銅ノハツ４゜ キングプレートに接合し、寸法１２７ｍｒｒ＋ｘ９０Ｑ
ｍｍ厚さ６ｍｍの分割スパッタリングターゲットを作成
した。
ルのターゲットを３枚継ぎ、寸法１５２ｍｍｘ９５０ｍ
ｒｎ厚さ１０ｍｍ（７）無酸素銅ノハツ４゜ キングプレートに接合し、寸法１２７ｍｒｒ＋ｘ９０Ｑ
ｍｍ厚さ６ｍｍの分割スパッタリングターゲットを作成
した。
裏打ち材は幅１０ｍｍ厚さ０．０５ｍｍのテフロンテー
プを使用し、ターゲット間の継ぎ目は１ｍｍの隙間をあ
けて裏打ち材を貼付した。
プを使用し、ターゲット間の継ぎ目は１ｍｍの隙間をあ
けて裏打ち材を貼付した。
ボンディング材にはインジュウムを用いた。
この裏打ち材はターゲットとバッキングプレートとの接
合に要する温度に充分堪え得るものであり、この裏打ち
材のためインジュウムが隙間に全く侵入しないことがわ
かった。
合に要する温度に充分堪え得るものであり、この裏打ち
材のためインジュウムが隙間に全く侵入しないことがわ
かった。
（発明の効果）
本発明によれば、分割スパッタリングターゲットにおい
て、ターゲットの継ぎ目に裏打ち材が貼付しであるため
ターグツ１〜間に隙間があってもそこにボンディング材
が侵入しない特徴がある。
て、ターゲットの継ぎ目に裏打ち材が貼付しであるため
ターグツ１〜間に隙間があってもそこにボンディング材
が侵入しない特徴がある。
また、ターゲットの継ぎ目を斜め加工する必要がないた
め、加工コス［〜が著しく下がる利点がある。
め、加工コス［〜が著しく下がる利点がある。
第１図は本発明になる分割スパッタリングターゲットの
断面図である。 図において、ゴー１．１−２はターゲット、２はバッキ
ングプレート、３はボンディング材、４は裏打ち材であ
る。 第２図は従来の分割スパッタリングターゲットの断面図
である。 図において、１−３．１−４は斜め加工したターゲット
である。
断面図である。 図において、ゴー１．１−２はターゲット、２はバッキ
ングプレート、３はボンディング材、４は裏打ち材であ
る。 第２図は従来の分割スパッタリングターゲットの断面図
である。 図において、１−３．１−４は斜め加工したターゲット
である。
Claims (1)
- 分割したスパッタリングターゲットにおいて、ターゲ
ット間の継ぎ目に裏打ち材を貼付したことを特徴とする
分割スパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075963A JP2939751B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 分割スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075963A JP2939751B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 分割スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02254164A true JPH02254164A (ja) | 1990-10-12 |
| JP2939751B2 JP2939751B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=13591383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1075963A Expired - Lifetime JP2939751B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 分割スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2939751B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012063524A1 (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-18 | 三井金属鉱業株式会社 | 分割スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| WO2012121028A1 (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-13 | シャープ株式会社 | スパッタリングターゲット、その製造方法、および薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2013185160A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | スパッタリングターゲット |
| JP2014129559A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Tosoh Corp | 多分割スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP2015004116A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-08 | 株式会社アルバック | ターゲットアセンブリ及びその製造方法 |
| JP2017014562A (ja) * | 2015-06-30 | 2017-01-19 | 株式会社コベルコ科研 | スパッタリングターゲット組立体 |
| WO2021157112A1 (ja) * | 2020-02-06 | 2021-08-12 | 三井金属鉱業株式会社 | スパッタリングターゲット |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5920470A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-02-02 | Murata Mfg Co Ltd | スパツタリング用タ−ゲツト |
-
1989
- 1989-03-28 JP JP1075963A patent/JP2939751B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5920470A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-02-02 | Murata Mfg Co Ltd | スパツタリング用タ−ゲツト |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012063524A1 (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-18 | 三井金属鉱業株式会社 | 分割スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP4961514B1 (ja) * | 2010-11-08 | 2012-06-27 | 三井金属鉱業株式会社 | 分割スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2012127005A (ja) * | 2010-11-08 | 2012-07-05 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 分割スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| WO2012121028A1 (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-13 | シャープ株式会社 | スパッタリングターゲット、その製造方法、および薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2013185160A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | スパッタリングターゲット |
| JP2014129559A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Tosoh Corp | 多分割スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP2015004116A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-08 | 株式会社アルバック | ターゲットアセンブリ及びその製造方法 |
| JP2017014562A (ja) * | 2015-06-30 | 2017-01-19 | 株式会社コベルコ科研 | スパッタリングターゲット組立体 |
| WO2021157112A1 (ja) * | 2020-02-06 | 2021-08-12 | 三井金属鉱業株式会社 | スパッタリングターゲット |
| JPWO2021157112A1 (ja) * | 2020-02-06 | 2021-08-12 | ||
| CN114901857A (zh) * | 2020-02-06 | 2022-08-12 | 三井金属矿业株式会社 | 溅射靶 |
| KR20220139301A (ko) * | 2020-02-06 | 2022-10-14 | 미쓰이금속광업주식회사 | 스퍼터링 타깃 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2939751B2 (ja) | 1999-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6749103B1 (en) | Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby | |
| US7721939B2 (en) | Sputter target and backing plate assembly | |
| EP2044611B1 (en) | Sputter target assemblies having a controlled solder thickness | |
| US20040035698A1 (en) | Friction fit target assembly for high power sputtering operation | |
| KR100246682B1 (ko) | 스퍼터링용 티타늄 타겟 조립체의 제조방법 및 스퍼터링용 티타늄 타겟 조립체 | |
| WO2000015863A1 (en) | Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby | |
| JP2002146524A (ja) | パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット | |
| EP2145976A1 (en) | Sputter target assembly having a low-temperature high-strength bond | |
| KR20030038758A (ko) | 고순도 코발트 타겟트와 동합금제 배킹 플레이트와의확산접합 타겟트 조립체 및 그 제조방법 | |
| JPH02254164A (ja) | 分割スパッタリングターゲット | |
| JP2000265265A (ja) | 一体構造型スパッタリングターゲット | |
| JPH0734234A (ja) | モザイクターゲット | |
| JP3863932B2 (ja) | 分割ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング方法 | |
| WO2020195030A1 (ja) | スパッタリングターゲット製品及びスパッタリングターゲット製品の再生品を製造する方法 | |
| JP2001064771A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JP2004270019A (ja) | 分割スパッタリングターゲット | |
| JPH08188872A (ja) | スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合方法 | |
| JP2001140063A (ja) | 延長された寿命を有するスパッタターゲット | |
| JP2000144400A (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JPS63143258A (ja) | スパツタリング用タ−ゲツト | |
| JPH04333565A (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH06172991A (ja) | マグネトロンスパッタリング用セラミックスターゲット | |
| JP2002121662A (ja) | 一体構造型スパッタリングターゲット | |
| JPS6018749B2 (ja) | スパツタリング用タ−ゲツト | |
| JP2001049427A (ja) | 一体構造型スパッタリングターゲットとその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080618 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090618 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090618 Year of fee payment: 10 |