JPS5920470A - スパツタリング用タ−ゲツト - Google Patents
スパツタリング用タ−ゲツトInfo
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- JPS5920470A JPS5920470A JP13088782A JP13088782A JPS5920470A JP S5920470 A JPS5920470 A JP S5920470A JP 13088782 A JP13088782 A JP 13088782A JP 13088782 A JP13088782 A JP 13088782A JP S5920470 A JPS5920470 A JP S5920470A
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- Japan
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- ceramic
- sputtering
- pieces
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- Pending
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- Ceramic Products (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は大きな面積のターゲットを得ることのできる
スパッタリング用セラミックターゲットに関する。
スパッタリング用セラミックターゲットに関する。
たとえば、酸化亜鉛からなる誘電体薄膜を形成する方法
として高周波スパッタリング法がある。
として高周波スパッタリング法がある。
これにはターゲットとして酸化亜鉛のセラミックターゲ
ットが用いられ、通常スパッタリング装置内に被着用基
板と対向させてターゲットホルダーに配置される。
ットが用いられ、通常スパッタリング装置内に被着用基
板と対向させてターゲットホルダーに配置される。
一般的にターゲットには一枚のセラミック板が用いられ
るが、処理能力を増やすために大型のスパッタリング装
置を用いる際には大型のターゲットが必要となる。
るが、処理能力を増やすために大型のスパッタリング装
置を用いる際には大型のターゲットが必要となる。
従来はセラミック片を複数用意し、これと耐熱性および
耐収縮性を有する接着剤、たとえばアルミナ樹脂を用い
てターゲットホルダーに固定し、大きな面積のターゲッ
トを得ることが提案されている。
耐収縮性を有する接着剤、たとえばアルミナ樹脂を用い
てターゲットホルダーに固定し、大きな面積のターゲッ
トを得ることが提案されている。
しかしながら、かかる従来例によるものでは、セラミッ
ク片の間隙に接着剤が現われると、接着剤がスパッタリ
ングされ、スパッタリング生成膜中に不純物が混入する
ことになり、セラミック片を接合する場合に隙間のない
ように十分な注意を払う必要が生じる。
ク片の間隙に接着剤が現われると、接着剤がスパッタリ
ングされ、スパッタリング生成膜中に不純物が混入する
ことになり、セラミック片を接合する場合に隙間のない
ように十分な注意を払う必要が生じる。
したがって、この発明は大きな面積のスパッタリング用
セラミックターゲットを提供することを目的とする。
セラミックターゲットを提供することを目的とする。
また、この発明はセラミック片を接合してもスパッタリ
ング膜に不純物の混入を発生させないスパッタリング用
セラミックターゲットを提供することを目的とする。
ング膜に不純物の混入を発生させないスパッタリング用
セラミックターゲットを提供することを目的とする。
すなわち、この発明の要旨とするところは、複数からな
るセラミック片を、該セラミック片と同じ組成系からな
るセラミック材料にて接合したことを特徴とするスパッ
タリング用セラミックターゲットである。
るセラミック片を、該セラミック片と同じ組成系からな
るセラミック材料にて接合したことを特徴とするスパッ
タリング用セラミックターゲットである。
以下この発明を図示した実施例に従って詳細に説明する
。
。
第１図はこの発明の一実施例を示す要部概略側面図であ
る。
る。
図において、１．２は酸化亜鉛よシなるセラミック片を
示し、このセラミック片１．２は同じ組成系である酸化
亜鉛のセラミック材料３で接合されている。そしてこの
ように複数のセラεツク片１．２からなるターゲット４
は接着剤５によりターゲットホルダー６に固定されてい
る。
示し、このセラミック片１．２は同じ組成系である酸化
亜鉛のセラミック材料３で接合されている。そしてこの
ように複数のセラεツク片１．２からなるターゲット４
は接着剤５によりターゲットホルダー６に固定されてい
る。
酸化亜鉛からなるセラミック片１．２を同じ組成系から
なるセラミック材料３で接合するには、次のような例に
もとづいて実施される。
なるセラミック材料３で接合するには、次のような例に
もとづいて実施される。
この場合、ターゲットは酸化亜鉛よシなるものであるか
ら、同じ組成系の酸化亜鉛の生原料または仮焼原料を準
備し、たとえばポリビニルアルコールなどのバインダー
とともに混練して適当な粘度のペーストを調整する。こ
のペーストを用いてセラミック片１とセラミック片２と
の接合面に塗布し、そののち乾燥し、さらに１１００〜
１３００Ｃで１０〜６０分間熱処理する。このときペー
スト中のバインダーは熱によシ焼失する。−カ１、−酸
化亜鉛は磁器化するとともに、セラミック片１゜２と同
じ組成系からなるため化学的結合が強くなり、接着強度
の大きいターゲットが得られる。
ら、同じ組成系の酸化亜鉛の生原料または仮焼原料を準
備し、たとえばポリビニルアルコールなどのバインダー
とともに混練して適当な粘度のペーストを調整する。こ
のペーストを用いてセラミック片１とセラミック片２と
の接合面に塗布し、そののち乾燥し、さらに１１００〜
１３００Ｃで１０〜６０分間熱処理する。このときペー
スト中のバインダーは熱によシ焼失する。−カ１、−酸
化亜鉛は磁器化するとともに、セラミック片１゜２と同
じ組成系からなるため化学的結合が強くなり、接着強度
の大きいターゲットが得られる。
第２図はこの発明の他の実施例を示す要部概略側面図で
ある。
ある。
この第２図に示しだ例の特徴はセラミック片１とセラミ
ック片２との接合面を斜面状にしたもので、接着の役割
を果たすセラミック材料３の密度がセラミック片１．２
よりも低いとき゛、つまり他の部分よシ早くスパッタリ
ングされるおそれがあるときに有効なものである。なお
、その他の部分は第１図のものと同一であるので、同一
番号を付して説明を省略する。
ック片２との接合面を斜面状にしたもので、接着の役割
を果たすセラミック材料３の密度がセラミック片１．２
よりも低いとき゛、つまり他の部分よシ早くスパッタリ
ングされるおそれがあるときに有効なものである。なお
、その他の部分は第１図のものと同一であるので、同一
番号を付して説明を省略する。
第３図は、この発明のさらに他の実施例を示す要部概略
側面図である。
側面図である。
この第３図に示した例の特徴はセラミック片１とセラミ
ック片２との接合面を階段状とし、スパッタリングされ
る面に当たる接合部分を密着状にするとともに、反対面
をセラミック材料５で接合したものである。なお、その
他の部分は第１図のものと同一であるので、同一番号を
付して説明を省略する。
ック片２との接合面を階段状とし、スパッタリングされ
る面に当たる接合部分を密着状にするとともに、反対面
をセラミック材料５で接合したものである。なお、その
他の部分は第１図のものと同一であるので、同一番号を
付して説明を省略する。
上記した実施例によれば、ターゲットとして酸化亜鉛か
らなるセラミックについて説明したが、そのほかの系か
らなるセラミックターゲットにも応用できることはもち
ろんである。
らなるセラミックについて説明したが、そのほかの系か
らなるセラミックターゲットにも応用できることはもち
ろんである。
上記した説明から明らかなようにこの発明によれば、複
数のセラミック片を同じ組成系のセラミック材料で接合
したものであるため、大きな面積のターゲットが得られ
るとともに、スパッタリングされてもスパッタリング生
成膜に異物の混入がなく、所定の膜質のものが得られる
。また容易に成形できないターゲット、たとえば球状、
筒状のものでも接合することによって容易に得ることが
でき、しかも大型のプレス機を用いて成形する必要がな
いため、コストの低減化が図れる。
数のセラミック片を同じ組成系のセラミック材料で接合
したものであるため、大きな面積のターゲットが得られ
るとともに、スパッタリングされてもスパッタリング生
成膜に異物の混入がなく、所定の膜質のものが得られる
。また容易に成形できないターゲット、たとえば球状、
筒状のものでも接合することによって容易に得ることが
でき、しかも大型のプレス機を用いて成形する必要がな
いため、コストの低減化が図れる。
第１図〜第５図はこの発明にがかるスノくツタリング用
セラミックターゲットの一部概略側面図である。 １．２・・・・・・セラミック片、６・・・・・・セラ
ミック材料、４・・・・−・ターゲット、５・・・・−
・接着剤、６・・・・・・ターゲットホルダー。 特許出願人 株式会社 村田製作所 環１図 第２口 第５図 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５１年特 許 願第１３０８８７号２、弁明の名称 スパッタリング用ターゲット ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 京都府長岡京市天神二丁目２６番１０号昭和５７
年１０月２６日（発送日） （２）明細書の「特許請求の範囲」の欄（３）明細書の
「発明の詳細な説明」の欄（４）明細書の「図面の簡単
な説明」の欄７、補正の内容 （１）明細書、第１、発明の名称」の欄「スパッタリン
グ用セラミックターゲット」を「スパッタリング用ター
ゲット」に訂正する。 （２）明細書、第１頁、「特許請求の範囲」の欄別紙の
とおり （３）明細書、第１頁、第１１行［スパッタリング用セ
ラミックターゲット」を［スパッタリング用ターゲット
］に訂正する。 （４）明細書、第２頁、第１４行〜第１５行「スパッタ
リング用セラミックターゲット」を［スパッタリング用
ターゲット」に訂正する。 （５）明細書、第２頁第１８行〜第１９ｆ１ｒスパッタ
リング用セラミックターゲット」を「スパッタリング用
ターゲット」に訂正する。 （６）明細書、第３頁第４行〜第５行［スパッタリング
用セラミックターゲット］を「スパッタリング用ターゲ
ット」に訂正する。 （７）明細書第６頁第５行〜第６行［スパッタリング用
セラミ゛ツクターゲット」を「スパッタリング用ターゲ
ット」に訂正する。 以上 別 紙 ２、特許請求の範囲 複数からなるセラミック片を、該セラミック片と同じ組
成系からなるセラミック材料にて接合したことを特徴と
するスパッタリングＥ１ｉ−ゲット。
セラミックターゲットの一部概略側面図である。 １．２・・・・・・セラミック片、６・・・・・・セラ
ミック材料、４・・・・−・ターゲット、５・・・・−
・接着剤、６・・・・・・ターゲットホルダー。 特許出願人 株式会社 村田製作所 環１図 第２口 第５図 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５１年特 許 願第１３０８８７号２、弁明の名称 スパッタリング用ターゲット ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 京都府長岡京市天神二丁目２６番１０号昭和５７
年１０月２６日（発送日） （２）明細書の「特許請求の範囲」の欄（３）明細書の
「発明の詳細な説明」の欄（４）明細書の「図面の簡単
な説明」の欄７、補正の内容 （１）明細書、第１、発明の名称」の欄「スパッタリン
グ用セラミックターゲット」を「スパッタリング用ター
ゲット」に訂正する。 （２）明細書、第１頁、「特許請求の範囲」の欄別紙の
とおり （３）明細書、第１頁、第１１行［スパッタリング用セ
ラミックターゲット」を［スパッタリング用ターゲット
］に訂正する。 （４）明細書、第２頁、第１４行〜第１５行「スパッタ
リング用セラミックターゲット」を［スパッタリング用
ターゲット」に訂正する。 （５）明細書、第２頁第１８行〜第１９ｆ１ｒスパッタ
リング用セラミックターゲット」を「スパッタリング用
ターゲット」に訂正する。 （６）明細書、第３頁第４行〜第５行［スパッタリング
用セラミックターゲット］を「スパッタリング用ターゲ
ット」に訂正する。 （７）明細書第６頁第５行〜第６行［スパッタリング用
セラミ゛ツクターゲット」を「スパッタリング用ターゲ
ット」に訂正する。 以上 別 紙 ２、特許請求の範囲 複数からなるセラミック片を、該セラミック片と同じ組
成系からなるセラミック材料にて接合したことを特徴と
するスパッタリングＥ１ｉ−ゲット。
Claims (1)
- 複数からなるセラミック片を、該セラミック片と同じ組
成系からなるセラミック材料にて接合したことを特徴と
するスパッタリング用セラミックターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13088782A JPS5920470A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13088782A JPS5920470A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5920470A true JPS5920470A (ja) | 1984-02-02 |
Family
ID=15045018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13088782A Pending JPS5920470A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5920470A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01104770A (ja) * | 1987-07-24 | 1989-04-21 | Miba Gleitlager Ag | 棒状の磁電管またはスパッタ陰極の配置、スパッタ方法、この方法を実施するための装置並びに管状のターゲット |
| JPH02254164A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-12 | Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk | 分割スパッタリングターゲット |
| JPH0570254U (ja) * | 1992-03-06 | 1993-09-24 | 勝 寺島 | 植木鉢 |
| JP2010106330A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Ulvac Material Kk | スパッタリングターゲットの製造方法、スパッタリングターゲット、スパッタリング装置 |
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| WO2014128976A1 (ja) * | 2013-02-25 | 2014-08-28 | 三井金属鉱業株式会社 | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| WO2014131458A1 (en) * | 2013-02-28 | 2014-09-04 | Applied Materials, Inc. | Gapless rotary target and method of manufacturing thereof |
| US8961867B2 (en) | 2008-09-09 | 2015-02-24 | H.C. Starck Inc. | Dynamic dehydriding of refractory metal powders |
| JP2015059268A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 東ソー株式会社 | 平板形スパッタリングターゲットとその製造方法 |
| JP2015059269A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 東ソー株式会社 | 円筒形スパッタリングターゲットとその製造方法 |
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| JPWO2021024896A1 (ja) * | 2019-08-08 | 2021-02-11 | ||
| JP2022047018A (ja) * | 2020-09-11 | 2022-03-24 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック、基板固定装置及び基板固定装置の製造方法 |
-
1982
- 1982-07-26 JP JP13088782A patent/JPS5920470A/ja active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01104770A (ja) * | 1987-07-24 | 1989-04-21 | Miba Gleitlager Ag | 棒状の磁電管またはスパッタ陰極の配置、スパッタ方法、この方法を実施するための装置並びに管状のターゲット |
| JPH02254164A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-12 | Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk | 分割スパッタリングターゲット |
| JPH0570254U (ja) * | 1992-03-06 | 1993-09-24 | 勝 寺島 | 植木鉢 |
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| US8961867B2 (en) | 2008-09-09 | 2015-02-24 | H.C. Starck Inc. | Dynamic dehydriding of refractory metal powders |
| JP2010106330A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Ulvac Material Kk | スパッタリングターゲットの製造方法、スパッタリングターゲット、スパッタリング装置 |
| WO2012063523A1 (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-18 | 三井金属鉱業株式会社 | 分割スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP4961513B1 (ja) * | 2010-11-08 | 2012-06-27 | 三井金属鉱業株式会社 | 分割スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| CN102686766A (zh) * | 2010-11-08 | 2012-09-19 | 三井金属矿业株式会社 | 分割溅镀靶及其制造方法 |
| US9412568B2 (en) * | 2011-09-29 | 2016-08-09 | H.C. Starck, Inc. | Large-area sputtering targets |
| WO2013049274A3 (en) * | 2011-09-29 | 2013-06-06 | H.C. Starck, Inc. | Large -area sputtering targets |
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