JPH02254745A - チップキャリア - Google Patents
チップキャリアInfo
- Publication number
- JPH02254745A JPH02254745A JP7720289A JP7720289A JPH02254745A JP H02254745 A JPH02254745 A JP H02254745A JP 7720289 A JP7720289 A JP 7720289A JP 7720289 A JP7720289 A JP 7720289A JP H02254745 A JPH02254745 A JP H02254745A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- alpha rays
- pads
- leads
- silicone resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子装置等に使用する印刷配線基板に集積回路
を実装するために用いるチップキャリアに関する。
を実装するために用いるチップキャリアに関する。
電子装置等に使用する印刷配線基板に集積回路（ＩＣ）
を実装するために用いる従来のチップキャリアは、α線
を防ぐために、ＩＣの実装前に、ＩＣの回路面に高粘度
のα線対策用のシリコン樹脂（シリコン）をボンティン
グしている。
を実装するために用いる従来のチップキャリアは、α線
を防ぐために、ＩＣの実装前に、ＩＣの回路面に高粘度
のα線対策用のシリコン樹脂（シリコン）をボンティン
グしている。
上述したように、従来のチップキャリアは、高粘度のα
線対策用のシリコンをボンティングしているため、ＩＣ
上でシリコンが山状に盛上って印刷配線基板（基板）に
ＩＣを実装するために行うリードの成形が困難であると
いう欠点がある。また、ＩＣにリードを接続する前にシ
リコンのボンティングを行うときには、ＩＣとリードと
の接続部にシリコンが付着しないようにするか、あとで
付着したシリコンを取除く必要がある。更に、ＩＣにリ
ードを接続した後にシリコンのボンティングを行なうと
きは、リードと基板との接続部にシリコンが付着しない
ようにしなければならないという欠点がある。
線対策用のシリコンをボンティングしているため、ＩＣ
上でシリコンが山状に盛上って印刷配線基板（基板）に
ＩＣを実装するために行うリードの成形が困難であると
いう欠点がある。また、ＩＣにリードを接続する前にシ
リコンのボンティングを行うときには、ＩＣとリードと
の接続部にシリコンが付着しないようにするか、あとで
付着したシリコンを取除く必要がある。更に、ＩＣにリ
ードを接続した後にシリコンのボンティングを行なうと
きは、リードと基板との接続部にシリコンが付着しない
ようにしなければならないという欠点がある。
本発明のチップキャリアは、基板と、前記基板上に形成
した複数個のパッドと、前記基板上の前記パッドの外側
に取付けた枠体と、前記パッドと接続する複数個のリー
ドを有し前記基板上に上面を下方に向けて搭載したＩＣ
と、上部の内面において前記ＩＣの底面と接着し外周部
において前記枠体と固着して前記ＩＣを封止するキャッ
プとを備えるチップキャリアにおいて、前記リードを前
記パッドに接続した後、前記基板の上面゛と前記枠体の
内部との間に形成される空間部に硬化後にゲル状となる
α線対策用のシリコン樹脂を充填して硬化させたもので
あるや 〔実施例〕 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
した複数個のパッドと、前記基板上の前記パッドの外側
に取付けた枠体と、前記パッドと接続する複数個のリー
ドを有し前記基板上に上面を下方に向けて搭載したＩＣ
と、上部の内面において前記ＩＣの底面と接着し外周部
において前記枠体と固着して前記ＩＣを封止するキャッ
プとを備えるチップキャリアにおいて、前記リードを前
記パッドに接続した後、前記基板の上面゛と前記枠体の
内部との間に形成される空間部に硬化後にゲル状となる
α線対策用のシリコン樹脂を充填して硬化させたもので
あるや 〔実施例〕 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
第１図において、基板１はその上面に複数個のパッド２
を有し、下面に複数個の入出力用バンブ３を有している
。パッド２とバンブ３とは内部配線４によって接続され
ている。基板１の上面のパッド２の外側の部分には、鉄
・ニッケル・コバルト合金で形成した枠体５が銀ロー１
１によってロー付けされている。複数個のリード６を有
するＩＣ７は、上面を下方に向けて（フェイスダウン）
基板１に搭載されており、リード６とパッド２とは金・
余熱圧着法によって接続されている。
を有し、下面に複数個の入出力用バンブ３を有している
。パッド２とバンブ３とは内部配線４によって接続され
ている。基板１の上面のパッド２の外側の部分には、鉄
・ニッケル・コバルト合金で形成した枠体５が銀ロー１
１によってロー付けされている。複数個のリード６を有
するＩＣ７は、上面を下方に向けて（フェイスダウン）
基板１に搭載されており、リード６とパッド２とは金・
余熱圧着法によって接続されている。
基板１の上面の枠体５の内部に形成される空間部には、
硬化した後にゲル状になる低粘度のα線対策用のシリコ
ン樹脂８を０．１〜０．２ｍ＋＊程度の厚さに流し込ん
で硬化させである。鉄・ニッケル・コバルト合金で形成
したキャップ９は、その内面をＩＣ７の底面に接着剤１
０で接着されており、キャップ９の外周部と枠体５とは
シーム溶接法によって溶接されてＩＣ７を封止している
。
硬化した後にゲル状になる低粘度のα線対策用のシリコ
ン樹脂８を０．１〜０．２ｍ＋＊程度の厚さに流し込ん
で硬化させである。鉄・ニッケル・コバルト合金で形成
したキャップ９は、その内面をＩＣ７の底面に接着剤１
０で接着されており、キャップ９の外周部と枠体５とは
シーム溶接法によって溶接されてＩＣ７を封止している
。
ＩＣ７の回路面と対向する基板１の表面には、α線対策
用のシリコン樹脂８があるため、基板１が発生するα線
は遮断されるゆこのためＩＣ７はα線によるエラーを発
生しない、また、パッド２とリード６とを接続した後、
シリコン樹脂８を流し込むため、接続部にシリコン樹脂
が付着しないようにマスキングする作業工程を必要とせ
ず、しかも高い接続の信頼性が得られる。更に、シリコ
ン樹脂８は硬化後にゲル状となるため、リード６とパッ
ド２との接続部に力がかかることはない。
用のシリコン樹脂８があるため、基板１が発生するα線
は遮断されるゆこのためＩＣ７はα線によるエラーを発
生しない、また、パッド２とリード６とを接続した後、
シリコン樹脂８を流し込むため、接続部にシリコン樹脂
が付着しないようにマスキングする作業工程を必要とせ
ず、しかも高い接続の信頼性が得られる。更に、シリコ
ン樹脂８は硬化後にゲル状となるため、リード６とパッ
ド２との接続部に力がかかることはない。
また、ＩＣ７にシリコン樹脂８が付着しないため、基板
に搭載するときのり−ド６の成形を容易に行うことがで
きる。
に搭載するときのり−ド６の成形を容易に行うことがで
きる。
以上説明したように、本発明のチップキャリアは、ＩＣ
を基板に搭載したのち、硬化後にゲル状となるα線対策
用のシリコン樹脂を流し込むことによって、少ない作業
工程でしかもα線によるソフトエラーを生じない信頼性
の高いチップキャリアを容易に得ることができるという
効果がある。
を基板に搭載したのち、硬化後にゲル状となるα線対策
用のシリコン樹脂を流し込むことによって、少ない作業
工程でしかもα線によるソフトエラーを生じない信頼性
の高いチップキャリアを容易に得ることができるという
効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
１・・・基板、２・・・パッド、３・・・入出力用バン
ブ、４・・・内部配線、５・・・枠体、６・・・リード
、７・・・ＩＣｌ３・・・シリコン樹脂、９・・・キャ
ップ、１０・・・接着剤、１１・・・銀ロー
ブ、４・・・内部配線、５・・・枠体、６・・・リード
、７・・・ＩＣｌ３・・・シリコン樹脂、９・・・キャ
ップ、１０・・・接着剤、１１・・・銀ロー
Claims (1)
- 基板と、前記基板上に形成した複数個のパッドと、前記
基板上の前記パッドの外側に取付けた枠体と、前記パッ
ドと接続する複数個のリードを有し前記基板上に上面を
下方に向けて搭載したＩＣと、上部の内面において前記
ＩＣの底面と接着し外周部において前記枠体と固着して
前記ＩＣを封止するキャップとを備えるチップキャリア
において、前記リードを前記パッドに接続した後、前記
基板の上面と前記枠体の内部との間に形成される空間部
に硬化後にゲル状となるα線対策用のシリコン樹脂を充
填して硬化させたことを特徴とするチップキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7720289A JPH02254745A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | チップキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7720289A JPH02254745A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | チップキャリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02254745A true JPH02254745A (ja) | 1990-10-15 |
Family
ID=13627243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7720289A Pending JPH02254745A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | チップキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02254745A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6129158A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS63208250A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-29 | Nec Corp | 集積回路のパツケ−ジ構造 |
-
1989
- 1989-03-28 JP JP7720289A patent/JPH02254745A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6129158A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS63208250A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-29 | Nec Corp | 集積回路のパツケ−ジ構造 |
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