JPS6232614B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6232614B2 JPS6232614B2 JP54163775A JP16377579A JPS6232614B2 JP S6232614 B2 JPS6232614 B2 JP S6232614B2 JP 54163775 A JP54163775 A JP 54163775A JP 16377579 A JP16377579 A JP 16377579A JP S6232614 B2 JPS6232614 B2 JP S6232614B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compressed gas
- wafer
- mixed gas
- container
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体ウエハ基板（以下ウエハ）上
に塗布される感光性樹脂（以下ホトレジスト）被
膜とウエハとの固着状態を強化する為の固着強化
剤をウエハ上に自動的に均一に塗布する装置に関
するものである。
に塗布される感光性樹脂（以下ホトレジスト）被
膜とウエハとの固着状態を強化する為の固着強化
剤をウエハ上に自動的に均一に塗布する装置に関
するものである。
半導体装置の製造過程におけるホトエツチング
工程は、回路構成に必要な微細パターンを得るた
めの極めて重要な工程であり、ウエハ上のホトレ
ジスト被膜は薄く均一であり、且つケミカルエツ
チング等に対し、ウエハとの強固な固着性が要求
される。そのため、通常、半導体工業では、ホト
レジストの塗布前にウエハを高温で熱処理したり
或いはウエハ表面に固着強化剤等を塗布したりす
ることが行なわれている。
工程は、回路構成に必要な微細パターンを得るた
めの極めて重要な工程であり、ウエハ上のホトレ
ジスト被膜は薄く均一であり、且つケミカルエツ
チング等に対し、ウエハとの強固な固着性が要求
される。そのため、通常、半導体工業では、ホト
レジストの塗布前にウエハを高温で熱処理したり
或いはウエハ表面に固着強化剤等を塗布したりす
ることが行なわれている。
従来装置による塗布方法では、例えば、液滴下
方式によるスピンコーテイング法では、高価な固
着強化剤の有効利用に欠け、非常に不経済であ
る。更に塗布膜厚が要求される数十Å〜数百Åと
いう極めて薄い膜厚に塗布出来ず、非常に厚くな
つてしまう。また、他の方法である気相塗布法で
は、複数枚の一括処理が出来るという点で有利で
あるが、各々のウエハ及び単一ウエハ内での塗布
膜厚が均一に出来ないという難点があつた。
方式によるスピンコーテイング法では、高価な固
着強化剤の有効利用に欠け、非常に不経済であ
る。更に塗布膜厚が要求される数十Å〜数百Åと
いう極めて薄い膜厚に塗布出来ず、非常に厚くな
つてしまう。また、他の方法である気相塗布法で
は、複数枚の一括処理が出来るという点で有利で
あるが、各々のウエハ及び単一ウエハ内での塗布
膜厚が均一に出来ないという難点があつた。
本発明の目的は、上記問題点を解決し、固着強
化剤の有効利用が可能となり、要求される均一な
膜厚が得られる薄膜塗布装置を提供することにあ
る。
化剤の有効利用が可能となり、要求される均一な
膜厚が得られる薄膜塗布装置を提供することにあ
る。
次に本発明を図面を用い説明すると、図は本発
明による一実施例の原理を示す。固着強化剤５は
圧縮ガス注入口１及び混合ガス放出口２を持つ容
器３に収容され、さらに容器３はヒータ４により
加熱され、固着強化剤５の蒸発が促進される。固
着強化剤５の蒸気と圧縮ガスとの混合ガス６は、
放出口２を通り噴射ノズル７からウエハ８に噴射
される。ウエハ８は、スピンチヤツク９に真空吸
着されながらスピンモータ１０によつて回転し、
ウエハ８全面にわたり均一な薄膜が塗布される。
ここで膜厚の制御は、圧力調節弁１３、電磁弁１
２及び流動調節弁１１によつて圧縮ガスの注入量
を、又ヒータ４によつて加熱温度を、更に電磁弁
１２′及び流量調節弁１１′によつて混合ガスの噴
射量等を制御することにより、非常に有効な膜厚
を得ることが出来るものである。この様に本発明
によれば高価な固着強化剤の有効利用が可能とな
り、非常に経済的であると同時に塗布膜厚の制御
が容易に且つ高精度に行えるものである。
明による一実施例の原理を示す。固着強化剤５は
圧縮ガス注入口１及び混合ガス放出口２を持つ容
器３に収容され、さらに容器３はヒータ４により
加熱され、固着強化剤５の蒸発が促進される。固
着強化剤５の蒸気と圧縮ガスとの混合ガス６は、
放出口２を通り噴射ノズル７からウエハ８に噴射
される。ウエハ８は、スピンチヤツク９に真空吸
着されながらスピンモータ１０によつて回転し、
ウエハ８全面にわたり均一な薄膜が塗布される。
ここで膜厚の制御は、圧力調節弁１３、電磁弁１
２及び流動調節弁１１によつて圧縮ガスの注入量
を、又ヒータ４によつて加熱温度を、更に電磁弁
１２′及び流量調節弁１１′によつて混合ガスの噴
射量等を制御することにより、非常に有効な膜厚
を得ることが出来るものである。この様に本発明
によれば高価な固着強化剤の有効利用が可能とな
り、非常に経済的であると同時に塗布膜厚の制御
が容易に且つ高精度に行えるものである。
第１図は本発明による一実施例の原理図を示
す。 １……圧縮ガス注入口、２……混合ガス放出
口、３……容器、４……ヒータ、５……固着強化
剤、６……混合ガス、７……噴射ノズル、８……
ウエハ、９……スピンチヤツク、１０……スピン
モータ、１１，１１′……流量調節弁、１２，１
２′……電磁弁、１３……圧力調節弁。
す。 １……圧縮ガス注入口、２……混合ガス放出
口、３……容器、４……ヒータ、５……固着強化
剤、６……混合ガス、７……噴射ノズル、８……
ウエハ、９……スピンチヤツク、１０……スピン
モータ、１１，１１′……流量調節弁、１２，１
２′……電磁弁、１３……圧力調節弁。
Claims (1)
- １ 圧縮ガス注入口と混合ガス放出口とを有する
塗布液収納容器と、該塗布液を加熱蒸発せしめる
ヒータと、前記容器の圧縮ガス注入口から圧縮ガ
スを注入せしめ混合ガス放出口から容器内に充満
した圧縮ガスと蒸気との混合ガスを放出せしめる
弁機構と、更にスピンチヤツク上に吸着固定され
た半導体ウエハ上へ混合ガスを噴射する噴射ノズ
ルとを含むことを特徴とする半導体ウエハの薄膜
塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16377579A JPS5685825A (en) | 1979-12-17 | 1979-12-17 | Thin film coating device of semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16377579A JPS5685825A (en) | 1979-12-17 | 1979-12-17 | Thin film coating device of semiconductor wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5685825A JPS5685825A (en) | 1981-07-13 |
| JPS6232614B2 true JPS6232614B2 (ja) | 1987-07-15 |
Family
ID=15780474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16377579A Granted JPS5685825A (en) | 1979-12-17 | 1979-12-17 | Thin film coating device of semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5685825A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02111911U (ja) * | 1989-02-20 | 1990-09-07 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5988824A (ja) * | 1982-11-12 | 1984-05-22 | Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd | ウエハ処理装置 |
| JPS59228719A (ja) * | 1983-06-10 | 1984-12-22 | Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd | 電子部品の製造方法および製造装置 |
| JPS6122627A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 感光性樹脂塗布装置 |
| JPS62131264A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-13 | Nec Corp | シランカツプリング剤処理装置 |
| JPS62148943A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-02 | Nec Corp | シランカツプリング剤処理方法 |
| JPH0793254B2 (ja) * | 1987-07-22 | 1995-10-09 | 松下電子工業株式会社 | レジスト膜形成用基板の処理方法 |
-
1979
- 1979-12-17 JP JP16377579A patent/JPS5685825A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02111911U (ja) * | 1989-02-20 | 1990-09-07 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5685825A (en) | 1981-07-13 |
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