JPH022558A - マスクパターンの修正方法 - Google Patents
マスクパターンの修正方法Info
- Publication number
- JPH022558A JPH022558A JP63148664A JP14866488A JPH022558A JP H022558 A JPH022558 A JP H022558A JP 63148664 A JP63148664 A JP 63148664A JP 14866488 A JP14866488 A JP 14866488A JP H022558 A JPH022558 A JP H022558A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- shielding film
- light
- photoresist
- pinhole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ＩＣ等の製造に用いられるマスクやレティクルのパター
ン修正方法に関し。
ン修正方法に関し。
マスクの白欠陥を修正する際、修正用遮光膜が遮光膜パ
ターンの抜は部分に付着するのを防止することを目的と
し。
ターンの抜は部分に付着するのを防止することを目的と
し。
遮光膜パターンが形成されている基板上に、該遮光膜パ
ターンを覆って保護膜とフォトレジスト膜を順に被着し
、該遮光膜パターンに生じているピンホール上の該フォ
トレジスト膜にスポット露光を行い、該フォトレジスト
膜を現像して該ピンホール上を開口し１次いで開口され
た該フォトレジストをマスクにして該ピンホール上の保
護膜をエツチングして開口し、該開口を覆って基板全面
に修正用遮光膜を被着し、該フォトレジスト膜を剥離し
て該フォトレジスト膜上の該修正用遮光膜をリフトオフ
して除去した後、保護膜を剥離する過程を有し、該基板
上の該ピンホール内に該修正用遮光膜が被着されるよう
に構成する。
ターンを覆って保護膜とフォトレジスト膜を順に被着し
、該遮光膜パターンに生じているピンホール上の該フォ
トレジスト膜にスポット露光を行い、該フォトレジスト
膜を現像して該ピンホール上を開口し１次いで開口され
た該フォトレジストをマスクにして該ピンホール上の保
護膜をエツチングして開口し、該開口を覆って基板全面
に修正用遮光膜を被着し、該フォトレジスト膜を剥離し
て該フォトレジスト膜上の該修正用遮光膜をリフトオフ
して除去した後、保護膜を剥離する過程を有し、該基板
上の該ピンホール内に該修正用遮光膜が被着されるよう
に構成する。
本発明は集積回路（ＩＣ）等の製造に用いられるマスク
やレティクルのパターン修正方法に関する。
やレティクルのパターン修正方法に関する。
従来のパターン修正技術においては０次の第２図に示さ
れるようなリフトオフ技術を用いて白欠陥（ピンホール
、欠け）の修正を行っていた。
れるようなリフトオフ技術を用いて白欠陥（ピンホール
、欠け）の修正を行っていた。
第２図（１１〜（５）は従来例によるマスクパターンの
修正方法を説明するマスクの断面図である。
修正方法を説明するマスクの断面図である。
第２図（１１において、基板２上に遮光膜パターンとし
てクロムパターン１が形成されている。３はクロムパタ
ーン１に生じたこれから修正しようとするピンホール、
４は遮光膜パターンの抜は部分。
てクロムパターン１が形成されている。３はクロムパタ
ーン１に生じたこれから修正しようとするピンホール、
４は遮光膜パターンの抜は部分。
即ちマスクの透光部である。
第２図（２）において、基板上全面にフォトレジスト５
を塗布し、ピンホール３上を紫外（ＵＶ）光でスポット
露光を行う。
を塗布し、ピンホール３上を紫外（ＵＶ）光でスポット
露光を行う。
第２図（３）において、フォトレジスト５を現像してピ
ンホール３上を開口する。
ンホール３上を開口する。
第２図（４）において、スパッタにより基板全面に修正
用クロム膜６及び６Ｐを被着する。
用クロム膜６及び６Ｐを被着する。
ここで修正用クロム膜６はフォトレジスト上に。
修正用クロム膜６Ｐはピンホール３上に被着されたもの
である。
である。
第２図（５）において、剥離液を用いてフォトレジスト
５を剥離して、修正用クロム膜６をリフトオフして除去
する。
５を剥離して、修正用クロム膜６をリフトオフして除去
する。
以上のようにして、マスクの遮光膜に開いたピンホール
３は修正用クロム膜６Ｐで修正される。
３は修正用クロム膜６Ｐで修正される。
上記の従来技術においては、第３図に示されるように、
修正用クロム膜６をフォトレジスト５と共にリフトオフ
する際に、浮遊された修正用クロム膜６の残滓６Ｆが遮
光膜の抜は部分４に付着することがある。
修正用クロム膜６をフォトレジスト５と共にリフトオフ
する際に、浮遊された修正用クロム膜６の残滓６Ｆが遮
光膜の抜は部分４に付着することがある。
本発明はマスクの白欠陥を修正する際、修正用遮光膜が
遮光膜パターンの抜は部分に付着する２次欠陥の発生を
防止することを目的とする。
遮光膜パターンの抜は部分に付着する２次欠陥の発生を
防止することを目的とする。
上記課題の解決は、遮光膜パターンが形成されている基
板上に、該遮光膜パターンを覆って保護膜とフ・ トレ
ジスト膜を順に被着し、該遮光膜パターンに生じて゛）
るピンホール上の該フォトレジスト膜にスポット露光を
行１゛、該フォトレジスト膜を現像して該ピンホール上
を開口し１次いで１口された該フォトレジストをマスク
にして該ビニホール上の保護膜をエツチングして開口し
、該開口を覆って基板全面に修正用遮光膜を被着し、該
フォトレジスト膜を剥離して該フォトレジスト膜上の該
修正用遮光膜をリフトオフして除去した後。
板上に、該遮光膜パターンを覆って保護膜とフ・ トレ
ジスト膜を順に被着し、該遮光膜パターンに生じて゛）
るピンホール上の該フォトレジスト膜にスポット露光を
行１゛、該フォトレジスト膜を現像して該ピンホール上
を開口し１次いで１口された該フォトレジストをマスク
にして該ビニホール上の保護膜をエツチングして開口し
、該開口を覆って基板全面に修正用遮光膜を被着し、該
フォトレジスト膜を剥離して該フォトレジスト膜上の該
修正用遮光膜をリフトオフして除去した後。
保護膜を剥離する過程を有し、該基板上の該ピンホール
内に該修正用遮光膜が被着されるマスクパターンの修正
方法により達成される。
内に該修正用遮光膜が被着されるマスクパターンの修正
方法により達成される。
本発明は、レジスト上の修正用クロム膜をリフトオフす
る際、浮遊されたクロム膜が遮光膜の抜は部分に付着す
ることを防止するために、基板とレジストとの間にリフ
トオフ時に剥離されない保護膜を塗布しておくと、マス
クの抜は部分に段差が生じないため、浮遊クロム膜は保
護膜上からきれいに除去されることを利用したものであ
る。
る際、浮遊されたクロム膜が遮光膜の抜は部分に付着す
ることを防止するために、基板とレジストとの間にリフ
トオフ時に剥離されない保護膜を塗布しておくと、マス
クの抜は部分に段差が生じないため、浮遊クロム膜は保
護膜上からきれいに除去されることを利用したものであ
る。
第１図（１）〜（５）は本発明の一実施例によるマスク
パターンの修正方法を説明するマスクの断面図である。
パターンの修正方法を説明するマスクの断面図である。
第１図（１）において、遮光膜パターンとしてクロムパ
ターン１が形成されている基板２上に保護膜７として厚
さ０．３μｍのＥＢレジスト（ＥＢＩ？−９東し社製）
を塗布し、大気中のホントプレート上で２００℃、１０
分のベータを行い１次いで厚さ０．５μｍのフォトレジ
スｌ−（ＯＦＰＲ−８００東京応化社製）５を塗布し、
同様に９２℃、２分のベータを行う。
ターン１が形成されている基板２上に保護膜７として厚
さ０．３μｍのＥＢレジスト（ＥＢＩ？−９東し社製）
を塗布し、大気中のホントプレート上で２００℃、１０
分のベータを行い１次いで厚さ０．５μｍのフォトレジ
スｌ−（ＯＦＰＲ−８００東京応化社製）５を塗布し、
同様に９２℃、２分のベータを行う。
図で、３はクロムパターン１に生じたこれから修正しよ
うとするピンホール、４は遮光膜の抜け部分、即ちマス
クの透光部である。
うとするピンホール、４は遮光膜の抜け部分、即ちマス
クの透光部である。
次に、基板上全面に塗布されたフォトレジスト５のピン
ホール３上を紫外光でスポット露光を行う。
ホール３上を紫外光でスポット露光を行う。
第１図（２）において、現像液（ＮＭＤ−３東京応化社
製）を用いてスプレー法により、フォトレジスト５を現
像してピンホール３上を開口する。
製）を用いてスプレー法により、フォトレジスト５を現
像してピンホール３上を開口する。
第１図（３）において、フォトレジスト５をマスクにし
て保護膜７を酸素プラズマでドライエツチングする。
て保護膜７を酸素プラズマでドライエツチングする。
酸素プラズマドライエツチングは、平行平板電極型エツ
チング装置を用い次の条件で行う。
チング装置を用い次の条件で行う。
酸素流ｍ ： ５０ ＳＣＣＭ、 圧力 ： ０．１
５ Ｔｏｒｒ。
５ Ｔｏｒｒ。
印加量カニ ２００ Ｗ、 周波数： １３．５６
ＭＨｚ。
ＭＨｚ。
電極間隔： ５０ ｍｍ。
次に、スパッタにより基板全面に厚さ０．０６μｍの修
正用遮光膜として修正用クロム膜６及び６Ｐを被着する
。ここで修正用クロム膜６はレジスト上に、修正用クロ
ム膜６Ｐはピンホール３上に被着すれたものである。
正用遮光膜として修正用クロム膜６及び６Ｐを被着する
。ここで修正用クロム膜６はレジスト上に、修正用クロ
ム膜６Ｐはピンホール３上に被着すれたものである。
第１図（４）において、５％の水酸化ナトリウム水溶液
の高圧スプレー法を用いてレジスト５を剥離して、修正
用クロム膜６をリフトオフして除去する。
の高圧スプレー法を用いてレジスト５を剥離して、修正
用クロム膜６をリフトオフして除去する。
この際、遮光膜パターンの抜は部分４は保護膜７で平坦
に覆われ段差がないから修正用クロム膜６は残滓を残す
ことなくきれいに剥離される。
に覆われ段差がないから修正用クロム膜６は残滓を残す
ことなくきれいに剥離される。
第１図（５）において、保護膜７をＤｔｌＶ光（波長２
８０ ｎｍの遠紫外光）で全面露光した後、１００％の
酢酸ブチルで剥離する。
８０ ｎｍの遠紫外光）で全面露光した後、１００％の
酢酸ブチルで剥離する。
以上のようにして、マスクの遮光膜に開いたピンホール
３はクロム膜６Ｐで修正される。
３はクロム膜６Ｐで修正される。
以上説明したように本発明によれば、マスクの白欠陥を
修正する際、修正に用いる遮光膜の残滓が遮光膜パター
ンの抜は部分に付着する２次欠陥の発生を防止すること
ができる。
修正する際、修正に用いる遮光膜の残滓が遮光膜パター
ンの抜は部分に付着する２次欠陥の発生を防止すること
ができる。
第１図（１１〜（５）は本発明の一実施例によるマスク
パターンの修正方法を説明するマスクの断面図。 第２図（１）〜（５）は従来例によるマスクパターンの
修正方法を説明するマスクの断面図８ 第３図は問題点を説明する断面図である。 図において。 １は遮光膜パターンでクロムパターン ２は基板。 ３は遮光膜パターンに生じた。 修正しようとするピンホール。 ４は遮光膜パターンの抜は部分 （マスクの透光部） ５はフォトレジスト ６は修正用遮光膜でクロム膜。 ７は保護膜でＥＢレジスト 貧絶例の断面図 第 １ 図
パターンの修正方法を説明するマスクの断面図。 第２図（１）〜（５）は従来例によるマスクパターンの
修正方法を説明するマスクの断面図８ 第３図は問題点を説明する断面図である。 図において。 １は遮光膜パターンでクロムパターン ２は基板。 ３は遮光膜パターンに生じた。 修正しようとするピンホール。 ４は遮光膜パターンの抜は部分 （マスクの透光部） ５はフォトレジスト ６は修正用遮光膜でクロム膜。 ７は保護膜でＥＢレジスト 貧絶例の断面図 第 １ 図
Claims (1)
- 遮光膜パターンが形成されている基板上に、該遮光膜パ
ターンを覆って保護膜とフォトレジスト膜を順に被着し
、該遮光膜パターンに生じているピンホール上の該フォ
トレジスト膜にスポット露光を行い、該フォトレジスト
膜を現像して該ピンホール上を開口し、次いで開口され
た該フォトレジストをマスクにして該ピンホール上の保
護膜をエッチングして開口し、該開口を覆って基板全面
に修正用遮光膜を被着し、該フォトレジスト膜を剥離し
て該フォトレジスト膜上の該修正用遮光膜をリフトオフ
して除去した後、保護膜を剥離する過程を有し、該基板
上の該ピンホール内に該修正用遮光膜が被着されること
を特徴とするマスクパターンの修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63148664A JPH022558A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | マスクパターンの修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63148664A JPH022558A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | マスクパターンの修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH022558A true JPH022558A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15457857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63148664A Pending JPH022558A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | マスクパターンの修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH022558A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102017100866B4 (de) * | 2017-01-18 | 2024-05-08 | Hoya Corporation | Endoskop mit einem Endoskopkopf mit einem Arbeitskanal zum Führen von Mikrowerkzeugen |
-
1988
- 1988-06-16 JP JP63148664A patent/JPH022558A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102017100866B4 (de) * | 2017-01-18 | 2024-05-08 | Hoya Corporation | Endoskop mit einem Endoskopkopf mit einem Arbeitskanal zum Führen von Mikrowerkzeugen |
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