JPH02256629A - ｐ―イソブチルスチレンの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野コ 本発明は高純度ｐ−イソブチルスチレンの製造方法に関
する。さらに詳しくは新規物質である０−ｌｍ−イソブ
チルエチルベンゼンから不均化反応によりｐ−イソブチ
ルエチルベンゼンを製造し、さらにこれを脱水素するこ
とにより高純度ｐ−イソブチルスチレンを製造する方法
に関する。

ｐ−イソブチルスチレンは、消炎剤などの医薬として有
用なα−（４−イソブチルフェニル）プロピオン酸（商
品名：イブプロフェン）を安価に経済的に製造するため
の中間体として有用である。

［従来の技術］ α−（４−イソブチルフェニル）プロピオン酸は、従来
から種々の方法で合成することが提案されている。その
一つとして、ｐ−イソブチルスチレンからヒドロフオル
ミル化反応またはレッペ反応により製造する方法が提案
されている（特開昭５２−５１３３８号公報、同５２−
８２３３号公報、同５２−９７９３０号公報および同５
９−１０５４５号公報）。

このｐ−イソブチルスチレンを使用する方法は、ｐ−イ
ソブチルスチレンが単純で安定な化合物であり、またヒ
ドロフオルミル化反応やレッペ反応等が高価な試薬など
を消費しないために、α−（４−インブチルフェニル）
プロピオン酸を製造する方法としては経済的に優れた方
法である。

従来ｐ−イソブチルスチレンは、特公昭５９−３５８９
９号公報に開示があるように、ｐ−イソブチルアセトフ
ェノンを水素添加したのち、脱水して作ることが公知で
ある。また特開昭６１−２４５２７号公報に開示がある
ように、イソブチルベンゼンとアセトアルデヒドとを硫
酸触媒の存在下で反応させて、１．１−ビス（ｐ−イソ
ブチルフェニル）エタンとし、この１．１−ビス（ｐ−
イソブチルフェニル）エタンを酸触媒の存在下で接触分
解してｐ−イソブチルスチレンを製造している。しかし
これらは工程数が多いとか、大量の触媒を消費するうえ
に、使用済みの廃触媒が強酸性であるために廃棄が容易
でないといった問題点があるためにｐ−イソブチルスチ
レンの製造コストが高くなる欠点を存する。

上記の事情に鑑みて本発明者らは鋭意研究の結果、ｐ−
インブチルエチルベンゼンのエチル基のみを選択的に脱
水素してｐ−イソブチルスチレンを製造する方法を開発
した。

しかるに、ｐ−イソブチルエチルベンゼンの製造方法に
関する従来技術は極めて少なく、例えばＢｅ１ｌｓｔｏ
Ｉｎ、Ｅｆｆ５（Ｓｙｎ　、Ｎｒ、４７Ｇ／［１４４５
）に記載されているように、１−（４−エチルフェニル
）−２−メチルプロパン−１−オンヲ、ジエチレンクリ
コール溶媒の存在下で水酸化カリウムとヒドラジンによ
り還元して製造できる。しかし該方法では原料トナル１
−（４−エチルフェニル）−２−メチルプロパン−１−
オンが極めて高価であるうえ、取扱いが危険なヒドラジ
ンを試薬として使用するため、工業化に困難を伴う。ま
た、特開昭６１−３７７４３号公報の実施例に開示のよ
うに、１．１−ビス（ｐ−インブチルフェニル）エタン
の接触分解の副生物として生成することが知られている
。しかし該方法ではｐ−イソブチルエチルベンゼンは副
生成物であるので生成量が極めて少なく好ましくない。

上記の事情からｐ−イソブチルエチルベンゼンの安価な
製法の開発が従来から望まれていた。そこで本発明者ら
はさらに検討を進め、アルキル化を利用したｐ−イソブ
チルエチルベンゼンの製法を開発した。すなわち、例え
ばイソブチルベンゼンをエチレン化する方法などである
。しかしエチル化における位置選択性は一般に高くなく
、そのためエチル化工程ではｐ一体のはか０−ｌｍ−の
位置異性体がいずれも生成する。ｐ−イソブチルエチル
ベンゼンを分離後の０−ｌｍ−イソブチルエチルベンゼ
ンをそのまま廃棄したのでは不経済である。また現在の
ところ０−ｌｍ−イソブチルエチルベンゼンの有用な用
途は知られていない。

そこで、本発明者らはｏ−ｌｍ−イソブチルエチルベン
ゼンを酸触媒により不均化することによりｐ−イソブチ
ルエチルベンゼンを製造するととを試みた。しかし酸触
媒で不均化反応を行なうと、イソブチルエチルベンゼン
のイソブチル基の骨格異性化も同時に起こる。該骨格異
性化により生成するｓｅｃ−ブチルエチルベンゼンなど
は、その異性体であるイソブチルエチルベンゼンなどと
は沸点が近接しているために蒸留によりこれらを分離す
ることが極めて難しい。

［発明が解決しようとする問題点］ 本発明の目的は、新規物質であって従来を用な用途が無
かった０−またはｍ−イソブチルエチルベンゼンから有
用な用途を宵するｐ−イソブチルスチレンを高純度で製
造する方法の提供にある。

［課題を解決するための手段］ すなわち本発明によれば、 ［工程１］ｏ−イソブチルエチルベンゼンおよび／また
はｍ−イソブチルエチルベンゼンを、必要に応じてイソ
ブチルベンゼンを共存させて酸触媒の存在下、液相で反
応温度が一１０〜６００℃の範囲にあり、かつブチルエ
チルベンゼン中においてｓｅｃ−ブチルエチルベンゼン
の生成量が２０重量％を超えないように反応させること
によりｐ−イソブチルエチルベンゼンおよび６ｅｃ−ブ
チルエチルベンゼンから成る混合物をｆｌテ、［工程２
］前記工程（１）から回収されたｐ−インブチルエチル
ベンゼン ゼン Ｃ−ブチルエチルベンゼンから成る混合物を気相で、反
応温度３００〜６５０℃、反応圧力５０Ｋｇ／ｃｓ”以
下の条件で周期律表第１Ｂ族、第２Ｂ族、第６Ａ族、第
７Ａ族および第８族から選択される少なくとも一種の金
属を含有する脱水素金属触媒と接触させることを特徴と
する高純度ｐ−イソブチルスチレンの製造方法が提供さ
れる。

以下に本発明をさらに詳しく説明する。

［作用］ 本発明者らは、０−イソブチルエチルベンゼン、ｍ−イ
ソブチルエチルベンゼン の混合物を酸触媒から成る不均化触媒により不均化する
ことによりｐ−イソブチルエチルベンゼンを生成できる
ことを見いだした。

該不均化に有効な固体酸触媒としては、シリカ−アルミ
ナ、シリカ−マグネシア等の合成系でも１酸性白土、活
性白土のような天然系粘土系鉱物等でもよい。

ゼオライトを触媒として用いる場合、例えばＨＸ型ゼオ
ライトまたはＨＹ型ゼオライトまたは水素ホージャサイ
トなどの水素ゼオライトを含有するものが使用できる。

これらの水素ゼオライトは、ＮａＸゼオライト、Ｎ　ａ
　Ｙゼオライト、Ｎａホージャサイトなどのようなゼオ
ライトのアルカリ金属塩をカチオン交換によりその一部
もしくは全部をプロトン型に転化させたものであり、こ
れらは強い固体酸性を示す。このほかパーフルオロスル
ホン酸樹脂である商品名「ナフィオン」などの強酸型陽
イオン交換樹脂なども例示できる。

有機酸としてはト１にフルオロメタンスルホン酸、ｐ−
）ルエンスルホン酸などが例示でき、無機酸としては塩
酸、硫酸、フッ化水素酸や、いわゆるフリーデル・クラ
フツ触媒として分類される塩化アルミニウム、臭化鉄、
塩化チタン、三フッ化ホウ素などのハロゲン化金属が挙
げられる。また、リンタングステン酸、リンモリブデン
酸、ケイタングステン酸、ケイモリブデン酸等のへテロ
ポリ酸も有効である。ヘテロポリ酸は、モリブデンやタ
ングステンのポリ原子と一部のへテロ原子との酸化物に
より生ずる酸物質であり、ペテロ原子として、ＰｌＢＮ
　ＶＮ　Ａｓｚ　Ｓ　ｉｓ　Ｇｅ、Ｓｎ％　ＴＩ、Ｚｒ
ｓ　Ｃｅ，Ｔｈｓ　Ｆｅｓ　Ｐｔｔ　ＭｎｔＣＯＮ　Ｎ
１％　Ｔｅｓ　Ｉ、Ａｊ’、Ｃｒ１Ｒｈｓ　Ｃｕ、Ｓｅ
等である。

本発明においては上記の酸触媒は、単独でも、あるいは
適宜２種類以上組み合わせてもよい。また担体に担持さ
せても、使用できる。具体例としては、アルミナ、マグ
ネシア、シリカ、活性炭等の多孔性無機物を主体とする
担体に上記酸性物質を担持させた担持触媒等がある。

不均化反応に供給するものとしては、０−、ｍ−イソブ
チルエチルベンゼンまたはこれらの混合物である。かか
る混合物としては例えば、イソブチルベンゼンをエチレ
ンでエチル化した後、ｐ−イソブチルエチルベンゼンを
分離回収した残りのｏ−ｓｍ−イソブチルエチルベンゼ
ンを含む留分などが例示できる。これｋはイソブチルジ
エチルベンゼンまたはイソブチルトリエチルベンゼンな
どのイソブチルポリエチルベンゼンが含まれても本発明
の目的には支障がない。

必要に応じてイソブチルベンゼンを共存させることもで
きる。イソブチルベンゼンの共存量は適宜決定される。

不均化の反応温度は一１０〜６００℃の範囲から選択さ
れる。この温度範囲以内において生成物のブチルエチル
ベンゼン合計量におけるｓｅｃ−ブチルエチルベンゼン
の量が２０重量％、好ましくは１０重量％を超えないよ
うに適宜最適条件を選択する必要がある。この最適条件
のうち反応温度は、使用する酸触媒の種類により異なる
。例えばシリカ−アルミナのような固体無機酸またはへ
テロポリ酸を用いた場合の最適温度条件は１２０〜４５
０℃であり、水素ゼオライト触媒では１２０〜３５０℃
、強酸型陽イオン交換樹脂触媒では一５〜２５０℃、フ
ッ化水素酸またはトリフルオロメタンスルホン酸触媒な
どの存機超強酸では一１０〜２００℃であり、塩化アル
ミニウムなどのハロゲン化金属では一５〜８０℃であＺ
。

反応温度がこの下限より低いと、ｓｅｃ−ブチルエチル
ベンゼンの生成量は少ないものの反応速度が遅くなり、
不均化の反応率を高めるには長時間を要し、その結果効
率が低下して実用的ではない。また反応温度がこの上限
より高過ぎる場合には、イソブチル基の骨格異性化反応
が著しくなり、生成物中のイソブチルエチルベンゼンお
よびｓｅｃ−ブチルエチルベンゼンなどのブチルエチル
ベンゼンの合計中のｓｅｃ−ブチルエチルベンゼンが２
０重量％を超えることになり好ましくない。さらに別の
副反応である分解も起こり目的物の収量が低下するので
好ましくない。

例えば反応温゛寞を上記のように制御したとしても通常
はｓｅｃ−ブチルエチルベンゼンの生成を完全に抑制す
ることは困難である。すなわち、本発明の不均化方法に
よる限りは、通常は少なくともｏ、を重量％程度の５ｅ
ａ−ブチルエチルベンゼンが生成する。したがうて、不
均化反応の生成物中にはブチルエチルベンゼンの合計量
に対して通常はｓｅｃ−ブチルエチルベンゼンが０．１
重量％程度以上含まれざるを得ない。

しかし前記のようにイソブチルエチルベンゼンの用途は
、医薬中間体用など高純度であるほど好ましく、分離困
難なｓｅｃ−ブチルエチルベンゼンの混入は当然ながら
好ましくない。

ここで、８ｅｃ−ブチルエチルベンゼンおよびｐ−イソ
ブチルエチルベンゼンを脱水素するとすれば、予想され
る生成物の一つはそれぞれｓｅｃ−ブチルスチレンおよ
びｐ−イソブチルスチレンである。しかしこれらの沸点
は互いに近接しているので蒸留による分離が困難である
ことは不均化の場合と同様である。したがって不均化生
成物を脱水素しても蒸留による分離の困難さは変わりな
い。むしろ脱水素時の副反応の存在で分離をさらに困難
にさせるとことが予想される。

しかるに本発明者等の検討によれば、上記ｓｅｃ−ブチ
ルエチルベンゼンとｐ−イソブチルエチルベンゼンとの
混合物を、特定の条件下で脱水素金属触媒と接触させる
とｓｅｃ−ブチルエチルベンゼンが脱水素の他に優先的
に分解などの副反応を受け、一方ｐ−イソブチルエチル
ベンゼンはエチル基の脱水素反応のみを優先的に受ける
ことが分かった。すなわち、少なくともｐ−イソブチル
エチルベンゼン と脱水素される条件下では、ＳｅＣ−ブチルエチルベン
ゼンとｐ−イソブチルエチルベンゼンとの混合物からは
主としてｐ−イソブチルスチレンが得られるととが判明
した。

しかしながら、脱水素原料中に著しく多量のＳｅＣ−ブ
チルエチルベンゼンが存在すると、例え脱水素するとし
てもｐ−イソブチルスチレンを高純度で分離回収するこ
とは容易ではない。

したがって、本発明では脱水素原料としてはブチルエチ
ルベンゼン合計中のＳｅｃ−ブチルエチルベンゼンは２
０重量％、好ましくは１０重量％を超えないことが肝要
である。

不均化反応の溶媒としては、該反応およびｐ−イソブチ
ルエチルベンゼンの分離精製に悪影響の無いものであれ
ば特に制限はない。

反応形態は、気相または液相の何れでもよく、回分式ま
たは固定床、移動床、流動床などの流通式の何れでも実
施できる。

本発明の不均化反応後、必要に応じて蒸留することによ
りｐ−イソブチルエチルベンゼンは高純度で回収できる
。すなわち、その位置異性体であるｍ一体やｐ一体から
は蒸留による分離が可能である。しかし前記のようにｓ
ｅｃ−ブチルエチルベンゼンとの分離はある程度以上に
なると蒸留では困難である。ｐ−イソブチルエチルベン
ゼンの純度が適当であれば不均化反応生成物をそのまま
次の脱水素工程に送ることができる。

上記蒸留は、減圧蒸留、常圧蒸留、加圧蒸留の何れでも
よいが、目的とするｐ−イソブチルエチルベンゼンの沸
点が比較的高く、蒸留時の熱変質を避けるためには常圧
蒸留または減圧蒸留が好ましい。蒸留塔の形式はトレー
型でも充填物型の何れでもよい。また装置としては連続
式でも回分式でもよい。蒸留装置の精度としては、通常
は理論段数が２０以上、好ましくは３０以上である。

不均化反応生成物から必要に応じて行なう蒸留により得
られたｐ−イソブチルエチルベンゼンとｓｅｃ−ブチル
エチルベンゼンの混合物は、反応温度３００〜６５０℃
、圧力５０　Ｋｇ７ｃｍ２以下の気相で周期律表中第１
族Ｂ族、第２族Ｂ族、第６族Ａ族、第７族Ａ族および第
８族から選択された少なくとも一種の金属を含む脱水素
金属触媒と接触させた後、必要に応じて蒸留することに
より高純度のｐ−イソブチルスチレンを回収することが
できる。本発明では、ｓｅｃ−ブチルエチルベンゼンの
大半は脱水素触媒と接触して分解などの副反応を受けて
、より低分子量化合物へと変換される。一方、ｐ−イソ
ブチルエチルベンゼンは主としてｐ−イソブチルスチレ
ンへと脱水素される。

したがって、脱水素反応以前の状態では、蒸留分離が困
難な成分で汚染されていたものが、脱水素反応以後の状
態ではより高純度に、いわば精製される結果となる。

脱水素触媒は周期律表第１族Ｂ族、第２族Ｂ族、第６族
Ａ族、第７族Ａ族および第８族がら選択された少なくと
も一種の金属を含む脱水素金属触媒であり、具体的には
鉄、銅、亜鉛、ニッケル、パラジウム、白金、コバルト
、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、クロム、モリブ
デンなどの金属化合物が例示でき、これらの組み合わせ
も有効である。中でも鉄、銅、クロムから選択された少
なくとも１種の金属を含む触媒が好ましい。

これらの金属は単体、酸化物、塩化物、硫化物、水素化
処理物など何れの形態でも使用できる。特に酸化鉄系触
媒、銅−クロム系触媒などはｐ−イソブチルスチレンへ
の選択性が良く、本発明の目的には特に好ましい。

通常、脱水素触媒は長時間使用しているとコーキング等
により次第に活性が低下するので、その場合には、例え
ば５００”Ｃ程度の高温で空気等でデコーキングするこ
とにより初期の活性を再現できる。必要に応じて２００
〜５００’Ｃで水素の流れ中に置（ことによる水素処理
を行ってもよい。

脱水素温度は、触媒の組成、接触時間、希釈モル比など
に応じて３００〜６５０℃、好ましくは４００〜ｇ５０
℃の範囲で選択できる。この範囲より高くなると分解反
応のみならず生成したｐ−イソブチルスチレンがさらに
脱水素されるといった副反応が急速に高まり、ｐ−イソ
ブチルスチレンの選択率が著しく低下する。これはｐ−
イソブチルエチルベンゼンの損失が大きいだけでなく、
生成物の分布が極めて複雑になり蒸留等にょるｐ−イソ
ブチルスチレンおよび未反応ｐ−イソブチルエチルベン
ゼンなどの分離が困難になるので好ましくない。また反
応温度がこの範囲より低いと、目的とする脱水素反応の
反応速度が著しく低下して経済的に好ましくない。

脱水素反応により生成するオレフィンは重合性であるた
めに、反応層中でのオレフィン濃度が高い状態を高温で
継続すると、生成したｐ−イソブチルスチレンの一部が
重合して損失となる。これを避けるには、非還元性ガス
、例えば窒素、ヘリラム１アルゴン、スチーム、酸素な
どを同伴させチオレフイン濃度を希釈するのが有効であ
る。ベンゼンなどの脱水素され難い溶媒で希釈すること
もできる。また脱水素の触媒活性を維持するために１反
応層にスチームを導入して脱水素するのもよい。スチー
ム量には特に限定されない。

脱水素工程の形式は固定床、移動床、流動床の何れでも
よい。

反応圧力は、上記の反応条件下で生成したｐ−イソブチ
ルスチレンが気化し得る範囲であれば特に限定されない
が、通常５０Ｋｇ／ｃ■２以下、好ましくは常圧ないし
１０　Ｋｇ／ｃｍ”である。

原料のｐ−イソブチルエチルベンゼンと触媒との接触時
間は０．００５〜２０秒、好ましくは０．０１〜１０秒
、さらに好ましくは０．０５〜５秒である。接触時間が
これより短いと反応率が低下して好ましくない。また、
これより長いと生成したｐ−イソブチルスチレンがさら
に脱水素されるなどの副反応が多くなりｐ−イソブチル
スチレンの選択率が低下する。反応形式、反応ガス組成
１触媒組成、反応温度、または原料ガス予熱温度等の組
み合わせの相違により上記上記範囲内で適宜変化できる
。

また上記脱水素工程は連続式でも回分式でも実施できる
。

脱水素金属触媒との接触後、必要に応じて蒸留によりｐ
−イソブチルスチレンが高純度で回収できる。前記のよ
うにｐ−イソブチルスチレンは実質的に精製される結果
その後の反応の種類によっては脱水素生成物を特に蒸留
することなく次の工程に送ることができる。

かくして得られたｐ−イソブチルスチレンは、遷移金属
触媒の存在下で、−酸化炭素と水とでヒドロカルボキシ
ル化する、−酸化炭素とアルコールとでヒドロエステル
化し加水分解する、または−酸化炭素と水素とでヒドロ
フオルミル化してα−（４−インブチルフェニル）プロ
ピオンアルデヒドとした後、酸化することにより医薬と
して有用すα−（４−イソブチルフェニル）プロピオン
酸が容易に得られる。

［実施例］ 以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明する。以
下に記載の％は特に言及しない限り重量％である。

実」１例」− 〇−イソブチルエチルベンゼン 攪拌器と還流器を具備した四つロア！セパラブルフラス
コに、十分乾燥したジエチルエーテル３１と金属マグネ
シウム２４５ｇを入れ、ジエチルエーテル還流下でイソ
ブチルブロマイド１３７０ｇ　（１０ｍｏｆ）を徐々に
滴下した。滴下終了後、ジエチルエーテル還流下で１時
間攪拌し、得られたインブチルマネシウムブロマイドの
ジエチルエーテル溶液を滴下ロートに移した。

攪拌器と還流器を具備した四つ口１５！セパラブルフラ
スコに、十分乾燥したジエチルエーテル３１と０−ブロ
モスチレン９１５ｇ（５ｍｏ＞）およびビス（１，３−
ジフェニルホスフィノ）プロパンニッケル（ｎ）クロラ
イド３１ｇを入れ、攪拌しながら上記のイソブチルマネ
シウムブロマイドのジエチルエーテル溶液を滴下した。

滴下終了後、ジエチルエーテル還流下で反応が完結する
まで攪拌を続けた。反応終了後、室温まで冷却し、水中
に投じて残存するインブチルマネシウムブロマイドを失
活した。分液ロートにてエーテル層を分離して中性にな
るまで水洗してジエチルエーテル層を留去したところ粗
０ーイソブチルスチレンが１７６ｇ得られた。

攪拌器付き１！オートクレーブに１０％パラジウムブラ
ック触媒を３５．８ｇと上記０−イソブチルスチレン全
量を入れ、反応温度５０℃、水素圧２０にｇ／ｃ＋ｍ”
において水素添加した。水素の吸収がなくなった後、反
応混合物を旙過して触媒を除去し、蒸留した結果、純度
９９．８％の。−イソブチルエチルベンゼンが６４２ｇ
得られた。

ソ　　ルエ　ルベンゼンの 沸点（静止法）　　　２１１．１℃（無色液体）比重（
オストリルトビクツメータ法、１５／４℃）０、　　８
７２４ 屈折率（ＮｔＯＤ）　　１．４９５６ 動粘度（４０℃）　　１．４８　　Ｃ８赤外吸収スペク
トル（液膜法、ｃｍ−’）２９８Ｇ、１９５Ｇ、１９２
０．１Ｂ５０，１８２Ｇ、１７０Ｇ、１８１０，１５０
０．１４７Ｇ、１３９０．１３７０．１３４Ｇ、１２９
０，１１７０．１１４Ｇ、１０８０．１Ｇ７０．９７０
．９４０，９２０．８００．７６０ 核磁気共鳴スペクトル（ＣＣ７４溶媒、δｐｐｍ　）８
．９５　　　　（４Ｈ１１重線） ２．３〜２．８　（４Ｈ１５重線） １．５〜２．１　（ＬＨ１７重線） １．０〜１．４　（３Ｈ，３重線） ０．７〜１．０　（６Ｈ１２重線） 質量分析スペクトル（Ｅ）、７０ｅＶ）ｍ／ｅ　　　　
（パターン係数） ＩＣｌ３　　　　　　（３１） 元素分析（ＣＩ２Ｈ１１１として） 理論値　　Ｃ：８８．８９ Ｈ：１１．１１ 分析値　　Ｃ：８８．９２ Ｈ：１０．９７ 実ｍ ｍ−イソブチルエチルベンゼンの合成 攪拌器と還流器の付いた四つロア！セパラブルフラスコ
に、十分乾爆したジエチルエーテル３ノと金属マグネシ
ウム２４５ｇを入れ、ジエチルエーテル還流下でイソブ
チルブロマイド１３７０ｇ　（１０ｍｏ７）を徐々に滴
下した。滴下終了後、ジエチルエーテル還流下で１時間
攪拌し、得られたイソブチルマグネシウムブロマイドの
ジエチルエーテル溶液を滴下ロートに移した。

攪拌器と還流器の付いた四つ口１５！セパラブルフラス
コに、十分乾保したジエチルエーテル３ノとｍ−ブロモ
スチレン９１５ｇ　（５ｍｏ７）およびビス（１，３−
ジフェニルホスフィノ）プロパンニッケル（ｎ）クロラ
イド３１ｇを入れ、攪拌しながら室温で上記イソブチル
マグネシウムブロマイドのジエチルエーテル溶液を滴下
した。滴下終了後、ジエチルエーテル還流下で反応が完
結するまで攪拌を続けた。反応終了後、室温まで冷却し
、水中に投じて残存するイソブチルマグネシウムブロマ
イドを失活した。分液ロートでエーテル層を分離して中
性になるまで水洗してジエチルエーテルを留去すると粗
ｍ−イソブチルスチレンが６７０ｇ得られた。

攪拌器付き１ノオートクレープに１０％パラジウムブラ
ック触媒を３３．５ｇと上記粗ｍ−イソブチルスチレン
を全量入れ、反応温度５０℃、水素圧力２０　Ｋｇ／ａ
ｍ２にて水素添加した。水素の吸収がなくなった後、反
応混合物を濾過して触媒を除き蒸留したところ、純度９
９．７％のｍ−インブチルエチルベンゼン ソ　　ルエ　ルーベンゼンの 沸点（静止法”）　　　２１０．８°Ｃ（無色液体）比
重（オスワルドピクノメーター法、　１５７　４℃）０
、　　８５８３ 屈折率（　Ｎ　２。Ｄ）　　１．４８８４動粘度（４０
℃）　　１．２９　　ＣＳ赤外吸収スペクトル（液膜法
、ｃｍ−’）２９ＧＯ、１９４０．１８ＧＯ，１８００
．１７００、１８２０、１５９０，１５００、１４７０
，１３９０、Ｉ３７０、１３４０．１２９０、１２２０
、１１８０、１１１０％１０９０，１０７Ｇ、１０６０
、８９０、８２０、７９０、７４０、７１θ 核磁気共鳴スペクトルＣＣＣＩ４溶媒、δｐｐｍ　）８
、９５　　　　（４Ｈ，１重線） ２、３〜２．８　（４Ｈ，５重線） １、５〜２．１　（ＩＨ１７重線） １、０〜１．４　（３Ｈ１３重線） ０、７〜１．０　（ｆ３Ｈ，２重線） 質量分析スペクトル（Ｅ）、７０ｅＶ）ｍ／ｅ　　　　
（パターン係数） 元素分析（ＣｓｉＨｔａとして） 理論値　　Ｃ：８ｇ、８９ Ｈ：１１．１１ 分析値　　Ｃ：８８．９１ Ｈ：　　１０．　９９ 案Ｊ！Ｌｌｌ ｐ−イソブチルエチルベンゼンの製造［不均化反応１コ 実施例１で得られた０−イソブチルエチルベンゼン８０
０　ｇ、純度９９．８％のイソブチルベンゼン１２００
ｇ、およびシリカ−アルミナ触媒Ｎ６３３Ｌ　（商品名
、０揮化学（１助製）９０ｇを、内容量３１の撹拌器付
きオートクレーブに入れ、系内の気体部分を窒素で置換
した後密閉して２７０℃に昇温し、２４時間不均化反応
させた。反応混合物の組成　を第１表に示した。

イソブチルベンゼン　　　　　　５９．２ｓｅｃ−ブチ
ルベンゼン　　　　　１．２０−インブチルエチルベン
ゼン　　７．８ｍ−イソブチルエチルベンゼン　１２．
３ｐ−イソブチルエチルベンゼン　　７．９８ｅＣ−ブ
チルエチルベンゼン の ０−イソブチルエチルベンゼンの転化率７８。

６％、ｐ−イソブチルエチルベンゼンへの選択率３１、
０％であった。

実」１例」１ ｐ−イソブチルエチルベンゼンの製造［不均化反応２］ 実施例２で得られたｍ−イソブチルエチルベンゼンｅ　
ｏ　ｏ　ｇ，純度９９．８％のイソブチルペ・ンゼン１
２００ｇ１およびシリカ−アルミナ触媒Ｎ８３３Ｌ　（
商品名、日揮化学轢製）９０ｇを、内容量３ノの攪拌器
付きオートクレーブに入れ、系内の気体部分を窒素で置
換した後密閉して２７０℃に昇温し、２４時間不均化反
応させた。反応混合物の組成　を第２表に示した。

イソブチルベンゼン ｓｅｃ−ブチルベンゼン ０−イソブチルエチルベンゼン ｍ−イソブチルエチルベンゼン ｐ−インブチルエチルベンゼン ｓｅｃ−ブチルエチルベンゼン ５８、８ １、３ ６、７ １５、　４ ８、　　８ ０、　６ ｍ−イソブチルエチルベンゼンの転化率５３。

７％、ｐ−イソブチルエチルベンゼンへの選択率２２６
８％であった。

１ＵＬＬＬ［不均化反応３］ 実施例１および２で得られたｍ−、ｏ−イソブチルエチ
ルベンゼンの等１混合物ｅｏｏｇｓ純度９９、８％のイ
ソブチルベンゼン１２００ｇ，ｄよびシリカ−アルミナ
触媒ＮＥ３３３Ｌ　（商品名、日揮化学■製）８０ｇを
、内容量３ノの攪拌器付きオートクレーブに入れ、系内
の気体部分を窒素で置換した後密閉して２７０℃に昇温
し、２４時間不均化反応させた。反応混合物の組成　を
第３表に示した。

イソブチルベンゼン ｓｅａ−ブチルベンゼン ０−イソブチルエチルベンゼン ｍ−イソブチルエチルベンゼン ｐ−イソブチルエチルベンゼン ｓｅａ−ブチルエチルベンゼン の 得られた反応混合物のうち １０００ｇを２１の ６０、　３ １、３ ６、０ １５、８ θ．　７ ０、　　７ 三つロフラスコに入れ、内径３０ｍｍ％長さ１．５ｍの
ガラス管に東京特殊金ｍ　１＠製充填物ｒＨｅｌｉ　　
Ｐａｃｋ　　Ｎｏ、３　　ｍｅｔａｌＪ（商品名）を充
填した理論段数３５段の蒸留塔を用いて還流比２０で回
分式に蒸留したところ、ｐ−イソブチルエチルベンゼン
の純度９７．２％の留分が４３．４ｇ　（回収率６３．
０％、ブチルエチルベンゼン合計中のｓｅｃ−ブチルエ
チルベンゼンの含量１．９％）であった。

寛敷肚１［不均化反応４コ 下記第４表の混合物５００ｇと純度９９重量％のトリフ
ルオロメタンスルホン酸２５ｇを１１オートクレーブに
入れ、撹拌下１１０℃で２４時間不均化反応させ、反応
混合物をＣａ（ＯＨ）２で中和後水洗して有機層をガス
クロマトグラフィーで分析した結果を第５表に示した。

イソブチルベンゼン　　　　　　８１．８イソブチルエ
チルベンゼン　　　１４．２０−　　　　　　　　　　
　　　　　７゜ｍ−５゜ ｐ−１゜ イソブチルジエチルベンゼン　　　３゜イソブチルベン
ゼン　　　　　　７７．２ｓｅｃ−ブチルベンゼン　　
　　　１．８イソブチルエチルベンゼン　　　１６．６
ｏ　−４，８ ｍ−７，３ Ｉ）−４，７ ｓｅｃ−ブチルエチルベンゼン　　０．４イソブチルジ
エチルベンゼン　　　２．９の この不均化反応混合物を１ノの三つロフラスコに入れ、
実施例５と同様にして蒸留したところ、ｐ−イソブチル
エチルベンゼンの純度９７重量％以上の留分が１６ｇ（
回収率６８．１％、ブチルエチルベンゼン合計中のｓｅ
ｃ−ブチルエチルベンゼンの含量２．２％）であった・ 支敷肚Ｌ［不均化反応５コ 実施例５と同様に、前記第４表の混合物５００ｇと純度
９９．７重量％のフッ化水素２５ｇを１ノオートクレー
プに入れ、攪拌下１１０℃で２４時間不均化反応させ、
反応混合物を Ｃａ（ＯＨ）ｚで中和後水洗して有機層をガスクロマト
グラフィーで分析した結果を第６表に示した。

イソブチルベンゼン ｓｅｃ−ブチルベンゼン イソブチルエチルベンゼン 一 ｓｅｃ−ブチルエチルベンゼン イソブチルジエチルベンゼン ７６、　５ １、　７ １７、　７ ４、９ ８、２ ４、６ ０、４ ２、　７ の この不均化反応混合物を１１の三つロフラスコに入れ、
実施例５と同様にして蒸留したところ、ｐ−イソブチル
エチルベンゼンの純［ｆ９７重量％以上の留分が１５ｇ
（回収率６５．２％、ブチルエチルベンゼン合計中のｓ
ｅｃ−ブチルエチルベンゼンの含量２．０％）であった
。

実ＪＬ舅１［不均化反応６コ 実施例５と同様に、前記第４表の混合物５００ｇとＨＹ
ゼオライト２５ｇを１１オートクレーブに入れ、攪拌下
１８０℃で２４時間不均化反応させ、反応混合物から触
媒をろ別して有機層をガスクロマトグラフィーで分析し
た結果を第７表に示した。

イソブチルベンゼン　　　　　　７７、２ｓｅｃ−ブチ
ルベンゼン　　　　　１．３イソブチルエチルベンゼン
　　　２２．Ｏｏ　−　　　　　　　　　　　　２．　
　１ｍ−１２，８ ｐ−７，１ ｓｅｃ−ブチルエチルベンゼン イソブチルジエチルベンゼン の この不均化反応混合物を１１の三つロフラスコに入れ、
実施例５と同様にして蒸留したところ、ｐ−イソブチル
エチルベンゼンの純度９７重量％以上の留分が２５ｇ（
回収率６８．３％、ブチルエチルベンゼン合計中のｓｅ
ｃ−ブチルエチルベンゼンの含量１．５％）であった。

支駁匠１［不均化反応７］ 実施例５と同様に、前記第４表の混合物５００ｇとリン
タングステン酸２５ｇを１！オートクレーブに入れ、撹
拌下２５０℃で２４時間不均化反応させ、反応混合物か
ら触媒をろ別して有機層をガスクロマトグラフィーで分
析した結果を第８表に示した。

イソブチルベンゼン　　　　　　７６、８ｓｅｃ−ブチ
ルベンゼン　　　　　１．９イソブチルエチルベンゼン ｏ−３．２ ｍ−８．ｉ ｐ−５．８ ｓｅｃ−ブチルエチルベンゼン　　０．　４イソブチル
ジエチルベンゼン　　　２．　９の この不均化反応混合物を１ノの三つロフラスコに入れ、
実施例５と同様にして蒸留したところ、ｐ−イソブチル
エチルベンゼンの純度８７重量％以上の留分が１９ｇ（
回収率８７．９％、ブチルエチルベンゼン合計中のｓｅ
ｃ−ブチルエチルベンゼンの含量２．２％）であった。

実ｍｃエチル化と不均化］ 純度９８．８重量％のイソブチルベンゼン６　０　０　
０ｍｊとシリカ−アルミナ触媒ＩＳ−２８（商品名、触
媒化成工業轢製）２８０ｇとを１０１のオートクレーブ
に仕込み、攪拌しながら系内の温度を２５０℃にした後
エチレンを張り込んで圧力を２　０　Ｋｇ／ａｍ”に維
持したまま１２時間反応させた。反応終了後、触媒をろ
別してガスクロマトグラフィーで分析した。反応混合物
の組成を第９表に示した。

イソブチルベンゼン　　　　　　８０．１ｓｅｃ−ブチ
ルベンゼン　　　　　１．１イソブチルエチルベンゼン
　　　１４．３ｏ　−　　　　　　　　　　　５．　７
ｍ−４．４ ｐ−　　　　　　　　　　　４．２ ｓｅｃ−ブチルエチルベンゼン　　０．　２の この結果イソブチルベンゼンの転化率１９．７重ｆｆｉ
％、消費したイソブチルベンゼンのモル数に対する生成
したｐ−イソブチルエチルベンゼンのモル数の割合（以
下、ｐ−イソブチルエチルベンゼンへの選択率と呼称）
は１７．６％、インブチルエチルベンゼンの位置異性体
は、Ｏ：ｍ：１）：４０　：　３　１　：　２９であっ
た。

このエチル化反応混合物ｓｏｏｇを実施例５と同様にし
て蒸留したところｐ−イソブチルエチルベンゼンの純度
８７．３％の留分が１８８ｇ（回収率９３．４％）であ
った。

次いで、このエチル化反応混合物からｐ−イソブチルエ
チルベンゼンを回収した残りの留分の全てを実施例３と
同様にして不均化反応を行い、得られた反応混合物５０
２３ｇ　（位置異性体中のｐ−イソブチルエチルベンゼ
ン含量３８．１３１ｊ１％）を蒸留したところ、ｐ−イ
ソブチルエチルベンゼンの純度８７．１％の留分が１７
９ｇ　（回収率８０．３％、ブチルエチルベンゼン異性
体中のｓｅｃ−ブチルエチルベンゼン含量２．２％）で
あった。

見胤且り上 ｐ−イソブチルスチレンの製造［脱水素反応１コ カリウムおよびクロムを助触媒とする酸化鉄系の脱水素
触媒Ｇ−８４ＡＣ商品名、日産ガードラーー製）を粒径
１〜２ｍｍに調整し、内径１２ｍｍ１長さ１ｍのステン
レス管に２０ｍ！充填した。実施例５を繰り返すことに
より得られたｐ−イソブチルエチルベンゼン留分１００
ｇを１０ｍ　ｌ　／　ｈ　ｒ　ｓおよび水９０ｍ１／ｈ
ｒの流量で、予熱管を経由して、反応温度５５０℃で　
触媒層に通し脱水素させた（触媒との接触時間０．２秒
、ｐ−イソブチルエチルベンゼン留分に対するスチーム
のモル比８３）。脱水素物は冷却し、ガスおよび水を分
離した後、を機層についてガスクロマトグラフィーによ
り分析した。得られた有機層の組成を第１０表に示した
。

ｐ−イソブチルエチルベンゼン　θ９．１ｐ−イソブチ
ルスチレン　　　　２３．２の これから、ｐ−イソブチルエチルベンゼン（以下、ＰＢ
Ｅと呼称することがある）の転化率は２８．９％、ｐ−
イソブチルスチレン（以下、ＰＢＳと呼称することがあ
る）への選択率は８２．９％であった。

得られた有機層のうち９０ｇとフラックス油としてのシ
リコーン油３００ｇを５００ｍｆの三つロフラスコに入
れ、実施例５における回分式蒸留と同様にして蒸留した
ところｐ−イソブチルスチレンの純度９８．７％の留分
が得られた。この留分中のｓｅｃ−ブチルエチルベンゼ
ンの脱水素物に相当する化合物の量は０．３％であった
。

すなわち、反応後、原料のｐ−イソブチルエチルベンゼ
ンに対応する化合物であるｐ−イソブチルスチレンの含
育量が向上したことが分かる。

〜 Ｃｒ２Ｏ，Ｊ　１８重量％、ＣｕＯ３９重量％、Ｚｎ０
　３８重量％から成る銅−クロム系脱水素触媒を使用し
て、実施例１１に準じて同じ原料について脱水素反応を
行った。反応後、実施例１１と同様にして蒸留した。得
られた結果を第１１表に示した。

反応温度（”Ｃ）　　４５０　５００ 接触時間（秒）　　０．２　０．２ スチ一ムモル比　９３９３ ＰＢＥ転化率（％）２　　８ ＰＢＳ選択率（％）７８　　７Ｂ ＰＢＳ純度（％）　９８．４　９Ｂ、１ｉｓｅｃ−ブチ
ルエチルベンゼの 脱水素化物相当物の濃度（％） 脱水素触媒の金属に代えて次表の金属触媒を用いた他は
実施例１１に準じてｐ−イソブチルエチルベンゼン留分
の脱水素を行った。金属はいずれも酸化物としてシリカ
に担持して用いた。反応後実施例１１と同様にして蒸留
した。結果を第１２表に示した。

参１」１１ α−（４−インブチルフェニル）プロピオン酸メチルの
製造［ヒドロエステル化反応］実施例１１で蒸留して得
られた純度９８．７％のｐ−イソブチルスチレン２５．
０ｇｔ　メタノール１０．０ｍｊ１溶媒としてのトルエ
ン１００ｍ１１触媒としてのＰｄＣ１２ｏ、０２７１ｇ
１助触媒として（ＤＣｕＣｌｍ　０．０１０５ｇ１ｉｔ
らに配位子のトリフェニルホスフィン０．０８１２ｇを
内容量２００ｍｊの攪拌器付きオートクレーブに入れ、
撹拌しながら８０℃に昇温した後、−酸化炭素で７０　
Ｋｇ／ａｍ”の圧力に維持し、８時間反応させた。反応
終了後冷却し反応混合物をガスクロマトグラフィーで分
析した結果、ｐ−イソブチルスチレンの転化率９９．８
％、α−（４−インブチルフェニル）プロピオン酸メチ
ルへの選択率８０．２％を得た。

１１肚旦 α−（４−インブチルフェニル）プロピオン酸の製造［
加水分解反応］ 参考例１　の反応混合物を蒸留して得られた純度９９．
０％のα−（４−インブチルフェニル）プロピオン酸メ
チル１５ｇと１０％水酸化ナトリウム水溶液７５ｍ７と
を攪拌しながら還流させ、約３時間加水分解した。冷却
後、混合物を静置分離させ、下層の水層をノルマルヘキ
サンで洗浄した。

水層に５％塩酸を加え１）Ｈを２に調整し、分離して油
分をノルマルヘキサンで抽出し水洗した。

ノルマルヘキサンを減圧で蒸発分離し、淡黄色の粗α−
（４−インブチルフェニル）プロピオン酸結晶１２．０
ｇを得た。

粗α−（４−イソブチルフェニル）プロピオン酸をノル
マルヘキサン溶媒で再結晶させ白色の精製α−（４−イ
ンブチルフェニル）プロピオン酸（融点７５〜７８℃）
結晶１０．４ｇを得た。このものの融点、スペクトルな
どは標品と一致した。

［発明の効果］ 本発明の方法によれば、新規物質であることに起因して
従来用途が無かったｏ−ｌｍ−イソブチルエチルベンゼ
ンから有用なｐ−イソブチルスチレンが高純度で製造で
きる。ｐ−イソブチルスチレンの有用な用途が高純度品
を要求される医薬であるところから、本発明の方法によ
り蒸留などにより分離が不可能な成分で汚染されていな
い高純度のｐ−イソブチルスチレンが得られることは工
業的に極めて有意義である。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）［工程１］ｏ−イソブチルエチルベンゼンおよび
   ／またはｍ−イソブチルエチルベンゼンを、必要に応じ
   てイソブチルベンゼンを共存させて酸触媒の存在下、液
   相で反応温度が−１０〜６００℃の範囲にあり、かつブ
   チルエチルベンゼン中においてｓｅｃ−ブチルエチルベ
   ンゼンの生成量が２０重量％を超えないように反応させ
   ることによりｐ−イソブチルエチルベンゼンおよびｓｅ
   ｃ−ブチルエチルベンゼンから成る混合物を得て、 ［工程２］前記工程（１）から回収された ｐ−イソブチルエチルベンゼンおよびブチルエチルベン
   ゼン中において２０重量％を超えない量のｓｅｃ−ブチ
   ルエチルベンゼンから成る混合物を気相で、反応温度３
   ００〜６５０℃、反応圧力５０Ｋｇ／ｃｍ＾２以下の条
   件で周期律表第１Ｂ族、第２Ｂ族、第６Ａ族、第７Ａ族
   および第８族から選択される少なくとも一種の金属を含
   有する脱水素金属触媒と接触させることを特徴とする高
   純度ｐ−イソブチルスチレンの製造方法。
2. （２）前記酸触媒が、固体酸、フリーデル・クラフツ触
   媒、有機酸、無機酸、ヘテロポリ酸および強酸型陽イオ
   ン交換樹脂から成る群から選択される酸触媒である特許
   請求の範囲第１項記載の高純度ｐ−イソブチルスチレン
   の製造方法。
3. （３）前記脱水素金属触媒が鉄、銅、亜鉛、ニッケル、
   パラジウム、白金、コバルト、ロジウム、イリジウム、
   ルテニウム、クロムおよびモリブデンの金属化合物から
   成る群から選択される金属触媒である特許請求の範囲第
   １項記載の高純度ｐ−イソブチルスチレンの製造方法。
4. （４）前記脱水素金属触媒が酸化鉄系触媒または銅−ク
   ロム系触媒である特許請求の範囲第１項記載の高純度ｐ
   −イソブチルスチレンの製造方法。