JPH02257633A - 半導体基板面の保全方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、半導体基板の表裏面の保全方法に関し、特
に種々工程中半導体基板の一面に剥離可能な粘着テープ
を貼り付は又は保護層を設けるものに係る。

（従来技術とその問題点） 半導体基板の製造は、一般に第６図のフローチャートに
示すように行われている。この図中のエツチング工程は
、従来、ラッピング工程（前工程）で生じた加工歪の除
去を主目的としたものであり、ラッピング工程で使用す
る加工剤の加工粒子径を小さくすれば、加工歪深さを低
減することが可能である。実際に、キャリアライフタイ
ム計測等の手法で評価すると、加工歪深さは５〜１０ル
Ｉ１１程度にまで低減されおり、この程度の加工歪なら
ば最終工程たるポリッシング工程で１１５−２０ｐ程度
の研磨を行うことによって除去でき、満足のできる品質
の最終基板が得られる。したがって近年は、加工歪の除
去を目的としたエツチングは少なくなワている。しかし
、半導体基板の製造工程では、半導体基板の表面清浄化
或いは酸化膜の除去を目的として片面エツチングを求め
られることがある。

この片面エツチングは、従来、薬液を半導体基板の片面
のみにスプレー状に噴射して行っていた。

しかし、上記従来の片面エツチング方法に依れば、半導
体基板の裏面にまで薬液が到り、半導体基板の形状精度
が劣化してしまうという問題がある。

上記エツチング工程における問題点は、片面ポリッシン
グの実施においても存在する。つまり、片面ポリッシン
グ中に加工剤などが半導体基板の裏面に到り、エツチン
グ作用によって半導体基板の裏面が浸され、くもりを生
じたり疵を付けたりすることが多い。そこで片面ポリッ
シングでは、ポリッシング前に半導体裏面に樹脂などを
コーティングしていた。

しかし、上記樹脂コーティングによる半導体基板の裏面
の保護は、コーティングに手間がかかり、更に、ポリッ
シング後のコーティング除去時には塩素系溶剤などを使
用しなければならず、この手間も大きいという問題があ
る。

また、洗浄工程は、半導体基板上に存在するゴミを除去
するため、過酸化水素水（＋（２０□）、アンモニア水
（ＮＨ４０Ｈ）、フッ化水素酸（ＨＦ）　、塩酸（Ｆ（
ＣＩ）その他アルカリ溶液などの薬品を組合せた化学的
な湿式洗浄を行っているが、その後の検査工程で基板を
外観検査してみると、全ての基板についてゴミが除去さ
れていることはまれであり、ゴミが付着していて問題と
なる基板については、再度洗浄工程に戻して洗浄し直し
、ゴミを除去していた。そして、近年はスクライバ−な
どの枚葉湿式洗浄装置が普及しこれにより基板表面に残
ったゴミを除去することも行われている。

しかし、上記スクライバ−等の枚葉湿式洗浄装置はゴミ
除去能力が今一つであり、更に該装置に依ると、スクラ
イバ−で基板表面に傷が付き基板特性が低下することも
ある。

この問題を解決するために、特開昭６３−２７６２２９
号公報において、皮膜を形成してゴミを取込み除去する
考え方が開示されているが、この場合−度形成した皮膜
を基板表面から除去する場合に粘着（或いは接着）力以
上の大きな力で剥してやらねばならず、この際、基板が
損傷してしまうという問題がある。

また、検査工程では、基板自体の形状及び外観検査を実
施している。この検査工程において基板表面のみに疵な
どの不良が発見された場合は、再度ポリッシングを実施
しその救済を行っていた。

その際ポリッシングの前に各種基板の混入を防止すべく
、各＠基板特性（たとえば比抵抗、厚み、Ｐ、Ｎタイプ
など）の選別作業が行われているが、この選別作業時に
疵が裏面に形成されてしまうという問題がある。

更にまた、出荷工程において施された包装に不備がある
場合には、基板を外気から完全に遮断できず、この結果
基板表面から汚染されたり、経時変化を起したり、或い
は基板裏面に故意につけた歪付け（Ｂａｃｋ　５ｉｄｅ
　Ｄａｍａｇｅ）に存するゴミやパーティクルが飛散し
て、基板表面が汚染されるという問題もあった。

本発明は、上記問題点を解決することを目的としてなさ
れたものである。

（課題を解決するための手段） すなわち、第１の発明は、予め半導体基板の裏面に粘着
テープを貼り付けておき、薬液若しくは加工剤を半導体
基板の表面に噴き付けて、片面エツチング又は片面ポリ
ッシングを行った後、前記粘着テープを剥離するように
したことを特徴とする半導体基板裏面の保全方法であり
、第２の発明は、半導体基板の表面を、感光性硬化型材
料で被覆し、薬液若しくは加工剤を半導体基板の表面に
噴き付けて、エツチング又はポリッシングを行った後、
該材料に光を照射して硬化させ、かくして硬化により剥
離容易となった材料を半導体基板から剥離することを特
徴とする半導体基板表面の保全方法であり、第３の発明
は、再ポリッシングに供される半導体基板の裏面に予め
粘着テープを貼着しておき、再ポリッシング終了後前記
粘着テープを剥離することを特徴とする半導体基板裏面
の保全方法であり、第４の発明は、出荷に供される半導
体基板の表面に微粘着力を有する保護層を形成して出荷
し、デバイス作成工程の直前に前記保護層を剥すことを
＠徴とする半導体基板の表面の保全方法である。

（作　用） 上記第１の発明に依れば、半導体基板の表面に噴き付け
られた薬液若しくは加工剤が半導体基板の裏面側に移動
したとしても、該裏面には粘着テープが施されているた
め、薬液若しくは加工剤が半導体基板の裏面に接触しな
い。

そして、上記第２の発明に依れば、感光性硬化型材料に
光を照射して硬化させてから剥すので、半導体基板から
剥すに要する力は少なくて済む。

また上記第３の発明に依れば、再ポリッシングに供され
る半導体基板（表面にのみ疵を有する半導体基板）は、
裏面に存する粘着テープによって疵の形成が阻止される
。

更にまた上記第４の発明に依れば、出荷からデバイスに
到るまでの半導体基板表面に保護層が存し、そのために
半導体基板の表面に雰囲気中のガスが触れず、また、裏
面に存するパーティクルが飛散したとしても上記粘着テ
ープに遮切られて半導体基板表面に付着することがない
。

（実施例） 以下、本発明を添付図面に基いて説明する。

第１図は第１の発明のフローチャートであって、１はエ
ツチングを受ける半導体基板、２はエツチング時に半導
体基板１の裏面１ｂを保護すべく用意される粘着テープ
を示す。

この粘着テープ２は、粘着剤２ａと基材２ｂとで構成さ
れ、粘着剤２ａはエツチングに用いられる薬液３に応じ
て選定される。すなわち、耐酸性が要求される場合は、
アクリル酸エステル等から成るものが有効であり、耐ア
ルカリ性が要求される場合は、合成ゴム系の粘着剤が好
ましい。また、基材２ｂとしては、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリオレ
フィン糸樹脂などの合成樹脂フィルムが耐酸・耐アルカ
リ用として使用され、この基材２ｂ（フィルム）の厚み
は５”φで、１〜２ｇｍ程度のバラツキ内に押えられた
ものを用いる。

上記のように、耐薬品安定性を考慮するのは、加工剤の
侵入があった場合においても粘着剤２ａが薬液３の侵入
を阻止する効果を発揮するようになすためである。

そして、上記半導体基板１の裏面１ｂに上述の如く選定
された粘着テープ２を貼着し、半導体基板１上に薬液を
噴き付け、もしくは、薬液中に浸漬させ、片面エツチン
グを行う、この場合に、薬液３が裏面１ｂに到ることが
あっても、耐薬品安定性のある粘着剤２ａが裏面１ｂに
存在しているので、薬品３が表面１ｂに接触する事態発
生な阻止する。

かくして、片面エツチングが施され、薬液３を除去した
後、人手によって又は機械的に粘着テープ２を半導体基
板ｌの裏面から外す。上記粘着テープ２による保全手段
は、再ポリッシングにおいても同様に作用される（第２
の発明）。

すなわち、検査工程で半導体基板１の表面ｌａ側にのみ
疵が発見された場合、該半導体基板１の裏面１ｂに上記
粘着テープ２を貼着し、選別作業を行い、再ポリッシン
グに供する。このように半導体基板１の裏面１ｂに粘着
テープ２を貼着しておけば、選別作業中及び再ポリッシ
ング中に疵が裏面ｌｂ側に形成されず、片面ポリッシン
グのみで不良半導体基板を長生導体基板とすることがで
きる。

第２及び第３図において、１１は洗浄工程を経た半導体
基板、ｌｌａは該半導体基板１１の表面、ｌｌｂは上記
半導体基板１１の裏面、モして１３は上記半導体基板１
１の表面１１ａに残存するゴミを示す。

具体的には、第２図として示す実施例では、感光性硬化
型溶液（以下、「感光性硬化型の材料１４」と称する）
を、ゴミ１３の残っている半導体基板１１の表面１１ａ
に塗布し、そのまま或いは→所定の工程の後、紫外線な
どの光照射によって上記材料１４を硬化させて行き、こ
の硬化の進行する過程でゴミ１３を上記材料１４に取り
込ませ、硬化の完了した材料１４を半導体基板１１の表
面１１ａから剥すことによって、表面］、１ａに付着し
ていたゴミ１３を除去する。ここで、上記硬化した材料
１４を半導体基板１１の表面１１ａから剥す手段は、熱
水を噴射して行ってもよく、人手又は機械によってもよ
い、この場合、所定の工程（エツチング、ポリッシング
等）をなさしめれば、その工程において疵の付着も阻止
できる。

また、感光性硬化型溶液としては環化ゴムにビスアジド
を加えたもの、またはフェノール樹脂にビスアジドを加
えたもの及びエポキシアクリレート、ウレタナクリレー
トなどの変性アクリレートなどが用いられる。

第３図と１ノて示す実施例では、上記材料１４を粘着テ
ープとしたものである。すなわち、透明又は半透明樹脂
剤からなる基材１，４ａの片面に感光性硬化型の粘着剤
層１４ｂを有する片面粘着テープを用いており、ゴミ１
３の残っている半導体基板１１の表面１１ａに粘着剤層
１４ｂを接合させてゴミ１３を該粘着剤層１４ｂに取り
込み、その後、紫外線などの光を照射して上記粘着剤層
１４ｂを硬化させ、以後第２図の実施例と同様にして半
導体基板１１から剥すものである。

ここで、粘着剤層１４ｂの形成に使用される薬剤は、エ
ポキシアクリレ−１−、ウレタナクリレート等である。

第４及び第５図において、２１は出荷に供される半導体
基板で、２１ａは半導体基板で２１の表面を示す。

具体的には、第４図として示す実施例では、ＰＥＴ　、
　ＰＶＣ又ＰＯからなる基材２４ａの一面に、アクリル
酸エステル等からなる微粘着剤層２４ｂを形成した粘着
テープを用意し、該粘着テープを」上記半導体基板２１
の表面２１．ａに貼着しくこの貼着された粘着テープを
「保護層２４」と称する）、出荷に供する。勿論上記保
護層２４は、半導体基板２１の使用直前に剥されるもの
である。

また、第５図は、軟質のポリ塩化ビニルが微粘着性を有
するのに着目し、これを上記保護層２４となした例であ
る。

なお、第２図及び第３図において、使用する材料１４を
上記保護層２４の形成材とすることもできる。

（発明の効果） 以上説明したように、第１発明によれば、エツチング作
用が必要とする一面（表面）にのみ有効になされ、他面
（裏面）に薬液の影響が無くなり、従来上じていた形状
精度の悪化や、クモリや疵の発生が無くなる。また、従
来ポリッシング工程で行われていた溶剤を用いるコーテ
ィング除去を行わずに済み、半導体の加工時の手間を削
減できるという効益があり、第２発明によれば、裏面側
の疵の形成を防止しつつ再ポリッシングが行え、第３の
発明によれば、半導体基板を損なうことなく再ポリッシ
ングを行うことができると共に、ゴミを吸着して裏面を
洗浄することができ、第４発明によれば、パーティクル
の付着及び経時変化を防止し得るという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は第１の発明のフローチャート、第２図及び第３
図は第３の発明のフローチャート、第４図及び第５図は
第４の発明のフローチャート、第６図は半導体製造のフ
ローチャー■・を示す。 １・・・半導体基板　　　１ａ・・・表面１ｂ・・・裏
面　　　　　２・・・粘着テープ２ａ・・・粘着剤　　
　　２ｂ・・・基材３・・・薬液　　　　　　１１・・
・半導体基板１１ａ・・・表面　　　　ｉｉｂ・・・裏
面１３・・・ゴミ １４・・・感光性硬化型の材料 特許出願人　九州電子金属株式会社

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）予め半導体基板の裏面に粘着テープを貼り付けて
   おき、薬液若しくは加工剤を半導体基板の表面に噴き付
   けて、片面エッチング又は片面ポリッシングを行った後
   、前記粘着テープを剥離するようにしたことを特徴とす
   る半導体基板裏面の保全方法。
2. （２）半導体基板の表面を、感光性硬化型材料で被覆し
   、薬液若しくは加工剤を半導体基板の表面に噴き付けて
   、エッチング又はポリッシングを行った後、前記感光性
   硬化型材料に光を照射して硬化させ、かくして硬化によ
   り剥離容易となった材料を半導体基板から剥離すること
   を特徴とする半導体基板表面の保全方法。
3. （３）再ポリッシングに供される半導体基板の裏面に予
   め粘着テープを貼着しておき、再ポリッシング終了後前
   記粘着テープを剥離することを特徴とする半導体基板裏
   面の保全方法。
4. （４）出荷に供される半導体基板の表面に微粘着力を有
   する保護層を形成して出荷し、デバイス作成工程の直前
   に前記保護層を剥すことを特徴とする半導体基板の表面
   の保全方法。