JPH02258048A - 真空処理方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空処理方法及び装置に係り、特に半導体素
子基板等の試料を真空下で所定処理するのに好適な真空
処理方法及び装置に関するものである。

〔従来の技術〕

半導体素子基板等の試料を真空下で所定処理、例えば、
プラズマを利用してエツチング処理や成膜処理する技術
としては、例えば、実開昭６３−１５３５２８号公報、
特開昭６３−２４１１８２号公報、特開昭６３−２４１
１７８号公報、特開昭６３−２３０８９２号公報、特開
昭６３−２２７７７８号公報等に記載のようなものが知
られている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術では、例えば、試料の処理時に処理室内で
生成される反応生成物等の微小異物の除去に対する配慮
がなされていない。このため、微小異物の試料の被処理
面への付着が生じ試料の歩留りが低下するといった問題
を有している。また、微小異物が処理室内壁面やその内
部部品等に付着、堆積するため、それらのクリーニング
等のメンテナンスを繁雑に実施しなければならず、二の
ため、スループットが低下するといった問題をも有して
いる。

本発明の主な目的は、処理室内の微小異物の試料の被処
理面への付着、堆積を抑制することで、試料の歩留り低
下を防止できる真空処理方法及び装置を提供することに
ある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、真空処理方法を、試料が内部で処理される
処理室内の微小異物を静電吸着する方法とし、真空処理
装置を、試料が内部で処理される処理室内の微小異物を
吸着可能に静電吸着部材を設けたものとすることにより
、達成される。

〔作　　用〕

処理室内に設けられた静電吸着部材は、その表面に静電
気が蓄積され、微小異物を吸着、収集することができる
。それによって、処理室内の微小異物は、静電吸着部材
に吸着される。このように、−旦、静電吸着部材に吸着
されると、多少の衝撃によっても離れることはなく、試
料の被処理面への付着が抑制される。

〔実　施　例〕 以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。

本体架台１の内に固定された電極２と石英ペルジャー３
で囲まれた処理室内を真空排気するための排気ポンプ４
と接地＠、極５および高周波電源６で構成されたエツチ
ング装置において、エツチング処理の排気経路に絶縁体
で覆われた静電吸着部材７を設置し、直流電圧印加用の
直流電源８を取付ける。

このように、処理室内でエツチング処理中に直流電源８
から静電吸着部材７に直流電圧を印加することにより、
静電吸着部材７の表面に静電気力が生じる。これにより
、この場合、試料９のプラズマによるエツチング処理で
光生じた反応生成物等の微小異物は、排気ポンプ４で排
気されながら静電吸着部材７に吸着される。

本実施例では、静電気力を利用して微小異物を吸着収集
しているので、静電気力を保持している間は、多少の衝
撃で離れることはなく、試料の被処理物への付着が抑制
でき試料の歩留り低下を防止できる。また、静電気力を
解除すると微小異物は容易に離れるのでメンテナンス性
が良好である。

さらに、静電吸着部材の形状を網目とすることこより、
排気経路に設置した場合の吸着面積が大となり、吸着効
果が向上する。

以上を含め、メンテナンス周期を延長させる効果がある
。

なお、上記実施例の他にプラズマＣＶＤ装置。

スパプタ装置、更には、真空下で試料を処理する装置に
おいても同様に適用し得る。

〔発明の効果〕

本発明によれば、処理室内の微小異物は静電吸着される
ので、該異物の試料の被処理面への付着。

堆積を抑制でき試料の歩留り低下を防止できる効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例のプラズマエツチング装置
の要部縦断面図である。 ２・・・・・・電極、４・・・・・・排気ポンプ、５・
・・・・・アース１！極、６・・・・・・高周波電源、
７・・・・・・静電吸着部材、８・・・・・・直流電源 代理人　弁理士　　小　川　勝　男 δ−一一一＆大Ｖ塊

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、試料が内部で処理される処理室内の微小異物を静電
   吸着することを特徴とする真空処理方法。 ２、試料が内部で処理される処理室内の微小異物を吸着
   可能に静電吸着部材を設けたことを特徴とする真空処理
   装置。 ３、前記静電吸着部材を網目材で形成し、該部材を前記
   処理室内の排気経路に設けた第２請求項に記載の真空処
   理装置。