JPH0225851A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPH0225851A JPH0225851A JP63176033A JP17603388A JPH0225851A JP H0225851 A JPH0225851 A JP H0225851A JP 63176033 A JP63176033 A JP 63176033A JP 17603388 A JP17603388 A JP 17603388A JP H0225851 A JPH0225851 A JP H0225851A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- exposure
- reflectance
- exposure time
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板上に塗布されたレジストの露光方法に関
する。
する。
従来の露光方法を、縮小投影露光法を例に説明する。
縮小投影露光法とは、第３図に示すように、レチクル（
３１）上のパターンを、縮小投影レンズ（３２）を介し
て１／１０又は１１５に縮小し、その投影像を基板（３
３）上に塗布されたレジストへ、繰り返し転写していく
露光方法である。また、投影光として、ｇ線、ｌ線など
が用いられる。
３１）上のパターンを、縮小投影レンズ（３２）を介し
て１／１０又は１１５に縮小し、その投影像を基板（３
３）上に塗布されたレジストへ、繰り返し転写していく
露光方法である。また、投影光として、ｇ線、ｌ線など
が用いられる。
この露光方法における露光時間は、現像後のレジストパ
ターン形状、寸法を左右する重要な要因であり、露光照
度、レジスト感度、基板反射率など考慮し、予じめ決定
し°ζおく。
ターン形状、寸法を左右する重要な要因であり、露光照
度、レジスト感度、基板反射率など考慮し、予じめ決定
し°ζおく。
そして、基板（３３）は、前記の決定された露光時間で
、その全域を露光される。
、その全域を露光される。
しかし、前述の従来技術は、以下なる問題点を有する。
基板反射率が、基板内で不均一である場合、従来技術で
は、前記基板内を、すべて、同一露光時間で露光する方
式であるために、前記反射率の不向−分を、露光時間に
対して補正することができない、従って、現像後のレジ
ストパターン形状や、寸法が、基板内で不均一になって
しまう。
は、前記基板内を、すべて、同一露光時間で露光する方
式であるために、前記反射率の不向−分を、露光時間に
対して補正することができない、従って、現像後のレジ
ストパターン形状や、寸法が、基板内で不均一になって
しまう。
そこで、本発明は、このような問題点を解決するもので
、その目的とするところは、基板反射率が不均一である
基板上において、現像後のレジストパターン形状、寸法
の均一性を向上させる露光方法を提供するところにある
。
、その目的とするところは、基板反射率が不均一である
基板上において、現像後のレジストパターン形状、寸法
の均一性を向上させる露光方法を提供するところにある
。
本発明の露光方法は、基板上に塗布されたレジストを露
光する工程において、露光位置の基板反射率を測定し、
その反射率に応じて露光時間を変化させ、露光すること
を特徴とする。
光する工程において、露光位置の基板反射率を測定し、
その反射率に応じて露光時間を変化させ、露光すること
を特徴とする。
第１図は、本発明の露光方法における基板反射率測定機
構の概略図である。
構の概略図である。
ＨｅＮｅレーザ源（１１）より出た、直径１０鴎の円形
レーザービーム（１２）は、ハーフミラ−（１３）で、
その半分が反射され、入射照度測定センサー（１４）に
より、その照度が測定される。更に、残り半分のビーム
は、前記ハーフミラ−（１３）を透過し、レジストを塗
布した基板（１５）へ入射され、その反射ビームは、再
び前記ハーフミラ−（１３）により、更に、その半分が
反射し、反射照度測定センサー（１６）により、その照
度が測定される・、そして、基板反射率は、前記入射照
度測定センサー（１４）、及び、反射照度測定センサー
（１６）で測定された値から求められる。
レーザービーム（１２）は、ハーフミラ−（１３）で、
その半分が反射され、入射照度測定センサー（１４）に
より、その照度が測定される。更に、残り半分のビーム
は、前記ハーフミラ−（１３）を透過し、レジストを塗
布した基板（１５）へ入射され、その反射ビームは、再
び前記ハーフミラ−（１３）により、更に、その半分が
反射し、反射照度測定センサー（１６）により、その照
度が測定される・、そして、基板反射率は、前記入射照
度測定センサー（１４）、及び、反射照度測定センサー
（１６）で測定された値から求められる。
本実施例では、前述の基板反射率測定機構を縮小投影露
光装置へ装備し、種々の基板材料について、その基板反
射率と、露光時間の関係・を実験的に求めた。その−例
として、第２図には、アルミニウム基板にポジレジスト
を塗布した時の、基板反射率と、露光時間の関係を示す
、アルミニウム基板は、その形成条件により、その表面
状態が変わり、それに伴なって基板反射率も変化する。
光装置へ装備し、種々の基板材料について、その基板反
射率と、露光時間の関係・を実験的に求めた。その−例
として、第２図には、アルミニウム基板にポジレジスト
を塗布した時の、基板反射率と、露光時間の関係を示す
、アルミニウム基板は、その形成条件により、その表面
状態が変わり、それに伴なって基板反射率も変化する。
従って、種々の表面状態をもつアミルニウム基板につい
て最適露光時間を求めたところ、第２図に示す関係を得
た。このようにして、使用する種々の基板材料について
、基板反射率と、露光時間の関係を求め、前記露光装置
へ記憶させた。
て最適露光時間を求めたところ、第２図に示す関係を得
た。このようにして、使用する種々の基板材料について
、基板反射率と、露光時間の関係を求め、前記露光装置
へ記憶させた。
そして、基板内における、各々の露光位置で、毎回、基
板反射率を測定し、その値と、前記装置が記憶している
基板反射率と、露光時間の関係より、最適な露光時間を
求め、露光するというシステムを完成させ、た。
板反射率を測定し、その値と、前記装置が記憶している
基板反射率と、露光時間の関係より、最適な露光時間を
求め、露光するというシステムを完成させ、た。
これによって、基板内で、その反射率が不均一である場
合でも、各々の露光位置の基板反射率に応じて、露光時
間を変化させて露光することが可能となり、前記反射率
の不向−分を十分に補正することができた。そして、基
板内の、レジストパターン形状、寸法の均一性が、著し
く向上した。
合でも、各々の露光位置の基板反射率に応じて、露光時
間を変化させて露光することが可能となり、前記反射率
の不向−分を十分に補正することができた。そして、基
板内の、レジストパターン形状、寸法の均一性が、著し
く向上した。
以上、本実施例では、本発明の露光方法を、縮小投影露
光装置へ適用した場合について述べたが、１：１投影露
光装置、Ｘ線露光装置、電子線露光装置、イオンビーム
露光装置、レーザービーム露光装置などに適用しても、
同様な効果が得られることは言うまでもない。
光装置へ適用した場合について述べたが、１：１投影露
光装置、Ｘ線露光装置、電子線露光装置、イオンビーム
露光装置、レーザービーム露光装置などに適用しても、
同様な効果が得られることは言うまでもない。
以上述べたように、本発明によれば、基板上に塗布され
たレジストを露光する工程において、露光位置の基板反
射率を測定し、その反射率に応じて、露光時間を変化さ
せ露光することにより、基板反射率が不均一である基板
上において、現像後のレジストパターン形状、寸法を向
上させるという効果を有する。
たレジストを露光する工程において、露光位置の基板反
射率を測定し、その反射率に応じて、露光時間を変化さ
せ露光することにより、基板反射率が不均一である基板
上において、現像後のレジストパターン形状、寸法を向
上させるという効果を有する。
第１図は、本発明の露光方法における、基板反射率測定
機構の一実施例を示す概略図である。 第２図は、アルミニウム基板に、ポジレジストを塗布し
た時の、基板反射率と、露光時間の関係を示すグラフで
ある。 第３図は、従来の縮小投影露光法を示す概略図である。 ＨｅＮｅレーザー源 レーザービーム ハーフミラ− 入射照度測定センサー 基板 反射照度測定センサー レチクル ３２ ・ ・縮小投影レンズ ３３ ・ ・基板 以 上
機構の一実施例を示す概略図である。 第２図は、アルミニウム基板に、ポジレジストを塗布し
た時の、基板反射率と、露光時間の関係を示すグラフで
ある。 第３図は、従来の縮小投影露光法を示す概略図である。 ＨｅＮｅレーザー源 レーザービーム ハーフミラ− 入射照度測定センサー 基板 反射照度測定センサー レチクル ３２ ・ ・縮小投影レンズ ３３ ・ ・基板 以 上
Claims (1)
- 基板上に塗布されたレジストを露光する工程において、
露光位置の基板反射率を測定し、その反射率に応じて露
光時間を変化させ、露光することを特徴とする露光方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63176033A JPH0225851A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63176033A JPH0225851A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0225851A true JPH0225851A (ja) | 1990-01-29 |
Family
ID=16006550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63176033A Pending JPH0225851A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0225851A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002063395A1 (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stepper exposure dose control base upon across wafer variations in photoresist thickness |
| CN101886580A (zh) * | 2009-03-27 | 2010-11-17 | 通用汽车环球科技运作公司 | 用缸内压力传感器产生发动机部件诊断信号的方法和系统 |
-
1988
- 1988-07-14 JP JP63176033A patent/JPH0225851A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002063395A1 (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stepper exposure dose control base upon across wafer variations in photoresist thickness |
| US6576385B2 (en) | 2001-02-02 | 2003-06-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of varying stepper exposure dose to compensate for across-wafer variations in photoresist thickness |
| CN101886580A (zh) * | 2009-03-27 | 2010-11-17 | 通用汽车环球科技运作公司 | 用缸内压力传感器产生发动机部件诊断信号的方法和系统 |
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