JPH02258614A - 低アルゴン含有ＳｉＯ↓２析着膜とその製造方法 - Google Patents
低アルゴン含有ＳｉＯ↓２析着膜とその製造方法Info
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- JPH02258614A JPH02258614A JP7807389A JP7807389A JPH02258614A JP H02258614 A JPH02258614 A JP H02258614A JP 7807389 A JP7807389 A JP 7807389A JP 7807389 A JP7807389 A JP 7807389A JP H02258614 A JPH02258614 A JP H02258614A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は１例えば磁気ヘッドの磁気ギャップ材として好
適な、アルゴン含有率の低いＳ １０２析着膜及びその
製造方法に関する。
適な、アルゴン含有率の低いＳ １０２析着膜及びその
製造方法に関する。
［従来の技術］
磁気ヘッドの磁気ギャップ材としては。
Ｓ １０２スパツタリング膜が用いられている。このＳ
ｉｏ２スパッタリング膜は、フェライト等からなる一対
のコア半休の先端対向面及び該対向面から後退して形成
される凹所に形成される。この一対のコア半休の先端対
向面が対向するようにこの一対のコア半休を突き合わせ
、コア半休の凹所に溶融ガラス（７００℃程度）を充填
・冷却し一対のコア半休を接合することにより磁気ヘッ
ドを製造していた。
ｉｏ２スパッタリング膜は、フェライト等からなる一対
のコア半休の先端対向面及び該対向面から後退して形成
される凹所に形成される。この一対のコア半休の先端対
向面が対向するようにこの一対のコア半休を突き合わせ
、コア半休の凹所に溶融ガラス（７００℃程度）を充填
・冷却し一対のコア半休を接合することにより磁気ヘッ
ドを製造していた。
ところで、高保磁力媒体用のために、コアに耐熱性の低
い金属軟磁性薄膜を用いた例えば複合磁気ヘッドにおい
ては１膜はがれや結晶化（前記金属軟磁性薄膜がアモル
ファスの場合）を防止するため、約５００℃以下の温度
でコア半休同士を接合しなければならない。この場合、
一般的には約５００℃以下でコア半休同士を接合できる
ガラス（低融点ガラス）を用いる必要がある。
い金属軟磁性薄膜を用いた例えば複合磁気ヘッドにおい
ては１膜はがれや結晶化（前記金属軟磁性薄膜がアモル
ファスの場合）を防止するため、約５００℃以下の温度
でコア半休同士を接合しなければならない。この場合、
一般的には約５００℃以下でコア半休同士を接合できる
ガラス（低融点ガラス）を用いる必要がある。
ｆ発明が解決しようとする課ＦＩＩＵコしかし、前記低
融点ガラスを用いてコア半休同士を接合すると、冷却後
に、低融点ガラス中に気泡が形成されヘッド自体の機械
的強度が低下する。また、気泡がヘッドの記録媒体指向
面に露出して孔が形成された場合、この孔に記録媒体の
微粒子粉体がつまり記録媒体を傷つける。さらに。
融点ガラスを用いてコア半休同士を接合すると、冷却後
に、低融点ガラス中に気泡が形成されヘッド自体の機械
的強度が低下する。また、気泡がヘッドの記録媒体指向
面に露出して孔が形成された場合、この孔に記録媒体の
微粒子粉体がつまり記録媒体を傷つける。さらに。
発泡によるガラスの膨張により、コイル形成用の巻線窓
が塞がることもある。
が塞がることもある。
本発明は、上記従来技術の問題点を改良した低Ａ「含有
Ｓ ｉＯ２析着膜及びその製造方法を提供することを目
的とする。
Ｓ ｉＯ２析着膜及びその製造方法を提供することを目
的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明によれば１次の５ｉｏ２析着膜及びその製造方法
により上記目的を達成できる。
により上記目的を達成できる。
■ ５原子％（ａｔｅ）以下のＡｒを含有することを特
徴とするＳ ｉＯ２析着膜。
徴とするＳ ｉＯ２析着膜。
■ 圧力０．２Ｐａを越えるＡｒガス中でＳ ｉｏ ２
をスパッタリングして、Ａｒ含有率５原子％以下のＳ
Ｉ Ｏ２析着膜を得ることを特徴とする低Ａｒ含をＳ
ｉ Ｏ□析着膜の製造方法。
をスパッタリングして、Ａｒ含有率５原子％以下のＳ
Ｉ Ｏ２析着膜を得ることを特徴とする低Ａｒ含をＳ
ｉ Ｏ□析着膜の製造方法。
■ Ａ「を含有するＳｉＯ□析着膜を熱処理してＡｒ含
有率５原子％以下のＳ Ｉ Ｏ２析着膜を得ることを特
徴とする低Ａｒ含有Ｓ ｌ ０２析着膜の製造方法。
有率５原子％以下のＳ Ｉ Ｏ２析着膜を得ることを特
徴とする低Ａｒ含有Ｓ ｌ ０２析着膜の製造方法。
ＳｉＯ２スパッタ膜中にスパッタリング時の放電ガスで
あったＡｒが混入していることは知られていた。しかし
、磁気ヘッド製造における溶融ガラスによるコア半休同
士の接合時に、ＳｉＯ。スパッタ膜中に含まれるＡｒが
及ぼす影響については全く知られていなかった。以下、
このＳ ｉＯ２スパツタ膜中に含まれるＡｒの影響につ
いて概説する。
あったＡｒが混入していることは知られていた。しかし
、磁気ヘッド製造における溶融ガラスによるコア半休同
士の接合時に、ＳｉＯ。スパッタ膜中に含まれるＡｒが
及ぼす影響については全く知られていなかった。以下、
このＳ ｉＯ２スパツタ膜中に含まれるＡｒの影響につ
いて概説する。
耐熱性の低い金属軟磁性材料を用いていないコア半休同
士の接合には２作業部度（粘度が１０４ポアズになる温
度）７００℃程度、軟化点（粘度が１０７°８５ポアズ
になる温度）６００℃程度の一般的な封着ガラスを用い
る。このようなガラスとしては２例えば住田光学硝子製
造所製のＳ −０９９７１５（作業温度７１５℃、軟化
点５９０℃）等が挙げられる。従来のＳｉＯ２スパツタ
膜（少なくとも６原子％程度以上のＡｒ含有）は、６０
０℃程度まで加熱されるとＡｒガスがほとんど放出し尽
くされてしまうと思われる。そのため、従来のＳ Ｌ
０２スパツタ膜に前記到着ガラスを接触させて両者を加
熱した場合、ガラス中に気泡が混入しないと考えられる
。
士の接合には２作業部度（粘度が１０４ポアズになる温
度）７００℃程度、軟化点（粘度が１０７°８５ポアズ
になる温度）６００℃程度の一般的な封着ガラスを用い
る。このようなガラスとしては２例えば住田光学硝子製
造所製のＳ −０９９７１５（作業温度７１５℃、軟化
点５９０℃）等が挙げられる。従来のＳｉＯ２スパツタ
膜（少なくとも６原子％程度以上のＡｒ含有）は、６０
０℃程度まで加熱されるとＡｒガスがほとんど放出し尽
くされてしまうと思われる。そのため、従来のＳ Ｌ
０２スパツタ膜に前記到着ガラスを接触させて両者を加
熱した場合、ガラス中に気泡が混入しないと考えられる
。
これに対して、５００℃程度以下での接合が要求される
場合（耐熱性の低い金属軟磁性材料等を用いる場合等）
には、約５００℃以下で接合が可能な低融点ガラスを用
いる必要がある。このようなガラスとしては１例えば住
田光学硝子製造所製のＳ −１１８４０９（作業温度４
０９℃、軟化点３６９℃）等が挙げられる。従来の８１
０２スパツタ膜は、−般に、低融点ガラスの軟化点以上
でＡｒガスを放出し始める。そのため、従来のＳ ｉ
Ｏ２スパツタ膜に低融点ガラスを接触させて両者を加熱
した場合、低融点ガラスの作業温度に至るまでに放出さ
れたＡｒガスが低融点ガラス中に混入する。
場合（耐熱性の低い金属軟磁性材料等を用いる場合等）
には、約５００℃以下で接合が可能な低融点ガラスを用
いる必要がある。このようなガラスとしては１例えば住
田光学硝子製造所製のＳ −１１８４０９（作業温度４
０９℃、軟化点３６９℃）等が挙げられる。従来の８１
０２スパツタ膜は、−般に、低融点ガラスの軟化点以上
でＡｒガスを放出し始める。そのため、従来のＳ ｉ
Ｏ２スパツタ膜に低融点ガラスを接触させて両者を加熱
した場合、低融点ガラスの作業温度に至るまでに放出さ
れたＡｒガスが低融点ガラス中に混入する。
前記作業温度における粘度は、前記Ａ「ガスをガラスか
ら完全に浮き上がらせるほどの低粘度ではないので、前
記Ａｒガスは低融点ガラス中にとどまりで気泡が形成さ
れる。
ら完全に浮き上がらせるほどの低粘度ではないので、前
記Ａｒガスは低融点ガラス中にとどまりで気泡が形成さ
れる。
本願発明者は、溶融ガラスによる接合時にＳ ｉＯ２ス
パツタ膜中に含まれるＡｒの影響について鋭意研究を重
ねた結果、 Ｓ ｉＯ２スパツタ膜中に含まれるＡｒ
含有率の制御により、接合温度に制限を受けることなく
ガラス中に気泡を形成しないＳｉＯ折着膜が得られ、こ
のＳ １０２析着膜でコア半休同士を良好に接合できる
ことを見い出し本発明を完成するに至った。
パツタ膜中に含まれるＡｒの影響について鋭意研究を重
ねた結果、 Ｓ ｉＯ２スパツタ膜中に含まれるＡｒ
含有率の制御により、接合温度に制限を受けることなく
ガラス中に気泡を形成しないＳｉＯ折着膜が得られ、こ
のＳ １０２析着膜でコア半休同士を良好に接合できる
ことを見い出し本発明を完成するに至った。
［好適な実施態様及び作用］
本発明のＳｉＯ３析着膜は、Ａｒ含有率が５原子％以下
である。そのため、溶融したガラスと接して加熱された
時のＳｉＯ２析着膜のＡｒガス放出量は２例えば従来の
Ｓ Ｉ Ｏ２スパツタ膜（少なくともＡｒ６原子％程度
含有）と同一加熱条件下で比較してかなり少ない。従っ
て、Ｓ ｉ０２折着膜にて低融点ガラス等を溶融しても
、ガラス中に気泡が形成されない。Ａｒの含有率が５原
子％を越える場合に前記低融点ガラスと接して加熱され
ると、ガラス中に気泡が形成される。
である。そのため、溶融したガラスと接して加熱された
時のＳｉＯ２析着膜のＡｒガス放出量は２例えば従来の
Ｓ Ｉ Ｏ２スパツタ膜（少なくともＡｒ６原子％程度
含有）と同一加熱条件下で比較してかなり少ない。従っ
て、Ｓ ｉ０２折着膜にて低融点ガラス等を溶融しても
、ガラス中に気泡が形成されない。Ａｒの含有率が５原
子％を越える場合に前記低融点ガラスと接して加熱され
ると、ガラス中に気泡が形成される。
Ａｒの含有率は低いほど好ましく、好ましい許容範囲は
２原子％以下であり、より好ましい許容範囲は１原子９
６以下である。
２原子％以下であり、より好ましい許容範囲は１原子９
６以下である。
本発明のＳ ｉＯ２析着膜は、普通、基体」二に折着さ
せるが１例えば気相で行なうことかできる（スパッタリ
ング法等の気相析着法）。
せるが１例えば気相で行なうことかできる（スパッタリ
ング法等の気相析着法）。
スパッタリングにより本発明のＳｉＯ２折着膜を１Ｂ着
させる場合、０．０５〜数ＩＯμｍの厚さで折着させる
ことができる。
させる場合、０．０５〜数ＩＯμｍの厚さで折着させる
ことができる。
不発明のＳ ｉ ０２析着膜は、圧力０．２Ｐａを越え
るＡ「ガス中でＳ ｉ、 ０２をスパッタリングして得
ることができる。圧力が０ 、２ Ｐａ以下の場合には
、Ａｒ含有率５原子％以下のＳ Ｌ Ｏ２析着膜を１！
干ることができない。好ましくは、圧力０．３４Ｐａ以
に（より好ましくは、圧力０．４Ｐａ以上）のＡｒガス
中でＳ ｉ Ｏ２をスパッタリングして２本発明のＳ
Ｌ ０２析着膜を得る。
るＡ「ガス中でＳ ｉ、 ０２をスパッタリングして得
ることができる。圧力が０ 、２ Ｐａ以下の場合には
、Ａｒ含有率５原子％以下のＳ Ｌ Ｏ２析着膜を１！
干ることができない。好ましくは、圧力０．３４Ｐａ以
に（より好ましくは、圧力０．４Ｐａ以上）のＡｒガス
中でＳ ｉ Ｏ２をスパッタリングして２本発明のＳ
Ｌ ０２析着膜を得る。
また１本発明のＳｉＯ□析着膜は、Ａｒを含有するＳ
１０２析着膜を熱処理して得ることができる。熱処理の
温度は、好ましくは４００〜７００℃（より好ましくは
５００〜７００℃）で行なう。熱処理は、好ましくは真
空ないし減圧下で行なう。
１０２析着膜を熱処理して得ることができる。熱処理の
温度は、好ましくは４００〜７００℃（より好ましくは
５００〜７００℃）で行なう。熱処理は、好ましくは真
空ないし減圧下で行なう。
例えばｔ Ｏ”−２Ｐａ程度以下の圧力で行なうことが
できる。より好ましくは、 １Ｏ−３Ｐａ以下で行な
う。
できる。より好ましくは、 １Ｏ−３Ｐａ以下で行な
う。
〔実施例］
実施例Ｉ
Ｓ ｉ ０２をターゲットとし０ 、４ ＰａのＡｒガ
ス中で投入電力１にシ、電極間距離８２ｍｍの条件で高
周波スパッタリングを行ない、単結晶サファイア基板上
にＡｒ含有率１原子％のＳ １０２析着膜を得た。
ス中で投入電力１にシ、電極間距離８２ｍｍの条件で高
周波スパッタリングを行ない、単結晶サファイア基板上
にＡｒ含有率１原子％のＳ １０２析着膜を得た。
このＳｔＯ析着膜をＮ ２１ ａ、ｔｍで４１０℃×１
ｈｒの熱処理（４ｆ！、／ ｍｌ、ｎ Ｎ ２フロー中
）を行ない、Ａｒ含有率０゜１原子％のＳｉＯ３析着膜
を得た。
ｈｒの熱処理（４ｆ！、／ ｍｌ、ｎ Ｎ ２フロー中
）を行ない、Ａｒ含有率０゜１原子％のＳｉＯ３析着膜
を得た。
なお、ＳｉＯ□ｉＯ□中のＡｒ含有率は、蛍光Ｘ線分析
装置ＯＩ？ＴｌＥＣＥＥＤＳ −ＩＩ （Ｍ ｏ管球）
により求めた。
装置ＯＩ？ＴｌＥＣＥＥＤＳ −ＩＩ （Ｍ ｏ管球）
により求めた。
第１図に、スパッタ時のＡｒガス圧と、得られたＳｉＯ
□祈着膜巾着膜中含を率との関係を示す。
□祈着膜巾着膜中含を率との関係を示す。
実施例２
Ｓ ｒ、 ０２をターゲットとしＯ，ｌＰａのＡｒガス
中で投入電力ｉ Ｋｗ、電極間圧！８２ｍｍの条件で高
周波スパッタリングを行ない、単結晶サファイア基板上
に膜厚２．８１ｍ程度の８１０２析着膜（サンプルａ）
を得た。このサンプルａのＡｒ含有率は１１．５原子％
であった。
中で投入電力ｉ Ｋｗ、電極間圧！８２ｍｍの条件で高
周波スパッタリングを行ない、単結晶サファイア基板上
に膜厚２．８１ｍ程度の８１０２析着膜（サンプルａ）
を得た。このサンプルａのＡｒ含有率は１１．５原子％
であった。
このサンプルａを、気圧１Ｏ−３Ｐａでｅｉｏ℃Ｘ１３
０分熱処理して本発明のＳｉＯ２析着膜（実施例Ａ）を
得た。このＡｒ含有率は、１，１原子９６であつた。
０分熱処理して本発明のＳｉＯ２析着膜（実施例Ａ）を
得た。このＡｒ含有率は、１，１原子９６であつた。
Ｓ １０２析着膜中のＡｒ含有率は、ＥＰＭＡ分析（Ｈ
ＩＴＡＣＨＩ Ｘ、 −６５０＋ｋｅＶｏｘ −７００
０ＳＹＳＴＥＭ）により求めた。
ＩＴＡＣＨＩ Ｘ、 −６５０＋ｋｅＶｏｘ −７００
０ＳＹＳＴＥＭ）により求めた。
以上の結果を第１表に示す。
第 １ 表
（気泡発生実験）
Ａｒ含を率約１．１原子％のＳ ｉｏ ２折着膜、及び
約５．７原子％のＳ ｉＯ２析着膜トで、低融点ガラス
（コーニング１４１７）を溶融させ室温まで冷却した。
約５．７原子％のＳ ｉＯ２析着膜トで、低融点ガラス
（コーニング１４１７）を溶融させ室温まで冷却した。
溶融は、真空中２８０℃で３０分間加熱し１次にＮ２フ
ロー （５Ｊ／ｗｉｎ）中５９０℃に昇温しで８０分間
加熱することにより行なった。Ａｒ含有率約１．１原子
％のＳ １０２析着膜」二の低融点ガラスの状態（気泡
なし）を参考写真１に、約５，７原子％のＳ ｉ Ｏ２
折着膜上の低融点ガラスの状態（気泡あ゛す）を参考写
真２に夫々示す。
ロー （５Ｊ／ｗｉｎ）中５９０℃に昇温しで８０分間
加熱することにより行なった。Ａｒ含有率約１．１原子
％のＳ １０２析着膜」二の低融点ガラスの状態（気泡
なし）を参考写真１に、約５，７原子％のＳ ｉ Ｏ２
折着膜上の低融点ガラスの状態（気泡あ゛す）を参考写
真２に夫々示す。
前記Ａｒ含有率約１．１原子％のＳｉＯ□析着膜は、前
記実施例Ａと同様にして得たものを用いた。
記実施例Ａと同様にして得たものを用いた。
参考写真１〜２によれば１本発明のＳ ｉ Ｏ２析着膜
上の低融点ガラスには、Ａｒ含有率約５．７原子％のＳ
ｉＯ□析着膜上の低融点ガラスと比較して気泡がほとん
ど形成されていないということがわかる。
上の低融点ガラスには、Ａｒ含有率約５．７原子％のＳ
ｉＯ□析着膜上の低融点ガラスと比較して気泡がほとん
ど形成されていないということがわかる。
実施例３
本発明の低アルゴン含有Ｓ ｉＯ２折着膜を備えた複合
磁気ヘッドを図面により説明する。
磁気ヘッドを図面により説明する。
第２図は前記磁気ヘッドの先端拡大斜視図であり、第３
図は第２図の磁気ヘッドの矢視Ａ拡大図（記録媒体指向
面拡大図）である。
図は第２図の磁気ヘッドの矢視Ａ拡大図（記録媒体指向
面拡大図）である。
フェライトコア１は、先端対向面１ａ、Ｉａ’及び該対
向面から後退して形成される凹所１ｂ。
向面から後退して形成される凹所１ｂ。
ｌｂ’を有し、所定の位置（図示せず）で結合し一体に
なっている。フェライトコアの先端対向面ｌａ、Ｉａ’
及び該対向面から後退して形成される凹所１ｂ、ｌｂ’
は、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒアモルファス合金軟磁性層２，２
′及びＳｉＯ３層３゜３′を順次備えている。Ｓ Ｌ
０２層３，３′は。
なっている。フェライトコアの先端対向面ｌａ、Ｉａ’
及び該対向面から後退して形成される凹所１ｂ、ｌｂ’
は、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒアモルファス合金軟磁性層２，２
′及びＳｉＯ３層３゜３′を順次備えている。Ｓ Ｌ
０２層３，３′は。
本発明のＳｉＯ３析着膜（Ａｒ含有率約１．１原子％）
である。軟磁性層２．２′は磁気ヘッドのコアの一部を
形成している。前記フェライトコア１の先端対向面１ａ
とｌ ａ Ｚ間に存在する軟磁性層部分は、互いに対向
しており、この軟磁性層対向面間にギャップが構成され
ている。前記フェライトコアの凹所ないしエツジ部に前
記軟磁性層を介して備えられたＳｉＯ３層部分は、ガラ
ス充填部５．５′と良好に結合している。
である。軟磁性層２．２′は磁気ヘッドのコアの一部を
形成している。前記フェライトコア１の先端対向面１ａ
とｌ ａ Ｚ間に存在する軟磁性層部分は、互いに対向
しており、この軟磁性層対向面間にギャップが構成され
ている。前記フェライトコアの凹所ないしエツジ部に前
記軟磁性層を介して備えられたＳｉＯ３層部分は、ガラ
ス充填部５．５′と良好に結合している。
第２〜３図に示された複合磁気ヘッドの製造方法の一例
を次に概説する。
を次に概説する。
フェライトコア半体の先端対向面１ａ及び該対向面から
後退して形成される凹所１ｂに、所定の方法で軟磁性層
２を形成する。前記軟磁性層表面にスパッタリングによ
り本発明のＳｉＯ２析着膜であるＳ Ｉ ０２層３を形
成する。このようにして、フェライトコア半体に前記２
種の層を形成して成る多層状のコア半休を得る。この多
層状コア半休とともにヘッドを構成するもう一方の多層
状コア半休を同様の製造方法により得る。
後退して形成される凹所１ｂに、所定の方法で軟磁性層
２を形成する。前記軟磁性層表面にスパッタリングによ
り本発明のＳｉＯ２析着膜であるＳ Ｉ ０２層３を形
成する。このようにして、フェライトコア半体に前記２
種の層を形成して成る多層状のコア半休を得る。この多
層状コア半休とともにヘッドを構成するもう一方の多層
状コア半休を同様の製造方法により得る。
以上のようにして得られた一対の多層状コア半休を所定
の方向に突合せ、コア半休の凹所への溶融ガラス（約４
５０℃）の充填・冷却により前記−対のコア半休同士を
接合して１図示された複合磁気ヘッドを製造する。この
複合磁気ヘッドのガラス充填部には、気泡がほとんど見
られない。
の方向に突合せ、コア半休の凹所への溶融ガラス（約４
５０℃）の充填・冷却により前記−対のコア半休同士を
接合して１図示された複合磁気ヘッドを製造する。この
複合磁気ヘッドのガラス充填部には、気泡がほとんど見
られない。
［発明の効果］
本発明のＳ ｉＯ２析着膜は、Ａｒ含有率を特定の値よ
り低く制御しているので、任意の温度で加熱しても気泡
発生量が極めて少ない。例えば。
り低く制御しているので、任意の温度で加熱しても気泡
発生量が極めて少ない。例えば。
５００℃程度の溶融した低融点ガラスと接して加熱され
ても、該ガラス中に気泡が形成されない。
ても、該ガラス中に気泡が形成されない。
そのため、５００℃程度以下でガラスと接合する必要の
あるＳｉＯ２析着膜として好適である。例えば、複合磁
気ヘッドのギャップ層を構成するＳ １０２層として好
適である。
あるＳｉＯ２析着膜として好適である。例えば、複合磁
気ヘッドのギャップ層を構成するＳ １０２層として好
適である。
本発明のＳ ｉ ０２析着膜の製造方法は、圧力０．２
Ｐａを越えるＡｒガス中でＳ ｔ Ｏ２をスパッタリン
グしているので、Ａｒ含有率５原子％以下のＳ ｉｏ
２析着膜を得ることができる。
Ｐａを越えるＡｒガス中でＳ ｔ Ｏ２をスパッタリン
グしているので、Ａｒ含有率５原子％以下のＳ ｉｏ
２析着膜を得ることができる。
本発明の他の８１０２析着膜の製造方法は。
Ａｒを含有するＳ １０２析着膜を熱処理するので、Ａ
ｒ含有率５原子％以下のＳｉＯ３析着膜を得ることがで
きる。
ｒ含有率５原子％以下のＳｉＯ３析着膜を得ることがで
きる。
第１図は、スパッタ時のＡｒガス圧と、得られたＳ Ｉ
Ｏ２析着膜中のＡｒ含有率との関係を示す図である。 第２図は１本発明の低Ａｒ含有ＳｉＯ□析着膜を備えた
複合磁気ヘッドの先端拡大斜視図である。 第３図は、第２図の磁気ヘッドの矢視Ａ拡大図（記録媒
体指向面拡大図）である。 出願人 富士写真フィルム株式会社代理人 弁
理士 加 藤 朝 道第 囚 ヌバー／ｙ＊ＡｒガスＥ 、 Ｐａｒ ［Ｐａ］ 第２ 図 つ 第３ 図
Ｏ２析着膜中のＡｒ含有率との関係を示す図である。 第２図は１本発明の低Ａｒ含有ＳｉＯ□析着膜を備えた
複合磁気ヘッドの先端拡大斜視図である。 第３図は、第２図の磁気ヘッドの矢視Ａ拡大図（記録媒
体指向面拡大図）である。 出願人 富士写真フィルム株式会社代理人 弁
理士 加 藤 朝 道第 囚 ヌバー／ｙ＊ＡｒガスＥ 、 Ｐａｒ ［Ｐａ］ 第２ 図 つ 第３ 図
Claims (3)
- （１）５原子％以下のＡｒを含有することを特徴とする
ＳｉＯ＿２析着膜。 - （２）圧力０．２Ｐａを越えるＡｒガス中でＳｉＯ＿２
をスパッタリングして、Ａｒ含有率５原子％以下のＳｉ
Ｏ＿２析着膜を得ることを特徴とする低Ａｒ含有ＳｉＯ
＿２析着膜の製造方法。 - （３）Ａｒを含有するＳｉＯ＿２析着膜を熱処理してＡ
ｒ含有率５原子％以下のＳｉＯ＿２析着膜を得ることを
特徴とする低Ａｒ含有ＳｉＯ＿２析着膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7807389A JPH02258614A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 低アルゴン含有ＳｉＯ↓２析着膜とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7807389A JPH02258614A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 低アルゴン含有ＳｉＯ↓２析着膜とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02258614A true JPH02258614A (ja) | 1990-10-19 |
Family
ID=13651668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7807389A Pending JPH02258614A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 低アルゴン含有ＳｉＯ↓２析着膜とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02258614A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06180816A (ja) * | 1992-12-11 | 1994-06-28 | Japan Energy Corp | 磁気ヘッドの製造方法 |
| JP2008205098A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Canon Inc | アモルファス絶縁体膜及び薄膜トランジスタ |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP7807389A patent/JPH02258614A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06180816A (ja) * | 1992-12-11 | 1994-06-28 | Japan Energy Corp | 磁気ヘッドの製造方法 |
| JP2008205098A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Canon Inc | アモルファス絶縁体膜及び薄膜トランジスタ |
| US8044402B2 (en) | 2007-02-19 | 2011-10-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous insulator film and thin-film transistor |
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