JPH06180812A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH06180812A JPH06180812A JP35212292A JP35212292A JPH06180812A JP H06180812 A JPH06180812 A JP H06180812A JP 35212292 A JP35212292 A JP 35212292A JP 35212292 A JP35212292 A JP 35212292A JP H06180812 A JPH06180812 A JP H06180812A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000003079 width control Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 80
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気ヘッドの製造工数の低減と、特性改善を
目的とする。 【構成】 センダスト磁性合金の酸化膜からなる下地膜
４３ａ，４３ｂ上に、センダスト磁性合金からなる磁性
合金膜４２ａ，４２ｂを形成した磁性体層４５ａ，４５
ｂを少なくとも一層以上一対の基板４１ａ，４１ｂ間に
有する磁気ヘッド４０及びその製造方法。
目的とする。 【構成】 センダスト磁性合金の酸化膜からなる下地膜
４３ａ，４３ｂ上に、センダスト磁性合金からなる磁性
合金膜４２ａ，４２ｂを形成した磁性体層４５ａ，４５
ｂを少なくとも一層以上一対の基板４１ａ，４１ｂ間に
有する磁気ヘッド４０及びその製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッド及びその製
造方法に係わり、特に一対の基板間に、下地膜上に磁性
合金膜を形成した磁性体層を少なくとも一層以上有する
磁気ヘッドの前記下地膜と前記磁性合金膜に関する。
造方法に係わり、特に一対の基板間に、下地膜上に磁性
合金膜を形成した磁性体層を少なくとも一層以上有する
磁気ヘッドの前記下地膜と前記磁性合金膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録の高密度化や広帯域化の
必要性が高まり、磁気記録媒体に高い保磁力(Hc)を有す
る磁性材料を使用して記録トラック幅を狭く、かつ、記
録周波数を大きくする試みが行われている。
必要性が高まり、磁気記録媒体に高い保磁力(Hc)を有す
る磁性材料を使用して記録トラック幅を狭く、かつ、記
録周波数を大きくする試みが行われている。
【０００３】一方、この高い保磁力(Hc)をもつ磁気記録
媒体に記録再生するための磁気ヘッド材料としては、飽
和磁束密度(Bs)の高い磁性合金が必要とされており、従
来のフエライト材料（Bs:5KG程度）を中心としたものか
ら、センダスト磁性合金等の飽和磁束密度(Bs)の高い磁
性合金（Bs:7KG〜15KG）をコアの一部または全部に使用
した磁気ヘッドが提案されている。
媒体に記録再生するための磁気ヘッド材料としては、飽
和磁束密度(Bs)の高い磁性合金が必要とされており、従
来のフエライト材料（Bs:5KG程度）を中心としたものか
ら、センダスト磁性合金等の飽和磁束密度(Bs)の高い磁
性合金（Bs:7KG〜15KG）をコアの一部または全部に使用
した磁気ヘッドが提案されている。
【０００４】図５は、 MIG型磁気ヘッドの代表的な一従
来例の斜視図で、同図を参照しながら MIG型磁気ヘッド
１０を説明する。
来例の斜視図で、同図を参照しながら MIG型磁気ヘッド
１０を説明する。
【０００５】MIG型磁気ヘッド１０は、MnZnフェライト
単結晶からなる一対のコア半体１１ａ，１１ｂを接合し
てなり、この一対のコア半体１１ａ，１１ｂの接合面で
ある磁気ギャップ突き合わせ面には飽和磁束密度(Bs)の
高い磁性膜１２ａ，１２ｂとして、例えばFe-AL-Si系セ
ンダスト磁性合金膜が形成されている。また、１３ａ，
１３ｂはトラック幅規制溝に充填されたモールドガラス
で、低融点ガラスを 400℃以上の温度で充填したもので
あり、この充填と同時に一対のコア半体１１ａ，１１ｂ
を接合するものである。
単結晶からなる一対のコア半体１１ａ，１１ｂを接合し
てなり、この一対のコア半体１１ａ，１１ｂの接合面で
ある磁気ギャップ突き合わせ面には飽和磁束密度(Bs)の
高い磁性膜１２ａ，１２ｂとして、例えばFe-AL-Si系セ
ンダスト磁性合金膜が形成されている。また、１３ａ，
１３ｂはトラック幅規制溝に充填されたモールドガラス
で、低融点ガラスを 400℃以上の温度で充填したもので
あり、この充填と同時に一対のコア半体１１ａ，１１ｂ
を接合するものである。
【０００６】しかし、この 400℃以上の温度によつて、
MnZnフェライト単結晶とFe-AL-Si系センダスト磁性合金
膜とが反応し、その接合面に隙間を生じてたり、または
Fe-AL-Si系センダスト磁性合金膜がMnZnフェライト単結
晶へ拡散して軟磁性特性が劣化した部分が形成されるな
どの現象が起きる。この隙間は、磁気ギャップＧに対し
て無視できない範囲であり、 MIG型磁気ヘッドの磁気回
路として二つ以上のギャップが存在することになり、 M
IG型磁気ヘッドの再生特性が悪化する原因となる。
MnZnフェライト単結晶とFe-AL-Si系センダスト磁性合金
膜とが反応し、その接合面に隙間を生じてたり、または
Fe-AL-Si系センダスト磁性合金膜がMnZnフェライト単結
晶へ拡散して軟磁性特性が劣化した部分が形成されるな
どの現象が起きる。この隙間は、磁気ギャップＧに対し
て無視できない範囲であり、 MIG型磁気ヘッドの磁気回
路として二つ以上のギャップが存在することになり、 M
IG型磁気ヘッドの再生特性が悪化する原因となる。
【０００７】これらを解決するためには、MnZnフェライ
ト単結晶とFe-AL-Si系センダスト磁性合金膜との間に、
例えばスパッタリングなどにより形成されたAl2 O 3 膜
を反応防止用薄膜として介在させる方法がある。。
ト単結晶とFe-AL-Si系センダスト磁性合金膜との間に、
例えばスパッタリングなどにより形成されたAl2 O 3 膜
を反応防止用薄膜として介在させる方法がある。。
【０００８】また、図６は積層磁気ヘッドの代表的な一
従来例の斜視図であり、同図を参照しながら積層磁気ヘ
ッド２０を説明する。
従来例の斜視図であり、同図を参照しながら積層磁気ヘ
ッド２０を説明する。
【０００９】積層磁気ヘッド２０は、非磁性基板２１
ａ，２１ｂの一方２１ａ上に所定の厚さの磁性層２２と
なるFe-AL-Si系センダスト磁性合金膜をスパッタ法によ
り形成し、低融点ガラス２３を用いて他方の非磁性基板
２１ｂと融着させて構成されている。この積層磁気ヘッ
ド２０においても、非磁性基板２１ａ，２１ｂの材質選
択によっては非磁性基板２１ａとFe-AL-Si系センダスト
磁性合金膜が反応することがある。この場合も前述した
MIG型磁気ヘッドと同様に反応防止用のAl2 O 3膜を非
磁性基板２１ａとFe-AL-Si系センダスト磁性合金膜との
間に介在させる必要がある。
ａ，２１ｂの一方２１ａ上に所定の厚さの磁性層２２と
なるFe-AL-Si系センダスト磁性合金膜をスパッタ法によ
り形成し、低融点ガラス２３を用いて他方の非磁性基板
２１ｂと融着させて構成されている。この積層磁気ヘッ
ド２０においても、非磁性基板２１ａ，２１ｂの材質選
択によっては非磁性基板２１ａとFe-AL-Si系センダスト
磁性合金膜が反応することがある。この場合も前述した
MIG型磁気ヘッドと同様に反応防止用のAl2 O 3膜を非
磁性基板２１ａとFe-AL-Si系センダスト磁性合金膜との
間に介在させる必要がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、 MIG型磁気ヘ
ッド１０と積層磁気ヘッド２０は、基板とFe-AL-Si系セ
ンダスト磁性合金膜との間にAl2 O 3 膜を介在させるこ
とにより、Fe-AL-Si系センダスト磁性合金膜の基板への
拡散を防止することができるが、その製造過程において
はAl2 O 3 膜とFe-AL-Si系センダスト磁性合金膜の成膜
工程が２工程必要であり、工数の低減、製造コストの削
減に問題があった。
ッド１０と積層磁気ヘッド２０は、基板とFe-AL-Si系セ
ンダスト磁性合金膜との間にAl2 O 3 膜を介在させるこ
とにより、Fe-AL-Si系センダスト磁性合金膜の基板への
拡散を防止することができるが、その製造過程において
はAl2 O 3 膜とFe-AL-Si系センダスト磁性合金膜の成膜
工程が２工程必要であり、工数の低減、製造コストの削
減に問題があった。
【００１１】また、Fe-AL-Si系センダスト磁性合金膜の
結晶構造や磁気特性は、下地膜に影響されることが良く
知られている。この問題を解決するために下地膜にＣｒ
薄膜を用いてFe-AL-Si系センダスト磁性合金膜の結晶配
向を高配向にして軟磁気特性を向上させる技術なども知
られているが、しかし、製造工程においては上述したよ
うに成膜工程が依然として２工程必要となる。
結晶構造や磁気特性は、下地膜に影響されることが良く
知られている。この問題を解決するために下地膜にＣｒ
薄膜を用いてFe-AL-Si系センダスト磁性合金膜の結晶配
向を高配向にして軟磁気特性を向上させる技術なども知
られているが、しかし、製造工程においては上述したよ
うに成膜工程が依然として２工程必要となる。
【００１２】さらに、 400℃以上の温度によるガラス充
填時に起こる熱膨張係数の違いによる接着性の低下を防
ぐために、基板の熱膨張係数が低融点ガラスに近似する
基板材質を選定する必要があり、このように基板材質の
選定の自由度が小さいなどの問題があった。
填時に起こる熱膨張係数の違いによる接着性の低下を防
ぐために、基板の熱膨張係数が低融点ガラスに近似する
基板材質を選定する必要があり、このように基板材質の
選定の自由度が小さいなどの問題があった。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたものであり、下地膜上に磁性合金
膜を形成した磁性体層を少なくとも一層以上、一対の基
板間に有する磁気ヘッドにおいて、前記下地膜がセンダ
スト磁性合金の酸化膜であり、かつ、前記磁性合金膜が
前記センダスト磁性合金膜そのものであることを特徴と
する磁気ヘッド及びその製造方法を提供するものであ
る。
決するためになされたものであり、下地膜上に磁性合金
膜を形成した磁性体層を少なくとも一層以上、一対の基
板間に有する磁気ヘッドにおいて、前記下地膜がセンダ
スト磁性合金の酸化膜であり、かつ、前記磁性合金膜が
前記センダスト磁性合金膜そのものであることを特徴と
する磁気ヘッド及びその製造方法を提供するものであ
る。
【００１４】
【実施例】本発明の磁気ヘッドは、一対の基板間に少な
くとも一層以上有する磁性体層に特徴がある。即ち、こ
の磁性体層を構成する下地膜がセンダスト磁性合金の酸
化膜であり、かつ、この下地膜上に形成した磁性合金膜
がセンダスト磁性合金膜そのものである。
くとも一層以上有する磁性体層に特徴がある。即ち、こ
の磁性体層を構成する下地膜がセンダスト磁性合金の酸
化膜であり、かつ、この下地膜上に形成した磁性合金膜
がセンダスト磁性合金膜そのものである。
【００１５】図１は、本発明の一実施例である MIG型磁
気ヘッド４０の一斜視図である。
気ヘッド４０の一斜視図である。
【００１６】本発明の MIG型磁気ヘッド４０は、MnZnフ
ェライト単結晶からなる一対の基板４１ａ，４１ｂを接
合してなり、この一対の基板４１ａ，４１ｂの接合面で
ある磁気ギャップ突き合わせ面には磁性体層４５ａ，４
５ｂが形成されている。この磁性体層４５ａ，４５ｂ
は、基板４１ａ，４１ｂ上に形成されたFe-AL-Si系セン
ダスト磁性合金の酸化膜である下地膜４３ａ，４３ｂ
と、その下地膜４３ａ，４３ｂ上に形成された飽和磁束
密度(Bs)の高いFe-AL-Si系センダスト磁性合金膜４２
ａ，４２ｂから構成されている。４４ａ，４４ｂはトラ
ック幅規制溝に充填されたモールドガラスで、低融点ガ
ラスを 400℃以上の温度で充填したものであり、この充
填と同時に一対の基板４１ａ，４１ｂを接合するもので
ある。
ェライト単結晶からなる一対の基板４１ａ，４１ｂを接
合してなり、この一対の基板４１ａ，４１ｂの接合面で
ある磁気ギャップ突き合わせ面には磁性体層４５ａ，４
５ｂが形成されている。この磁性体層４５ａ，４５ｂ
は、基板４１ａ，４１ｂ上に形成されたFe-AL-Si系セン
ダスト磁性合金の酸化膜である下地膜４３ａ，４３ｂ
と、その下地膜４３ａ，４３ｂ上に形成された飽和磁束
密度(Bs)の高いFe-AL-Si系センダスト磁性合金膜４２
ａ，４２ｂから構成されている。４４ａ，４４ｂはトラ
ック幅規制溝に充填されたモールドガラスで、低融点ガ
ラスを 400℃以上の温度で充填したものであり、この充
填と同時に一対の基板４１ａ，４１ｂを接合するもので
ある。
【００１７】図２は、本発明の磁気ヘッド４０の製造方
法で使用されるスパッタリング装置３０の一実施例を示
す説明図である。
法で使用されるスパッタリング装置３０の一実施例を示
す説明図である。
【００１８】３１はターゲットで、ターゲットホルダ３
２によって支えられており、このターゲット３１とター
ゲットホルダ３２には電源端子３３よりＲＦ電位が印加
され、さらにこのターゲットホルダ３２の内部にはター
ゲット３１の表面の加熱を防ぐために冷却水３４が流入
されている。
２によって支えられており、このターゲット３１とター
ゲットホルダ３２には電源端子３３よりＲＦ電位が印加
され、さらにこのターゲットホルダ３２の内部にはター
ゲット３１の表面の加熱を防ぐために冷却水３４が流入
されている。
【００１９】そして、接地された真空槽３５の上部に、
ターゲットホルダ３２が絶縁体３６によって絶縁されて
設けられている。
ターゲットホルダ３２が絶縁体３６によって絶縁されて
設けられている。
【００２０】また、この真空槽３５の上部より、真空槽
３５内にガスがそれぞれ流量計３６ａ，３６ｂにより所
定の流量に調節されて導入される。
３５内にガスがそれぞれ流量計３６ａ，３６ｂにより所
定の流量に調節されて導入される。
【００２１】そして、真空槽１５の下部には基板ホルダ
３７上に基板３８が置かれ、不純物を防ぐためのシャッ
タ３９が基板３８を覆って、スパッタリング装置３０が
概略構成されている。
３７上に基板３８が置かれ、不純物を防ぐためのシャッ
タ３９が基板３８を覆って、スパッタリング装置３０が
概略構成されている。
【００２２】以下、図１，図２を参照して、本発明の磁
気ヘッド４０の製造方法の一実施例について説明する。
気ヘッド４０の製造方法の一実施例について説明する。
【００２３】まず、スパッタリングを行うに際して、タ
ーゲット３１にはFe-AL-Si系センダスト磁性合金が、そ
して真空槽３５内に導入するガスにはアルゴンガスと酸
素ガスの２種類のガスが、さらに基板３８にはフエライ
ト基板４１が準備される。そして、このフエライト基板
４１を基板ホルダ３７上に載置した後、アルゴンガスに
対する酸素ガス混合量を圧力比で２０％となるように夫
々の流量計３６ａ，３６ｂにより調節した後、真空槽３
５内に約１〜２Ｐａ導入する。この真空槽３５内は、吸
引孔３５ａより図示しない吸引装置で 3×10-6 Torr 以
下に吸引し、電源端子３３より２ＫＷのＲＦ電位を供給
して真空槽３５内にプラズマを発生させスパッタを開始
する。この時、ターゲット３１はマイナス電位となって
いるためプラズマ中のアルゴンと酸素のイオンがターゲ
ット３１に衝突し、ターゲット３１からFe,AL,Si原子が
飛び出す。
ーゲット３１にはFe-AL-Si系センダスト磁性合金が、そ
して真空槽３５内に導入するガスにはアルゴンガスと酸
素ガスの２種類のガスが、さらに基板３８にはフエライ
ト基板４１が準備される。そして、このフエライト基板
４１を基板ホルダ３７上に載置した後、アルゴンガスに
対する酸素ガス混合量を圧力比で２０％となるように夫
々の流量計３６ａ，３６ｂにより調節した後、真空槽３
５内に約１〜２Ｐａ導入する。この真空槽３５内は、吸
引孔３５ａより図示しない吸引装置で 3×10-6 Torr 以
下に吸引し、電源端子３３より２ＫＷのＲＦ電位を供給
して真空槽３５内にプラズマを発生させスパッタを開始
する。この時、ターゲット３１はマイナス電位となって
いるためプラズマ中のアルゴンと酸素のイオンがターゲ
ット３１に衝突し、ターゲット３１からFe,AL,Si原子が
飛び出す。
【００２４】そして、ターゲット３１から飛び出したF
e,AL,Si原子とプラズマ中の酸素原子又は分子とが結合
してFe,AL,Si酸化物が成長する。
e,AL,Si原子とプラズマ中の酸素原子又は分子とが結合
してFe,AL,Si酸化物が成長する。
【００２５】尚、スパッタ開始後の数分間は、シャッタ
３９を閉じてフエライト基板４１を覆うことにより、タ
ーゲット３１の表面の不純物がフエライト基板４１の上
に付かないようにして、その後にシャッタ３９を開け、
フエライト基板４１上に膜厚0.2〜1 μｍのFe-AL-Si系
センダスト磁性合金の酸化膜を形成する。このフエライ
ト基板４１上に形成された酸化膜は、Fe2 O 3 , Al2 O
3 ,SiO 2であることがＥＳＣＡの分析により確認され
た。
３９を閉じてフエライト基板４１を覆うことにより、タ
ーゲット３１の表面の不純物がフエライト基板４１の上
に付かないようにして、その後にシャッタ３９を開け、
フエライト基板４１上に膜厚0.2〜1 μｍのFe-AL-Si系
センダスト磁性合金の酸化膜を形成する。このフエライ
ト基板４１上に形成された酸化膜は、Fe2 O 3 , Al2 O
3 ,SiO 2であることがＥＳＣＡの分析により確認され
た。
【００２６】その後、シャッタ３９を閉じスパッタを停
止させ、再度真空槽３５内を 3×10-6 Torr 以下に吸引
する。そして約１Ｐａのアルゴンガスを真空槽３５内に
導入した後、約１０〜２０分スパッタしてターゲット３
１の表面の酸化物を除去する。 引き続いて、シャッタ
３９を開いてスパッタを行い所定の膜厚のFe-AL-Si系セ
ンダスト磁性合金膜を、先に形成した酸化膜上に形成し
する。
止させ、再度真空槽３５内を 3×10-6 Torr 以下に吸引
する。そして約１Ｐａのアルゴンガスを真空槽３５内に
導入した後、約１０〜２０分スパッタしてターゲット３
１の表面の酸化物を除去する。 引き続いて、シャッタ
３９を開いてスパッタを行い所定の膜厚のFe-AL-Si系セ
ンダスト磁性合金膜を、先に形成した酸化膜上に形成し
する。
【００２７】このようにして磁性体層４５ａ，４５ｂを
形成した一対のフエライト基板４１ａ，４１ｂを、ギャ
ップ層Ｇを介して磁性体層４５ａ，４５ｂ同士を突き合
わせて、低融点ガラス４４ａ，４４ｂを用いて接合し本
発明の磁気ヘッド４０は完成する。
形成した一対のフエライト基板４１ａ，４１ｂを、ギャ
ップ層Ｇを介して磁性体層４５ａ，４５ｂ同士を突き合
わせて、低融点ガラス４４ａ，４４ｂを用いて接合し本
発明の磁気ヘッド４０は完成する。
【００２８】上述したスパッタ工程を反復することによ
り磁性体層４５ａ，４５ｂの多層化も容易となり、磁性
体層４５ａ，４５ｂを多層化した多層積層磁気ヘッドの
製造にも適応できることは言うまでもない。
り磁性体層４５ａ，４５ｂの多層化も容易となり、磁性
体層４５ａ，４５ｂを多層化した多層積層磁気ヘッドの
製造にも適応できることは言うまでもない。
【００２９】次に、上述した製造方法により形成された
磁性体層４５ａ，４５ｂの磁気特性について述べる。
尚、基板３８には一面を鏡面研磨した10mm×10mm×1mm
サイズの日本電気硝子製ＬＭ−０５をガラス基板に用い
て、その鏡面研磨面に膜厚 1nm〜1 μｍのFe-AL-Si系セ
ンダスト磁性合金の酸化膜である下地膜４３と、膜厚
2.5〜3 μｍのFe-AL-Si系センダスト磁性合金膜４２を
形成し、 550℃ 1H 窒素雰囲気中でアニールしたもので
ある。
磁性体層４５ａ，４５ｂの磁気特性について述べる。
尚、基板３８には一面を鏡面研磨した10mm×10mm×1mm
サイズの日本電気硝子製ＬＭ−０５をガラス基板に用い
て、その鏡面研磨面に膜厚 1nm〜1 μｍのFe-AL-Si系セ
ンダスト磁性合金の酸化膜である下地膜４３と、膜厚
2.5〜3 μｍのFe-AL-Si系センダスト磁性合金膜４２を
形成し、 550℃ 1H 窒素雰囲気中でアニールしたもので
ある。
【００３０】図３は、磁性体層４５ａ，４５ｂの磁気特
性図であり、ＶＳＭにより保磁力 (Hc) と、ヨーク法に
より1MHzにおける透磁率 (μ）を測定した結果である。
同図が示すように、本発明に係わる磁性体層４５ａ，４
５ｂは、従来のAl2 O 3 膜を下地膜とした磁性体層より
磁気特性に優れていることが分かる。
性図であり、ＶＳＭにより保磁力 (Hc) と、ヨーク法に
より1MHzにおける透磁率 (μ）を測定した結果である。
同図が示すように、本発明に係わる磁性体層４５ａ，４
５ｂは、従来のAl2 O 3 膜を下地膜とした磁性体層より
磁気特性に優れていることが分かる。
【００３１】図４は、Ｘ線解析図であり、下地膜４３
ａ，４３ｂの膜厚を 5nm〜1 μｍに変化させ、従来のAl
2 O 3 下地膜と比較したものである。同図は、本発明に
係わる磁性体層４５ａ，４５ｂが、従来のAl2 O 3 膜を
下地膜とした磁性体層に比べ（１１０）のピーク強度が
約 1/5以下となることを示している。このように本発明
に係わる磁性体層４５ａ，４５ｂのFe-AL-Si系センダス
ト磁性合金膜４２ａ，４２ｂは、その下地膜４３ａ，４
３ｂの膜厚の影響を受けることなく成長したことが窺え
る。
ａ，４３ｂの膜厚を 5nm〜1 μｍに変化させ、従来のAl
2 O 3 下地膜と比較したものである。同図は、本発明に
係わる磁性体層４５ａ，４５ｂが、従来のAl2 O 3 膜を
下地膜とした磁性体層に比べ（１１０）のピーク強度が
約 1/5以下となることを示している。このように本発明
に係わる磁性体層４５ａ，４５ｂのFe-AL-Si系センダス
ト磁性合金膜４２ａ，４２ｂは、その下地膜４３ａ，４
３ｂの膜厚の影響を受けることなく成長したことが窺え
る。
【００３２】また、本発明に係わる下地膜４３ａ，４３
ｂ上に形成したFe-AL-Si系センダスト磁性合金膜４２
ａ，４２ｂは、従来のAl2 O 3 膜を下地膜とした磁性合
金より保磁力(Hc)の劣化が少ないことが分かった。
ｂ上に形成したFe-AL-Si系センダスト磁性合金膜４２
ａ，４２ｂは、従来のAl2 O 3 膜を下地膜とした磁性合
金より保磁力(Hc)の劣化が少ないことが分かった。
【００３３】上述したように本発明の磁気ヘッド４０の
製造方法は、一台のスパッタリング装置３０を用い、か
つ、同一ターゲット３１によりフエライト基板４１ａ，
４１ｂ上にFe-AL-Si系センダスト磁性合金の酸化膜であ
る下地膜４３ａ，４３ｂと、Fe-AL-Si系センダスト磁性
合金膜４２ａ，４２ｂを連続して形成した磁性体層４５
ａ，４５ｂを得ることができ、製造工数の低減と製造コ
ストの削減に効果を有するものである。
製造方法は、一台のスパッタリング装置３０を用い、か
つ、同一ターゲット３１によりフエライト基板４１ａ，
４１ｂ上にFe-AL-Si系センダスト磁性合金の酸化膜であ
る下地膜４３ａ，４３ｂと、Fe-AL-Si系センダスト磁性
合金膜４２ａ，４２ｂを連続して形成した磁性体層４５
ａ，４５ｂを得ることができ、製造工数の低減と製造コ
ストの削減に効果を有するものである。
【００３４】また、下地膜に磁性合金膜と同一のセンダ
スト系磁性合金の酸化膜を用いることにより磁性合金膜
の磁気特性が改善されると共に、基板材質の選定の自由
度が大となった。
スト系磁性合金の酸化膜を用いることにより磁性合金膜
の磁気特性が改善されると共に、基板材質の選定の自由
度が大となった。
【００３５】
【発明の効果】上述したように本発明は、下地膜上に磁
性合金膜を形成した磁性体層を少なくとも一層以上一対
の基板間に有する磁気ヘッドにおいて、前記下地膜がセ
ンダスト磁性合金の酸化膜からなり、かつ、前記磁性合
金膜が前記センダスト磁性合金膜そのものからなる磁気
ヘッドおよび製造方法を提供するもので、一台のスパッ
タリング装置３０を用い、かつ、同一ターゲット３１に
よりフエライト基板４１上にFe-AL-Si系センダスト磁性
合金の酸化膜である下地膜４３ａ，４３ｂと、Fe-AL-Si
系センダスト磁性合金膜４２ａ，４２ｂを連続して形成
した磁性体層４５ａ，４５ｂを得ることができ、製造工
数の低減と製造コストの削減に効果を有するものであ
る。
性合金膜を形成した磁性体層を少なくとも一層以上一対
の基板間に有する磁気ヘッドにおいて、前記下地膜がセ
ンダスト磁性合金の酸化膜からなり、かつ、前記磁性合
金膜が前記センダスト磁性合金膜そのものからなる磁気
ヘッドおよび製造方法を提供するもので、一台のスパッ
タリング装置３０を用い、かつ、同一ターゲット３１に
よりフエライト基板４１上にFe-AL-Si系センダスト磁性
合金の酸化膜である下地膜４３ａ，４３ｂと、Fe-AL-Si
系センダスト磁性合金膜４２ａ，４２ｂを連続して形成
した磁性体層４５ａ，４５ｂを得ることができ、製造工
数の低減と製造コストの削減に効果を有するものであ
る。
【００３６】また、下地膜に磁性合金膜と同一のセンダ
スト系磁性合金の酸化膜を用いることにより磁性合金膜
の磁気特性が改善されると共に、基板材質の選定の自由
度が大となるなどの効果がある。
スト系磁性合金の酸化膜を用いることにより磁性合金膜
の磁気特性が改善されると共に、基板材質の選定の自由
度が大となるなどの効果がある。
【図１】本発明の一実施例である MIG型磁気ヘッドの一
斜視図である。
斜視図である。
【図２】本発明の磁気ヘッドの製造方法で使用されるス
パッタリング装置の一実施例を示す説明図である。
パッタリング装置の一実施例を示す説明図である。
【図３】磁性体層の磁気特性図である。
【図４】磁性合金のＸ線解析図である。
【図５】MIG型磁気ヘッドの代表的な一従来例の斜視図
である。
である。
【図６】積層磁気ヘッドの代表的な一従来例の斜視図で
ある。
ある。
４０ 本発明の MIG型磁気ヘッド ４１ａ，４１ｂ MnZnフェライト単結晶基板 ４２ａ，４２ｂ センダスト磁性合金膜 ４３ａ，４３ｂ センダスト磁性合金の酸化膜である下
地膜 ４４ａ，４４ｂ モールドガラス ４５ａ，４５ｂ 磁性体層
地膜 ４４ａ，４４ｂ モールドガラス ４５ａ，４５ｂ 磁性体層
Claims (3)
- 【請求項１】下地膜上に磁性合金膜を形成してなる磁性
体層を少なくとも一層以上、一対の基板間に有する磁気
ヘッドにおいて、 前記下地膜がセンダスト磁性合金の酸化膜であり、か
つ、前記磁性合金膜が前記センダスト磁性合金膜そのも
のであることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法であ
って、 センダスト磁性合金をターゲット材としたスパッタリン
グ装置を用いて、前記一対の少なくとも一方の基板上
に、 少なくとも酸素を含むガス雰囲気中で、前記下地膜とな
る所定の厚さのセンダスト磁性合金の酸化膜を形成する
第１の工程と、 アルゴンガスまたは窒素ガスの雰囲気中で、前記下地膜
上に所定の厚さの前記センダスト磁性合金膜を形成する
第２の工程とからなり、 前記第１の工程と前記第２の工程を連続して行うことに
より前記磁性体層を形成した後、他方の基板を接合させ
ることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】請求項２記載の磁気ヘッドの製造方法にお
ける第１の工程において、 酸素の含有量を、圧力比で１０〜１００％とすることを
特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35212292A JPH06180812A (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35212292A JPH06180812A (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06180812A true JPH06180812A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18421929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35212292A Pending JPH06180812A (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06180812A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0737960A1 (en) * | 1995-04-10 | 1996-10-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic thin film for magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic head |
-
1992
- 1992-12-10 JP JP35212292A patent/JPH06180812A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0737960A1 (en) * | 1995-04-10 | 1996-10-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic thin film for magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic head |
| US5756201A (en) * | 1995-04-10 | 1998-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic thin film for magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic head |
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