JPH0480446B2 - - Google Patents
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- JPH0480446B2 JPH0480446B2 JP58127924A JP12792483A JPH0480446B2 JP H0480446 B2 JPH0480446 B2 JP H0480446B2 JP 58127924 A JP58127924 A JP 58127924A JP 12792483 A JP12792483 A JP 12792483A JP H0480446 B2 JPH0480446 B2 JP H0480446B2
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- Japan
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- magnetic
- glass
- film
- sio
- metal
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
- G11B5/1475—Assembling or shaping of elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/21—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features the pole pieces being of ferrous sheet metal or other magnetic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、磁気記録装置（電子計算機の記憶装
置を含めて）等に用いる磁気ヘツドに係り、特に
磁気特性が良好で機械的強度の大きい磁気ヘツド
に関する。
置を含めて）等に用いる磁気ヘツドに係り、特に
磁気特性が良好で機械的強度の大きい磁気ヘツド
に関する。
磁気へツドの磁気テープとの接触面近傍の空隙
縁は、記録及び再生感度に大きく影響し、従つ
て、この空隙縁の機械的精度が、常時、一定に保
たれ、且つ、空隙スペーサが機械的に強固に結合
されることが必要である。更に、空隙スペーサ自
体も機械的強度の大なるものが望まれる。従来、
フエライトを磁心とする磁気ヘツドでは数ミクロ
ン以下の磁気空隙を形成するために、この空隙に
ガラスなどの非磁性物質を箔として介挿したり、
スパツタリング又は蒸着によつて膜を形成した
り、あるいは、ガラスペーストを塗布、乾燥して
後、ガラスの軟化温度以上に加熱融着する方法が
用いられている。これにより、フエライトに所定
の作動空隙幅をもつて強固に溶着させて、テープ
が磁気ヘツドに接触して走行する時に、空隙縁が
欠けるという弊害を防止している。しかし、最近
では、更にテープ・ヘツド系の性能向上、すなわ
ち、より高記録密度の技術開発の要求に応じるた
め、磁性体材料としてフエライトに代わり、セン
ダスト、アモルフアス合金等の（酸化物系）金属
磁性材料を用いる必要が生じてきている。
縁は、記録及び再生感度に大きく影響し、従つ
て、この空隙縁の機械的精度が、常時、一定に保
たれ、且つ、空隙スペーサが機械的に強固に結合
されることが必要である。更に、空隙スペーサ自
体も機械的強度の大なるものが望まれる。従来、
フエライトを磁心とする磁気ヘツドでは数ミクロ
ン以下の磁気空隙を形成するために、この空隙に
ガラスなどの非磁性物質を箔として介挿したり、
スパツタリング又は蒸着によつて膜を形成した
り、あるいは、ガラスペーストを塗布、乾燥して
後、ガラスの軟化温度以上に加熱融着する方法が
用いられている。これにより、フエライトに所定
の作動空隙幅をもつて強固に溶着させて、テープ
が磁気ヘツドに接触して走行する時に、空隙縁が
欠けるという弊害を防止している。しかし、最近
では、更にテープ・ヘツド系の性能向上、すなわ
ち、より高記録密度の技術開発の要求に応じるた
め、磁性体材料としてフエライトに代わり、セン
ダスト、アモルフアス合金等の（酸化物系）金属
磁性材料を用いる必要が生じてきている。
これらの金属磁性材料を用いた磁気ヘツドにお
いて、フエライト材を用いた場合と同様に、ガラ
スをスペーサとして使用する際には、磁性材料自
体の特性劣化を防ぐために、できるだけ低温でガ
ラスを加熱融着することが望ましく、そのため、
例えば、PbO−B2O3、PbO−SiO2、PbO−
P2O5、PbO−ZnO−B2O3、ZnO−B2O3−SiO2系
の低融ガラスが用いられている。しかし、フエラ
イトの場合と異なり、金属磁性材料では、例え
ば、Fe、Siのような酸化物を作つて安定化しよ
うとする傾向の大きい金属成分が含まれており、
一方、低融ガラスの中には、例えば、PbO、ZnO
のように酸素との結合が弱い成分があり、一般
に、より低融点のガラスほど、これらの還元され
易い酸化物を多く含んでいるため、フエライトと
同様の方法でガラス融着を行なうと、金属磁性体
と上記ガラスが反応して、例えば、Pb、Znの金
属が析出してくる。これらの析出は、磁心との結
合を弱め、空隙スペーサとしてのガラス自体の機
械的強度や耐摩耗性を低下させ、磁気ヘツドの特
性を劣化させる重大な要因となつている。
いて、フエライト材を用いた場合と同様に、ガラ
スをスペーサとして使用する際には、磁性材料自
体の特性劣化を防ぐために、できるだけ低温でガ
ラスを加熱融着することが望ましく、そのため、
例えば、PbO−B2O3、PbO−SiO2、PbO−
P2O5、PbO−ZnO−B2O3、ZnO−B2O3−SiO2系
の低融ガラスが用いられている。しかし、フエラ
イトの場合と異なり、金属磁性材料では、例え
ば、Fe、Siのような酸化物を作つて安定化しよ
うとする傾向の大きい金属成分が含まれており、
一方、低融ガラスの中には、例えば、PbO、ZnO
のように酸素との結合が弱い成分があり、一般
に、より低融点のガラスほど、これらの還元され
易い酸化物を多く含んでいるため、フエライトと
同様の方法でガラス融着を行なうと、金属磁性体
と上記ガラスが反応して、例えば、Pb、Znの金
属が析出してくる。これらの析出は、磁心との結
合を弱め、空隙スペーサとしてのガラス自体の機
械的強度や耐摩耗性を低下させ、磁気ヘツドの特
性を劣化させる重大な要因となつている。
その他、磁気ヘツドの空〓部について記載した
ものに、特開昭56−137517号公報、特開昭55−
52524号公報、特開昭55−117723号公報、特開昭
59−231714号公報等がある。
ものに、特開昭56−137517号公報、特開昭55−
52524号公報、特開昭55−117723号公報、特開昭
59−231714号公報等がある。
しかしながら、特開昭56−137517号公報記載の
ものは、空〓部の構成材としてSiO2を用い、こ
れとガラス質酸化物とを反応させて高温の熱処理
を不要にしようとしたもので、酸化物どうしの反
応生成物を完全に防止することができなかつた。
ものは、空〓部の構成材としてSiO2を用い、こ
れとガラス質酸化物とを反応させて高温の熱処理
を不要にしようとしたもので、酸化物どうしの反
応生成物を完全に防止することができなかつた。
また特開昭55−52524号公報記載のものは、空
〓部の開口端部に金属酸化物の付着材を用いてガ
ラス質材料の拡散防止を図ろうとしたものである
が、上述のものと同様、これと低軟化点のガラス
質材料との反応を完全に防止することができなか
つた。また、空〓内部ではガラス質材料と磁性材
とのあいだに金属等の反応生成物が生じる問題が
あつた。
〓部の開口端部に金属酸化物の付着材を用いてガ
ラス質材料の拡散防止を図ろうとしたものである
が、上述のものと同様、これと低軟化点のガラス
質材料との反応を完全に防止することができなか
つた。また、空〓内部ではガラス質材料と磁性材
とのあいだに金属等の反応生成物が生じる問題が
あつた。
また特開昭55−117723号公報記載のものは、２
個のコア半体にこれらを融着するガラスとの反応
容易な膜を形成し、金属質の遷移層を形成するこ
とによつて接合の機械的な信頼性を改善しようと
したもので、そのために磁気空〓（ギヤツプ）部
には膜を形成せず、又そのため、融着するガラス
が金属層の突合せ部分から浸透し、ガラスとの反
応によつて磁気空〓部の両端が侵食されて、その
長さが短くなつてしまうという問題があつた。
個のコア半体にこれらを融着するガラスとの反応
容易な膜を形成し、金属質の遷移層を形成するこ
とによつて接合の機械的な信頼性を改善しようと
したもので、そのために磁気空〓（ギヤツプ）部
には膜を形成せず、又そのため、融着するガラス
が金属層の突合せ部分から浸透し、ガラスとの反
応によつて磁気空〓部の両端が侵食されて、その
長さが短くなつてしまうという問題があつた。
また特開昭59−231714号公報記載のものも磁気
空〓部には金属層或いは金属質遷移層が形成され
ていない。本例のコアどうしの接合用ガラスのぬ
れ性の向上を目的としており、磁気空〓部の特性
を直接に改善しようとしたものではなく、そのた
め、磁気空〓部の硬度、耐摩耗性、加工性等の改
善効果が得られない。
空〓部には金属層或いは金属質遷移層が形成され
ていない。本例のコアどうしの接合用ガラスのぬ
れ性の向上を目的としており、磁気空〓部の特性
を直接に改善しようとしたものではなく、そのた
め、磁気空〓部の硬度、耐摩耗性、加工性等の改
善効果が得られない。
本発明の目的は、金属磁性体を磁心とした磁気
ヘツドの空〓部におけるこれらの問題を解決する
ためになされたもので、磁気空〓部の特性に優
れ、かつ酸化物である低融点ガラスとの反応性が
より低く、さらに最適な物性の選択幅を広くする
ことにより優れたヘツド特性を有する磁気ヘツド
を提供することにある。
ヘツドの空〓部におけるこれらの問題を解決する
ためになされたもので、磁気空〓部の特性に優
れ、かつ酸化物である低融点ガラスとの反応性が
より低く、さらに最適な物性の選択幅を広くする
ことにより優れたヘツド特性を有する磁気ヘツド
を提供することにある。
上記の目的は、一対の金属磁性体を磁心とする
磁気空〓を有するとともに、該金属磁性体の空〓
構成対向面にそれぞれ低融点ガラスを形成し、こ
れを合わせて低温で加熱融着した磁気ヘツドにお
いて、前記金属磁性体と前記低融点ガラスとの間
に、非磁性の金属又は非酸化物セラミツクスの少
なくとも１種以上からなる膜を形成したことを特
徴とする磁気ヘツドによつて達成することができ
る。
磁気空〓を有するとともに、該金属磁性体の空〓
構成対向面にそれぞれ低融点ガラスを形成し、こ
れを合わせて低温で加熱融着した磁気ヘツドにお
いて、前記金属磁性体と前記低融点ガラスとの間
に、非磁性の金属又は非酸化物セラミツクスの少
なくとも１種以上からなる膜を形成したことを特
徴とする磁気ヘツドによつて達成することができ
る。
上記構成によれば、磁気空〓部に対する侵食が
非磁性膜によつて防止され、さらに金属磁性体と
低融点ガラスとが反応して金属が析出するという
ようなことがない。また、反応防止膜を構成する
金属又は非酸化物セラミツクスは、原子間の結合
様式が、それぞれ金属結合或いは共有結合である
ので、イオン結合を主とする酸化物とは異なり、
低融点ガラス材料に対して反応性が極めて低いも
のとなる。加えて、金属及び非酸化物には酸化物
に比べて物性の幅が広いので、特性の良好な磁気
ヘツドを得ることができる。
非磁性膜によつて防止され、さらに金属磁性体と
低融点ガラスとが反応して金属が析出するという
ようなことがない。また、反応防止膜を構成する
金属又は非酸化物セラミツクスは、原子間の結合
様式が、それぞれ金属結合或いは共有結合である
ので、イオン結合を主とする酸化物とは異なり、
低融点ガラス材料に対して反応性が極めて低いも
のとなる。加えて、金属及び非酸化物には酸化物
に比べて物性の幅が広いので、特性の良好な磁気
ヘツドを得ることができる。
以下、本発明による実施例を図面を参照して、
最も一般的なヘツド形状である２個のコの字状磁
心を対向せしめることにより磁気ヘツドを形成す
る場合について説明する。
最も一般的なヘツド形状である２個のコの字状磁
心を対向せしめることにより磁気ヘツドを形成す
る場合について説明する。
実施例 １
第２図のように断面コ字状の磁心１のフロント
空隙構成面２及びパツク空隙構成面３を充分鏡面
で、且つ、同一平面となるように仕上げ、その面
に金属磁性体、例えば、センダストと後に形成さ
れるガラス層との反応を防止してガラス中からの
金属析出を抑えるための膜として、SiO2４をス
パツタリングにより着ける。
空隙構成面２及びパツク空隙構成面３を充分鏡面
で、且つ、同一平面となるように仕上げ、その面
に金属磁性体、例えば、センダストと後に形成さ
れるガラス層との反応を防止してガラス中からの
金属析出を抑えるための膜として、SiO2４をス
パツタリングにより着ける。
スパツタリングには、高周波スパツタ装置を用
い、SiO2ターゲツトに対しO2を５〜20％含んだ
Arガスでスパツタリングを行なつた。O2を含ん
だガスを用いることによりSiO2の緻密な膜が得
られる。又、膜厚はスパツタリング時間により容
易に制御できる。
い、SiO2ターゲツトに対しO2を５〜20％含んだ
Arガスでスパツタリングを行なつた。O2を含ん
だガスを用いることによりSiO2の緻密な膜が得
られる。又、膜厚はスパツタリング時間により容
易に制御できる。
次に、第１図のように、空隙スペーサ及び磁心
１の接着剤として、低融点のPbO−B2O3系ガラ
ス膜５を、第２図に示したようにSiO2膜４の上
にスパツタリングにより着ける。
１の接着剤として、低融点のPbO−B2O3系ガラ
ス膜５を、第２図に示したようにSiO2膜４の上
にスパツタリングにより着ける。
スパツタリングには、高周波スパツタ装置を用
い、ターゲツトとして、例えば、PbOを70wt％
以上含んだPbO−B2O3系ガラスを用い、O2を５
〜20％含んだArガスでスパツタリングを行ない、
ターゲツト組成に近いスパツタ膜５を得た。膜厚
の制御は、スパツタ時間によつた。
い、ターゲツトとして、例えば、PbOを70wt％
以上含んだPbO−B2O3系ガラスを用い、O2を５
〜20％含んだArガスでスパツタリングを行ない、
ターゲツト組成に近いスパツタ膜５を得た。膜厚
の制御は、スパツタ時間によつた。
しかる後、第１図に示すように、磁心１及び
１′を合わせて加圧しながら、500℃前後の温度で
加熱すると、ガラス膜５同士は互いに融着し、さ
らに、加熱中にガラス５がSiO2膜４の方に拡散
していく。
１′を合わせて加圧しながら、500℃前後の温度で
加熱すると、ガラス膜５同士は互いに融着し、さ
らに、加熱中にガラス５がSiO2膜４の方に拡散
していく。
ここで、はじめの膜４及び５の膜厚構成、又
は、熱処理温度、時間を変えることにより、ガラ
ス５のSiO2膜４への拡散量は制御できる。従つ
て、これらを適当な条件に選ぶと、ガラス５は、
SiO2膜の方へ拡散してゆくが、最終的に、セン
ダストに到達させることなく磁気空隙を得ること
ができる。例えば、第２図でSiO2膜４を1.0μｍ、
ガラス膜５を1.0μｍ着けて、500℃、15分の熱処
理を行なうと、ガラス５とSiO2は相互に拡散し、
SiO2膜は約0.5μｍ残る。
は、熱処理温度、時間を変えることにより、ガラ
ス５のSiO2膜４への拡散量は制御できる。従つ
て、これらを適当な条件に選ぶと、ガラス５は、
SiO2膜の方へ拡散してゆくが、最終的に、セン
ダストに到達させることなく磁気空隙を得ること
ができる。例えば、第２図でSiO2膜４を1.0μｍ、
ガラス膜５を1.0μｍ着けて、500℃、15分の熱処
理を行なうと、ガラス５とSiO2は相互に拡散し、
SiO2膜は約0.5μｍ残る。
また、SiO2膜４を1.6μｍ、ガラス膜５を0.4μｍ
着けて、450℃、15分の熱処理を行なうと、SiO2
膜が約0.05μｍ残る。
着けて、450℃、15分の熱処理を行なうと、SiO2
膜が約0.05μｍ残る。
このようにSiO2膜を用いて、ガラス５がセン
ダストと反応することを防止することができ、従
つて、SiO2膜のない場合に同様の条件で接着し
た際に、ガラス中に金属鉛が析出し、センダスト
とガラスの結合を弱めると共に、空隙スペーサと
してのガラス自体の強度も低下するという問題を
回避できる。
ダストと反応することを防止することができ、従
つて、SiO2膜のない場合に同様の条件で接着し
た際に、ガラス中に金属鉛が析出し、センダスト
とガラスの結合を弱めると共に、空隙スペーサと
してのガラス自体の強度も低下するという問題を
回避できる。
以上では、反応防止膜としてSiO2を用いたが、
その他にAl2O3、ZrO2、TiO2、MgOなどの安定
で融点の高い酸化物や、SnO2の様なガラスを還
元しない酸化物及びこれらの組合せにより成る化
合物を用いることもできる。
その他にAl2O3、ZrO2、TiO2、MgOなどの安定
で融点の高い酸化物や、SnO2の様なガラスを還
元しない酸化物及びこれらの組合せにより成る化
合物を用いることもできる。
実施例 ２
第２図の反応防止膜４としてTiを蒸着により
着ける。
着ける。
蒸着は、Tiをルツボに入れヒーターで加熱し、
真空中で蒸着させ、あらかじめ時間、温度などを
調節し、所定の厚さに着くように制御する。
真空中で蒸着させ、あらかじめ時間、温度などを
調節し、所定の厚さに着くように制御する。
その後、実施例１と同様の方法により磁気空隙
部を形成する。
部を形成する。
Tiは、ガラスと比較的反応しにくく、かつ、
比較的高温度で緻密に蒸着できるため、防止膜と
して良好である。
比較的高温度で緻密に蒸着できるため、防止膜と
して良好である。
その他、非磁性でガラスと比較的反応しにくい
金属膜は、反応防止膜として用いることができ
る。
金属膜は、反応防止膜として用いることができ
る。
さらに、LSIの保護膜や機能材料のコーテイン
グ材としての用いられており、特に、溶融ガラス
に対する耐食性にすぐれた、例えば、BN、
Si3N4、SiC等の非磁性非酸化物系のセラミツク
スも反応防止膜４としてすぐれた材料である。
グ材としての用いられており、特に、溶融ガラス
に対する耐食性にすぐれた、例えば、BN、
Si3N4、SiC等の非磁性非酸化物系のセラミツク
スも反応防止膜４としてすぐれた材料である。
本発明によれば、磁気空〓部の侵食が防止さ
れ、かつ金属磁性体間の空〓に充填されるガラス
質材料中に金属等の反応生成物が析出することが
なくなり、そのため、機械的強度や耐摩耗性の高
い磁気空〓を得ることができる。また、金属又は
非酸化物セラミツクスからなる反応防止膜とする
ことにより、ヘツド特性として重要な、硬度、耐
摩耗性、加工性等を最適化するための材質の選択
の幅が広がり、品質の優れた磁気ヘツドを得るこ
とができる。
れ、かつ金属磁性体間の空〓に充填されるガラス
質材料中に金属等の反応生成物が析出することが
なくなり、そのため、機械的強度や耐摩耗性の高
い磁気空〓を得ることができる。また、金属又は
非酸化物セラミツクスからなる反応防止膜とする
ことにより、ヘツド特性として重要な、硬度、耐
摩耗性、加工性等を最適化するための材質の選択
の幅が広がり、品質の優れた磁気ヘツドを得るこ
とができる。
第１図は、本発明の方法によつて得られた磁気
ヘツドコアの側断面図、第２図は本発明の一実施
例を説明するための製造過程における磁気ヘツド
コアの断面図である。 １……磁心、４……SiO2膜、５……ガラス膜。
ヘツドコアの側断面図、第２図は本発明の一実施
例を説明するための製造過程における磁気ヘツド
コアの断面図である。 １……磁心、４……SiO2膜、５……ガラス膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一対の金属磁性体を磁心とする磁気空〓を有
するとともに、該金属磁性体の空〓構成対向面に
それぞれ低融点ガラスを形成し、これを合わせて
低温で加熱融着した磁気ヘツドにおいて、 前記金属磁性体と前記低融点ガラスとの間に、
非磁性の金属又は非酸化物セラミツクスの少なく
とも１種以上からなる膜を形成したことを特徴と
する磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12792483A JPS6020306A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12792483A JPS6020306A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | 磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6020306A JPS6020306A (ja) | 1985-02-01 |
| JPH0480446B2 true JPH0480446B2 (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=14971999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12792483A Granted JPS6020306A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6020306A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5687045A (en) * | 1991-09-20 | 1997-11-11 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head and production method thereof and magnetic disk drive equipped with this thin film magnetic head |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5437120U (ja) * | 1977-08-19 | 1979-03-10 | ||
| JPS5552524A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-17 | Toshiba Corp | Manufacture of magnetic head |
| JPS55117723A (en) * | 1979-02-28 | 1980-09-10 | Sony Corp | Magnetic head |
| JPS56137517A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-27 | Tdk Corp | Magnetic head and its manufacture |
| US4531711A (en) * | 1982-06-30 | 1985-07-30 | Cameron Iron Works, Inc. | Valve and stem seal therefor |
-
1983
- 1983-07-15 JP JP12792483A patent/JPS6020306A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6020306A (ja) | 1985-02-01 |
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