JPH02260559A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH02260559A JPH02260559A JP8107089A JP8107089A JPH02260559A JP H02260559 A JPH02260559 A JP H02260559A JP 8107089 A JP8107089 A JP 8107089A JP 8107089 A JP8107089 A JP 8107089A JP H02260559 A JPH02260559 A JP H02260559A
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- JP
- Japan
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- semiconductor integrated
- integrated circuit
- circuit device
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- Pending
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路に含まれる容量素子に関する
もので、従来半導体集積回路装置外に外付けされている
電源間容量（以下バイパスコンデンサーと称する）を半
導体集積回路内に集積する事を目的とした半導体集積回
路装置に関するものである。
もので、従来半導体集積回路装置外に外付けされている
電源間容量（以下バイパスコンデンサーと称する）を半
導体集積回路内に集積する事を目的とした半導体集積回
路装置に関するものである。
半導体集積回路は、通常電源電流がスパイク状に流れる
為、瞬時の電源電圧低下を防ぐ目的から各電源端子間に
高周波特性の良好な１μＦ以上の比較的大容量のコンデ
ンサーを外付けして使用する。この外付はバイパスコン
デンサーを不用とする為にパッケージ内にチップ型コン
デンサーを内蔵する等の方法が取られることもある。
為、瞬時の電源電圧低下を防ぐ目的から各電源端子間に
高周波特性の良好な１μＦ以上の比較的大容量のコンデ
ンサーを外付けして使用する。この外付はバイパスコン
デンサーを不用とする為にパッケージ内にチップ型コン
デンサーを内蔵する等の方法が取られることもある。
この発明は、半導体集積回路上にバイパスコンデンサー
としての必要な容量を確保することにより、外付は或は
内蔵チップ型コンデンサーを不用とし、より使い易く安
価な半導体集積回路装置を提供することにある。
としての必要な容量を確保することにより、外付は或は
内蔵チップ型コンデンサーを不用とし、より使い易く安
価な半導体集積回路装置を提供することにある。
本発明の半導体集積回路装置は、
１）半導体集積回路の電源端子間に、該半導体集積回路
上に形成されている強誘電体を用いた容量素子が接続さ
れてなり、 ２）強誘電体を用いた容量素子が多層金属配線の電源配
線上に形成されてなることを特徴とする。
上に形成されている強誘電体を用いた容量素子が接続さ
れてなり、 ２）強誘電体を用いた容量素子が多層金属配線の電源配
線上に形成されてなることを特徴とする。
通常半導体集積回路内で使用される容量素子は逆バイア
スされたＰＮ接合、ＭＩＳ型素子、金属配線間容量があ
るが等価的な比誘電率は大きくとも１２程度でありバイ
パスコンデンサーに必要な容量値を得る為には大面積を
要する。小面積で必要な容量値を得る為には高比誘電率
である強誘電体を用いるのが目的にかなう。またバイパ
スコンデンサーを集積することによる素子面積の増大を
防ぐには電源配線に使用している金属配線上に形成する
のが効率が良い。
スされたＰＮ接合、ＭＩＳ型素子、金属配線間容量があ
るが等価的な比誘電率は大きくとも１２程度でありバイ
パスコンデンサーに必要な容量値を得る為には大面積を
要する。小面積で必要な容量値を得る為には高比誘電率
である強誘電体を用いるのが目的にかなう。またバイパ
スコンデンサーを集積することによる素子面積の増大を
防ぐには電源配線に使用している金属配線上に形成する
のが効率が良い。
実施例を第１図及び第２図を用いて説明する。
図面に於ては、半導体基板に形成されている素子は省い
である。１は半導体基板でありトランジスタ、容量、抵
抗等の素子が形成されており、それ等は絶縁膜２により
３．４．５のＡｌ或はＡ１１合金等の金属膜１こよる配
線と絶縁されている。３は電源配線の１つであり例えば
ＶＳＳとする。４は電源配線の１つであり例えばＶＯＯ
とする。５は電源以外の配線である。７は例えばスパッ
タリング法により付着させられた強誘電体膜であり、例
えばＰｂＴｉＯｘ 、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、ＢａＴｉ０゜
等の組成からなる。第１図の場合は、金属膜配線３．４
．５の上にＣＶＤ法等で付着した絶縁膜６をフォトエツ
チング技術を用いて、４上には容量形成領域として、３
上には容量の上部電極としてのＡｌ或はＡ１合金等の金
属膜配線８との接触用として開口する。第１図の場合は
、配線４の面積が必要なバイパスコンデンサーの容量を
形成するに十分な場合に安価に形成し得る方法である。
である。１は半導体基板でありトランジスタ、容量、抵
抗等の素子が形成されており、それ等は絶縁膜２により
３．４．５のＡｌ或はＡ１１合金等の金属膜１こよる配
線と絶縁されている。３は電源配線の１つであり例えば
ＶＳＳとする。４は電源配線の１つであり例えばＶＯＯ
とする。５は電源以外の配線である。７は例えばスパッ
タリング法により付着させられた強誘電体膜であり、例
えばＰｂＴｉＯｘ 、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、ＢａＴｉ０゜
等の組成からなる。第１図の場合は、金属膜配線３．４
．５の上にＣＶＤ法等で付着した絶縁膜６をフォトエツ
チング技術を用いて、４上には容量形成領域として、３
上には容量の上部電極としてのＡｌ或はＡ１合金等の金
属膜配線８との接触用として開口する。第１図の場合は
、配線４の面積が必要なバイパスコンデンサーの容量を
形成するに十分な場合に安価に形成し得る方法である。
次に第２図の場合は絶縁［６をフォトエツチング技術を
用いてバイパスコンデンサーの下部電極９及び上部電極
８との接触用として開口する。この例では、半導体集積
回路チップのほぼ全面積をバイパスコンデンサーの形成
に利用出来る為、大容量のバイパスコンデンサーを形成
し得るという利点がある。
用いてバイパスコンデンサーの下部電極９及び上部電極
８との接触用として開口する。この例では、半導体集積
回路チップのほぼ全面積をバイパスコンデンサーの形成
に利用出来る為、大容量のバイパスコンデンサーを形成
し得るという利点がある。
以上説明したように、本発明は半導体集積回路の電源端
子間に、該半導体集積回路上に形成されている強誘電体
を用いた容量素子が接続されているので、外付は或いは
内蔵チップ型コンデンサーを不用とし、より使い易く安
価な半導体集積回路装置を提供し得る。
子間に、該半導体集積回路上に形成されている強誘電体
を用いた容量素子が接続されているので、外付は或いは
内蔵チップ型コンデンサーを不用とし、より使い易く安
価な半導体集積回路装置を提供し得る。
第１図から第３図は本発明の実施例を示す図であり、第
１図及び第２図は２層金属配線を用いた例を示す図であ
り第３図は３層金属配線を用いた例を示す図である。 ６・ ７ ・ ８・ ９ ・ ・絶縁膜 ・強誘電体膜 慟バイパスコンデンサーＩＢｍｌｆｔ ・バイパスコンデンサー下部電極 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）１・・・半
導体基板、ただし半導体基板上に形成されている素子は
省略しである。 絶縁膜 Ｖｓｓｌ源配線 ＶａＯ電源配線 他の配線 ２・ ４ ・ ５Φ Ｖｔ ＋Ｂ 第２０ ’１３１Ｂ
１図及び第２図は２層金属配線を用いた例を示す図であ
り第３図は３層金属配線を用いた例を示す図である。 ６・ ７ ・ ８・ ９ ・ ・絶縁膜 ・強誘電体膜 慟バイパスコンデンサーＩＢｍｌｆｔ ・バイパスコンデンサー下部電極 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）１・・・半
導体基板、ただし半導体基板上に形成されている素子は
省略しである。 絶縁膜 Ｖｓｓｌ源配線 ＶａＯ電源配線 他の配線 ２・ ４ ・ ５Φ Ｖｔ ＋Ｂ 第２０ ’１３１Ｂ
Claims (2)
- （１）半導体集積回路の電源端子間に、該半導体集積回
路上に形成されている強誘電体を用いた容量素子が接続
されてなることを特徴とする半導体集積回路装置。 - （２）強誘電体を用いた容量素子が電源配線金属が交差
する部分に形成されてなることを特徴とする請求項１記
載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8107089A JPH02260559A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8107089A JPH02260559A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260559A true JPH02260559A (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=13736130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8107089A Pending JPH02260559A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02260559A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5608246A (en) * | 1994-02-10 | 1997-03-04 | Ramtron International Corporation | Integration of high value capacitor with ferroelectric memory |
| EP0790649A3 (en) * | 1996-02-13 | 2000-01-26 | International Business Machines Corporation | Integrated ciruit having integral decoupling capacitor |
| US6147857A (en) * | 1997-10-07 | 2000-11-14 | E. R. W. | Optional on chip power supply bypass capacitor |
| US6492673B1 (en) | 2001-05-22 | 2002-12-10 | Ramtron International Corporation | Charge pump or other charge storage capacitor including PZT layer for combined use as encapsulation layer and dielectric layer of ferroelectric capacitor and a method for manufacturing the same |
| JP2007095965A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Technology Alliance Group Inc | 半導体装置およびバイパスキャパシタモジュール |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP8107089A patent/JPH02260559A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5608246A (en) * | 1994-02-10 | 1997-03-04 | Ramtron International Corporation | Integration of high value capacitor with ferroelectric memory |
| EP0790649A3 (en) * | 1996-02-13 | 2000-01-26 | International Business Machines Corporation | Integrated ciruit having integral decoupling capacitor |
| US6147857A (en) * | 1997-10-07 | 2000-11-14 | E. R. W. | Optional on chip power supply bypass capacitor |
| US6492673B1 (en) | 2001-05-22 | 2002-12-10 | Ramtron International Corporation | Charge pump or other charge storage capacitor including PZT layer for combined use as encapsulation layer and dielectric layer of ferroelectric capacitor and a method for manufacturing the same |
| JP2007095965A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Technology Alliance Group Inc | 半導体装置およびバイパスキャパシタモジュール |
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