JPS612331A - 半導体素子の樹脂封止方式 - Google Patents

半導体素子の樹脂封止方式

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JPS612331A
JPS612331A JP59124214A JP12421484A JPS612331A JP S612331 A JPS612331 A JP S612331A JP 59124214 A JP59124214 A JP 59124214A JP 12421484 A JP12421484 A JP 12421484A JP S612331 A JPS612331 A JP S612331A
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JP
Japan
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semiconductor element
resin
sealing resin
disk
thinner
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JP59124214A
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English (en)
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Shin Tada
多田　伸
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は、半導体素子の樹脂封止方式に関するものであ
る。
〈従来技術〉 従来の半導体素子の樹脂封止方式は、第２図（イ）〜（
ニ）に示すように、配線基板１と配線基板１にフリップ
チップボンティングされた半導体素子２の間に樹脂吐出
ノズル３を使用して、浸透樹脂４を注入しくイ）、注入
後半導体素子２の上に封止樹脂５を滴下したのも（ロ）
、（ハ）、該封止樹脂５は、加熱。
硬化する際温度上昇とともに粘度か下かり形状が不揃に
なるので、これを防ぐために封止樹脂５の」−をディス
ク６で押し利は加熱硬化させている。
しかしながらこの樹脂封止方式によれば、半導体素子２
とディスク６との間の封止樹脂層が５０〜１００μｍ１
デイスク６自体か＋５０−２５０μｍ程度となり、どう
しても薄型化することか出来なかった。
そこで薄型化のためには、たとえばディスク６の薄型化
か考えられるか、この場合封止樹脂の表面張力により、
ディスク板の中央部か盛り−Ｌかってしまいかえって厚
くなってしまう。
また加圧を充分に加えてディスク６と半導体素子２の間
の樹脂層を薄くさせることが考えられるが、この場合加
圧装置の操作等に手間がかかると共に、封止樹脂にスト
レスがたまりひび割れの原因となってしまう。
〈目　的〉 本発明はかかる従来の欠点に鑑みて成されたもので、半
導体素子の側壁を囲むように、配線基板−にに封止樹脂
を設け、かつ半導体素子の上面に直接フィルムディスク
を接着することにより厚みを薄くし、形状を揃わせた半
導体素子の樹脂封止方式を提供することを目的とする。
〈実施例〉 以下図にもとづいて本発明の詳細な説明する。
第１図（イ）〜に）は本発明方式を説明する図である。
本発明の半導体素子の樹脂封止方式は、配線基板ｌと配
線基板１にフリップチップボンディングされた半導体素
子２の間に、従来例と同じように浸透樹脂４を毛細管現
象を利用して注入しく１′）、注入後半導体素子２の側
壁を囲むように従来例よりもやや高粘度の封止樹脂７を
ノズルにて図示の如く滴ドする（口）、（ハ）。次に樹
脂を滴下していない半導体素子の」−面に接着剤９イ」
フィルムディスク８（例えば、利質としてポリエステル
フィルム、接着剤としてつ１〜タン系接着剤を用いる。
）を接着させて、半導体素子２の側壁を囲んでいる封止
樹脂７をフィルムディスク８にすいよせるに）。そして
この状態で加熱硬化させる。
かかる樹脂封止方式によれば、封止樹脂を半導体素子２
の周囲に滴下し、樹脂のない素子の上面に直接フィルム
ディスク８を貼付けるようにしたので、たとえば接着剤
層９が２０〜３０μｍとしても、従来のこの部分の樹脂
層１００μｍよりも薄くできる。さらにフィルムディス
ク８を半導体素子２の上面に直接貼付けるので、該ディ
スク８が非常に簿くても中央部がふくらむおそれかない
。したかって従来のディスク６の厚さは約１５０μｍで
あるのに対して、本発明方式では２０μｍ程度にするこ
とかでき、カード電卓等のより薄型を要求するものに対
しては、特に有用である。
〈効　果〉 以上の様に、本発明の樹脂封止方式は、半導体素子の側
壁を囲むように配線基板上に封止樹脂を設け、互生導体
素子の上面に直接フィルムディスクを接着して成るから
、半導体素子とフィルムディスクとの間から封止樹脂が
なくなり、フィルムディスク、接着剤の厚みも従来例の
ディスクの厚めよりもかなり薄くなったため、電子部品
の薄型化に大いに有用である。
【図面の簡単な説明】
第１図（イ）乃至に）は本発明方式を説明する図、第２
図（イ）乃至に）Ｇ」従来方式を説明する図である。 ４　浸透樹脂　５゛封止樹脂　６　ディスク７　やや高
粘度な封止樹脂

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、回路パターンを有する配線基板上に、半導体素子を
    載置し、前記半導体素子を樹脂で封止する半導体素子の
    封止方式において、 前記半導体素子の側壁を囲むように配線基板上に封止樹
    脂を設け、且前記半導体素子の上面に直接フィルムディ
    スクを接着して成ることを特徴とする半導体素子の樹脂
    封止方式。
JP59124214A 1984-06-14 1984-06-14 半導体素子の樹脂封止方式 Pending JPS612331A (ja)

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JP59124214A JPS612331A (ja) 1984-06-14 1984-06-14 半導体素子の樹脂封止方式

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JP59124214A JPS612331A (ja) 1984-06-14 1984-06-14 半導体素子の樹脂封止方式

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JPS612331A true JPS612331A (ja) 1986-01-08

Family

ID=14879815

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JP59124214A Pending JPS612331A (ja) 1984-06-14 1984-06-14 半導体素子の樹脂封止方式

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999009592A1 (en) * 1997-08-13 1999-02-25 Citizen Watch Co., Ltd. Flip-chip semiconductor package and method for manufacturing the same
US6459152B1 (en) * 1999-10-27 2002-10-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having a chip, reinforcing plate, and sealing material sharing a common rear surface

Cited By (3)

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WO1999009592A1 (en) * 1997-08-13 1999-02-25 Citizen Watch Co., Ltd. Flip-chip semiconductor package and method for manufacturing the same
US6459152B1 (en) * 1999-10-27 2002-10-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having a chip, reinforcing plate, and sealing material sharing a common rear surface
US7094630B2 (en) 1999-10-27 2006-08-22 Renesas Technology Corp. Method of fabricating semiconductor device having a chip, reinforcing plate, and sealing material sharing a common rear surface

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