JPH02265215A - 消磁回路用磁器半導体電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は消磁回路用磁器半導体電子部品に関し、特に
たとえばブラウン管消磁回路などに用いられる、消磁回
路用磁器半導体電子部品に関する。

（従来技術） 第３図はこの発明の背景となる従来の消磁回路用磁器半
導体電子部品の一例を示す図解図である。

この消磁回路用磁器半導体電子部品ｌは半導体（ｄ器２
を含む。半導体磁器２の材料としては、たとえば１３　
ａ　Ｔ　ｉ　Ｏ３に微量の不純物を添加したものが用い
られ、この半導体磁器２は正の抵抗温度特性を示す。こ
の半導体磁器２０両面には電極３が形成され、さらに電
極３にリード線４が接続されている。

このような電子部品は、たとえばブラウン管の残留磁気
を消去するための消磁回路などに用いられる。この場合
、消磁回路に電流を流すことによって十分強い交番磁場
が作り出される。この交番磁場がブラウン管に作用させ
られる。この時、消磁回路用磁器半導体電子部品１に電
流が流れることによって半導体磁器２は発熱し、抵抗値
が増加する。それによって、消磁回路に流れる電流が制
限され、それに応じて交番磁場の強さが減衰する。

このように、ブラウン管に作用させる交番磁場の強さを
減衰させることによって、ブラウン管の残留磁気は消去
される。

（発明が解決しようとする課題） このような消磁回路用４ｆｉ器半導体電子部品では、半
導体磁器の外側部分２ａは外気に接触しているため熱拡
散が早くその温度が低くなって低抵抗となるが、半導体
磁器の内側部分２ｂは外側部分に比べて熱拡散が遅く高
抵抗となってしまう。そのため、半導体磁器の内側部分
２ｂの温度がさらに上昇し、半導体磁器の内側部分にお
いて熱応力破壊が発生する。特に、急激な電圧印加の時
には、半導体磁器の内側部分と外側部分との熱平衡の速
度差が大きいため、破壊が起こりやすい。

それゆえに、この発明の主たる目的は、熱応力破壊、特
に急激な電圧印加の時の破壊が起こりにくい消磁回路用
磁器半導体電子部品を提供することである。

（課題を解決するための手段） この発明は、正の抵抗温度特性を示す半導体磁器が３層
以上の多層構造で形成され、内層から外層に向かうに従
って抵抗値を大きくした、消磁回路用６イヨ器半導体電
子部品である。

（作用） 消磁回路用磁器半導体電子部品に電流が流れ、発熱によ
ってその内層部分の温度が上昇した時、内層部分の抵抗
値が外層部分の抵抗値と同しか、または外層部分の抵抗
値以下になる。

（発明の効果） この発明によれば、半導体磁器の内層部分の抵抗値が外
層部分の抵抗値よりも大きくならず、内層部分の発熱に
よる熱応力破壊が発生しにくい。

そのため、消磁回路用磁器半導体電子部品の耐電圧、特
に動耐電圧の向上を図ることができる。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、Ｍ面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。

（実施例） 第１図はこの発明の一実施例を示す図解図である。この
消磁回路用磁器半導体電子部品１０は、正の抵抗温度特
性を示す半導体磁器１２を含む。

半導体磁器１２は、たとえば内層１２ａと、この内層１
２ａの両面に形成される外層１２ｂとの３層で形成され
る。半導体磁器１２の内層１２ａの１１（抗値は、外層
１２ｂの抵抗値より小さく設定される。この半導体磁器
１２は、たとえば低抵抗（オ料の両面に高抵抗材料を積
層し、一体的に焼成することによって形成される。

半導体磁器１２の両主面には、それぞれ電極１・１が形
成される。さらに、この電極Ｉ４に接続されるように、
リード綿１６が形成される。

この消磁回路用ｆｆｆ　２５半導体電子部品１０は、た
とえばブラウン管消ルｆ１回路などに用いられる。消磁
回路に電流を流すことによって交番磁界が作り出され、
この交番磁界がブラウン管に作用させられる。消磁回路
に流れる電流は、消磁回路用磁器半導体電子部品１０に
よって制御される。つまり、この消磁回路用磁器半導体
電子部品１０に流れる電流によって半導体磁器１２は発
熱し、その抵抗値が大きくなる。そのため、消磁回路に
流れる電流は制限され、交番磁界は減衰する。それによ
って、ブラウン管の残留磁気は消去される。

半導体磁器１２の外層１２ｂは外気によって冷却される
ため、内層１２ａのほうが外層１２ｂより高温となり、
内層１２ａの抵抗値が大きくなる。

しかし、外層１２ｂは内層１２ａより高抵抗の材料で形
成されているため、内層１２ａの抵抗値は外層１２ｂの
抵抗値より大きくならない。したがって、内層１２ａの
みに異常な発熱が発生せず、熱応力破壊が発生しにくい
。

このような消磁回路用磁器半導体電子部品１０を得るた
めに、第２図に示すように、内層用グリーンシート２０
および外層用グリーンシート２２を準備した。内層用グ
リーンシート２０の材料として、チタン酸バリウム６２
モル％、チタン酸ストロンチウム２３モル％、チタン酸
カルシウム１４．９５モル％および半導体化剤としての
酸化イツトリウム０．０５モル％の混合物に対して、鉱
化剤としての５ｉｎ２を０．３重量％、Ａｌ２Ｏ３を０
．２重量％、特性改善剤としてのＭｎＯ２を０．２重量
％添加したものを準備した。これらの材料を混合粉砕し
、１０００°Ｃで２時間仮焼した。さらに、酢酸ビニル
系バインダおよび分散剤を加えて内層用グリーンシート
２０を形成した。

また、外層用グリーンシート２２の材料として、チタン
酸バリウム７５モル％、チタン酸ストロンチウム２４．
９５モル％、半導体化剤としての酸化イツトリウム０．
０５モル％の混合物に対して、鉱化剤としてのＳｉＯ２
を０．５重量％、特性改静剤としてのＭｎ０ｚを０，２
重量％添加したものを準備した。これらの材料を混合粉
砕し、１０００℃で２時間仮焼した。さらに、酢酸ビニ
ル系バインダおよび分散剤を加えて外層用グリーンシー
ト２２を形成した。

次に、第２図に示すように、厚さ２．０ｍｍに形成され
た内層用グリーンシート２０の両面に厚さ１．５鶴に形
成された外層用グリーンシート２２を積層し、熱圧着し
た後直径１０鶴の円板状に打ち抜いて成型体を得た。こ
の成型体を１３５０°Ｃで２時間焼成した後電極を形成
し、サンプルを得た。

また、本発明品と比較するために、内層用グリーンシー
ト２０および外層用グリーンシート２２をそれぞれ厚さ
５ｍｍ、直径１０曹１の円板状に成型し、１３５０℃で
２時間焼成して比較用サンプルを得た。

これらのサンプルについて、抵抗値、温度係数静耐電圧
および動耐電圧を測定し、その結果を表に示した。

表かられかるように、この発明の消磁回路用磁器半導体
電子部品では、耐電圧、特に動耐電圧の向上を図ること
ができる。

なお、上述の実施例では、半導体磁器１２を３層構造と
したが、５層構造など３Ｎ以上の多層構造にし、外層に
向かうに従って高抵抗になるようにしてもよく、その場
合３層構造以上に効果があることは言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す図解図である。 第２図は第１回に示す消磁回路用磁器半導体電子部品の
半導体磁器の一製造工程を示す斜視図である。 第３図はこの発明の背景となる従来の消もｆ１回路用磁
器半導体電子部品の一例を示す図解図である。 図において、１０は消磁回路用磁器半導体電子部品、１
２は半導体磁器、１２ａは半導体磁器の内層、１２ｂは
半導体磁器の外層を示す。 表 特許出願人　株式会社　村田製作所 代理人　弁理士　岡　１）　全　啓

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　正の抵抗温度特性を示す半導体磁器が３層以上の多
   層構造で形成され、内層から外層に向かうに従って抵抗
   値を大きくした、消磁回路用磁器半導体電子部品。 ２　前記多層構造は、低抵抗材料と高抵抗材料とを積層
   し、一体的に焼成することによって形成された、特許請
   求の範囲第１項記載の消磁回路用磁器半導体電子部品。