JPH043121A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JPH043121A JPH043121A JP2096650A JP9665090A JPH043121A JP H043121 A JPH043121 A JP H043121A JP 2096650 A JP2096650 A JP 2096650A JP 9665090 A JP9665090 A JP 9665090A JP H043121 A JPH043121 A JP H043121A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は、遮光部材を有する液晶表示装置およびその製
造方法に関する。
造方法に関する。
Ｂ、従来の技術
米国特許第４５６８１４９号は、酸化インジウム錫（英
語名： Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ、以下ｒＴ
ｏと略称）、すなわち酸化インジウム（１ｎ２０：＋）
と酸化ｔｌＡ （Ｓ ｎ Ｏ２）との混合物から成る透
明電極上の隣接したカラー・フィルタの間、すなわちｌ
ｌｌ！Ｉ接した画素の闇ｋ、例えばアルミニウムからな
る遮光部材を設けることを開示している。
語名： Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ、以下ｒＴ
ｏと略称）、すなわち酸化インジウム（１ｎ２０：＋）
と酸化ｔｌＡ （Ｓ ｎ Ｏ２）との混合物から成る透
明電極上の隣接したカラー・フィルタの間、すなわちｌ
ｌｌ！Ｉ接した画素の闇ｋ、例えばアルミニウムからな
る遮光部材を設けることを開示している。
米国特許第４７３３９４８号は、対向する２つの基板の
うちの一方の基板に設けられた透明電極上の隣接したカ
ラー・フィルタの闇であって、他方の基板に設けられた
薄膜トランジスタと対向する位置に、例えばアルミニュ
ウムからなる遮光部材を設けることｔ′開示している。
うちの一方の基板に設けられた透明電極上の隣接したカ
ラー・フィルタの闇であって、他方の基板に設けられた
薄膜トランジスタと対向する位置に、例えばアルミニュ
ウムからなる遮光部材を設けることｔ′開示している。
特開昭８２−１３５８０９号は、透明基板上に設けられ
たＩＴＯから成る透明導電膜上にフォトレジストを塗布
した後、露光および現像することによりフォトレジスト
をパターンニングし、透明導電膜のうちフォトレジスト
により被覆されていない部分をエツチングして除去し、
上記パターンニングされたフォトレジストをそのままマ
スキング材として使用し、金属酸化物がら成る遮光層を
上記基板上の透明導電膜が設けられていない領域に形成
することを開示している。
たＩＴＯから成る透明導電膜上にフォトレジストを塗布
した後、露光および現像することによりフォトレジスト
をパターンニングし、透明導電膜のうちフォトレジスト
により被覆されていない部分をエツチングして除去し、
上記パターンニングされたフォトレジストをそのままマ
スキング材として使用し、金属酸化物がら成る遮光層を
上記基板上の透明導電膜が設けられていない領域に形成
することを開示している。
特開昭６３−７４０３３号は、ＩＴＯ聞上にフォトレジ
ストを塗布し、マスクを通して露光を行い且つ現像する
ことによりバターニングを行い、■Ｔｌ１ｌのうちフォ
トレジストにより被覆されていない部分をエツチングに
より除去し、残ったＩＴＯ皿を上にフォトレジストが堆
積されたままの状態で水素プラズマ中で還元し、パター
ンニングされたＩＴＯｇｉの側部を低抵抗化することを
開示している。
ストを塗布し、マスクを通して露光を行い且つ現像する
ことによりバターニングを行い、■Ｔｌ１ｌのうちフォ
トレジストにより被覆されていない部分をエツチングに
より除去し、残ったＩＴＯ皿を上にフォトレジストが堆
積されたままの状態で水素プラズマ中で還元し、パター
ンニングされたＩＴＯｇｉの側部を低抵抗化することを
開示している。
Ｃ０発明が解決しようとする課題
米国特許第４５６８１．４９号は、透明を極作成のため
の膜形成工程と、遮光部材作成のための膜形成工程とを
必要とし、さらに、遮光部材作成のためのエツチング工
程を必要とし、製造工程が多くなる問題点がある。また
、遮光部材が透明電極から突出するため、液晶物質の注
入が困難になる。
の膜形成工程と、遮光部材作成のための膜形成工程とを
必要とし、さらに、遮光部材作成のためのエツチング工
程を必要とし、製造工程が多くなる問題点がある。また
、遮光部材が透明電極から突出するため、液晶物質の注
入が困難になる。
さらに、遮光部材をアルミニウム等の金属で形成すると
、バックライトからの光が遮光部材によって反射され、
遮光部材が設けられる基板と対向する基板に設けられる
薄膜トランジスタに入射し、薄膜トランジスタの緒特性
に悪影響を与えるおそれがある。
、バックライトからの光が遮光部材によって反射され、
遮光部材が設けられる基板と対向する基板に設けられる
薄膜トランジスタに入射し、薄膜トランジスタの緒特性
に悪影響を与えるおそれがある。
米国特許第４７３３９４８号も、米国特許４５８８１４
９号と同様に透明電極作成のための頭形成工程と、遮光
部材作成のための膜形成工程とを必要とし、さらに、遮
光部材形成のためのエツチング工程を必要とし、製造工
程が多くなる問題点がある。
９号と同様に透明電極作成のための頭形成工程と、遮光
部材作成のための膜形成工程とを必要とし、さらに、遮
光部材形成のためのエツチング工程を必要とし、製造工
程が多くなる問題点がある。
特開昭６２−１３５８０９号は、遮光層形成のためのエ
ツチング工程は必要ないが、透明電極形成のためのエツ
チング工程を必要とし、また、透明電極形成のための膜
形成工程と、遮光層形成のための膜形成工程とを特徴と
する 特開昭６３−７４０３３号は、ＩＴＯ＠極を還元するこ
とに関するものであるが、ＩＴＯ電極の低抵抗化を目的
としており、ＩＴＯを還元して得られる物質を遮光材と
して使用することを示唆するものではない。
ツチング工程は必要ないが、透明電極形成のためのエツ
チング工程を必要とし、また、透明電極形成のための膜
形成工程と、遮光層形成のための膜形成工程とを特徴と
する 特開昭６３−７４０３３号は、ＩＴＯ＠極を還元するこ
とに関するものであるが、ＩＴＯ電極の低抵抗化を目的
としており、ＩＴＯを還元して得られる物質を遮光材と
して使用することを示唆するものではない。
本発明の目的は、遮光材を形成するための製造工程が少
くでき、遮光材による光反射を小さくできる液晶表示装
置を提供することにある。
くでき、遮光材による光反射を小さくできる液晶表示装
置を提供することにある。
本発明の別の目的は、透明Ｎ極と遮光部材との間に段差
が生じることのない液晶表示装置を提供することにある
。
が生じることのない液晶表示装置を提供することにある
。
本発明のさらに別の目的は、透明電極と遮光部材を形成
するための製造工程数を少くできる液晶表示装置の製造
方法を提供することにある。
するための製造工程数を少くできる液晶表示装置の製造
方法を提供することにある。
００課題を解決するための手段
本発明によれば、ＩＴＯを還元して得られる物質が、例
えば液晶表示装置の画素間の遮光材として使用される。
えば液晶表示装置の画素間の遮光材として使用される。
ＩＴＯｔ−還元すると、遮光材として使用するのに十分
な程度に光透過率カマ低減することが判明した。ＩＴＯ
は、液晶表示装置において透明電極材料として広く使用
されている。遮光を必要とするのは、一般に画素電極を
構成する透明電極に隣接する領域であるから、ＩＴＯの
うち透明電極として使用する領域をマスクで保護し、マ
スクで保護されていないＩＴＯ領域を還元することによ
り必要な遮光部材を形成できる。この遮光部材は、ＩＴ
Ｏ単層腹中に存在することになるから、遮光部材と透明
電極との間に段差が生じることがない。また、遮光部材
を形成するために別個に膜を形成する必要がないので、
製造工程を少くすることができる。さらに、ＩＴＯを還
元して得られる物質は、光反射が小さいため、これを遮
光部材として使用しても、遮光部材と対向する薄膜トラ
ンジスタに光を反射させて該トランジスタの特性に悪影
響を与えることはない。
な程度に光透過率カマ低減することが判明した。ＩＴＯ
は、液晶表示装置において透明電極材料として広く使用
されている。遮光を必要とするのは、一般に画素電極を
構成する透明電極に隣接する領域であるから、ＩＴＯの
うち透明電極として使用する領域をマスクで保護し、マ
スクで保護されていないＩＴＯ領域を還元することによ
り必要な遮光部材を形成できる。この遮光部材は、ＩＴ
Ｏ単層腹中に存在することになるから、遮光部材と透明
電極との間に段差が生じることがない。また、遮光部材
を形成するために別個に膜を形成する必要がないので、
製造工程を少くすることができる。さらに、ＩＴＯを還
元して得られる物質は、光反射が小さいため、これを遮
光部材として使用しても、遮光部材と対向する薄膜トラ
ンジスタに光を反射させて該トランジスタの特性に悪影
響を与えることはない。
Ｅ、実施例
第１図は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示す
、この図に示されているように、互いに対向して配置さ
れているＴＦＴアレイ基板１０と対向基板１２との闇に
はネマチック液晶物質が充填される。ＴＦＴアレイ基板
１０および対向基板１２は、ともに透明ガラスによって
形成される。
、この図に示されているように、互いに対向して配置さ
れているＴＦＴアレイ基板１０と対向基板１２との闇に
はネマチック液晶物質が充填される。ＴＦＴアレイ基板
１０および対向基板１２は、ともに透明ガラスによって
形成される。
Ｔ Ｆ Ｔアレイ基板１０上には、各画素について１つ
の薄膜トランジスタ（以下、ＴＰＴと略称す）が形成さ
れる。すなわち、ＴＦＴアレイ基板１０上には、ゲート
電極１８が形成され、ゲート電極１８上にはゲート絶縁
膜２０が形成され、ゲート絶縁１１２０上にはアモルフ
ァス・シリコン半導体層２２が形成され、半導体層２２
にはドレイン電極２４およびソース電極２６が接続され
る。ドレイン電極２４と、ソース電極２６とは互いに絶
縁されている。第２図に示されているように、ゲート電
極１８は、アドレス鯨１８Ａに接続され、ドレイン電極
２４は、データＡｌ２４Ｄに接続される。
の薄膜トランジスタ（以下、ＴＰＴと略称す）が形成さ
れる。すなわち、ＴＦＴアレイ基板１０上には、ゲート
電極１８が形成され、ゲート電極１８上にはゲート絶縁
膜２０が形成され、ゲート絶縁１１２０上にはアモルフ
ァス・シリコン半導体層２２が形成され、半導体層２２
にはドレイン電極２４およびソース電極２６が接続され
る。ドレイン電極２４と、ソース電極２６とは互いに絶
縁されている。第２図に示されているように、ゲート電
極１８は、アドレス鯨１８Ａに接続され、ドレイン電極
２４は、データＡｌ２４Ｄに接続される。
ソース電極２６は、ＩＴＯから成る画素電極２８に接続
される。
される。
対向基板１２上には、ＩＴＯから成る共通電極４０と、
ＩＴＯを還元して得られる物質から成る遮光材すなわち
ブラックマトリクス４２とが形成される。共通電極４０
と遮光部材４２とは同一平面内にあり、両者間には段差
はない。第２図に示されているように遮光部材４２は、
ＴＦＴアレイ基板１０上の画素電極２８以外の領域をカ
バーする領域に形成される。すなわち、遮光部材４２は
、アドレス！１８Ａ、データ線２４Ｄおよびアモルファ
スシリコン半導体層２２と対向する領域に形成される。
ＩＴＯを還元して得られる物質から成る遮光材すなわち
ブラックマトリクス４２とが形成される。共通電極４０
と遮光部材４２とは同一平面内にあり、両者間には段差
はない。第２図に示されているように遮光部材４２は、
ＴＦＴアレイ基板１０上の画素電極２８以外の領域をカ
バーする領域に形成される。すなわち、遮光部材４２は
、アドレス！１８Ａ、データ線２４Ｄおよびアモルファ
スシリコン半導体層２２と対向する領域に形成される。
ＴＦＴアレイ基板１０上の半導体層２０、ドレイン電極
２４、ソース電極２６および画素電極上にも、液晶物質
の分子軸を所定方向に配向させる配向ｐＡ３０が形成さ
れる。他方共通電極４０および遮光部材４２上には、液
晶物質の分子軸を所定方向に配向させる配向膜５０が形
成される。
２４、ソース電極２６および画素電極上にも、液晶物質
の分子軸を所定方向に配向させる配向ｐＡ３０が形成さ
れる。他方共通電極４０および遮光部材４２上には、液
晶物質の分子軸を所定方向に配向させる配向膜５０が形
成される。
ＴＦＴアレイ基板１０側にはバックライト６０が設けら
れる。ＩＴＯｔ−還元して得られる物質から成る遮光部
材４２は、対向基板１２側から入射した光が半導体層２
２に入射するのを防止するだけでなく、遮光部材４２の
光反射率は小さいので、バックライト６０から透明画素
電極２８ｆ：介して受けた光を反射して半導体層２２に
入射させてしまうこともない。
れる。ＩＴＯｔ−還元して得られる物質から成る遮光部
材４２は、対向基板１２側から入射した光が半導体層２
２に入射するのを防止するだけでなく、遮光部材４２の
光反射率は小さいので、バックライト６０から透明画素
電極２８ｆ：介して受けた光を反射して半導体層２２に
入射させてしまうこともない。
第３図は、ＩＴＯ単層腹中に遮光部材すなわちブラック
マトリクス４２を形成する方法の一実施例を示し、第４
図は、第３図に示された各工程を示す、まず、ガラス基
板すなわち対向基板１２上にＩＴＯ膜４膜上０成される
（第３図の１０２および第４図の（ａ）参照）０次に、
ｒ Ｔ ｏｇ４ Ｑの全面にフォトレジスト２００を塗
布する（第３図の１０４および第４図（ｂ）参照）０次
に、画素電極２８に対応する領域だけを覆う、換言すれ
ば半導体層２２、アドレス鯨１８およびデータ線２４Ｄ
に対応する領域に対して光を通すフォトマスクを使用し
て、フォトレジスト２００を露光し、現像すると、露光
されたフォトレジスト２００だけが残存する（第３図の
１０６及び第４図（ｅ）参照）。
マトリクス４２を形成する方法の一実施例を示し、第４
図は、第３図に示された各工程を示す、まず、ガラス基
板すなわち対向基板１２上にＩＴＯ膜４膜上０成される
（第３図の１０２および第４図の（ａ）参照）０次に、
ｒ Ｔ ｏｇ４ Ｑの全面にフォトレジスト２００を塗
布する（第３図の１０４および第４図（ｂ）参照）０次
に、画素電極２８に対応する領域だけを覆う、換言すれ
ば半導体層２２、アドレス鯨１８およびデータ線２４Ｄ
に対応する領域に対して光を通すフォトマスクを使用し
て、フォトレジスト２００を露光し、現像すると、露光
されたフォトレジスト２００だけが残存する（第３図の
１０６及び第４図（ｅ）参照）。
次に、上述のようにフォトレジスト２００でパターニン
グされたＩＴＯａ４０をガラス基板１２とともに、第４
図（ｄ）に示すように、水素Ｈを含む導電性溶液２０２
中に浸し、直流電源２１０の陰極をＩＴＯ膜４膜上０続
し、直流型５２１０の陽極２０６を導電性溶液２０２中
に浸し、ＩＴＯ膜４膜上０極２０６に電圧を印加すると
、陰極すなわちＩＴＯ膜４０では次の反応が生じる。
グされたＩＴＯａ４０をガラス基板１２とともに、第４
図（ｄ）に示すように、水素Ｈを含む導電性溶液２０２
中に浸し、直流電源２１０の陰極をＩＴＯ膜４膜上０続
し、直流型５２１０の陽極２０６を導電性溶液２０２中
に浸し、ＩＴＯ膜４膜上０極２０６に電圧を印加すると
、陰極すなわちＩＴＯ膜４０では次の反応が生じる。
Ｉ ｎ２０３＋３Ｈ２→ ２ Ｉ ｎ＋３Ｈ２０Ｓｎ０
２ ＋２Ｈ２−ｏ Ｓｎ ＋２８２０（Ｉ Ｔ Ｏ
” Ｉ ｎ２０３＋ Ｓ ｎ ０２ ）これにより、フ
ォトレジスト２００によって被覆されていないＩＴＯ部
分の金属成分が増加し、すなわちＩＴＯが還元され（第
３図の１０８参ｍ）、この部分の光透過率が低減し、光
遮光部材４２が形成される。
２ ＋２Ｈ２−ｏ Ｓｎ ＋２８２０（Ｉ Ｔ Ｏ
” Ｉ ｎ２０３＋ Ｓ ｎ ０２ ）これにより、フ
ォトレジスト２００によって被覆されていないＩＴＯ部
分の金属成分が増加し、すなわちＩＴＯが還元され（第
３図の１０８参ｍ）、この部分の光透過率が低減し、光
遮光部材４２が形成される。
水素を含んだ導電性溶液として０．０３重量％のクエン
酸溶液を使用し、Ｉ Ｔ Ｏｇ （Ｓ ｎ ０２が５重
量％、ＩｎＯ３が９５重量％）に−２０Ｖの電圧を３分
間印加してＩＴＯＩＩｍの還元を行ったところ、第５図
に示すように、可視光の波長域（４００乃至７００ｒ＋
ｍ程度）において１０乃至２０％の光透過率を実現する
ことができた。この数値は、遮光部材として十分に使用
できる値である。また、共通電極４０と遮光部材４２と
の闇に段差は生じなかった。
酸溶液を使用し、Ｉ Ｔ Ｏｇ （Ｓ ｎ ０２が５重
量％、ＩｎＯ３が９５重量％）に−２０Ｖの電圧を３分
間印加してＩＴＯＩＩｍの還元を行ったところ、第５図
に示すように、可視光の波長域（４００乃至７００ｒ＋
ｍ程度）において１０乃至２０％の光透過率を実現する
ことができた。この数値は、遮光部材として十分に使用
できる値である。また、共通電極４０と遮光部材４２と
の闇に段差は生じなかった。
還元は、電圧と時間に依存すると考えられるため、時間
を十分長くとれば、ｒＴｏｇに印加する電圧は、より低
電圧例えばＩＯＶでもよい。
を十分長くとれば、ｒＴｏｇに印加する電圧は、より低
電圧例えばＩＯＶでもよい。
また、水素を含んだ導電性溶液としては、Ｌ記りエン酸
溶液以外に、一般に陽極酸化法に使用できる溶液ならば
何でも使用できる。
溶液以外に、一般に陽極酸化法に使用できる溶液ならば
何でも使用できる。
また、光透過率は、ＩＴＯＩＩｍ中の酸素量が少ないほ
ど低くなり、還元時間を十分長くとれば、光透過率を０
％に近づけることができるが、０％に近づくと、黒色か
ら金属光沢に変化し、バックライト６０からの光を反射
し、半導体層２２に光を与え、ＴＰＴに光漏れ電流を生
じさせてしまうので、遮光部材４２の光透過率は１０乃
至２０％程度が適当と考えられる。
ど低くなり、還元時間を十分長くとれば、光透過率を０
％に近づけることができるが、０％に近づくと、黒色か
ら金属光沢に変化し、バックライト６０からの光を反射
し、半導体層２２に光を与え、ＴＰＴに光漏れ電流を生
じさせてしまうので、遮光部材４２の光透過率は１０乃
至２０％程度が適当と考えられる。
また、ＩＴＯ膜は、遮光部材４２の原材料だけでなく、
そのまま透明共通電極４０の低抵抗の確保の点から、Ｔ
ＴＯの組成は、（Ｔ ｎ２０３：５ｎ０２）が（９５重
量％：５重量％）乃至（８５重量％二１５重量％）が好
ましい。
そのまま透明共通電極４０の低抵抗の確保の点から、Ｔ
ＴＯの組成は、（Ｔ ｎ２０３：５ｎ０２）が（９５重
量％：５重量％）乃至（８５重量％二１５重量％）が好
ましい。
Ｆ１発明の効果
以上のように、本発明によれば、遮光部材の反射を小さ
くでき、遮光部材と透明電極との闇の段差を無くすこと
ができる。さらに、本発明によれば、透明電極と遮光部
材とを製造する工程を少くできる。
くでき、遮光部材と透明電極との闇の段差を無くすこと
ができる。さらに、本発明によれば、透明電極と遮光部
材とを製造する工程を少くできる。
第１図は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示す
断面図、 第２図は、第１図に示された液晶表示装置のＴＦＴアレ
イ基板上の画素電極および薄膜トランジスタと、対向基
板上に設けられる共通電極中に形成される遮光部材との
位置間係を示す分解斜視図、第３図は、ＩＴＯ単層腹中
に遮光部材すなわちブラックマトリクスを形成する方法
の一実施例を示すフローチャート、 第４図は、第３図に示された方法の各工程を示す説明図
、 第５図は、第３図の方法に従って形成された遮光材の一
例の光透過率を示すグラフである。 ４０・・・・ＩＴＯ共通電極、４２・・・・遮光部材、
２００・・・・フォトレジスト、２０２・・・・導電性
溶液、２０６・・・・陽極、２０８・・・・陰極、２］
０・・・・直流電源。
断面図、 第２図は、第１図に示された液晶表示装置のＴＦＴアレ
イ基板上の画素電極および薄膜トランジスタと、対向基
板上に設けられる共通電極中に形成される遮光部材との
位置間係を示す分解斜視図、第３図は、ＩＴＯ単層腹中
に遮光部材すなわちブラックマトリクスを形成する方法
の一実施例を示すフローチャート、 第４図は、第３図に示された方法の各工程を示す説明図
、 第５図は、第３図の方法に従って形成された遮光材の一
例の光透過率を示すグラフである。 ４０・・・・ＩＴＯ共通電極、４２・・・・遮光部材、
２００・・・・フォトレジスト、２０２・・・・導電性
溶液、２０６・・・・陽極、２０８・・・・陰極、２］
０・・・・直流電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）酸化インジウム錫（以下、ＩＴＯと称す）を還元
して得られる物質を遮光材として使用することを特徴と
する液晶表示装置。 （２）透明電極がＩＴＯにより形成される液晶表示装置
において、 前記透明電極に隣接した領域にＩＴＯを還元して得られ
る物質から成る遮光材を設けたことを特徴とする液晶表
示装置。 （３）前記透明電極に隣接した領域が、画素間領域であ
ることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。 （４）画素毎に薄膜トランジスタが設けられ、前記透明
電極に隣接した領域が前記薄膜トランジスタと対向する
領域であることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装
置。 （５）透明基板上にＩＴＯ膜を形成し、 前記ＩＴＯ膜の所定領域の透過率を低下させるために前
記ＩＴＯ膜を選択的に還元する ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。（６）前記
ＩＴＯ膜の前記所定領域以外の領域に保護マスクを設け
、 前記保護マスクが設けられた前記ＩＴＯ膜を水素を含む
導電性溶液中に浸し、 前記導電性溶液中の前記ＩＴＯ膜に電圧を印加する ことを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置の製造方
法。 （７）前記保護マスクとしてフォトレジストを使用する
ことを特徴とする請求項６記載の液晶表示装置の製造方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9665090A JP2601932B2 (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| EP91302924A EP0452030B1 (en) | 1990-04-13 | 1991-04-03 | Liquid crystal display and shading member therefore |
| DE69111870T DE69111870D1 (de) | 1990-04-13 | 1991-04-03 | Flüssigkristallanzeige und Abschattungseinrichtung dafür. |
| CA002040305A CA2040305C (en) | 1990-04-13 | 1991-04-12 | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| US07/685,574 US5091792A (en) | 1990-04-13 | 1991-04-15 | Liquid crystal display having reduced ito shading material and method of manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9665090A JP2601932B2 (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH043121A true JPH043121A (ja) | 1992-01-08 |
| JP2601932B2 JP2601932B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=14170708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9665090A Expired - Lifetime JP2601932B2 (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5091792A (ja) |
| EP (1) | EP0452030B1 (ja) |
| JP (1) | JP2601932B2 (ja) |
| CA (1) | CA2040305C (ja) |
| DE (1) | DE69111870D1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5508134A (en) * | 1993-06-29 | 1996-04-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal element manufacturing method |
| WO2013031171A1 (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | シャープ株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
| JP2013242516A (ja) * | 2012-05-21 | 2013-12-05 | Samsung Display Co Ltd | 表示パネル |
Families Citing this family (13)
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| US5771082A (en) * | 1991-10-11 | 1998-06-23 | Thomson-Lcd | Active matrix display utilizing an embedded ground plane |
| JPH06347765A (ja) * | 1993-06-04 | 1994-12-22 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
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-
1990
- 1990-04-13 JP JP9665090A patent/JP2601932B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-04-03 EP EP91302924A patent/EP0452030B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-04-03 DE DE69111870T patent/DE69111870D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-04-12 CA CA002040305A patent/CA2040305C/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-04-15 US US07/685,574 patent/US5091792A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2601932B2 (ja) | 1997-04-23 |
| CA2040305A1 (en) | 1991-10-14 |
| EP0452030A3 (en) | 1992-06-03 |
| EP0452030B1 (en) | 1995-08-09 |
| EP0452030A2 (en) | 1991-10-16 |
| DE69111870D1 (de) | 1995-09-14 |
| US5091792A (en) | 1992-02-25 |
| CA2040305C (en) | 1994-05-03 |
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