JPH02266519A - マルチステップ平たん化化学蒸着方法 - Google Patents

マルチステップ平たん化化学蒸着方法

Info

Publication number
JPH02266519A
JPH02266519A JP2059784A JP5978490A JPH02266519A JP H02266519 A JPH02266519 A JP H02266519A JP 2059784 A JP2059784 A JP 2059784A JP 5978490 A JP5978490 A JP 5978490A JP H02266519 A JPH02266519 A JP H02266519A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
depositing
flattening
insulating layer
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2059784A
Other languages
English (en)
Inventor
Dan Maydan
メイダン ダン
David Nin-Kou Wang
デイヴィッド　ニン　コウ　ワン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JPH02266519A publication Critical patent/JPH02266519A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/6922—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
    • H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/66—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials
    • H10P14/662—Laminate layers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/6922—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H10P14/6923—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being boron or phosphorus doped silicon oxides, e.g. BPSG, BSG or PSG
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H10P95/06—Planarisation of inorganic insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H10P95/06—Planarisation of inorganic insulating materials
    • H10P95/062—Planarisation of inorganic insulating materials involving a dielectric removal step
    • H10P95/064—Planarisation of inorganic insulating materials involving a dielectric removal step the removal being chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/01—Manufacture or treatment
    • H10W20/071—Manufacture or treatment of dielectric parts thereof
    • H10W20/092—Manufacture or treatment of dielectric parts thereof by smoothing the dielectric parts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
    • H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H10P14/6336—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/69215—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/133—Reflow oxides and glasses
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/907—Continuous processing
    • Y10S438/908—Utilizing cluster apparatus

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Element Separation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、集積回路構造のための平たん化方法に関する
。より詳しくは、本発明は高いアスペクト比でコンフォ
ーマル絶縁層の高密度垂直被着（ｖｅｒｔｉｃａｌ　ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を達成するための初期ＥＣＲプラ
ズマ被着（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）　；　Ｅ　ＣＲプラ
ズマ被着層を平たん化するための低融点無機平たん化材
料；及び平たん化したＥＣＲプラズマ層に適用される所
望のＣＶＤ層を用いる平だん化方法に関する。
（従来技術） 集積回路構造の製造においては、基板上にトランジスタ
ーのような能動装置、抵抗のような受動装置及び装置を
相互に連結する金属線を形成するように層をパターン化
すると、むらのある表面が形成する結果となりうる。
慣用的に、そのようなむらのある表面の上に、さらにパ
ターン化した層を形成させるために、酸化シリコンのよ
うな絶縁材料の層を形成させる。
しかしながら、酸化シリコンは、下層の形状に対応し、
その結果、平滑でなく段差のある表面を形成する傾向が
ある。普通の平版法を用いて、このようなむらのある表
面にさらに層をパターン化することは極めて困難である
。
従って、フォトレジスト又は有機ベースのガラス材料、
例えば”ＳＯＧ　’　　（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ
）の平たん化層を形成し、これを下層の酸化シリコン絶
縁層とほぼ同じ速度でエツチングする技術が慣用技術に
なってきている。そして、該構造に、異方性エツチング
が行われ、平たん化層及び下層の酸化シリコン層の隆起
部分（ｒａｉｓｅｄ　ｐｏｒｔｉｏｎ）が除去される。
しかしながら、フォトレジストとＳＯＧの双方とも、い
わゆるローディング効果（ｌｏａｄｉｎｇ　ｅｆｆｅｃ
ｔ）を有する。これは、これらの材料のエツチング速度
が、絶縁層、例えば酸化シリコン層がどれだけ露呈して
いるかに依存することを意味する。従って、絶縁材料（
酸化シリコン）と防食用すなわち平たん化材料の両方の
エツチング速度を等しくすることは非常に困難であり、
従って、エツチング速度は構造物の形状に依存する。さ
らに、隆起部分の間のスペースが約１．５μｍより小さ
いとき、これらの二つの平たん化材料のいずれかを塗布
するスピン方法は有効でない。
上記の平たん化材料は、工程範囲が限られており、被着
しうる総量又は厚さについても制限がある。さらに、こ
れらの平たん化材料は、そのような平たん化材料の塗布
前に、有機結合剤及び溶媒中に分散されるので、酸化シ
リコンのような絶縁層が、例えばＣＶＤ法により被着さ
れる真空チャンバから、集積回路構造を、平たん化層を
被着するために取り出さなければならない。そのような
被着の後、平たん化被膜中の溶媒を蒸発させ、その後、
該平たん化被膜を焼き付けすることにより溶媒をさらに
除去し、エツチング工程の前に被膜を硬化しなければな
らない。エツチング工程は、慣用的には真空チャンバ中
で通常実施されるドライエツチング方法である。
これらの問題は、本発明の参考文献とされる、１９８８
年１１月１０日にマークス（１４ａｒｋｓ）等により出
願された米国特許出願第２６９．５０８号（発明の名称
：低融点無機材料を使用する集積回路構造の平たん化方
法）で取り上げられている。該出願には、酸化シリコン
層のようなコンフォーマル絶縁層に被着される低融点無
機ガラスの平たん化層を用いて、前記のような構造を平
たん化する方法が記載され、特許請求の範囲に記載され
ている。
しかしながら、ＣＶＤ蒸着技術を用いて、下層の金属線
又は他のパターン化された層の上に慣用的に塗布される
初期のコンフォーマル絶縁層、例えば酸化シリコンの層
は、下層の集積回路構造の狭い間隔で隔置された金属線
又は他の隆起部分の間の領域を、常に適当に充填するわ
けではない。
従って、集積回路構造の狭い間隔で隔置された隆起部分
の間に蒸着されたシリコン酸化層部分に、ボイドが形成
される結果となる可能性がある。
電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマ被着として
知られる被着の形式は、マッオ（！Ｊａｔｓｕｏ）等に
より出願された米国特許第４．４０１．０５４号、マッ
オ等による米国特許願第４．７７８．５６１号、及びギ
ャンバリ（Ｇｈａｎｂａｒ　ｉ）による米国特許第４．
７７８．５６１号（参考文献として本発明に挿入する）
、並びにマチダ（Ｍａｃｈｉｄａ）等による“サブミク
ロンインターコネクションのためのバイアシング及び電
子サイクロトロン共鳴プラズマ被着を伴う５１０２平た
ん化技術″という名称のＪ、Ｖａｃ、　Ｓｃｉ、　Ｔｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ　ＢＶｏｌ、　４．　Ｎｏ、　４．Ｊ
ＵＬ／Ａｕｇ　１９８６．　ｐｐ、８１ｇ−８２１ニ出
版されている。
これらの刊行物に記載されたＥＣＲプラズマ被着方法は
、磁場の軸が被着チャンバの方へ拡散的に広がる状態で
、プラズマ形成チャンバ中に電子サイクロトロン共鳴を
生成させる磁場を発生させるために、プラズマ形成チャ
ンバが１又はそれ以上の磁気コイルに取り囲まれている
ことを特徴とする、プラズマによる材料の被着方法を提
供する。
得られた被着、例えば酸素及びシランガスからの５１０
２の被着は、狭い間隔で隔離されている線の間の領域の
より良好な充填を提供し、高いアスペクト比を有する、
より密度の高いコンフォーマル絶縁石であり、従って、
そのような領域において被着された絶縁材料内のボイド
形成の問題が解決されるか、又は少なくとも緩和される
。
しかしながら、ＥＣＲプラズマ被着したコンフォーマル
絶縁層は上記で論じたボイド形成問題を解決するが、Ｅ
ＣＲプラズマ方法は慣用のＣＶＤ蒸着に比べてかなり遅
い。さらに、酸化シリコン層に関する平たん化の問題は
、上記のマークス等の特許出願で論じられているように
、ＥＣＲプラズマ被着技術を用いた酸化シリコンの層の
形成にふいても同様に問題となる。
従って、ボイド形成の問題点が解決され、平たん化工程
が迅速化され、且つ１層又はそれ以上の平たん化層を被
着するために使用される真空装置から集積回路構造を取
り出す必要がない平たん化方法を提供することが望まし
い。
従って、本発明の目的は、コンフォーマル絶縁層を最初
にＥＣＲプラズマ被着し、続いて低融点無機平たん化材
料を塗布することを含む集積回路構造の平たん化方法を
提供することにある。
本発明の別の目的は、集積回路基板上にコンフォーマル
絶縁層をＥＣＲプラズマ被着する工程、続いてその上に
低融点無機平たん化材料を被着する工程、そして無機平
たん化層をエツチングすることにより前記構造を平たん
化する工程を含む集積回路構造の平たん化方法を提供す
ることにある。
本発明の別の目的は、集積回路基板上にコンフォーマル
絶縁層をＥＣＲプラズマ被着する工程、続いてその上に
低融点ガラス平たん化材料の層を被着する工程、そして
低融点ガラス平たん化層をドライエツチングすることに
より前記構造を平たん化する工程を含む集積回路構造の
平たん化方法を提供することにある。
本発明のさらに別の目的は、集積回路基板上にコンフォ
ーマル絶縁層をＥＣＲプラズマ被着する工程、続いてそ
の上に低融点ガラス平たん化材料の層を被着する工程、
そして低融点ガラス平たん化層を、被着された構造を周
囲大気に曝すことなく、装置内のエツチングゾーンで異
方性ドライエツチングする工程を含む集積回路構造の平
たん化方法を提供することにある。
本発明のさらに別の目的は、集積回路基板上にコンフォ
ーマル絶縁層をＥＣＲプラズマ被着する工程、続いてそ
の上に低融点ガラス平たん化材料の層を被着する工程、
そして該低融点無機平たん化層の少なくとも一部を除去
するために低融点ガラス平たん化材料をエツチングする
工程、及びさらに該構造の上に絶縁材料の層を被着する
工程を含む集積回路構造の平たん化方法を提供すること
にある。
本発明のさらに別の目的は、集積回路基板上にコンフォ
ーマル絶縁層をＥＣＲプラズマ被着する工程、その上に
低融点ガラス平たん化材料の層を被着する工程、そして
低融点ガラス平たん化層をエツチングして該構造を平た
ん化する工程、及びさらに該構造上に絶縁材料の層をＣ
ＶＤ被着する工程を含む集積回路構造の平たん化方法を
提供することにある。
本発明のさらに別の目的は、集積回路基板上にコンフォ
ーマル絶縁層をＥＣＲプラズマ被着する手段、その上に
低融点ガラス平たん化材料の層を被着する手段、該低融
点ガラス平たん化層をエツチングして該構造を平たん化
する手段、及びさらに該構造の上に絶縁材料の層をＣＶ
Ｄ被着する手段を含む集積回路構造の平たん化のための
装置を提供することにある。
本発明のこれらの及び他の目的は、下記の説明及び添付
図面により明瞭になるであろう。
本発明により、パターン化された半導体ウェハーの集積
回路構造上に、まず、絶縁材料のＥＣＲプラズマ被着に
より被着されたコンフォーマル絶縁層が形成される改良
された平たん化方法が提供される。
ＥＣＲプラズマ被着は、近接した高い領域間の溝又は低
い領域が絶縁材料で完全に充填されるまで実施される。
その後、低融点ガラス材料、例えば酸化ホウ素の平たん
化層は、集積回路構造上に、ＥＣＲプラズマ彼着被着た
絶縁層の最も高い部分を被覆するのに充分な深さ又は厚
さに形成される。
この平たん化層を、その後、異方性ドライエッチバック
して、平たん化材料の一部又は全部を除去して、ＥＣＲ
プラズマ被着した絶縁層上に平たん化された表面を得る
。その後、所望により絶縁材料の別の層を、平たん化さ
れたＥＣＲプラズマ被着絶縁層上に、慣用方法によりＣ
ＶＤ蒸着してもよい。
この方法は、誘電性平たん化のようなフロントエンドの
処理、溝（ｔｒｅｎｃｈ　ｏｒ　５ｌｏｔｓ）の充填、
又は金属開平たん化（ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌ　ｐｌａｎ
ａｒｉｚａｔｉｏｎ）のような前述の上面の平たん化に
使用してもよい。
例えば、フロントエンドの処理において該方法を用いる
場合、平たん化される絶縁材料としてリンケイ酸ガラス
（ＰＳＧ）が使用されるであろう。該方法は、タングス
テンのような別の金属石のブランケット被着の前に集積
回路構造を平たん化するために使用してもよい。
隆起部分の語は、隆起部分の間の表面の高さに対して隆
起した集積回路構造の部分を意味し、従って、全表面に
対して隆起した構造だけでなく、隆起した側壁、例えば
溝の底に対して隆起した部分をも含みうる。
第２図を参照すると、集積回路構造は一般的に２で示さ
れ、半導体ウェハー又は基板１０、例えばシリコン基板
を含み、その上に、例えば金属線又は他の導電性若しく
は絶縁性の材料からなる隆起部分１４を有する。
コンフォーマル絶縁層２０は、例えば酸化シリコン、シ
リコンオキシティトライド層、又は下層の集積回路構造
がシリコンを含む場合はリンシリケートのようなシリケ
ートを含むことができ、基板１０及び隆起部分１４の上
に形成されることが示されている。絶縁層２０はドープ
又は未ドープの材料のいずれかを含むことができる。当
然ながら、他の絶縁材料も同様に使用でき、下層の構造
がシリコン以外のいくつかの他の材料、例えばゲルマニ
ウム、ヒ化ガリウムを含む場合は、前記のものよりも好
ましい場合さえある。
本発明によると、コンフォーマル絶縁層２０は、ＥＣＲ
プラズマ被着装置、例えば上記マッオ等の合衆国特許第
４．４０１．０５４号、マツオ等の合衆国特許第４．４
９２．６２０号及びギャンバリの合衆国特許第４、７７
８．５６１号に記載されているようなＥＣＲプラズマ被
着装置を用いて被着される。
第２図に示すように、ＥＣＲプラズマ被着は、隆起部分
１４の間の低い領域１６の絶縁材料の高さが２４に示す
ように隆起部分１４の高さよりもわずかに高くなるまで
行われる。ＥＣＲプラズマ被着は、例えばその上に酸化
シリコン層を形成するために、前記のマッオ等及びギャ
ンバリの特許に示した装置を用いて使用されうる。これ
らの特許及びマチダ等の記事に記載されているように、
ＥＣＲプラズマ被着を促進するために、所望により高周
波（ｒｆ）バイアスが基板１０上に適用される。
本発明のＥＣＲプラズマ被着工程を実施するために、例
えば５１０２絶縁層を形成するために、酸素を約１５標
準キユービツクセンナメートル／分（ｓｃｃｍ）〜約３
　Ｑ　Ｑｓｃｃｍの速度でプラズマ形成チャンバに入れ
、その間温度を約り５℃〜約４００℃に維持し、圧力を
約０．０５〜約２０　ミＩＪ　）ルの範囲に維持する。
プラズマ形成チャンバ中に電子サイクロトロン共鳴を提
供するために使用される磁石の磁束密度は、約５００〜
約２５００ガウスの範囲であるべきであり、プラズマの
形成に使用されるマイクロ波の周波数は、約１〜約４ｇ
Ｈｚの範囲であるべきである。約１００〜約１５００ワ
ットのプラズマパワーレベルを使用すべきである。例え
ば、磁束密度が８７５ガウスのとき、マイクロ波の周波
数は２．４５ｇＨｚであるべきである。
ＥＣＲプラズマ被着パラメーターは、好ましくは少なく
とも１及び好ましくは３の高さのアスペクト比（深さ対
中）を提供するように調整される。
絶縁層を所望の深さ又は厚さでＥＣＲプラズマ被着した
後、低融点ガラス平たん化層をコンフォーマル絶縁層に
被着しうる。この第２の被着は、同じ真空チャンバで実
施してもよく、又は好ましくは集積回路構造、例えばシ
リコンウェハー１０を第２の真空チャンバに移すことも
でき、これは好ましくは周囲大気に該構造を曝さずに、
下記に説明するように同じ真空装置中の第２の被着チャ
ンバを用いて行われる。
本発明によると、その後、低融点無機材料、例えば低融
点ガラスの平たん化層３０を絶縁層２０に塗布した後、
塗布された構造に、平たん化層３（１２）一部又は全部
及び下層の絶縁層２（１２）高い領域２６を除去するた
めに平たん化エツチング前程を行う。
低融点無機平たん化材料３０は、 ａ）溶媒を使用せずに絶縁層２（１２）表面に被着して
もよく、 ｂ）被着材料をエツチングするのに充分な硬さにするた
めに、続いて硬化又は焼き付けする必要がなく、そして Ｃ）異方性エツチングされることができ、好ましくは下
層の絶縁層とほぼ同じ速度で異方性ドライエツチングさ
れることができる 無機材料のいずれをも含みうる。
好ましい実施態様において、低融点無機平たん化材料３
０は、任意の慣用の化学蒸着装置を用いて、絶縁層２０
上に被着されうる材料を含む。
“低融点”の１旧よ、約５７５℃以下の融点を有し、約
５００℃以下、例えば約１００〜約５００℃で流れる材
料を意味する。好ましい実施態様においては、該方法が
、集積回路構造に既に存在するアルミニウムのような低
融点材料上に、例えばアルミニウム線上に、又は上面の
処理に使用される場合、融点は約４８０℃を超えるべき
でなく、流れ温度は約３９０℃以下である。約３９０℃
以下で流れる材料を使用すると、下層の集積回路に害を
及ぼす危険なしに、下層の表面上に該材料が流れる結果
となる。
実施態様において、低融点無機平たん化材料は、低融点
ガラスを含む。そのような低融点ガラスの例には、Ｂ２
０１、Ｂ２Ｓ３、　Ｂ２０．／ＳｉＯ□混合物、＾５２
０１、Ａｓ２Ｓ３　、Ｐ２Ｏ５及びそれらの組み合わせ
が含まれる。
低融点ガラスのような低融点平たん化材料の使用により
、平たん化材料３０を、例えば酸化シリコンのような絶
縁材料２（１２）蒸着に使用したのと同じＣＶＤ方法及
び装置を用いて蒸着しうる。従って、低融点ガラス、例
えば８□０．を、約１００〜約４８０℃で、平たん化材
料が集積回路構造１０上の絶縁Ｈ２（１２）段差のある
表面に流れる温度で蒸着すると、第３図に示すように、
層３０上にほぼ平たんな表面が得られる。
当然ながら、該材料が、続いて平たん化材料が表面に流
れるのに充分な温度に加熱される場合には、より低い被
着温度を用いる。しかしながら、通常そのような付加的
な加熱工程は、可能であれば避ける。低融点平たん化材
料が少なくとも被着温度と同程度に低い流れ温度を有し
、平たん化材料が被着時に流れる場合には、より低い被
着温度を使用することもできる。
両方の被着が、同じ被着チャンバ内で、又は後述するよ
うに、集積回路構造が、周囲大気に、特に・湿気及び周
囲大気中の他の汚染物質に曝されることなく、一つのチ
ャンバから他のチャンバへ移るのを可能とするような方
法で連結されうる同一装置内の別の被着チャンバで実施
されうろことは注目されるべきである。
層２０及び層３００両方の被着のために、同じ被着チャ
ンバ又は少な゛くとも同じ一般的な真空装置を使用し、
且つ平たん化材料として、除去されるべき溶媒を使用せ
ず、エツチング前に焼き付は又は硬化を要求しない低融
点無機材料を選択することにより、２つの被着工程を同
じ装置内で、集積回路構造を真空装置から途中で取り出
すことなく、続けて実施することが可能になる。これに
より、従来技術の平たん化方法に比べて工程総数を減少
できるだけでなく、さらに、半導体ウェハーが真空装置
から取り出されて周囲大気に曝されると必ず生じうる汚
染の危険から集積回路構造を保護することができる。
低融点無機平たん化材料は、絶縁層２００表面上に、約
１００〜約７００℃、好ましくは約１００〜約５００℃
の範囲の温度で、約１００ミＩＪ　）ル〜約大気圧、好
ましくは約２〜３０トルの圧力下で、厚さがその厚さの
領域で、最も薄い部分の約２００人から、２μｍまでと
なるように、即ちその下の絶縁層の低い領域が被覆され
るように被着される。Ｂ２Ｏ３の典型的なプラズマＣＶ
Ｄ蒸着においては、温度が約り９０℃〜約４４０℃の範
囲で、圧力が約９〜１０トルで、高周波プラズマパワー
が約４００〜５００ワットである。
低融点無機平たん化材料の被着後、塗布された構造に、
絶縁層２（１２）高い部分２６及び平たん化層３（１２
）少なくとも一部が、第４図の連続線２８により示され
る最上表面に見られるように除去されるまで異方性ドラ
イエツチングを行う。これにより、絶縁層２（１２）平
たん化部分２０′は、層２（１２）最も低い部分２４よ
りわずかに高くなり、所望によって、平たん化層３（１
２）部分３２が層２（１２）最も低い部分２４の上に残
されることになる。
これに関連して、表面の線２８は実質的に平らに見える
が、平たん化表面はなお、その下層の集積回路構造の隆
起部分、例えば上記パターン化部分１４の近傍でいくら
か隆起した部分を有することに注意すべきである。しか
しながら、平たん化されていない絶縁層の段階において
４５°以上であった勾配は、本発明の平たん化方法の後
には約１０〜１５°又はそれ以下に減少されうる。
さらに、最終的な勾配は平たん化材料に被着するのに使
用されるフィルムの厚さ及び／又は被着温度を変化させ
ることにより調整されうる。被着温度を上げると、平た
ん化材料はより良好に流れるため、勾配が減少する。平
たん化材料の厚さを増加すると、フィルムはその下層の
集積回路構造にさらに均一に流れるであろう。
エツチング工程は、平たん化層３０及びその下層の絶縁
層２（１２）双方をほぼ同じ速度でエツチングすること
ができるエツチングシステムのいずれを含んでいてもよ
い。エツチング剤としては、慣用の異方性ドライエツチ
ング剤のような任意のドライエツチング剤が含まれる。
好ましくは、ドライエツチング方法は、Ｃ）ＩＰ３、Ｃ
Ｆ、又はアルゴンを用いたプラズマエツチングを含みう
る。本発明の技術に有用な他のドライエツチングシステ
ムの例には、スパッタリングエツチングシステム又はＲ
ＩＢ　システムが含まれる。
本発明の特に好ましい実施態様においては、集積回路構
造を、真空下に維持しながら、絶縁層及び平たん化層を
同じ真空装置中で被着させた後、同じチャンバ内、又は
同じ装置の別のチャンバ内でエツチングしうる。従って
、第１図のフローシートに示すように、同一又は同一の
装置内の別の被着チアンバからなる被着ゾーン内で、集
積回路構造に絶縁層２０及び平たん化層３０を被覆して
もよく、そしてその後、被覆された構造を同一のチャン
バ内でドライエツチングするか、又は、被覆された構造
をインターロック若しくは中間チャンバへ若しくはそれ
らを通して移動させ、真空装置内から取り出すことなく
エツチングゾーンへ移動させることもできる。
次に、第５図を参照すると、所望により平たん化された
集積回路構造に、同一チャンバ内で、又は同一の装置の
別のチャンバ内で、慣用のＣＶＤ蒸着を行い、さらにそ
の上に絶縁材料、例えばコンフォーマル絶縁層２（１２
）形成に使用した前記の絶縁材料のいずれかのような、
絶縁層４０を形成することもできる。
層４０はＥＣＲプラズマ被着を用いて形成することもで
きるが、この場合は、慣用のＣＶＤ蒸着が、ＥＣＲプラ
ズマ被着より速い速度で、高いアスペクト比で材料を蒸
着するため、並びに本発明の方法の工程では、充分な平
たん化が行われた後にはボイド形成は重要な問題ではな
いため、ＥＣＲプラズマ被着の特徴である密度の高い被
着は要求されないことから、慣用のＣＶＤ蒸着が好まし
い。
従来の被着及びエツチング工程に関して前記で論述した
ように、このＣＶＤ被着は、周囲大気、特に周囲大気中
の湿気及び他の汚染物質に曝されるのを避けるため、同
じ被着チャンバ内で、又は少なくとも同じ装置内で有利
に実施することができる。
平たん化された構造上に絶縁層４０を形成するのは所望
の工程であるが、平たん化工程の間に、全ての平たん化
層３０が除去されず、第４図に示すように、集積回路構
造中の低い部分における部分３２を残している場合には
、平たん化層３０を形成するために使用されうる低融点
ガラスは吸湿性であるので、続いての絶縁層４（１２）
使用は、平たん化層３（１２）残りの部分を封入するた
めに必須であることにも注目すべきである。
続いて、第６図を参照すると、本発明の技術に有用な真
空装置は、通常１００で示され、複数の被着チャンバ及
びエツチングチャンバ１０２〜１０８を含み、そのうち
の少なくとも一つはＥＣＲプラズマ被着を行いうるちの
である装置である。
そのようなＥＣＲチャンバの構造の詳細は、マソオ等の
米国特許束４．４０１．０５４号、マツォ等の米国特許
束４．４９２．６２０号、及びギャンバリの米国特許束
４．７７８．５６１号、並びにマチダ等の“サブミクロ
ンインターコネクション（Ｓｕｂｍｉｃｒｏｎ　Ｉｎｔ
ｅｒｃｏｎｎｅ−ｃｔｉｏｎ）のためのバイアス及び電
子サイクロトロン共鳴プラズマ蒸着を用いた５ｉ０２平
たん化技術″。
Ｊ、Ｖａｃ、　Ｓｃｉ、　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｂ、
　ｖｏｌ、４．　Ｎｏ、４．Ｊｕｌ／＾ｕｇ１９８６、
ｐｐ　８１８−８２１に記載されており、これらの４つ
の参考文献は、本発明の参考文献となる。
真空装置１０（１２）各チャンバ１０２〜１０８は、通
常真空下で行われるウェハー又は基板１０に、化学蒸、
Ｗ（ｃＶＤ）、プラズマエツチング並びに他の被着及び
エツチング方法を行うために使用することができる。チ
ャンバ１０２〜１０８は各々インターロック又はスリッ
トバルブ１１０を介して中央チャンバ１１６に連結され
る。中央チャンバ１１６は、１２４の矢印で示される両
方向性直線運動及び矢印１２６で示される回転運動のた
めに載置されたウェハー移送ブレード１２２を含むロボ
ット機構１２０を含む。特に、直線運動は四バーリンク
機構１３０により付与され、回転運動は四バーリンク機
構１３０を載置する回転プラットフォーム１３４及びウ
ェハー支持ブレード１２２により付与される。垂直イン
デキサプル内部ウェハー支持エレベータ１５０は、ウェ
ハーを真空装置内に保ち、システム中の真空状態を破る
ことなく種々の加工チャンバ１０２〜１０８に移送させ
るために使用される。さらに、スリットバルブ、即ちイ
ンターロックのための開口１１０は、外部の貯蔵手段１
６０から真空装置１００にウェハーを外部装填するため
のエレベータ１５（１２）近傍に設けられる。
そのようなチャンバ、インターロック、及ヒロボット機
構の構造の詳細は、本願の出願人に譲渡されたトシ７　
（Ｔｏｓｈ　ｉｍａ）による米国特許４．７８５．９６
２号に見出され、これは本発明の参考文献である。
従って、ウェハー又は基板１０は、汚染物質の防止並び
に加工能率の向上のために、真空装置から取り出される
ことなく、ＥＣＲ被着、ＣＶＤ蒸着、及び異方性ドライ
エツチングにより加工されうる。
従って、本発明は、パターン化された基板にＥＣＲプラ
ズマ被着方法を用いて第一のコンフォーマル絶縁層を被
着することにより、被着のアスペクト比が高い密度の高
い被膜が形成され、これにより被着された絶縁層にボイ
ドを形成することなく隣接した隆起部分の間の基板上の
低い領域部分が完全に充填される、改良された平たん化
方法を提供する。低融点ガラス平たん化層をコンフォー
マル絶縁層に形成し、これを後にドライエツチングする
ことにより、真空装置から半導体ウェハーを除去する必
要なしに構造を平たん化することが可能になる。所望に
より、別の絶縁層を慣用のＣＶＤ蒸着を用いて平たん化
層上に形成してもよく、これにより上記の続いての絶縁
層のだめのより速い被着速度が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明を説明するフローシートであり、第２図
はパターン化された層を有し、その上にＥＣＲプラズマ
被着により形成されたコンフォーマル絶縁層を有する集
積回路構造の部分的垂直横断面図であり、第３図は第２
図の集積回路構造のコンフォーマル絶縁層上に低融点ガ
ラス材料の平たん化層が被着された集積回路構造の部分
的垂直横断面図であり、第４図は第３図の集積回路構造
を平たん化した後の集積回路構造の部分的垂直横断面図
であり、第５図は平たん化された第４図の集積回路構造
上にさらにＣＶＤ蒸着された絶縁材料の層を有する集積
回路構造の部分的垂直横断面図であり、第６図は本発明
の方法を行うために使用されうる装置の模式図である。 １０・・・・基板　　　　１４・・・・隆起部分２０・
・・・絶縁層　　　３０・・・・平たん化層１００・・
・・真空装置 ＦＩＧ。

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）（ａ）ＥＣＲプラズマ被着を用いて基板にコンフ
    ォーマル絶縁層を被着する工程、 （ｂ）該コンフォーマル絶縁層上に、低融点無機平たん
    化層を被着する工程；及び （ｃ）該平たん化層をエッチングして集積回路構造を平
    たん化する工程 を含む、表面上に該表面の近傍の部分より高い部分を有
    する集積回路構造の真空装置中での平たん化方法。
  2. （２）前記平たん化工程の後に前記構造上に絶縁層を被
    着する別の工程を含む請求項（１）記載の方法。
  3. （３）前記別の被着工程がＣＶＤ蒸着工程を含む請求項
    （２）記載の方法。
  4. （４）前記絶縁層を被着する前記ＥＣＲプラズマ工程が
    、前記集積回路構造上に、酸化シリコン、シリコンオキ
    シナイトライド、シリコン窒化物、及びリンシリケート
    からなる群から選ばれる絶縁材料の層を被着する工程を
    含む請求項（１）記載の方法。
  5. （５）前記絶縁層を被着する前記ＥＣＲプラズマ工程が
    、前記集積回路構造上に酸化シリコンの層を被着するこ
    とを含む請求項（４）記載の方法。
  6. （６）前記ＥＣＲプラズマ被着が、前記被着温度を約２
    ５℃から約４００℃に維持し、圧力を約０．０５〜約２
    ０ミリトルに維持して行われる請求項（１）記載の方法
    。
  7. （７）前記ＥＣＲプラズマ被着が、ＥＣＲプラズマの電
    子サイクロトロン共鳴を提供するために用いられる磁束
    密度を約５００〜約２５００ガウスの範囲に維持して行
    われる請求項（１）記載の方法。
  8. （８）前記ＥＣＲプラズマ被着が、プラズマを形成させ
    るために約１〜約４ｇＨｚの範囲の周波数のマイクロ波
    を用い、約１００〜１５００ワットのプラズマパワーレ
    ベルを用いて行われる請求項（１）記載の方法。
  9. （９）前記無機平たん化層を被着する工程が、前記絶縁
    層とほぼ同じ速度でエッチングされうる無機平たん化層
    を被着することを含む請求項（１）記載の方法。
  10. （１０）前記低融点無機平たん化層を被着する工程が、
    ５００℃以下の流れ温度を有する材料の無機平たん化層
    を被着する工程を含む請求項（９）記載の方法。
  11. （１１）前記低融点無機平たん化層を被着する工程が、
    Ｂ＿２Ｏ＿３、Ｂ＿２Ｓ＿５、Ｂ＿２Ｏ＿３／ＳｉＯ＿
    ２混合物、Ａｓ＿２Ｏ＿３、Ａｓ＿２Ｓ＿３、Ｐ＿２Ｏ
    ＿５及びそれらの組み合わせからなる群から選ばれる１
    種類もしくはそれ以上の低融点ガラスからなる無機平た
    ん化層を被着する工程を含む請求項（１０）記載の方法
    。
  12. （１２）前記低融点ガラスの平たん化層を被着する工程
    が、前記絶縁材料の層上にＢ＿２Ｏ＿３ガラスの層を被
    着する工程を含む請求項（１１）記載の方法。
  13. （１３）前記無機平たん化層をエッチングして前記構造
    を平たん化する工程が、前記無機平たん化層を異方性ド
    ライエッチングして、前記構造を前記真空装置から取り
    出すことなく前記構造を平たん化する工程を含む請求項
    （１）記載の方法。
  14. （１４）（ａ）ｉ）磁束密度を、前記ＥＣＲプラズマの
    電子サイクロトロン共鳴を提供するために、約 ５００〜約２５００ガウスの範囲に維持す る工程、及び ｉｉ）前記プラズマを形成させるために約１〜約４ｇＨ
    ｚの範囲の周波数のマイクロ波を用いること、及び約１
    ００〜約１５００ワッ トのプラズマパワーレベルを用いることを 含む、 ＥＣＲプラズマ被着を用いて基板にコンフォーマル絶縁
    層を被着する工程、 （ｂ）該コンフォーマル絶縁層上に、前記絶縁層とほぼ
    同じ割合でエッチングされることができ、且つ５００℃
    以下の流れ温度を有する低融点無機ガラス材料の平たん
    化層を被着する工程； （ｃ）該低融点平たん化層を該集積回路構造をエッチン
    グして平たん化する工程；及び （ｄ）前記平たん化工程の後に前記構造上に別の絶縁層
    をＣＶＤ蒸着する工程 を含む、表面上に該表面の近傍の部分より高い部分を有
    する集積回路構造の真空装置中での平たん化方法。
  15. （１５）前記絶縁層のＥＣＲプラズマ被着工程が、さら
    に、集積回路構造上に絶縁材料の層の上に、酸化シリコ
    ン、シリコンオキシナイトライド、シリコン窒化物、及
    びリンシリケートからなる群より選ばれる絶縁材料の層
    を被着することを含む請求項（１４）記載の方法。
  16. （１６）前記低融点無機平たん化を被着する工程が、さ
    らにＢ＿２Ｏ＿３、Ｂ＿２Ｓ＿５、Ｂ＿２Ｏ＿３／Ｓｉ
    Ｏ＿２混合物、Ａｓ＿２Ｏ＿３、Ａｓ＿２Ｓ＿３、Ｐ＿
    ２Ｏ＿５及びそれらの組み合わせからなる群から選ばれ
    る１種類又はそれ以上の低融点ガラスからなる無機平た
    ん化層被着することを含む請求項（１４）記載の方法。
  17. （１７）前記被着工程及び前記エッチング工程が、前記
    集積回路構造を、前記低融点ガラスを平たん化層が湿気
    に暴露されるのを防ぐために、真空下に維持して行われ
    る請求項（１４）記載の方法。
  18. （１８）共通の真空装置の同一又は別の部分の１又はそ
    れ以上の被着ゾーン及びエッチングゾーン内で、集積回
    路構造を該装置内で真空下に維持しながら加工しうる装
    置内の、前記ゾーンを位置決めする工程を含む請求項（
    １４）記載の方法。
  19. （１９）（ａ）ｉ）磁束密度を、前記ＥＣＲプラズマの
    電子サイクロトロン共鳴を提供するために、約 ５００〜約２５００ガウスの範囲に維持す ること、及び ｉｉ）前記プラズマを形成させるために約１〜約４ｇＨ
    ｚの範囲の周波数のマイクロ波を用いること、及び約１
    ００〜約１５００ワッ トのプラズマパワーレベルを用いることを 含む、 ＥＣＲプラズマ被着を用いて、酸化シリコン、シリコン
    窒化物、及びリンシリケートからなる群より選ばれるコ
    ンフォーマル絶縁層を、基板に被着する工程、 （ｂ）該コンフォーマル絶縁層上に、下層の絶縁層とほ
    ぼ同じ速度でドライエッチングされることができ、５０
    ０℃以下の流れ温度を有し、そしてＢ＿２Ｏ＿３、Ｂ＿
    ２Ｓ＿６、Ｂ＿２Ｏ＿３／ＳｉＯ＿２混合物、Ａｓ＿２
    Ｏ＿３Ａｓ＿２Ｓ＿３、Ｐ＿２Ｏ＿５及びそれらの組み
    合わせからなる群から選ばれる１種類もしくはそれ以上
    を必須成分とする低融点無機ガラス材料の平たん化層を
    被着する工程； （ｃ）該平たん化層を該集積回路構造を平たん化するた
    めに異方性ドライエッチングする工程；及び （ｄ）前記平たん化工程の後、該構造上にさらに絶縁層
    を被着する工程 を含む、表面上に該表面の近傍の部分より高い部分を有
    する集積回路構造の真空装置中での平たん仕方法。
  20. （２０）（ａ）前記ウェハー上の前記集積回路構造上に
    コンフォーマル絶縁層を被着するためのＥＣＲプラズマ
    被着チャンバを含むＥＣＲプラズマ被着手段、 （ｂ）該コンフォーマル絶縁層上に、低融点無機平たん
    化層を被着するための、前記装置中の同一又は異なるチ
    ャンバを含む被着手段； （ｃ）前記集積回路構造を平たん化するために前記平た
    ん化層に異方性ドライエッチングを行うための、前記装
    置中の同一又は異なるチャンバを含むエッチング手段；
    及び （ｄ）前記集積回路構造の汚染を減少させるために、前
    記真空装置から前記ウェハーを取り出すことなく、前記
    真空装置内を前記チャンバの一つのチャンバから他のチ
    ャンバへ移動させるための手段 を含む、表面上に該表面の近傍の部分より高い部分を有
    する半導体ウェハーの集積回路構造の被着及び平たん化
    のための真空装置。
  21. （２１）前記真空装置内を前記チャンバの一つのチャン
    バから他のチャンバへ移動させるための前記手段が、前
    記真空装置内の一つのチャンバを他のチャンバと相互に
    連結するためのインターロック手段を含む請求項（２０
    ）記載の方法。
  22. （２２）前記真空装置内を前記チャンバの一つのチャン
    バから他のチャンバへ移動させるための前記手段が、さ
    らに半導体ウェハーを前記真空装置内の１つのチャンバ
    から他のチャンバへ移動させうるロボット手段を前記装
    置内に含む請求項（２０）記載の方法。
JP2059784A 1989-03-10 1990-03-09 マルチステップ平たん化化学蒸着方法 Pending JPH02266519A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/321,943 US4962063A (en) 1988-11-10 1989-03-10 Multistep planarized chemical vapor deposition process with the use of low melting inorganic material for flowing while depositing
US321943 2002-12-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02266519A true JPH02266519A (ja) 1990-10-31

Family

ID=23252731

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2059784A Pending JPH02266519A (ja) 1989-03-10 1990-03-09 マルチステップ平たん化化学蒸着方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4962063A (ja)
EP (1) EP0386337B1 (ja)
JP (1) JPH02266519A (ja)
AT (1) ATE135140T1 (ja)
DE (1) DE68925892T2 (ja)
ES (1) ES2087071T3 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7271082B2 (en) 1993-10-26 2007-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device

Families Citing this family (367)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5643838A (en) * 1988-03-31 1997-07-01 Lucent Technologies Inc. Low temperature deposition of silicon oxides for device fabrication
US5112776A (en) * 1988-11-10 1992-05-12 Applied Materials, Inc. Method for planarizing an integrated circuit structure using low melting inorganic material and flowing while depositing
US5244841A (en) * 1988-11-10 1993-09-14 Applied Materials, Inc. Method for planarizing an integrated circuit structure using low melting inorganic material and flowing while depositing
US5204288A (en) * 1988-11-10 1993-04-20 Applied Materials, Inc. Method for planarizing an integrated circuit structure using low melting inorganic material
JP2859288B2 (ja) * 1989-03-20 1999-02-17 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置及びその製造方法
JPH0774146A (ja) * 1990-02-09 1995-03-17 Applied Materials Inc 低融点無機材料を使用する集積回路構造の改良された平坦化方法
CA2017719C (en) * 1990-05-29 1999-01-19 Zarlink Semiconductor Inc. Moisture-free sog process
JP3123061B2 (ja) * 1990-06-13 2001-01-09 ソニー株式会社 バイアスｅｃｒ―ｃｖｄ法による埋め込み平坦化方法
JP3092185B2 (ja) * 1990-07-30 2000-09-25 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
CA2026605C (en) * 1990-10-01 2001-07-17 Luc Ouellet Multi-level interconnection cmos devices including sog
JP2640174B2 (ja) * 1990-10-30 1997-08-13 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
DE4135810C2 (de) * 1990-10-30 2000-04-13 Mitsubishi Electric Corp Halbleitereinrichtung mit einem Zwischenschichtisolierfilm und Verfahren zu deren Herstellung
US5162261A (en) * 1990-12-05 1992-11-10 Texas Instruments Incorporated Method of forming a via having sloped sidewalls
US5268333A (en) * 1990-12-19 1993-12-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of reflowing a semiconductor device
US5290399A (en) * 1991-02-05 1994-03-01 Advanced Micro Devices, Inc. Surface planarizing methods for integrated circuit devices
US6650409B1 (en) * 1991-04-02 2003-11-18 Hitachi, Ltd. Semiconductor device producing method, system for carrying out the same and semiconductor work processing apparatus included in the same system
US5285102A (en) * 1991-07-25 1994-02-08 Texas Instruments Incorporated Method of forming a planarized insulation layer
US5245213A (en) * 1991-10-10 1993-09-14 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Planarized semiconductor product
US5387557A (en) * 1991-10-23 1995-02-07 F. T. L. Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor devices using heat-treatment vertical reactor with temperature zones
US5284804A (en) * 1991-12-31 1994-02-08 Texas Instruments Incorporated Global planarization process
US5376590A (en) * 1992-01-20 1994-12-27 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Semiconductor device and method of fabricating the same
US5234860A (en) * 1992-03-19 1993-08-10 Eastman Kodak Company Thinning of imaging device processed wafers
DE69311184T2 (de) * 1992-03-27 1997-09-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Halbleitervorrichtung samt Herstellungsverfahren
EP0597603A3 (en) * 1992-11-13 1998-03-11 Digital Equipment Corporation Trench isolation planarization using a hard mask
US5356513A (en) * 1993-04-22 1994-10-18 International Business Machines Corporation Polishstop planarization method and structure
US5431799A (en) * 1993-10-29 1995-07-11 Applied Materials, Inc. Collimation hardware with RF bias rings to enhance sputter and/or substrate cavity ion generation efficiency
IL107549A (en) 1993-11-09 1996-01-31 Nova Measuring Instr Ltd Device for measuring the thickness of thin films
USRE38153E1 (en) * 1993-11-09 2003-06-24 Nova Measuring Instruments, Ltd. Two-dimensional beam deflector
US5764365A (en) 1993-11-09 1998-06-09 Nova Measuring Instruments, Ltd. Two-dimensional beam deflector
US5494854A (en) * 1994-08-17 1996-02-27 Texas Instruments Incorporated Enhancement in throughput and planarity during CMP using a dielectric stack containing HDP-SiO2 films
JPH09511622A (ja) * 1994-11-07 1997-11-18 マクロニクス インターナショナル カンパニー リミテッド 集積回路表面保護方法および構造
DE69531089T2 (de) * 1994-11-07 2004-05-13 Texas Instruments Inc., Dallas Verbesserungen an oder in Bezug auf halbleitende Anordnungen
US5710460A (en) * 1995-04-21 1998-01-20 International Business Machines Corporation Structure for reducing microelectronic short circuits using spin-on glass as part of the interlayer dielectric
US5552346A (en) * 1995-04-27 1996-09-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Planarization and etch back process for semiconductor layers
US7294578B1 (en) * 1995-06-02 2007-11-13 Micron Technology, Inc. Use of a plasma source to form a layer during the formation of a semiconductor device
US5847464A (en) * 1995-09-27 1998-12-08 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method for forming controlled voids in interlevel dielectric
US5728631A (en) * 1995-09-29 1998-03-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming a low capacitance dielectric layer
JPH09115903A (ja) * 1995-10-18 1997-05-02 Nec Corp 半導体装置の製造方法
KR0182006B1 (ko) * 1995-11-10 1999-04-15 김광호 반도체 패키지 장치 및 몰딩물질에 의해 발생하는 기생용량의 산출방법
US7067442B1 (en) * 1995-12-26 2006-06-27 Micron Technology, Inc. Method to avoid threshold voltage shift in thicker dielectric films
US5679606A (en) * 1995-12-27 1997-10-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. method of forming inter-metal-dielectric structure
US5681425A (en) * 1995-12-29 1997-10-28 Industrial Technology Research Institute Teos plasma protection technology
US6232216B1 (en) * 1996-04-16 2001-05-15 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Thin film forming method
US5940175A (en) * 1996-11-01 1999-08-17 Msp Corporation Method and apparatus for surface inspection in a chamber
US5773361A (en) * 1996-11-06 1998-06-30 International Business Machines Corporation Process of making a microcavity structure and applications thereof
US6013584A (en) * 1997-02-19 2000-01-11 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for forming HDP-CVD PSG film used for advanced pre-metal dielectric layer applications
EP0907201A1 (en) * 1997-10-03 1999-04-07 STMicroelectronics S.r.l. Planarization method for integrated semiconductor electronic devices
EP0907202A1 (en) * 1997-10-03 1999-04-07 STMicroelectronics S.r.l. Planarization method for integrated semiconductor electronic devices
US6073576A (en) 1997-11-25 2000-06-13 Cvc Products, Inc. Substrate edge seal and clamp for low-pressure processing equipment
US6268297B1 (en) * 1997-11-26 2001-07-31 Texas Instruments Incorporated Self-planarizing low-temperature doped-silicate-glass process capable of gap-filling narrow spaces
KR100268453B1 (ko) * 1998-03-30 2000-11-01 윤종용 반도체 장치 및 그것의 제조 방법
US6734564B1 (en) * 1999-01-04 2004-05-11 International Business Machines Corporation Specially shaped contact via and integrated circuit therewith
US6268274B1 (en) 1999-10-14 2001-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Low temperature process for forming inter-metal gap-filling insulating layers in silicon wafer integrated circuitry
USD478167S1 (en) 1999-11-25 2003-08-05 Johnson & Johnson Industria E Comercio Ltda Sanitary napkin
TW479315B (en) 2000-10-31 2002-03-11 Applied Materials Inc Continuous depostiton process
TW478099B (en) 2000-11-03 2002-03-01 Applied Materials Inc Shallow trench isolation manufacture method
US9076843B2 (en) 2001-05-22 2015-07-07 Novellus Systems, Inc. Method for producing ultra-thin tungsten layers with improved step coverage
US7456116B2 (en) * 2002-09-19 2008-11-25 Applied Materials, Inc. Gap-fill depositions in the formation of silicon containing dielectric materials
US7431967B2 (en) 2002-09-19 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Limited thermal budget formation of PMD layers
US7335609B2 (en) * 2004-08-27 2008-02-26 Applied Materials, Inc. Gap-fill depositions introducing hydroxyl-containing precursors in the formation of silicon containing dielectric materials
US7141483B2 (en) 2002-09-19 2006-11-28 Applied Materials, Inc. Nitrous oxide anneal of TEOS/ozone CVD for improved gapfill
US7642171B2 (en) 2004-08-04 2010-01-05 Applied Materials, Inc. Multi-step anneal of thin films for film densification and improved gap-fill
US20080290798A1 (en) * 2007-05-22 2008-11-27 Mark Alejandro Quesada LLT barrier layer for top emission display device, method and apparatus
US20100267230A1 (en) 2009-04-16 2010-10-21 Anand Chandrashekar Method for forming tungsten contacts and interconnects with small critical dimensions
US9159571B2 (en) 2009-04-16 2015-10-13 Lam Research Corporation Tungsten deposition process using germanium-containing reducing agent
US10256142B2 (en) 2009-08-04 2019-04-09 Novellus Systems, Inc. Tungsten feature fill with nucleation inhibition
US12444651B2 (en) 2009-08-04 2025-10-14 Novellus Systems, Inc. Tungsten feature fill with nucleation inhibition
US9653353B2 (en) 2009-08-04 2017-05-16 Novellus Systems, Inc. Tungsten feature fill
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
TWI522490B (zh) * 2012-05-10 2016-02-21 應用材料股份有限公司 利用微波電漿化學氣相沈積在基板上沈積膜的方法
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9153486B2 (en) * 2013-04-12 2015-10-06 Lam Research Corporation CVD based metal/semiconductor OHMIC contact for high volume manufacturing applications
US9589808B2 (en) 2013-12-19 2017-03-07 Lam Research Corporation Method for depositing extremely low resistivity tungsten
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9478411B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method to tune TiOx stoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiOx/Ti based MIS contact scheme for CMOS
US9997405B2 (en) 2014-09-30 2018-06-12 Lam Research Corporation Feature fill with nucleation inhibition
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9953984B2 (en) 2015-02-11 2018-04-24 Lam Research Corporation Tungsten for wordline applications
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US9613818B2 (en) 2015-05-27 2017-04-04 Lam Research Corporation Deposition of low fluorine tungsten by sequential CVD process
US9978605B2 (en) 2015-05-27 2018-05-22 Lam Research Corporation Method of forming low resistivity fluorine free tungsten film without nucleation
US9754824B2 (en) 2015-05-27 2017-09-05 Lam Research Corporation Tungsten films having low fluorine content
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US9909214B2 (en) * 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10879108B2 (en) * 2016-11-15 2020-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Topographic planarization method for lithography process
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
JP7609636B2 (ja) 2017-08-14 2025-01-07 ラム リサーチ コーポレーション ３次元垂直ｎａｎｄワード線用の金属充填プロセス
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2021523292A (ja) 2018-05-03 2021-09-02 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ ３ｄ ｎａｎｄ構造内にタングステンおよび他の金属を堆積させる方法
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI871083B (zh) 2018-06-27 2025-01-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
US11972952B2 (en) 2018-12-14 2024-04-30 Lam Research Corporation Atomic layer deposition on 3D NAND structures
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102762833B1 (ko) 2019-03-08 2025-02-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
JP2022522226A (ja) 2019-04-11 2022-04-14 ラム リサーチ コーポレーション 高ステップカバレッジのタングステン堆積
KR102897355B1 (ko) 2019-04-19 2025-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102929471B1 (ko) 2019-05-07 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR102929472B1 (ko) 2019-05-10 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20210158419A (ko) 2019-05-22 2021-12-30 램 리써치 코포레이션 핵생성-프리 텅스텐 증착
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
TWI826704B (zh) 2019-07-17 2023-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 自由基輔助引燃電漿系統和方法
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
US12077858B2 (en) 2019-08-12 2024-09-03 Lam Research Corporation Tungsten deposition
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR102928101B1 (ko) 2019-08-23 2026-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR102948143B1 (ko) 2019-10-08 2026-04-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11996292B2 (en) 2019-10-25 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR102943768B1 (ko) 2019-12-19 2026-03-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR102943116B1 (ko) 2020-03-04 2026-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR102901748B1 (ko) 2020-04-21 2025-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
TW202539998A (zh) 2020-04-24 2025-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 包含釩化合物之組成物與容器及用於穩定釩化合物之方法及系統
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR102934380B1 (ko) 2020-04-24 2026-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 보라이드 및 바나듐 포스파이드 층을 포함한 구조체를 형성하는 방법
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR102936676B1 (ko) 2020-05-15 2026-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 전구체를 사용하여 실리콘 게르마늄 균일도를 제어하기 위한 방법
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
TWI873343B (zh) 2020-05-22 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI908816B (zh) 2020-06-24 2025-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TWI911263B (zh) 2020-08-25 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TWI911265B (zh) 2020-08-27 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、及裝置結構
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
TW202229612A (zh) 2020-10-06 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 在部件的側壁上形成氮化矽的方法及系統
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
KR102855834B1 (ko) 2020-10-14 2025-09-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
KR20220077875A (ko) 2020-12-02 2022-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
US12159788B2 (en) 2020-12-14 2024-12-03 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures for threshold voltage control
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
KR20220090435A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전구체 캡슐, 용기 및 방법
KR20220090438A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이금속 증착 방법
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5834945A (ja) * 1981-08-26 1983-03-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 多層配線構造体
JPS58190043A (ja) * 1982-04-30 1983-11-05 Seiko Epson Corp 多層配線法
JPS62169442A (ja) * 1986-01-22 1987-07-25 Nec Corp 素子分離領域の形成方法
JPS63156340A (ja) * 1986-12-19 1988-06-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5171068A (en) * 1974-12-16 1976-06-19 Matsushita Electronics Corp Handotaisochi
JPS594855B2 (ja) * 1975-08-13 1984-02-01 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JPS5676548A (en) * 1979-11-28 1981-06-24 Fujitsu Ltd Semiconductor device
CA1159012A (en) * 1980-05-02 1983-12-20 Seitaro Matsuo Plasma deposition apparatus
DE3164742D1 (en) * 1980-09-22 1984-08-16 Tokyo Shibaura Electric Co Method of smoothing an insulating layer formed on a semiconductor body
JPS58210634A (ja) * 1982-05-31 1983-12-07 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
EP0103461B1 (en) * 1982-09-10 1988-11-17 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Plasma deposition method and apparatus
DE3381302D1 (de) * 1982-12-16 1990-04-12 Fujitsu Ltd Herstellung eines halbleiterbauelementes mittels molekularstrahlepitaxie.
US4599135A (en) * 1983-09-30 1986-07-08 Hitachi, Ltd. Thin film deposition
JPS61115329A (ja) * 1984-11-05 1986-06-02 ゼロツクス　コーポレーシヨン 低温流動性ガラスにより被覆した半導体デバイス
US4693777A (en) * 1984-11-30 1987-09-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for producing semiconductor devices
JPH0697660B2 (ja) * 1985-03-23 1994-11-30 日本電信電話株式会社 薄膜形成方法
KR910003169B1 (ko) * 1985-11-12 1991-05-20 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐뀨소 반도체 장치 제조 방법 및 장치
US4775550A (en) * 1986-06-03 1988-10-04 Intel Corporation Surface planarization method for VLSI technology
US5000113A (en) * 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
US4785962A (en) * 1987-04-20 1988-11-22 Applied Materials, Inc. Vacuum chamber slit valve
US4778561A (en) * 1987-10-30 1988-10-18 Veeco Instruments, Inc. Electron cyclotron resonance plasma source

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5834945A (ja) * 1981-08-26 1983-03-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 多層配線構造体
JPS58190043A (ja) * 1982-04-30 1983-11-05 Seiko Epson Corp 多層配線法
JPS62169442A (ja) * 1986-01-22 1987-07-25 Nec Corp 素子分離領域の形成方法
JPS63156340A (ja) * 1986-12-19 1988-06-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7271082B2 (en) 1993-10-26 2007-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US7452794B2 (en) 1993-10-26 2008-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a thin film semiconductor device
US7691692B2 (en) 1993-10-26 2010-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Substrate processing apparatus and a manufacturing method of a thin film semiconductor device
US8304350B2 (en) 1993-10-26 2012-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
EP0386337A3 (en) 1991-01-16
DE68925892T2 (de) 1996-08-01
EP0386337B1 (en) 1996-03-06
DE68925892D1 (de) 1996-04-11
EP0386337A2 (en) 1990-09-12
ES2087071T3 (es) 1996-07-16
US4962063A (en) 1990-10-09
ATE135140T1 (de) 1996-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02266519A (ja) マルチステップ平たん化化学蒸着方法
US5204288A (en) Method for planarizing an integrated circuit structure using low melting inorganic material
US6992024B2 (en) Gapfill process using a combination of spin-on-glass deposition and chemical vapor deposition techniques
US5244841A (en) Method for planarizing an integrated circuit structure using low melting inorganic material and flowing while depositing
EP0478174B1 (en) Silicon dioxide deposition method
US5849640A (en) In-situ SOG etchback and deposition for IMD process
US6737350B1 (en) Method of manufacturing semiconductor device
KR0145644B1 (ko) 불균일 표면상에 형성된 절연막의 평탄화 방법
US6872633B2 (en) Deposition and sputter etch approach to extend the gap fill capability of HDP CVD process to ≦0.10 microns
US5393709A (en) Method of making stress released VLSI structure by the formation of porous intermetal layer
US5681425A (en) Teos plasma protection technology
US5112776A (en) Method for planarizing an integrated circuit structure using low melting inorganic material and flowing while depositing
JP2803304B2 (ja) 絶縁膜を備えた半導体装置の製造方法
EP0441653B1 (en) Improvements in process for planarizing an integrated circuit structure using low melting inorganic material
US6232216B1 (en) Thin film forming method
US6277751B1 (en) Method of planarization
US6878644B2 (en) Multistep cure technique for spin-on-glass films
EP0368504A2 (en) Method for planarizing an integrated circuit structure
US6214735B1 (en) Method for planarizing a semiconductor substrate
EP0423907B1 (en) Method for planarizing an integrated circuit structure
JPH02161724A (ja) 低温成膜装置
US5920791A (en) Method of manufacturing intermetal dielectrics for sub-half-micron semiconductor devices
JPH11111683A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3022740B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US6689697B1 (en) Method of forming uniformly planarized structure in a semiconductor wafer