JPH02267935A - 半導体基板の前処理方法 - Google Patents
半導体基板の前処理方法Info
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- JPH02267935A JPH02267935A JP8906589A JP8906589A JPH02267935A JP H02267935 A JPH02267935 A JP H02267935A JP 8906589 A JP8906589 A JP 8906589A JP 8906589 A JP8906589 A JP 8906589A JP H02267935 A JPH02267935 A JP H02267935A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置製造工程における半導体基板の前処理方法に
関し。
関し。
表面に凹凸のない、理想的な半導体基板を得ることを目
的とし。
的とし。
半導体基板の表面を酸化して犠牲酸化膜を形成する工程
と、この犠牲酸化膜を剥離することにより、研磨時に付
着した半導体基板の表面の汚染物を取り除く工程と、半
導体基板を真空中で高温熱処理することにより、半導体
基板の表面の凹凸をなくシ、平坦化する工程とからなる
ように構成する。
と、この犠牲酸化膜を剥離することにより、研磨時に付
着した半導体基板の表面の汚染物を取り除く工程と、半
導体基板を真空中で高温熱処理することにより、半導体
基板の表面の凹凸をなくシ、平坦化する工程とからなる
ように構成する。
本発明は、半導体基板の前処理方法、特に、半導体装置
製造工程における半導体基板の前処理方法に関する。
製造工程における半導体基板の前処理方法に関する。
近年、半導体装置が 集積化、 速度化するのに伴い、
半導体装置の製造工程において、使用する半導体基板の
表面の凹凸を極力なくす必要が生じている。
半導体装置の製造工程において、使用する半導体基板の
表面の凹凸を極力なくす必要が生じている。
シリコン基板を用いた半導体装置の製造を例として説明
すると、従来の半導体基板の前処理は。
すると、従来の半導体基板の前処理は。
シリコンミｌ上に犠牲酸化膜を形成し、これをエツチン
グにより剥離することにより、シリコン基板表面に付着
した汚染物を取り除いていた。
グにより剥離することにより、シリコン基板表面に付着
した汚染物を取り除いていた。
従来の方法では、犠牲酸化膜とシリコン基板表面との界
面には、ｒＩＩ化前のシリコン基板の凹凸を反映して、
１０人前後のデコボコが残ってしまうため、シリコン基
板上に犠牲酸化膜を形成し、これをエツチングにより剥
離するだけでは、シリコン基板表面の凹凸をなくすこと
はできない、という問題があった。
面には、ｒＩＩ化前のシリコン基板の凹凸を反映して、
１０人前後のデコボコが残ってしまうため、シリコン基
板上に犠牲酸化膜を形成し、これをエツチングにより剥
離するだけでは、シリコン基板表面の凹凸をなくすこと
はできない、という問題があった。
このため、このシリコン基板上にＭＯＳ Ｆ ＥＴのゲ
ート絶縁膜を形成した場合、ゲート絶縁膜も凹凸を持っ
たものとなり９局所的にみると膜厚が異なってしまう、
という問題もあった。
ート絶縁膜を形成した場合、ゲート絶縁膜も凹凸を持っ
たものとなり９局所的にみると膜厚が異なってしまう、
という問題もあった。
本発明は、上記の問題点を解消して２表面に凹凸のない
、理想的な半導体基板を得ることのできる。半導体基板
の前処理方法を提供することを目的とする。
、理想的な半導体基板を得ることのできる。半導体基板
の前処理方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために１本発明に係る半導体基板
の前処理方法は、半導体基板の表面を酸化して犠牲酸化
膜を形成する工程と、この犠牲酸化膜を剥離することに
より、研磨時に付着した半導体基板の表面の汚染物を取
り除く工程と、半導体基板を真空中で高温熱処理するこ
とにより、半導体基板の表面の凹凸をな（シ、平坦化す
る工程とからなるように構成する。
の前処理方法は、半導体基板の表面を酸化して犠牲酸化
膜を形成する工程と、この犠牲酸化膜を剥離することに
より、研磨時に付着した半導体基板の表面の汚染物を取
り除く工程と、半導体基板を真空中で高温熱処理するこ
とにより、半導体基板の表面の凹凸をな（シ、平坦化す
る工程とからなるように構成する。
本発明に係る半導体基板の前処理方法は、まず半導体基
板の表面を酸化して犠牲酸化膜を形成し。
板の表面を酸化して犠牲酸化膜を形成し。
この犠牲酸化膜を剥離することにより、研磨時に付着し
た半導体基板の表面の汚染物を取り除（。
た半導体基板の表面の汚染物を取り除（。
次に、この半導体基板を真空中で高温熱処理する。そう
すると、半導体基板を構成する原子が表面拡散し、半導
体基板の表面の凹凸がなくなり。
すると、半導体基板を構成する原子が表面拡散し、半導
体基板の表面の凹凸がなくなり。
半導体基板の表面が平坦化される。
半導体基板の表面の平坦化をより完全に行うためには、
半導体基板を真空中で高温熱処理する際に、半導体基板
を構成する原子の拡散を阻害しないようにするために、
超高真空中で行う必要がある。
半導体基板を真空中で高温熱処理する際に、半導体基板
を構成する原子の拡散を阻害しないようにするために、
超高真空中で行う必要がある。
半導体基板を超高真空中で高温熱処理すると。
半導体基板の表面が平坦化される理由は２次のように考
えられる。
えられる。
■半導体基板を超高真空中で高温熱処理することにより
、半導体基板を構成する原子が表面拡散しやすくなり、
この原子が半導体基板の表面をマイグレーションする。
、半導体基板を構成する原子が表面拡散しやすくなり、
この原子が半導体基板の表面をマイグレーションする。
■マイグレーションした原子が、半導体基板の表面の凸
部を埋め、この結果、半導体基板の表面の凹凸がなくな
り、平坦化される。
部を埋め、この結果、半導体基板の表面の凹凸がなくな
り、平坦化される。
半導体基板を超高真空中で高温熱処理する際に。
半導体基板表面の半導体基板を構成する原子の拡散を阻
害しないように、半導体基板上に汚染物が存在しないよ
うにすると、半導体基板の表面の平坦化をより完全（さ
ることができる。
害しないように、半導体基板上に汚染物が存在しないよ
うにすると、半導体基板の表面の平坦化をより完全（さ
ることができる。
第１図〜第４図は９本発明の一実施例の各工程を説明す
る図である。
る図である。
第１図〜第４図において、１はシリコン基板。
２は犠牲酸化膜、３はデイツプ槽、４はエツチング液、
５はチャンバ、６はヒータ、７は表面原子。
５はチャンバ、６はヒータ、７は表面原子。
８は保護酸化膜である。
以下、第１図〜第４図を用いて１本発明の一実施例を説
明する。
明する。
（工程１．第１図参照）
シリコン基板ｌの表面を熱酸化することにより犠牲酸化
膜２を形成する。
膜２を形成する。
（工程２．第２図参照）
表面に犠牲酸化膜２が形成されたシリコン基板１をエツ
チング液４１例えば、ＨＦ溶液を満たしたデイツプ槽３
中に浸漬させ、工程１ （第１図）においてシリコン基
板１の表面に形成された犠牲酸化膜２を剥離する。
チング液４１例えば、ＨＦ溶液を満たしたデイツプ槽３
中に浸漬させ、工程１ （第１図）においてシリコン基
板１の表面に形成された犠牲酸化膜２を剥離する。
このとき９ シリコン基板１の研磨時の汚染物が取り除
かれる。
かれる。
（工程３．第３図参照）
シリコン基板１をチャンバ５内にセットし、チャンバ５
内をｌＸｌ０−ｓ以下の超真空に引く、と共に、ヒータ
６により、シリコン基板１を１ＯＯＯ℃以上、好ましく
は、１ｏｏｏ〜１２００℃に加熱する。
内をｌＸｌ０−ｓ以下の超真空に引く、と共に、ヒータ
６により、シリコン基板１を１ＯＯＯ℃以上、好ましく
は、１ｏｏｏ〜１２００℃に加熱する。
このようにすると、シリコン基板１の表面原子７が表面
拡散しやすくなり、半導体基板ｌの表面をマイグレーシ
ョンする。そして、マイグレーションした表面原子７が
、シリコン基板１の表面の凸部を埋め、この結果、シリ
コン基板１の表面の凹凸がなくなり、平坦化される。
拡散しやすくなり、半導体基板ｌの表面をマイグレーシ
ョンする。そして、マイグレーションした表面原子７が
、シリコン基板１の表面の凸部を埋め、この結果、シリ
コン基板１の表面の凹凸がなくなり、平坦化される。
なお、この時にシリコン原子を蒸着やガス状態で供給す
ることにより、より低い温度で平坦化させることもでき
る。
ることにより、より低い温度で平坦化させることもでき
る。
（工程４．第４図参照）
例えば、オゾンを導入することにより、チャンバ５内を
酸化雰囲気にして、シリコン基板１の表面に、厚さ１５
〜２０人の自然酸化膜を形成し。
酸化雰囲気にして、シリコン基板１の表面に、厚さ１５
〜２０人の自然酸化膜を形成し。
これを保護酸化膜８とする。
保護酸化膜８は、シリコン基板１の平坦性を維持する。
と共に、汚染を防止する役割を果たす。
本発明に係る半導体基板の前処理方法によれば表面に、
１アトミフク・ハイド程度しか凹凸のない、理想的な半
導体基板を得ることが可能となる。
１アトミフク・ハイド程度しか凹凸のない、理想的な半
導体基板を得ることが可能となる。
第１図〜第４図は本発明の一実施例の各工程を示す図
である。
第１図〜第４図において
１：シリコン基板
２：犠牲酸化膜
３：デイツプ槽
エツチング液
チャンバ
ヒータ
表面原子
保護酸化膜
ニオ監１
？ｉ１国
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板（１）の表面を酸化して犠牲酸化膜（２）を
形成する工程と、 この犠牲酸化膜（２）を剥離することにより、研磨時に
付着した半導体基板（１）の表面の汚染物を取り除く工
程と、 半導体基板（１）を真空中で高温熱処理することにより
、半導体基板（１）の表面の凹凸をなくし、平坦化する
工程 とからなることを特徴とする半導体基板の前処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8906589A JP2837423B2 (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 半導体基板の前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8906589A JP2837423B2 (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 半導体基板の前処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02267935A true JPH02267935A (ja) | 1990-11-01 |
| JP2837423B2 JP2837423B2 (ja) | 1998-12-16 |
Family
ID=13960454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8906589A Expired - Fee Related JP2837423B2 (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 半導体基板の前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2837423B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004502298A (ja) * | 2000-06-28 | 2004-01-22 | アドバンスド．テクノロジー．マテリアルス．インコーポレイテッド | オプトエレクトロニクスデバイスおよびエレクトロニクスデバイス用窒化アルミニウム、インジウム、ガリウム（（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ）自立基板のエピタキシー品質（表面凹凸および欠陥密度）の改良を実現する方法 |
| US7063992B2 (en) | 2003-08-08 | 2006-06-20 | Solid State Measurements, Inc. | Semiconductor substrate surface preparation using high temperature convection heating |
| US7154173B2 (en) * | 2003-06-06 | 2006-12-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
-
1989
- 1989-04-07 JP JP8906589A patent/JP2837423B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004502298A (ja) * | 2000-06-28 | 2004-01-22 | アドバンスド．テクノロジー．マテリアルス．インコーポレイテッド | オプトエレクトロニクスデバイスおよびエレクトロニクスデバイス用窒化アルミニウム、インジウム、ガリウム（（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ）自立基板のエピタキシー品質（表面凹凸および欠陥密度）の改良を実現する方法 |
| US7154173B2 (en) * | 2003-06-06 | 2006-12-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| US7063992B2 (en) | 2003-08-08 | 2006-06-20 | Solid State Measurements, Inc. | Semiconductor substrate surface preparation using high temperature convection heating |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2837423B2 (ja) | 1998-12-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |