JPH01226166A - 半導体装置基板の製造方法 - Google Patents

半導体装置基板の製造方法

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JPH01226166A
JPH01226166A JP63052996A JP5299688A JPH01226166A JP H01226166 A JPH01226166 A JP H01226166A JP 63052996 A JP63052996 A JP 63052996A JP 5299688 A JP5299688 A JP 5299688A JP H01226166 A JPH01226166 A JP H01226166A
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JP
Japan
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substrate
semiconductor substrate
dielectric isolation
semiconductor
isolation region
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JP63052996A
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English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明ＳＯ工（ＳＳｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｏｎ工
ｎａｕ１ａｔｏｒ又は　５ｉ１ｉｃｏｎ　ｏｎ　ｘｎｓ
ｕｘａｔｏｒ　）基板の製造方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、ＳＯ工基板の製造には、例えば８１基板表面を石
英基板にシラノール反応により貼り付け、前記８１基板
裏面を研摩して薄いｓ１膜を絶縁体表面に残存させる等
の方法が用いられていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、上記従来技術によると、ｓｏｘ基板の３１１１
等の厚さがバラツキ、ひいては薄い膜が形成できないと
云う問題点があった。
本発明は、かかる従来技術の問題点をなくし、半導体膜
厚が均一で簿いｓｏｘ基板を製造する方法を提供する事
を目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記問題点を解決するために本発明は、半導体装置基板
の製造方法に関し、半導体基板表面からは誘電体分離領
域が埋め込まれて形成されて成り、該誘電体分離領域形
成半導体基板表面に石英板又は他の半導体基板表面とを
貼り合わせた後、前記誘電体分離領域形成半導体基板の
裏面から研摩処理を施して誘電体分離領域を露出せしめ
ると共に、誘電体分離領域間に半導体膜を形成する手段
をとる。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示す誘電体分ｇｌ　ＳＯ工
基板の製造工程順の図である。すなわち、（α）Ｓｉ基
板１等から成る半導体基板の表面に通常のＬ　ＯＯＯＳ
　（Ｌｏｃａｌ　０ｘｉｄａｔｉｏｎ　５ｔｒａｃｔｕ
ｒｅ）法やトレンチ・アイソレージ１ン法等により、Ｓ
１０．アイソレージ曹ン２から成る素子（７）　Ｊｊ　
Ｎ体分離領域が埋め込まれて形成されて成り、そのまま
、表面の平担化処理を研摩やエツチング等を行なうかあ
るいは本図の如（、ＯＶＤ法により厚イＯＶ　Ｄ　Ｓ　
ｉ　ＯＨ５やあるいは０ＶＤｐｏｌｙＳ１膜を形成後、
（ｂ）＠械的あるいは化学的に前記０ＶＤＳｉＯ，３を
研摩し、その表面を平担化後、＜ｃ＞石英基板か８１基
板を酸化したものか、あるいは本図の如く、８１基板４
をシラノール反応により圧接して貼り合わせた後、（ｄ
）前記３１基板１の裏面から機械研摩や機械化学研摩に
よｌ：）、ＳｉＯ，アイソレージ１ン２が露出する迄研
摩し、前記Ｓ１０．アイソレージｌン２の領域にはさま
れた領域に８１膜５等の半導体膜を残存させ、予じめ誘
電体分離されたＳＯ工基板を製造することができ、尚Ｓ
ｉｎ、アイソレージ冒ン２は、裏面からの研摩、とりわ
け機械化学研摩のストッパーとしての作用があり、３１
１４５の厚さの研摩処理によるバラツキをなくする作用
がある。
更に、Ｓ　ｉ　Ｏ，アイ７Ｌ／−シ、ン２はＬ０００３
法によらずトレンチ法によりアイソレージ１２部が３１
０！とｐｏ１７８１が多層に形成されていても良い事は
云うまでもなく、前記Ｓ１膜５内にトランジスタ等が形
成され、集積回路等を形成することとなる。
〔発明の効果〕
本発明によりＳＯ工基板の半導体膜厚のバラツキが小さ
く、且つ極めて薄い半導体膜が形成できる効果があると
共に、予しめ素子分離領域が誘電体分離されたＳＯ工基
板が提供できる効果もある
【図面の簡単な説明】
第１図（α）〜（ｄ）は本発明の一実施例を示す誘電体
分ｐｍＳＯ工基板の製造工程順の図である１、４・・・
・・・ｓ１基板 ２　　・・・・・・Ｓｉｎ、アイソレージｌン３　　　
・−・−ＯＶ　Ｄ　Ｓ　ｉ　０　。 ５　　・・・・・・Ｓ１膜 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士最上務（他１名） ＳＥｊ繰 第１図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半導体基板表面からは誘電体分離領域が埋め込まれて
    形成されて成り、該誘電体分離領域形成半導体基板表面
    に石英板又は他の半導体基板表面とを貼り合わせた後、
    前記誘電体分離領域形成半導体基板の裏面から研摩処理
    を施して誘電体分離領域を露出せしめると共に、誘電体
    分離領域間に半導体膜を形成して成る事を特徴とする半
    導体装置基板の製造方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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