JPH02268007A - 高周波回路装置 - Google Patents
高周波回路装置Info
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- JPH02268007A JPH02268007A JP9001889A JP9001889A JPH02268007A JP H02268007 A JPH02268007 A JP H02268007A JP 9001889 A JP9001889 A JP 9001889A JP 9001889 A JP9001889 A JP 9001889A JP H02268007 A JPH02268007 A JP H02268007A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置と導波管で構成し、マイクロ波帯等
の高周波帯で使用する高周波回路装置に関する。
の高周波帯で使用する高周波回路装置に関する。
従来、この種の高周波回路装置は、第3図に示すように
、半導体素子又は半導体素子を含む回路部品を搭載し、
かつ高周波入出力端子11及び電源端子12を有する半
導体装置1をこの半導体装置の形状に合わせて個別に用
意した導波管4に配置し、導波管4に設けた同軸導波管
変換器41に半導体装置1の高周波入出力端子11を結
合させている。また、半導体装置1の電源端子12には
導波管4とは個別に電源回路基板7を接続し、電力の供
給を行っている。
、半導体素子又は半導体素子を含む回路部品を搭載し、
かつ高周波入出力端子11及び電源端子12を有する半
導体装置1をこの半導体装置の形状に合わせて個別に用
意した導波管4に配置し、導波管4に設けた同軸導波管
変換器41に半導体装置1の高周波入出力端子11を結
合させている。また、半導体装置1の電源端子12には
導波管4とは個別に電源回路基板7を接続し、電力の供
給を行っている。
上述した従来の高周波回路装置では、半導体装置1に一
方では導波管4を接続し、かつ他方では電力供給用の電
源回路基板7を接続する必要があり、しかも電源端子1
2への接続に際しては、リード線を用いた配線や、半導
体装置の形状に合わせたソケットを接続する等の作業が
必要とされる。
方では導波管4を接続し、かつ他方では電力供給用の電
源回路基板7を接続する必要があり、しかも電源端子1
2への接続に際しては、リード線を用いた配線や、半導
体装置の形状に合わせたソケットを接続する等の作業が
必要とされる。
このため、従来の高周波回路装置では、回路装置を構成
するための作業が煩雑となり、かつ回路装置全体が大型
化し、小型化を図ることが難しいという問題がある。
するための作業が煩雑となり、かつ回路装置全体が大型
化し、小型化を図ることが難しいという問題がある。
また、半導体装置や高周波回路装置全体をシールドする
ような場合には、別にシールド筐体を設ける必要があり
、そのための構成も複雑かつ面倒になり、しかも小型化
することが難しい。
ような場合には、別にシールド筐体を設ける必要があり
、そのための構成も複雑かつ面倒になり、しかも小型化
することが難しい。
本発明は容易に構成でき、かつ小型に構成できる高周波
回路装置を提供することを目的とする。
回路装置を提供することを目的とする。
本発明の高周波回路装置は、同軸導波管変換器と導波管
フランジを一体に設けた導波管と、この導波管フランジ
に軸方向に挟まれた箇所において前記導波管の一面に支
持された第1の半導体装置と、この第1の半導体装置と
平行に相対配置されて前記導波管の反対面に支持された
第2の半導体装置とを備えている。そして、第1の半導
体装置の高周波入出力端子を同軸導波管変換器に結合し
、かつ第1の半導体装置の電源端子を第2の半導体装置
に接続している。
フランジを一体に設けた導波管と、この導波管フランジ
に軸方向に挟まれた箇所において前記導波管の一面に支
持された第1の半導体装置と、この第1の半導体装置と
平行に相対配置されて前記導波管の反対面に支持された
第2の半導体装置とを備えている。そして、第1の半導
体装置の高周波入出力端子を同軸導波管変換器に結合し
、かつ第1の半導体装置の電源端子を第2の半導体装置
に接続している。
この構成では、使用する半導体装置の導波管に第1の半
導体装置と第2の半導体装置を夫々支持させることで、
容易に高周波回路装置が構成できる。また、導波管フラ
ンジを装置の外壁に利用でき、シールド等を容易に行な
い、かつ装置の小型化を可能にする。
導体装置と第2の半導体装置を夫々支持させることで、
容易に高周波回路装置が構成できる。また、導波管フラ
ンジを装置の外壁に利用でき、シールド等を容易に行な
い、かつ装置の小型化を可能にする。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1実施例を示しており、同図(a)
は平面図、同図(b)は正面方向の縦断面図、同図(c
)は底面図、同図(d)は側面方向の縦断面図、同図(
e)は側面図である。これらの図に示すように、この実
施例の高周波回路装置は、第1の半導体装置1と、第2
の半導体装置2と、同軸導波管変換器4I及び導波管フ
ランジ42を一体に形成した導波管4とで構成している
。
は平面図、同図(b)は正面方向の縦断面図、同図(c
)は底面図、同図(d)は側面方向の縦断面図、同図(
e)は側面図である。これらの図に示すように、この実
施例の高周波回路装置は、第1の半導体装置1と、第2
の半導体装置2と、同軸導波管変換器4I及び導波管フ
ランジ42を一体に形成した導波管4とで構成している
。
即ち、導波管4は軸方向の両端部に夫々同軸導波管変換
器41を形成し、かつその両端には軸方向と直交する面
を有する導波管フランジ42を形成している。そして、
これら導波管フランジ42によって軸方向に挟まれる導
波管4の面上には、同軸導波管変換器41を挟んで上部
に第1の半導体装置lを、下部に第2の半導体装置2を
夫々平行に相対配置し、ボルト6等により導波管4に固
定シている。この場合、導波管フランジ42は、高周波
回路装置全体の外壁として機能している。
器41を形成し、かつその両端には軸方向と直交する面
を有する導波管フランジ42を形成している。そして、
これら導波管フランジ42によって軸方向に挟まれる導
波管4の面上には、同軸導波管変換器41を挟んで上部
に第1の半導体装置lを、下部に第2の半導体装置2を
夫々平行に相対配置し、ボルト6等により導波管4に固
定シている。この場合、導波管フランジ42は、高周波
回路装置全体の外壁として機能している。
第1の半導体装置1は高周波入出力端子11を導波管4
内に突き出して同軸導波管変換器41の一部を構成し、
電源端子12は同軸導波管変換器41の外を通過して第
2の半導体装置2に接続している。
内に突き出して同軸導波管変換器41の一部を構成し、
電源端子12は同軸導波管変換器41の外を通過して第
2の半導体装置2に接続している。
また、第2の半導体装置2は導波管4の側壁−部を貫通
する貫通型コンデンサ5を介して半導体装置の外部に接
続している。
する貫通型コンデンサ5を介して半導体装置の外部に接
続している。
この半導体装置を20GH,帯増幅器として使用する場
合、第1の半導体装置1にマイクロ波集積回路、第2の
半導体装置2に電源回路基板を用いる。また、導波管4
の同軸導波管変換器41はアルミニウム又は真鍮型のW
R42導波管を用い、導波管フランジ42は22III
I1口導波管フランジを用いる。そして、導波管4にお
ける管内波長を7gとして、導波管短絡面から第1の半
導体装置1の高周波入出力端子11までの距離をλg/
8〜λg/4とし、この高周波入出力端子11が導波管
4内に突き出す長さをλg/10〜λg15とすればよ
い。
合、第1の半導体装置1にマイクロ波集積回路、第2の
半導体装置2に電源回路基板を用いる。また、導波管4
の同軸導波管変換器41はアルミニウム又は真鍮型のW
R42導波管を用い、導波管フランジ42は22III
I1口導波管フランジを用いる。そして、導波管4にお
ける管内波長を7gとして、導波管短絡面から第1の半
導体装置1の高周波入出力端子11までの距離をλg/
8〜λg/4とし、この高周波入出力端子11が導波管
4内に突き出す長さをλg/10〜λg15とすればよ
い。
したがって、導波管4に第1及び第2の半導体装置1.
2を支持させるのみで、高周波結合と電源接続が実行で
き、極めて容易にマイクロ波増幅器を構成することがで
きる。また、導波管フランジ42は該マイクロ波増幅器
の外壁として機能するため、シールド等を設ける場合に
利用することができ、構成の簡略化及び小型化に有効と
なる。
2を支持させるのみで、高周波結合と電源接続が実行で
き、極めて容易にマイクロ波増幅器を構成することがで
きる。また、導波管フランジ42は該マイクロ波増幅器
の外壁として機能するため、シールド等を設ける場合に
利用することができ、構成の簡略化及び小型化に有効と
なる。
これにより、電源回路を付加した小型、軽量でかつ効果
的に動作する高周波回路装置を得ることができる。
的に動作する高周波回路装置を得ることができる。
なお、貫通型コンデンサ5の容量としては、第1の半導
体装置1及び第2の半導体装置2内で高周波的に短絡で
きない周波数に対し、有効な容量が適当である。
体装置1及び第2の半導体装置2内で高周波的に短絡で
きない周波数に対し、有効な容量が適当である。
ここでは、第2の半導体装置2を導波管4のE面に平行
に配しているが、H面に平行に配した場合でも同様の効
果を得ることができる。
に配しているが、H面に平行に配した場合でも同様の効
果を得ることができる。
第2図は本発明の第2実施例を示しており、同図(a)
、(b)、(C)、(d)は夫々平面図。
、(b)、(C)、(d)は夫々平面図。
縦断面図、底面図、及び側面図である。なお、第1実施
例と同−又は均等な部分には同一符号を付しである。
例と同−又は均等な部分には同一符号を付しである。
この実施例では、導波管4の軸長さを長(形成して、両
端部に夫々同軸導波管変換器41を形成するとともに、
中央部に第2の同軸導波管変換器43を形成している。
端部に夫々同軸導波管変換器41を形成するとともに、
中央部に第2の同軸導波管変換器43を形成している。
そして、導波管4に第1の半導体装置1を配置するとと
もに、軸方向に並んで第3の半導体装置3を配置し、こ
の第3の半導体装置3を前記第2の同軸導波管変換器4
3により第1の半導体装置1と高周波的に縦続接続して
いる。また、この第3の半導体装置3は、第1の半導体
装置1とともに、導波管4の下部に配置した第2の半導
体装置2に直流的に接続している。
もに、軸方向に並んで第3の半導体装置3を配置し、こ
の第3の半導体装置3を前記第2の同軸導波管変換器4
3により第1の半導体装置1と高周波的に縦続接続して
いる。また、この第3の半導体装置3は、第1の半導体
装置1とともに、導波管4の下部に配置した第2の半導
体装置2に直流的に接続している。
この実施例では、第1及び第3の半導体装置1゜3を1
つの導波管4に配置して夫々を第2の半導体装置2に接
続しているため、各半導体装置における共通部分を一体
化し、更に少ない部品で小型の高周波回路装置を構成す
ることができる。
つの導波管4に配置して夫々を第2の半導体装置2に接
続しているため、各半導体装置における共通部分を一体
化し、更に少ない部品で小型の高周波回路装置を構成す
ることができる。
以上説明したように本発明は、同軸導波管変換器を設け
た導波管の導波管フランジで挟まれた箇所に、第1の半
導体装置と第2の半導体装置とを平行に相対配置し、第
1の半導体装置の高周波入出力端子及び電源端子を夫々
同輔導波管変換器第2の半導体装置に接続しているので
、導波管に第1の半導体装置と第2の半導体装置を夫々
支持させることで、容易に高周波回路装置が構成できる
。また、導波管フランジを装置の外壁に利用することが
でき、半導体装置や高周波回路装置シールド等を容易に
行ない、しかも高周波回路装置の小型化が実現できる効
果がある。
た導波管の導波管フランジで挟まれた箇所に、第1の半
導体装置と第2の半導体装置とを平行に相対配置し、第
1の半導体装置の高周波入出力端子及び電源端子を夫々
同輔導波管変換器第2の半導体装置に接続しているので
、導波管に第1の半導体装置と第2の半導体装置を夫々
支持させることで、容易に高周波回路装置が構成できる
。また、導波管フランジを装置の外壁に利用することが
でき、半導体装置や高周波回路装置シールド等を容易に
行ない、しかも高周波回路装置の小型化が実現できる効
果がある。
第1図は本発明の第1実施例を示しており、同図(a)
は平面図、同図(b)は正面方向の縦断面図、同図(C
)は底面図、同図(d)は側面方向の縦断面図、同図(
e)は側面図、第2図は本発明の第2実施例を示してお
り、同図(a)は平面図、同図(b)は正面方向の縦断
面図、同図(c)は底面図、同図(d)は側面図、第3
図は従来の高周波回路装置の一例の縦断面図である。 1・・・第1の半導体装置、2・・・第2の半導体装置
、3・・・第3の半導体装置、4・・・導波管、5・・
・貫通型コンデンサ、6・・・ボルト、7・・・電源回
路基板、11・・・高周波入出力端子、12・・・電源
端子、41・・・同軸導波管変換器、42・・・導波管
フランジ、43・・・第2の同軸導波管変換器。 第1図
は平面図、同図(b)は正面方向の縦断面図、同図(C
)は底面図、同図(d)は側面方向の縦断面図、同図(
e)は側面図、第2図は本発明の第2実施例を示してお
り、同図(a)は平面図、同図(b)は正面方向の縦断
面図、同図(c)は底面図、同図(d)は側面図、第3
図は従来の高周波回路装置の一例の縦断面図である。 1・・・第1の半導体装置、2・・・第2の半導体装置
、3・・・第3の半導体装置、4・・・導波管、5・・
・貫通型コンデンサ、6・・・ボルト、7・・・電源回
路基板、11・・・高周波入出力端子、12・・・電源
端子、41・・・同軸導波管変換器、42・・・導波管
フランジ、43・・・第2の同軸導波管変換器。 第1図
Claims (1)
- 1.同軸導波管変換器と導波管フランジを一体に設けた
導波管と、この導波管フランジに軸方向に挟まれた箇所
において前記導波管の一面に支持された第1の半導体装
置と、この第1の半導体装置と平行に相対配置されて前
記導波管の反対面に支持された第2の半導体装置とを備
え、前記第1の半導体装置の高周波入出力端子を前記同
軸導波管変換器に結合し、かつ第1の半導体装置の電源
端子を第2の半導体装置に接続したことを特徴とする高
周波回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9001889A JPH02268007A (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 高周波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9001889A JPH02268007A (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 高周波回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02268007A true JPH02268007A (ja) | 1990-11-01 |
Family
ID=13986966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9001889A Pending JPH02268007A (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 高周波回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02268007A (ja) |
-
1989
- 1989-04-10 JP JP9001889A patent/JPH02268007A/ja active Pending
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