JPH02268376A - パターン認識装置 - Google Patents

パターン認識装置

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JPH02268376A
JPH02268376A JP8965789A JP8965789A JPH02268376A JP H02268376 A JPH02268376 A JP H02268376A JP 8965789 A JP8965789 A JP 8965789A JP 8965789 A JP8965789 A JP 8965789A JP H02268376 A JPH02268376 A JP H02268376A
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Kenichiro Hosoda
細田 賢一郎
Hiroshi Katsuragawa
浩 桂川
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はパターン認識装置に関し、特に、アナログ的に
パターンを認識するものである。
[従来の技術] 非線形振動を行なう非線形振動子を多数結合し、全体の
協調制御によってアナログ的にパターン認識を行なうパ
ターン認識装置、すなわち、ホロビジョンシステムが提
案されている(例えば、特開昭62−103773号公
報参照)。
このようなパターン認識装置は、機能ブロックで表示す
ると第2図に示すようになり、パターン前処理部1と、
セルブロック2と、記憶部3と、基準振動子6とで構成
されている。
パターン前処理部1は、入力図形パターン4を2次元ビ
ットパターンに変換するものであり、このパターン前処
理部1はバスラを介してセルブロック2に接続されてい
る。
セルブロック2は多層構造をなしている。第2図のもの
は4N21〜24のものである。各セルブロック層21
〜24共に、2次元マトリクス状に配置された非線形振
動子2aから構成されている。なお、パターン前処理部
1による2次元ビットパターンへの変換は、各セルブロ
ック層21〜24の非線形振動子2aの配置に対応する
ようになされる。各非線形振動子2aは、ビットパター
ンの対応するビットによって励起されるようにバス5を
介してパターン前処理部1に接続されている。
ここで、第3図は、各セルブロック層の非線形振動子の
励振時の振動方向を示し、第4図は各セルブロック層の
非線形振動子の結合関係を示すものである。
第1のセルブロック層21は、第3図(A>に示すよう
に、2次元ビットパターンの0度(なお、混乱を避ける
ため、線分の角度単位を「度」で示し、位相単位を「°
」で示す)の線分を検出するように各非線形振動子2a
の振動°方向が定められている。また、第4図(A>に
示すように、この第1のセルブロック層21の非線形振
動子2aaは、周囲の8個の非線形振動子2ab〜2a
hのうち、0度の方向に隣合う非線形振動子2ab及び
2afとの間では励振を強化するように結合されており
、90度の方向に隣合う非線形振動子2ad及び2ah
との間では励振を大きく弱めるように結合されており、
45度及び135度の方向に隣合う非線形振動子2ad
及び2ahとの間では励振を少し弱めるように結合され
ている。
第2のセルブロック層22の各非線形振動子2aは、第
3図(B)に示すように、2次元ビットパターンの45
度の線分を検出できるように45度の方向に振動方向が
選定されていると共に、第4図(B)に示すように、4
5度の方向に隣合う非線形振動子とでは励振を強化し、
135度の方向に隣合う非線形振動子とでは励振を大き
く弱め合い、0度及び90度の方向に隣合う非線形振動
子とでは励振を少し弱め合うように結合されている。
第3のセルブロック層23及び第4のセルブロック層2
4はそれぞれ、詳述は避けるが、第3図(C)と第4図
(C)、及び、第3図(D>と第4図(D)に示すよう
に、2次元ビットパターンの90度及び135度の線分
を検出するものである。
セルブロック2の各セルブロック層21〜24の非線形
振動子2aは、バス8を介して基準振動子6に接続され
ており、基準振動子6の振動に対して、セルブロック層
毎に異なる固有の位相で振動する。例えば、第1のセル
ブロック層21の非線形振動子は基準振動に対して0°
の位相で振動し、第2のセルブロック層22の非線形振
動子は基準振動に対して90°の位相で振動し、第3の
セルブロック層23の非線形振動子は基準振動に対して
180°の位相で振動し、第4のセルブロック層24の
非線形振動子は基準振動に対して270°の位相で振動
する。従って、入力ビツトパターン中の特定の方向の傾
きの線分は、セルブロック2で特定の振動位相の振動を
引き起こす。
記憶部3は、セルブロック2とバス7を介して結合され
ている。記憶部3は、バス9を介して接続されている基
準振動子6の振動に対して、それぞれ固有の振動位相を
持つ複数の非線形振動子3aから構成されている。非線
形振動子3aは、セルブロック2の非線形振動子2aと
相互に影響し合って励振される。非線形振動子3aは、
数個ずつのグループが特定のカテゴリー(三角形や四角
形や大角形や線分等)を表現しており、同一のカテゴリ
ーにかかる非線形振動子3aは互いに励振を強化し合う
ように結合されている。
従って、記憶部3の非線形振動子3aは、セルブロック
2との相互作用と、記憶部3の中での相互作用とによっ
て、選択的に特定のカテゴリーを表す非線形振動子のみ
が励振する。これによって、入力された図形パターン4
のパターン認識がなされる。
例えば、入力された線図形パターン4が、第5図(A)
に示すように、0度と45度と90度の線分でなる直角
二等辺三角形である場合には、第1のセルブロック層2
1、第2のセルブロック層22及び第3のセルブロック
層23がそれぞれ励振を強化し、すなわち、0度と45
度と90度の線分を検出し、記憶部3ではこれら励振状
態(振動位相を含む)に基づいて第5図(B)に示す直
角二等辺三角形のカテゴリーを構成する非線形振動子3
aa〜3acが励振を強化して活性化し、他方、他の非
線形振動子の振動が非活性化して直角二等辺三角形であ
ることを認識する。
[発明が解決しようとする課題] 上述したパターン認識装置(ホロビジョンシステム)は
、それ以前のパターン認識装置における情報処理と原理
を異にするものであり、その原理が非常に新しく、研究
が十分に進んでいるわけでないことから、パターン認識
装置としては不十分な点がある。
問題点の一つとして認識パターンが予め持っているカテ
ゴリーの代表的なパターンに対して、入カバターンが回
転していた場合にはうまく認識できないことが挙げられ
る。そのために、同じ図形とそれを回転してできる図形
について、別個にカテゴリーを用意しなければならず、
記憶部3の構成が複雑になるという問題がある。
例えば、第2図に示す4N構造のセルブロック2の場合
、上述したように、0度、45度、90度及び135度
の線分を検出でき、第6図(A>及び第6図(B)に示
す同一三角形の2次元ビットパターン4a及び4bに対
してそれぞれ対応する線分のセルブロック層が励振する
。しかし、記憶部3には三角形に対するカテゴリーとし
て、上述した第5図(9に示すもののみが用意されてい
る場合、この用意されているカテゴリーと同一の第6図
(A)に対する入カバターン4aに対しては、第1、第
2、第3のセルブロック層21〜23からの振動位相に
基づいて記憶部3のそのカテゴリーを構成する非線形振
動子3aa〜3acは励振を強化してカテゴリーは活性
化するが、同一三角形であっても向きが異なる第6図(
B)に示す三角形の入カバターン4bの場合には、第6
図(B)に示すようにに励振状態にあるセルブロック層
21.23.24がそのカテゴリーを活性化するセルブ
ロック層21〜23とはなっていないため、この入カバ
ターンに対しては用意されている三角形のカテゴリーの
非線形振動子3aa〜3acは活性化しない。
本発明は、以上の点を考慮してなされたものであり、記
憶部に用意するカテゴリーを多くすることなく、同一形
状(大きさは異なっていても良い)であって回転関係に
あるパターンを共に認識することができるパターン認識
装置を提供しようとするものである。
[課題を解決するための手段] かかる課題を解決するため、本発明においては、以下の
各手段でパターン認識装置を構成した。
すなわち、入力図形パターンを2次元ビットパターンに
変換するパターン前処理部と、変換された2次元ビット
パターンの対応するビットによって層に固有な振動移相
で励振されるように、かつ、2次元ビットパターンの所
定方向の線分を検出するように接続された複数の非線形
振動子を2次元マトリクス状に配置した複数のセルブロ
ック層からなるセルブロックと、セルブロックの非線形
振動子に結合された複数の非線形振動子から構成され、
かつ、セルブロックの励振した非線形振動子によって一
部の非線形振動子が選択的に励振されて入力図形パター
ンを認識する記憶部とを備える。
さらに、セルブロックと記憶部との間に設けられ、セル
ブロックの非線形振動子の振動位相を移相して記憶部に
供給する移相器を備える。
[作用] パターン前処理部は、入力図形パターンを2次元ビット
パターンに変換してセルブロックに供給する。セルブロ
ックの各セルブロック層の非線形振動子は、2次元ビッ
トパターンの対応するビットによってその層に固有な振
動位相で励振する。
この励振は、2次元ビットパターンの所定方向の線分を
検出したことになる。このセルブロックの振動情報、特
に振動位相は、移相器を介して所定量だけ移相されて記
憶部に供給される。記憶部では、移相器を介したセルブ
ロックからの振動情報に応じた一組の非線形振動子が選
択的に励振し、この励振している一組の非線形振動子が
所定のパターンを表すようになされているので、これに
よりパターン認識がなされる。
[実施例] 以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら詳述する
ここで、第1図はこの実施例の構成を示すブロック図で
ある。
第1図において、この実施例のパターン認識装置は、パ
ターン前処理部11と、セルブロック12と、記憶部1
3と、基準振動子16と、移相器18と、移相制御部1
9とで構成されている。
この実施例においても、パターン前処理部11は、入力
図形パターン14を2次元ビットパターンに変換するも
のであり、このパターン前処理部1.1はバス15を介
してセルブロック12に接続されている。
また、セルブロック12も従来装置と同様に、4層構造
121〜124をなして°いるものであり、各セルブロ
ック層121〜124が、2次元マトリクス状に配置さ
れた非線形振動子12aから構成されており、各非線形
振動子12aが、ビットパターンの対応するビットによ
って励起されるようにバス15を介してパターン前処理
部11に接続されているものである。また、バス2oを
介して基準振動子16に接続されており、基準振動子1
6の振動に対して、各セルブロック層121〜124は
、異なる固有の位相で振動する。
しかし、この実施例においては、セルブロック12の各
セルブロック層121〜124の振動情報は、記憶部1
3に直接与えられるのではなく、移相器18を介して与
えられる。
移相器18は、後述する記憶部13に用意されているカ
テゴリー数分だけ設けられており、各移相器18は後述
する移相制御部19によって所定の位相量だけ各セルブ
ロック層121〜124の振動位相を移相する。
このような移相器18を介した各セルブロック層121
〜124の振動状態(励振の強さや振動位相)がバス1
7を介して記憶部13に与えられる。
記憶部13は、バス29を介して接続されている基準振
動子16の振動に対して、それぞれ固有の振動位相を持
つ複数の非線形振動子13aから構成されている。非線
形振動子13aは、移相器18を介したセルブロック1
2の非線形振動子12aと相互に影響し合って励振され
る。非線形振動子13aは、この実施例でも、数個ずつ
のグループが特定のカテゴリー(三角形や四角形やへ角
形や線分等)を表現しており、同一のカテゴリーにかか
る非線形振動子13aは互いに励振を強化し合うように
結合されている。
なお、この実施例の場合、同一形状(大きさは問わない
)については1個のカテゴリーだけが用意されている。
従って、記憶部13の非線形振動子13aは、移相器1
8を介して接続されたセルブロック12との相互作用と
、記憶部13の中での相互作用とによって、選択的に特
定のカテゴリーを表す非線形振動子13aのみが励振す
る。これによって、入力された図形パターン14のパタ
ーン認識がなされる。
ここで、移相器18を設けるようにしたのは、記憶部1
3に用意しておくカテゴリーとして、同一形状のものは
その向きに関係なく1個のものに限定しても、向きの異
なる同一形状の入カバターンをこの移相器18の機能に
よって記憶部13で認識できるようにするためである。
移相器18の移相量は、移相制御部19によって制御さ
れる。移相制御部19には、セルブロック12から振動
情報が与えられ、また、記憶部13からも振動情報が与
えられ、これら情報から移相Iを次のように決定する。
ここで、記憶部13に用意されている第m番目のカテゴ
リーに対する移相量をθD(III)、記憶部13に用
意されている第m番目のカテゴリーの第n番目の非線形
振動子の振動位相を6m(m、 n)、セルブロック1
2の第にのセルブロック層の2次元的な位置(i、j)
にある非線形振動子の振動位相をθa(i、j、k)、
セルブロック12の第にのセルプロック層の2次元的な
位置(i、j>にある非線形振動子の振動振幅をra(
i、J、k)とすると、移相制御部19は、次式 %式%)) に示すように、移相量θp(m)を徐々に変化させてい
く。なお、移相量θp(n)はあるところで安定する。
ここで、関数f(x)として、次式%式%) (但し、a、bは定数) に示すような適当な増加関数(シグモイド関数)を用い
る。
従って、上述の実施例によれば、セルブロック12の各
セルブロック層121〜124からの振動位相を用意さ
れているカテゴリーに応じて移相させて記憶部13に与
えるようにしてパターンを認識させるようにしたので、
記憶部13に同一形状に対するカテゴリーとして1個だ
けを用意しても、その形状と向きが異なるだけの入カバ
ターンを認識することができる。すなわち、記憶部13
の構成を簡易なものとすることができる。また、そのと
きの移相量によってその形状の向きをも認識することが
できる。
第7図は用意されている三角形とは異なる三角形の入カ
バターンが入力された場合のセルブロック12の振動を
示す説明図、第8図は第7図の入カバターンに対するセ
ルブロック12の振動パターン、記憶部13内での振動
、カテゴリーの活性度及び移相器18の移相量を示す説
明図である。
今、0度、45度及び90度でなる三角形(第5図(A
)参照)のカテゴリーが記憶部13に用意されている唯
一の三角形のカテゴリーとする。
ここで、第7図(A)に示すような用意されている三角
形に対して90度だけ回転された三角形のビットパター
ン14aが入力されたとする。このとき、セルブロック
12では、第7図(B)に示すように各非線形振動子1
.2 aが励振する(なお、第7図CB>は第1のセル
ブロック層121、第3のセルブロック層123及び第
4のセルブロック層124の振動を同一平面で示してい
る)。
ここで、第1のセルブロック層121の基準振動子16
に対する振動位相はOoであり、第3のセルブロック層
123の基準振動子16に対する振動位相は180°で
あり、第4のセルブロックN124の基準振動子16に
対する振動位相は270°であるので、セルブロック1
2の振動パターンを横軸に時間をとってパルス信号で表
すと、第8図(A)に示すようになる。
この振動パターンがセルブロック12から与えられると
、記憶部13内の「線分」を表すカテゴリーの振動は、
第8図(B)にその振動をパルスで表すように部分的に
振動するが、対応する図形でないので振動が強化されず
に活性度(破線)は0まで低下していく、なお、上述の
移相制御(移相量を一点鎖線で示す)によっては、この
線分カテゴリーに対して移相はなされない。
同様に、記憶部13内の「四角形」及び「六角形」を表
すカテゴリーについても、第8図(D)及び(E)に示
すように、移相制御に拘らず、活性度は低下していく。
これに対して、記憶部13内の「三角形」を表すカテゴ
リーは、移相制御が進むにつれて活性度が上昇していき
、認識される。このときの移相器18の移相量によって
用意されている三角形パターンより90度だけ回転され
ている三角形であることが認識される。
なお、上述の実施例においては、セルブロック12が4
層構造のものを示したが、これより多い層を有するもの
であっても良い。
し発明の効果] 以上のように、本発明によれば、セルブロックの各セル
ブロック層からの振動位相を移相させて記憶部に与える
ようにしてパターンを認識させるようにしたので、記憶
部に同一形状に対するカテゴリーとして1個だけを用意
しても、その形状と向きが異なるだけの入カバターンを
認識することができ、また、そのときの移相量によって
その形状の向きをも認識することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるパターン認識装置の一実施例を示
すブロック図、第2図は従来装置を示すブロック図、第
3図は従来装置のセルブロック各層の検出方向を示す説
明図、第4図は従来装置のセルブロック各層の非線形振
動子の結合関係を示す説明図、第5図及び第6図はそれ
ぞれ従来装置の欠点の説明に供する説明図、第7図は上
記実施例における用意されている三角形カテゴリーとは
異なる三角形の入カバターンが入力された場合のセルブ
ロックの振動を示す説明図、第8図は第7図の入カバタ
ーンに対するセルブロックの振動パターン、記憶部内で
の振動、カテゴリーの活性度及び移相器の移相量を示す
説明図である。 11・・・パターン前処理部、12・・・セルブロック
、13・・・記憶部、16・・・基準振動子、18・・
・移相器、19・・・移相制御部、121〜124・・
・セルブロックの各層。 1¥4 従来装置の7′ロフタ図 第2図 従来のセルフ゛ロフ’J層の結合関係の説明図第4図 3ab(451t) (A) (B) 従来のへ°ターン認識の説明図 第5図 、2〕 従来の欠点の説明図 第6図 (A) (B) 実施例のじテ跡リーンとセルフ゛ロブ9の振動との説明
図第7図 実施例のハリーノ認識例を示す説明図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 入力図形パターンを2次元ビットパターンに変換するパ
    ターン前処理部と、 変換された2次元ビットパターンの対応するビットによ
    って層に固有な振動移相で励振されるように、かつ、2
    次元ビットパターンの所定方向の線分を検出するように
    接続された複数の非線形振動子を2次元マトリクス状に
    配置した複数のセルブロック層からなるセルブロックと
    、 上記セルブロックの非線形振動子に結合された複数の非
    線形振動子から構成され、かつ、上記セルブロックの励
    振した非線形振動子によって一部の非線形振動子が選択
    的に励振されて入力図形パターンを認識する記憶部と、 上記セルブロックと上記記憶部との間に設けられ、上記
    セルブロックの非線形振動子の振動位相を移相して上記
    記憶部に供給する移相器とを備えたことを特徴とするパ
    ターン認識装置。
JP1089657A 1989-04-11 1989-04-11 パターン認識装置 Expired - Lifetime JPH07107709B2 (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6250981A (ja) * 1985-08-30 1987-03-05 Fujitsu Ltd シンボル認識方式
JPS62103773A (ja) * 1985-07-06 1987-05-14 Res Dev Corp Of Japan パタ−ン認識装置
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