JPH02268407A - 多層状強磁性体 - Google Patents

多層状強磁性体

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JPH02268407A
JPH02268407A JP9047989A JP9047989A JPH02268407A JP H02268407 A JPH02268407 A JP H02268407A JP 9047989 A JP9047989 A JP 9047989A JP 9047989 A JP9047989 A JP 9047989A JP H02268407 A JPH02268407 A JP H02268407A
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JP
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magnetic
iron
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silicon
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JP9047989A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Okayama
岡山 博
Masatatsu Sugaya
菅屋 正達
Osamu Kawamoto
修 河本
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/32Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
    • H01F10/324Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
    • H01F10/3254Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は幼規な多層状強磁性体に関するものである。さ
らに詳しくいえば、本発明F!、、高飽和磁束密度、高
透磁率及び低磁歪定数を有する上、軟磁気特性及び耐熱
安定性が良好であるなど、優れた特徴を有(,7、磁気
ヘッドの磁性膜などとして好適な多層状強磁性体に関す
るものである。
従来の技術 近年、VTRなどの磁気記録再生装置においては、記録
信号の高密度化や高周波数化などが進められておシ、こ
れに伴い、磁気記録媒体として磁性粉に、鉄、コバルト
、ニッケルなどの強出性金属の粉末を用いたメタルテー
プや、強母性金属材料を蒸着などの手段によりベースフ
ィルム上に被着しfcM着チー・ブなどが実用化されつ
つある。
このよりな磁気記録媒体(1高10保磁力を有するので
、記録再生に用いる磁気ヘッドのヘッド材料としては、
高飽和磁束密度を有するものが要求される。また、該磁
気ヘッドでは、分解能を向上させるために、ヘッドの磁
極厚さ!4−薄くする必要があり、これに伴って生じる
磁極先端の磁気飽和を防ぐために高飽和磁束密度を有す
る磁性材料が必須となり、さらに、垂直磁気記録方式に
おいても、例えば垂直磁気記録用単磁極型磁気ヘッドの
主磁棲は12声程度と極めて薄いため、記録の際に磁気
的に飽和しやすく、それ?避けるためには高飽和磁束密
度を有する磁気ヘッド材料が必要となる。一方、該磁気
ヘッド材料は、ヘッドの記録再生効率の面から、高透磁
率を有することが必要であり、また磁歪定数がゼロに近
いことが望ましい。
このような高飽和磁束密度、高透磁率及び低磁歪定数を
有する磁性材料としては、これまで釉々のものが開発さ
れており、例えば鉄−ニッケル系合金(パーマロイ)、
鉄−アルミニウム−ケイ素系合金(センダスト)、鉄−
ケイ素合金(特開昭57−172703号公報)、クロ
ム[L5〜A8’iii%を含有する鉄−クロム系合金
(特開昭65−60256号公報)などが知られている
しかしながら、鉄−ケイ素系合金や鉄−クロム系合金は
、飽和磁束密度は大きいものの結晶缶2エ方や定数力、
よきい。そ。ア、単層膜と。
て使用する場合、結晶粒径は膜厚程度であるので膜厚1
1n′n位では結晶磁気↓方性の影響を大きく受けて優
れた軟磁気特性が得られないという性による遠方性磁界
を分散させることが望ましい。そこで多層化することに
よって、磁性1−11−の庫さを薄くして結晶粒を微細
化し、軟磁気特性を向上させることが試みられている。
磁性層に合金を用いた多層状磁性体としては、例えば鉄
系磁性層と二酸化ケイ素から成る中間層と全交互に積層
したもの(特開昭63−58806号公報)、鉄−クロ
ム系合金から成る磁性1−と二酸化ケイ素やパーマロイ
から成る中間層を交互に積層したもの(特開昭65−6
0256号公報)など、中間層に非磁性材料の二酸化ケ
イ素を用いたものがこれまで知られている。
しかしながら、このような中間層に二酸化ケイ素を用い
た多層状磁性体は軟磁気特性を向上させるのにある程度
優れた効果を有するものの、耐熱安定性については必ず
しも十分ではない。
これは、200〜600℃程度の温度において、該二酸
化ケイ素が磁性層中の鉄と拡散結合本しくに、磁性層の
結晶粒の拡大により特性が低下するためである。
発明が解決しようとする課題 本発明は、このような事情のもとで、高飽和磁束密度、
高透出率及び低磁歪定数を有する上に、軟磁気特性及び
耐熱安定性が良好な多層状強磁性体を提供することを目
的としてなされたものである。
課題を解決するための手段 本発明者らは、前記の優れた特徴を有する多層状強磁性
体を開発するために鋭意研究を重ねぇ結果、鉄系磁性層
とともに、中間層として特定組成範囲のホウ素の窒化物
(非平衡相も含む)を用い、これらを基板上に交互に積
層し友ものにより、その目的を達成しうることを見い出
し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、基板上に、囚鉄系強磁性層と(B
l一般式 BxNy   (非平衡相も含む) ・・・+13(式
中のX及びyは、式α5≦x/y≦t5の関係を満たす
数である) で表されるホウ素の窒化物から成る中間層とを交互に積
層したことを特徴とする多層状強磁性体を提供するもの
である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の多層状強磁性体において、磁性層として用いら
れる鉄系磁性材料は、高飽和磁束密度、高透磁率を有し
、かつ磁歪定数が小さいものであればよくて、特に制限
はなく、従来磁気ヘッド用などの磁性薄膜に慣用されて
いる鉄系磁性材料を用いることができる。このような鉄
系磁性材料としては、例えばパーマロイ、Fe−5i−
、i’u系合金、Fe−5i−Ru合金、Fe−5i合
金、Fe −Ni−Mo系合金、Fe −Ga −S 
i系合金、Fe −Cr系合金などが挙げられ、これら
はそれぞれ単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わ
せて用いてもよい。
本発明の多層状強磁性体における中間層には、一般式 BXNY  (非平衡相も含む) ・・・(1)で表さ
れるホウ素の窒化物が用いられる。このケイ素の窒化物
のX及びyは、0.5≦x / y≦1.5を満たす関
係にあることが必要である。xly値がMiJ記範囲を
逸脱すると軟磁気特性全向上させる効果が十分に発揮さ
れない。このようなケイ素の窒化物は、300〜600
℃程度の温度においても安定で、酸化ケイ素のように磁
性層中の鉄と拡散したものと思われ、特性の低下が小さ
い。
本発明の多層状強磁性体に用いられる基板については特
に制限はなく、従来磁気ヘッド用などの磁性薄膜に慣用
されているもの、例えばガラスやプラスチック上に紫外
線などで硬化するポリマー層を設けた本の、アクリル系
樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート樹脂、酢酸ビ
ニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリオレフィン系樹脂など
の透明材料から成る基板、あるいはアルミニウムやフェ
ライトなどの不透明材料から成る基板を用いることがで
きる。
本発明の多層状強磁性体は、これらの基板上に、前記の
磁性層と中間層とを交互に積層し丸ものであり、単層の
厚さを薄くして積層数を増やす方が好ましいが、経済性
や作業性などの点から、通常磁気層の厚さは200〜1
000λの範囲で、中間I−の厚さは10〜1ooXの
範囲で選ばれ、また、積層数は4〜140層の範囲に、
全体の厚さはα4〜3μmの範囲にあることが好ましい
本発明において、磁性層及び中間層を設ける方法につい
てii特に制限はなく、通常薄膜の形成に用いられてい
る方法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオン
ブレーティング法、CVD法などの中から任意の方法を
選択して用いることができる。また、中間層のBxNy
におけるx/y値は、蒸着原料の組成、雰囲気ガス中の
窒素の含有量、蒸着真空度、蒸着速度などを選択するこ
とにより制御することができる。
発明の効果 本発明の多層状強磁性体は、鉄系材料から成る強磁性層
と特定組成のホウ素の窒化物から成る中間層とを、基板
上に交互に積層したものであって、高飽和磁束密度、高
透磁率及び低磁歪定数を有する上、軟磁気特性及び耐熱
安定性が良好であるなど、優れた特徴を有し、磁気ヘッ
ドの磁性膜などとして好適に用いられる。
実施例 矢に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
なお、得られた多層状強磁性体の透al皐、保磁力及び
単層膜の組成は次のようにして求めた。
(1)透磁率μiac 出化困難軸方向に測定磁場が印加されるように、フェラ
イトヨークを膜面に当て、インピーダンスアナライザを
用いて3 moeの磁場及び5MHzの測定周波数でイ
ンダクタンスを測定することによシ求めた。
(2)  保磁力He 薄膜ヒストロスコープを用いて測定した。
(3)単層膜組成 EPMA (Electron Probe Micr
o−Analysis )法により求めた。
実施例 ケイ素1.7重量%含有鉄−ケイ素合金ターゲットとB
Nターゲットを用い、RFマグネトロンスパッタ装置に
て、3000e の出湯中で交互にスパッタリングを行
い、基板上に、厚さ500Aの鉄−ケイ素磁性合金から
成る磁性層と厚さ25λのBxNyから成る中間層が交
互に15層積層された総膜厚約α8μmの多層膜を形成
した。
この際基板として板厚1.1閣の結晶化ガラス(商品名
フォトセラム)を用いた。
また、スパッタリングの条件は、鉄−ケイ素合金層の形
成には、アルゴン圧j 5mTorr 、投入パワーA
2W/m、基板温度500℃とし、BxNy層の形成に
Fia々の割合のアルゴンと窒素との混合ガスを用い、
圧15 mTorr s投入パワー1.9%−1基板温
度300℃とした。
なお、鉄−ケイ素磁性合金膜はアルゴンガス雰囲気下で
、BxNy膜はアルゴンと窒素との混合ガス雰囲気中で
それぞれ作成した。
また、このようにして得られた多膜層におけるBxNy
層の組成を求めるために、別に、板厚11fiのバリウ
ムホウケイ酸双ラス(商品名7059)上に、基板温度
を150℃とし友以外は前記と同じ条件で、厚さ約1μ
mのBxNy膜全形成し、この膜の組成を求め念。
第1図に、混合ガス中の窒素の含有量(容量係)とBx
Ny層におけるX/Y値との関係をグラフで示す。また
第2図にBxNy層におけるxly値と多層膜の保磁力
(He )との関係を、第5図にBxNy Mにおける
x/y値と透磁率(μ1ae)との関係を示す。
これらの図から、BXNY層におけるx/y値が0.5
〜1,5の範囲において良好な軟磁気特性(低保磁力、
高透磁率>1有することが分かる。
また、第4図、第5図は中間#5iOs及びBNゲ用い
たときの耐熱性を調べたグラフで、従来の5i02に対
してBN層を用りた多層Sは熱的に安定であることが分
かる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図及び第3図Fi、それぞれ本発明の実施
例で作成され九多層状強磁性体についての混合ガス中の
窒素含有量と、 BxNy Iilにおけるx/y値と
の関係を示すグラフ、B x N 7層におり゛るx/
y値と保磁力との関係を示すグラフ及び同じく透磁率と
の関係を示すグラフである。 第4図、第5図は、中間層に5i02及びBN金用い友
ときの耐熱安定性を調べたグラフである。 第 図 °4 第3図 ソ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 基板上に、(A)鉄系強磁性層と(B)一般式Bx
    Ny(非平衡相も含む) (式中のx及びyは、式0.5≦x/y≦1.5の関係
    を満たす数である) で表されるホウ素の窒化物から成る中間層とを交互に積
    層したことを特徴とする多層状強磁性体。
JP9047989A 1989-04-10 1989-04-10 多層状強磁性体 Pending JPH02268407A (ja)

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JP9047989A JPH02268407A (ja) 1989-04-10 1989-04-10 多層状強磁性体

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JP (1) JPH02268407A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0620835A (ja) * 1991-11-28 1994-01-28 Amorphous Denshi Device Kenkyusho:Kk 非晶質磁性薄膜

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0620835A (ja) * 1991-11-28 1994-01-28 Amorphous Denshi Device Kenkyusho:Kk 非晶質磁性薄膜

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