JPH0251205A - 多層状強磁性体 - Google Patents
多層状強磁性体Info
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- JPH0251205A JPH0251205A JP20150888A JP20150888A JPH0251205A JP H0251205 A JPH0251205 A JP H0251205A JP 20150888 A JP20150888 A JP 20150888A JP 20150888 A JP20150888 A JP 20150888A JP H0251205 A JPH0251205 A JP H0251205A
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- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 title 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 abstract description 66
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 49
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229910020776 SixNy Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 10
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 abstract description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N iron silicon Chemical compound [Si].[Fe] XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- UPHIPHFJVNKLMR-UHFFFAOYSA-N chromium iron Chemical compound [Cr].[Fe] UPHIPHFJVNKLMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017060 Fe Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002544 Fe-Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Iron-aluminum-silicon Chemical compound 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003296 Ni-Mo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000004452 microanalysis Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は新規な多層状強磁性体に関するものである。さ
らに詳しくいえば、本発明は、高飽和磁束密度、高透磁
率及び低磁歪定数を有する上、軟磁気特性及び耐熱安定
性が良好であるなど、浸れた特徴を有し、磁気ヘッドの
磁性膜などとして好適な多層状強磁性体に関するもので
ある。
らに詳しくいえば、本発明は、高飽和磁束密度、高透磁
率及び低磁歪定数を有する上、軟磁気特性及び耐熱安定
性が良好であるなど、浸れた特徴を有し、磁気ヘッドの
磁性膜などとして好適な多層状強磁性体に関するもので
ある。
従来の技術
近年、VTRなどの磁気記録再生装置においては、記録
信号の高密度化や高周波数化などが進められており、こ
れに伴い、磁気記録媒体として磁性粉に、鉄、コバルト
、ニッケルなどの強磁性金属の粉末を用いた、いわゆる
メタルテープや、強磁性金属材料を蒸着などの手段によ
りベースフィルム上に被着した、いわゆる蒸着テープな
どが実用化されつつある。
信号の高密度化や高周波数化などが進められており、こ
れに伴い、磁気記録媒体として磁性粉に、鉄、コバルト
、ニッケルなどの強磁性金属の粉末を用いた、いわゆる
メタルテープや、強磁性金属材料を蒸着などの手段によ
りベースフィルム上に被着した、いわゆる蒸着テープな
どが実用化されつつある。
このような磁気記録媒体は高い抗磁力を有するので、記
録再生に用いる磁気ヘッドのヘッド材料としては、高飽
和磁束密度を有するものが要求される。また、該磁気ヘ
ッドでは、分解能を向上させるI;めに、ヘッドの磁極
厚さを薄くする必要があり、これに伴って生じる磁極先
端の磁気飽和を防ぐために高飽和磁束密度を有する磁性
材料が必須となり、さらに、垂直磁気記録方式において
も、例えば垂直磁気記録用単磁極型磁気ヘッドの主磁極
は0.2μm程度と極めて薄いため、記録・再生の際に
磁気的に飽和しやすく、それを避けるためには高飽和磁
束密度を有する磁気ヘッド材料が必要となる。
録再生に用いる磁気ヘッドのヘッド材料としては、高飽
和磁束密度を有するものが要求される。また、該磁気ヘ
ッドでは、分解能を向上させるI;めに、ヘッドの磁極
厚さを薄くする必要があり、これに伴って生じる磁極先
端の磁気飽和を防ぐために高飽和磁束密度を有する磁性
材料が必須となり、さらに、垂直磁気記録方式において
も、例えば垂直磁気記録用単磁極型磁気ヘッドの主磁極
は0.2μm程度と極めて薄いため、記録・再生の際に
磁気的に飽和しやすく、それを避けるためには高飽和磁
束密度を有する磁気ヘッド材料が必要となる。
一方、該磁気ヘッド材料は、ベツドの記録再生効率の面
から、高透磁率を有することが必要であり、また磁歪定
数がゼロに近いことが望ましい。
から、高透磁率を有することが必要であり、また磁歪定
数がゼロに近いことが望ましい。
このような高飽和磁束密度、高透磁率及び低磁歪定数を
有する磁性材料としては、これまで種々のものが開発さ
れており、例えば鉄−ニッケル系合金(パーマロイ)、
鉄−アルミニウム−ケイ素系合金(センダスト)、鉄−
ケイ素系合金(特開昭57−172703号公報)、ク
ロム0.3〜3.8重量%を含有する鉄−クロム系合金
(特開昭63−60256号公報)などが知られている
。
有する磁性材料としては、これまで種々のものが開発さ
れており、例えば鉄−ニッケル系合金(パーマロイ)、
鉄−アルミニウム−ケイ素系合金(センダスト)、鉄−
ケイ素系合金(特開昭57−172703号公報)、ク
ロム0.3〜3.8重量%を含有する鉄−クロム系合金
(特開昭63−60256号公報)などが知られている
。
しかしながら、これらの鉄系磁性材料は結晶磁気異方性
定数が大きいことから、単層膜として使用する場合、結
晶粒の体積が大きく、それによる磁化の異方性分散の影
響を大きく受けて軟磁気特性が著しく低下するという欠
点がある。そして、このような欠点を改良するためには
、該結晶粒を微細化して、結晶粒による磁化の異方性分
散を低く抑えることが望ましいので、多層化することに
よって、磁性層1層の厚さを薄くして結晶粒を微細化し
、軟磁気特性を向上させることが試みられている。
定数が大きいことから、単層膜として使用する場合、結
晶粒の体積が大きく、それによる磁化の異方性分散の影
響を大きく受けて軟磁気特性が著しく低下するという欠
点がある。そして、このような欠点を改良するためには
、該結晶粒を微細化して、結晶粒による磁化の異方性分
散を低く抑えることが望ましいので、多層化することに
よって、磁性層1層の厚さを薄くして結晶粒を微細化し
、軟磁気特性を向上させることが試みられている。
磁性層にフェライトを用いた多層状磁性体としては、例
えば鉄系磁性層と二酸化ケイ素から成る中間層とを交互
に積層したもの(特開昭63−58806号公報)、鉄
−クロム系合金から成る磁性層と二酸化ケイ素やパーマ
ロイから成る中間層を交互に積層したもの(特開昭63
−60256号公報)など、中間層に非磁性材料の二酸
化ケイ素を用いたものがこれまで知られている。
えば鉄系磁性層と二酸化ケイ素から成る中間層とを交互
に積層したもの(特開昭63−58806号公報)、鉄
−クロム系合金から成る磁性層と二酸化ケイ素やパーマ
ロイから成る中間層を交互に積層したもの(特開昭63
−60256号公報)など、中間層に非磁性材料の二酸
化ケイ素を用いたものがこれまで知られている。
しかしながら、このような中間層に二酸化ケイ素を用い
た多層状磁性体は軟磁気特性を向上させるのにある程度
優れた効果を宵するものの、耐熱安定性については必ず
しも十分ではない。これは、200〜600℃程度の温
度において、該二酸化ケイ素が磁性層中の鉄と拡散結合
もしくは、磁性層の結晶粒の拡大により特性が低下する
ためである。
た多層状磁性体は軟磁気特性を向上させるのにある程度
優れた効果を宵するものの、耐熱安定性については必ず
しも十分ではない。これは、200〜600℃程度の温
度において、該二酸化ケイ素が磁性層中の鉄と拡散結合
もしくは、磁性層の結晶粒の拡大により特性が低下する
ためである。
発明が解決しようとする課題
本発明は、このような事情のもとで、高飽和磁束密度、
高透磁率及び低磁歪定数を有する上に、軟磁気特性及び
耐熱安定性が良好な多層状強磁性体を提供することを目
的としてなされたものである。
高透磁率及び低磁歪定数を有する上に、軟磁気特性及び
耐熱安定性が良好な多層状強磁性体を提供することを目
的としてなされたものである。
課題を解決するための手段
本発明者らは、前記の優れた特徴を有する多層状強磁性
体を開発するために鋭意研究を重ねた結果、鉄系磁性層
とともに、中間層として特定組成範囲のケイ素の窒化物
(非平衡相も含む)を用い、これらを基板上に交互に積
層したものにより、その目的を達成しうろことを見い出
し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
体を開発するために鋭意研究を重ねた結果、鉄系磁性層
とともに、中間層として特定組成範囲のケイ素の窒化物
(非平衡相も含む)を用い、これらを基板上に交互に積
層したものにより、その目的を達成しうろことを見い出
し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、基板上に、(A)鉄系強磁性層と
(B)一般式 SixNy (非平衡相も含む) ・・・(I)(
式中のX及びyは、式0.4≦x/y≦1.1の関係を
満たす数である) で表されるケイ素の窒化物から成る中間層とを交互に積
層したことを特徴とする多層状強磁性体を提供するもの
である。
(B)一般式 SixNy (非平衡相も含む) ・・・(I)(
式中のX及びyは、式0.4≦x/y≦1.1の関係を
満たす数である) で表されるケイ素の窒化物から成る中間層とを交互に積
層したことを特徴とする多層状強磁性体を提供するもの
である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の多層状強磁性体において、磁性層として用いら
れる鉄系磁性材料は、高飽和磁束密度、高透磁率を有し
、かつ磁歪定数が小さいものであればよくて、特に制限
はなく、従来磁気ヘッド用などの磁性薄膜に慣用されて
いる鉄系磁性材料を用いることができる。このような鉄
系磁性材料としては、例えばパーマロイ、Fa−5i−
AI2系合金、Fe−5L−Ru合金、Fe−5L合金
、Fe−Ni−Mo系合金、Fe−Ga−5L系合金、
Fe−Cr系合金などが挙げられ、これらはそれぞれ単
独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いても
よい。
れる鉄系磁性材料は、高飽和磁束密度、高透磁率を有し
、かつ磁歪定数が小さいものであればよくて、特に制限
はなく、従来磁気ヘッド用などの磁性薄膜に慣用されて
いる鉄系磁性材料を用いることができる。このような鉄
系磁性材料としては、例えばパーマロイ、Fa−5i−
AI2系合金、Fe−5L−Ru合金、Fe−5L合金
、Fe−Ni−Mo系合金、Fe−Ga−5L系合金、
Fe−Cr系合金などが挙げられ、これらはそれぞれ単
独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いても
よい。
本発明の多層状強磁性体における中間層には、一般式
SixNy (非平衡相も含む) ・・・(I)で表さ
れるケイ素の窒化物が用いられる。このケイ素の窒化物
のX及びyは、0.4≦x/y≦1.1を満たす関係に
あることが必要である。x/y値が前記範囲を逸脱する
と軟磁気特性と向上させる効果が十分に発揮されない。
れるケイ素の窒化物が用いられる。このケイ素の窒化物
のX及びyは、0.4≦x/y≦1.1を満たす関係に
あることが必要である。x/y値が前記範囲を逸脱する
と軟磁気特性と向上させる効果が十分に発揮されない。
このようなケイ素の窒化物は、300〜600°C程度
の温度においても安定で、酸化ケイ素のように磁気層中
の鉄と拡散したものと思われ、特性の低下が小さい。
の温度においても安定で、酸化ケイ素のように磁気層中
の鉄と拡散したものと思われ、特性の低下が小さい。
本発明の多層状強磁性体に用いられる基板については特
に制限はなく、従来磁気ヘッド用などの磁性薄膜に慣用
されているもの、例えばガラスやプラスチック上に紫外
線などで硬化するポリマー層を設けたもの、アクリル系
樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート樹脂、酢酸ビ
ニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリオレフィン系樹脂など
の透明材料から成る基板、あるいはアルミニウムやフェ
ライトなどの不透明材料から成る基板を用いることがで
きる。
に制限はなく、従来磁気ヘッド用などの磁性薄膜に慣用
されているもの、例えばガラスやプラスチック上に紫外
線などで硬化するポリマー層を設けたもの、アクリル系
樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート樹脂、酢酸ビ
ニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリオレフィン系樹脂など
の透明材料から成る基板、あるいはアルミニウムやフェ
ライトなどの不透明材料から成る基板を用いることがで
きる。
本発明の多層状強磁性体は、これらの基板上に、前記の
磁性層と中間層とを交互に積層したものであり、単層の
厚さを薄くして積層数を増やす方が好ましいが、経済性
や作業性などの点から、通常磁気層の厚さは200〜1
000人の範囲で、中間層の厚さは10〜100人の範
囲で選ばれ、また、積層数は4〜140層の範囲に、全
体の厚さは0.4〜3μmの範囲にあることが好ましい
。
磁性層と中間層とを交互に積層したものであり、単層の
厚さを薄くして積層数を増やす方が好ましいが、経済性
や作業性などの点から、通常磁気層の厚さは200〜1
000人の範囲で、中間層の厚さは10〜100人の範
囲で選ばれ、また、積層数は4〜140層の範囲に、全
体の厚さは0.4〜3μmの範囲にあることが好ましい
。
本発明において、磁性層及び中間層を設ける方法につい
ては特に制限はなく、通常薄膜の形成に用いられている
方法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブ
レーティング法、CVD法などの中から任意の方法を選
択して用いることができる。また、中間層の5ixNy
におけるx/y値は、蒸着原料の組成、雰囲気ガス中の
窒素の含有量、蒸着真空度、蒸着速度などを選択するこ
とにより制御することができる。
ては特に制限はなく、通常薄膜の形成に用いられている
方法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブ
レーティング法、CVD法などの中から任意の方法を選
択して用いることができる。また、中間層の5ixNy
におけるx/y値は、蒸着原料の組成、雰囲気ガス中の
窒素の含有量、蒸着真空度、蒸着速度などを選択するこ
とにより制御することができる。
発明の効果
本発明の多層状強磁性体は、鉄系材料から成る強磁性層
と特定組成のケイ素の窒化物から成る中間層とを、基板
上に交互に積層したものであって、高飽和磁束密度、高
透磁率及び低磁歪定数を有する上、軟磁気特性及び耐熱
安定性が良好であるなど、優れた特徴を有し、磁気ヘッ
ドの磁性膜なととして好適に用いられる。
と特定組成のケイ素の窒化物から成る中間層とを、基板
上に交互に積層したものであって、高飽和磁束密度、高
透磁率及び低磁歪定数を有する上、軟磁気特性及び耐熱
安定性が良好であるなど、優れた特徴を有し、磁気ヘッ
ドの磁性膜なととして好適に用いられる。
実施例
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
なお、得られた多層状強磁性体の透磁率、保磁力及び単
層膜の組成は次のようにして求めI;。
層膜の組成は次のようにして求めI;。
(1) 透磁率μiac
磁化困難軸方向に測定磁場が印加されるように、フエラ
イトコープを膜面に当て、インピーダンスアナライザを
用いて3 mOeの磁場及び測定周波数5Ml1zでイ
ンダクタンスを測定することにより求め を二。
イトコープを膜面に当て、インピーダンスアナライザを
用いて3 mOeの磁場及び測定周波数5Ml1zでイ
ンダクタンスを測定することにより求め を二。
(2)保磁力t(c(Oe)
薄膜ヒストロスコープを用いて測定した。
(3)単層膜組成
E P M A (Electron Probe M
icro−Analysis)法により求めた。
icro−Analysis)法により求めた。
実施例
ケイ素1.7重1%含有鉄−ケイ素合金ターゲットとS
i、N、ターゲットを用い、RFマグネトロンスパッタ
装置にて、3000e(エルステッド)の磁場中で交互
にスパッタリングを行い、基板上に、厚さ500人の鉄
−ケイ素磁性合金から成る磁性層と厚さ25人のSix
Nyから成る中間層が交互に15層積層された総膜厚約
0.8μmの多層膜を形成した。この際基板として板厚
1.1mmの結晶化ガラス(商品名7オトセラム)を用
いた。
i、N、ターゲットを用い、RFマグネトロンスパッタ
装置にて、3000e(エルステッド)の磁場中で交互
にスパッタリングを行い、基板上に、厚さ500人の鉄
−ケイ素磁性合金から成る磁性層と厚さ25人のSix
Nyから成る中間層が交互に15層積層された総膜厚約
0.8μmの多層膜を形成した。この際基板として板厚
1.1mmの結晶化ガラス(商品名7オトセラム)を用
いた。
また、スパッタリングの条件は、鉄−ケイ素合金層の形
成には、アルゴン圧15mTorr、 投入パワー3.
2 W/cm”、基板温度300°Cとし、SixNy
層の形成には種々の割合のアルゴンと窒素との混合ガス
を用い、圧15mTorr、投入パワー1.9 W7c
m”、基板温度300°Cとした。
成には、アルゴン圧15mTorr、 投入パワー3.
2 W/cm”、基板温度300°Cとし、SixNy
層の形成には種々の割合のアルゴンと窒素との混合ガス
を用い、圧15mTorr、投入パワー1.9 W7c
m”、基板温度300°Cとした。
なお、鉄−ケイ素磁性合金膜はアルゴンガス雰囲気下で
、SixNy膜はアルゴンと窒素との混合ガス雰囲気中
でそれぞれ作成した。
、SixNy膜はアルゴンと窒素との混合ガス雰囲気中
でそれぞれ作成した。
また、このようにして得られた多膜層におけるSixN
y層の組成を求めるために、別に、板厚1.]mmのバ
リウムホウケイ酸ガラス(商品名7059)上に、基板
温度を150°Cとした以外は前記と同じ条件で、厚さ
約1μmのSixNy膜を形成し、この膜の組成を求め
た。
y層の組成を求めるために、別に、板厚1.]mmのバ
リウムホウケイ酸ガラス(商品名7059)上に、基板
温度を150°Cとした以外は前記と同じ条件で、厚さ
約1μmのSixNy膜を形成し、この膜の組成を求め
た。
第1図に、混合ガス中の窒素の含有量(容量%)とSi
xNy層におけるx/y値との関係をグラフで示す。ま
た第2図にSixNy層におけるx/y値と多層膜の保
磁力[t(c(Oe)]との関係を、第3図にSixN
y層におけるx/y値と透磁率(μ1ac)との関係を
示す。
xNy層におけるx/y値との関係をグラフで示す。ま
た第2図にSixNy層におけるx/y値と多層膜の保
磁力[t(c(Oe)]との関係を、第3図にSixN
y層におけるx/y値と透磁率(μ1ac)との関係を
示す。
これらの図から、SixNy層におけるx/y値が0.
4〜1.1の範囲において良好な軟磁気特性(低保磁力
、高透磁率)を有することが分かる。
4〜1.1の範囲において良好な軟磁気特性(低保磁力
、高透磁率)を有することが分かる。
また、第4図、第5図は中間層S ioz及びSi3N
。
。
を用いたときの耐熱性を調べたグラフで、従来の5iO
zに対してSi3N、層を用いた多層膜は熱的に安定で
あることが分かる。
zに対してSi3N、層を用いた多層膜は熱的に安定で
あることが分かる。
第1図、第2図及び第3図は、それぞれ本発明の実施例
で作成された多層状強磁性体についての混合ガス中の窒
素含有量と、SixNy層におけるx/y値との関係を
示すグラフ、SixNy層におけるx/y値と保磁力と
の関係を示すグラフ及び同じく透磁率との関係を示すグ
ラフである。 第4図、第5図は、中間層に5ioz及びSiJ+を用
いたときの耐熱安定性を調べたグラフである。
で作成された多層状強磁性体についての混合ガス中の窒
素含有量と、SixNy層におけるx/y値との関係を
示すグラフ、SixNy層におけるx/y値と保磁力と
の関係を示すグラフ及び同じく透磁率との関係を示すグ
ラフである。 第4図、第5図は、中間層に5ioz及びSiJ+を用
いたときの耐熱安定性を調べたグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 基板上に、(A)鉄系強磁性層と(B)一般式Si
_xN_y(非平衡相も含む) (式中のx及びyは、式0.4≦x/y≦1.1の関係
を満たす数である) で表されるケイ素の窒化物から成る中間層とを交互に積
層したことを特徴とする多層状強磁性体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20150888A JPH0251205A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 多層状強磁性体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20150888A JPH0251205A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 多層状強磁性体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0251205A true JPH0251205A (ja) | 1990-02-21 |
Family
ID=16442212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20150888A Pending JPH0251205A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 多層状強磁性体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0251205A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0620836A (ja) * | 1991-10-18 | 1994-01-28 | Limes:Kk | 軟磁性多層膜の形成方法 |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP20150888A patent/JPH0251205A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0620836A (ja) * | 1991-10-18 | 1994-01-28 | Limes:Kk | 軟磁性多層膜の形成方法 |
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