JPH02269187A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents
強誘電性液晶組成物Info
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- JPH02269187A JPH02269187A JP1087970A JP8797089A JPH02269187A JP H02269187 A JPH02269187 A JP H02269187A JP 1087970 A JP1087970 A JP 1087970A JP 8797089 A JP8797089 A JP 8797089A JP H02269187 A JPH02269187 A JP H02269187A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気光学的表示材料として有用な新規液晶組成
物に関するもので、特に強誘電性を有する液晶材料を提
供するものであり、従来の液晶材料と比較して、特に応
答性、メモリー性にすぐれた液晶表示素子への利用可能
性を有する液晶材料を提供するものである。
物に関するもので、特に強誘電性を有する液晶材料を提
供するものであり、従来の液晶材料と比較して、特に応
答性、メモリー性にすぐれた液晶表示素子への利用可能
性を有する液晶材料を提供するものである。
現在、広く用いられている液晶表示素子は主にネマチッ
ク液晶を利用したTN型と呼ばれるものであって、多く
の長所・利点を有しているもののその応答性においては
、CRTなどの発光型の表示方式と比較すると、格段に
遅いという大きな欠点があった。TN型以外の液晶表示
方式も多く検討されているが、その応答性における改善
はなかなかなされていない。
ク液晶を利用したTN型と呼ばれるものであって、多く
の長所・利点を有しているもののその応答性においては
、CRTなどの発光型の表示方式と比較すると、格段に
遅いという大きな欠点があった。TN型以外の液晶表示
方式も多く検討されているが、その応答性における改善
はなかなかなされていない。
ところが、強誘電性スメクチック液晶を利用した液晶デ
バイスでは、従来のTN型液晶表示素子の100〜10
00倍の高速応答が可能で、かつ双安定性を有するため
、電源を切っても表示の記憶が得られる(メモリー効果
)ことが、最近明らかになった。このため、光シヤツタ
ーやプリンターヘッド、薄型テレビ等への利用可能性が
極めて大きく、現在、各方面で実用化に向けて開発研究
がなされている。
バイスでは、従来のTN型液晶表示素子の100〜10
00倍の高速応答が可能で、かつ双安定性を有するため
、電源を切っても表示の記憶が得られる(メモリー効果
)ことが、最近明らかになった。このため、光シヤツタ
ーやプリンターヘッド、薄型テレビ等への利用可能性が
極めて大きく、現在、各方面で実用化に向けて開発研究
がなされている。
強誘電性液晶は、液晶相としてはチルト系のキラルスメ
クチック相に属するものであるが、その中でも、実用的
に望ましいものは、最も粘度の低いキラルスメクチック
C(以下、SC“と省略する。)相と呼ばれるものであ
る。
クチック相に属するものであるが、その中でも、実用的
に望ましいものは、最も粘度の低いキラルスメクチック
C(以下、SC“と省略する。)相と呼ばれるものであ
る。
S01相を示す液晶化合物(以下、SC2化合物という
。)はこれまでにも検討されてきており、既に数多くの
化合物が合成されている。しかじながら、これらのSC
2化合物には単独では強誘電性液晶表示用光スイツチン
グ素子として用いるための以下の条件、即ち、 (イ)室温を含む広い温度範囲で強誘電性を示すこと (ロ)高温域において適当な相系列を有すること (ハ)特にキラルネマチック(以下、N“と省略する。
。)はこれまでにも検討されてきており、既に数多くの
化合物が合成されている。しかじながら、これらのSC
2化合物には単独では強誘電性液晶表示用光スイツチン
グ素子として用いるための以下の条件、即ち、 (イ)室温を含む広い温度範囲で強誘電性を示すこと (ロ)高温域において適当な相系列を有すること (ハ)特にキラルネマチック(以下、N“と省略する。
)相において長い螺旋ピッチを示すこと(ニ)適当なチ
ルト角を持つこと (ホ)粘性が小さいこと (へ)自発分極がある程度以上大きな値であること さらに (ト)(ロ)及び(ハ)の結果として良好な配向を示す
こと (チ)(ホ)及び(へ)の結果として、高速の応答性を
示すこと をすべて満足するようなものは知られていなかった。
ルト角を持つこと (ホ)粘性が小さいこと (へ)自発分極がある程度以上大きな値であること さらに (ト)(ロ)及び(ハ)の結果として良好な配向を示す
こと (チ)(ホ)及び(へ)の結果として、高速の応答性を
示すこと をすべて満足するようなものは知られていなかった。
そのため、現在では、SC”相を示す液晶組成物(以下
、S00液晶組成物という。)が検討用等に用いられて
いるのが、実情である。
、S00液晶組成物という。)が検討用等に用いられて
いるのが、実情である。
良好な配向性を得るためには、例えば、特開昭61−1
53623号公報等に示されているように、sc”相の
高温域にN1相を有する液晶において、N“相の螺旋ピ
ッチの長さを大きくする方法が一般的に有力である。こ
の場合にSC0相とN”相の中間の温度域にスメクチッ
クA(以下、SAと省略する。)相を有する場合に配向
はより良好となり、螺旋ピッチを大きくするには、左螺
旋を生じさせる光学活性物質と、右螺旋を生じさせる光
学活性化合物を組み合せて用いればよいことも知られて
いる。(ネマチック(以下、Nと省略する。)液晶に光
学活性物質を添加して生じる螺旋ピッチを任意の長さに
調整することは既に公知の技術である。ンしかし、これ
らの技術によっては良好な配向性は得られるものの、高
速応答性が得られるわけではなかった。
53623号公報等に示されているように、sc”相の
高温域にN1相を有する液晶において、N“相の螺旋ピ
ッチの長さを大きくする方法が一般的に有力である。こ
の場合にSC0相とN”相の中間の温度域にスメクチッ
クA(以下、SAと省略する。)相を有する場合に配向
はより良好となり、螺旋ピッチを大きくするには、左螺
旋を生じさせる光学活性物質と、右螺旋を生じさせる光
学活性化合物を組み合せて用いればよいことも知られて
いる。(ネマチック(以下、Nと省略する。)液晶に光
学活性物質を添加して生じる螺旋ピッチを任意の長さに
調整することは既に公知の技術である。ンしかし、これ
らの技術によっては良好な配向性は得られるものの、高
速応答性が得られるわけではなかった。
高速応答性を示すには、例えば、第12回液晶討論会に
おける特別講演(同討論会予稿集P、98)で示されて
いるように、低粘性のスメクチックC(以下、SCと省
略する。)相を示す母体の液晶組成物(以下、SC母体
液晶という。)に、自発分極(以下、Psと省略する。
おける特別講演(同討論会予稿集P、98)で示されて
いるように、低粘性のスメクチックC(以下、SCと省
略する。)相を示す母体の液晶組成物(以下、SC母体
液晶という。)に、自発分極(以下、Psと省略する。
)の大きいSC′″化合物を添加する方式が優れている
。この方式によれば、螺旋を生じさせる光学活性化合物
の割合が少なくなるため、螺旋ピッチは比較的長くなる
が、配向性が良好となるほど螺旋ピッチを長くしようと
すると光学活性化合物の添加量を少量にする必要があり
、そのため自発分極が小さくなりすぎ、高速応答性が得
られなくなってしまう問題点があった。
。この方式によれば、螺旋を生じさせる光学活性化合物
の割合が少なくなるため、螺旋ピッチは比較的長くなる
が、配向性が良好となるほど螺旋ピッチを長くしようと
すると光学活性化合物の添加量を少量にする必要があり
、そのため自発分極が小さくなりすぎ、高速応答性が得
られなくなってしまう問題点があった。
また、SC母体液晶としてこれまで用いられてきたもの
は、例えば、ジャパン・デイスプレィ°86講演予稿集
(352ページ〜)又は特開昭62−583号公報に記
載されている。
は、例えば、ジャパン・デイスプレィ°86講演予稿集
(352ページ〜)又は特開昭62−583号公報に記
載されている。
RO+000+OR′
(R,R’はアキラルなアルキル基を表わす。)(R,
R’は上記と同様。) の如く、化合物自身又はその同族体が、SC相を示すも
のに限られるか、又はそれに加えて分子長軸に対して垂
直方向に強いダイポール(分極)を示すような液晶化合
物を添加した組成物であり、SC相の温度範囲を広く保
つと粘性が大きくなり、粘性を小さくするとSC相の温
度範囲が狭くなるという問題点があった。
R’は上記と同様。) の如く、化合物自身又はその同族体が、SC相を示すも
のに限られるか、又はそれに加えて分子長軸に対して垂
直方向に強いダイポール(分極)を示すような液晶化合
物を添加した組成物であり、SC相の温度範囲を広く保
つと粘性が大きくなり、粘性を小さくするとSC相の温
度範囲が狭くなるという問題点があった。
従って、従来技術では良好な配向性と高速応答性を同時
に実現するのは困難なことであった。
に実現するのは困難なことであった。
本発明が解決しようとする課題は、高速応答性及び配向
性においてともに充分に満足できる強誘電性液晶組成物
を提供することにある。
性においてともに充分に満足できる強誘電性液晶組成物
を提供することにある。
本発明は上記課題を解決するために、中温域液晶、減粘
液晶及び高温液晶を含有し、スメクチックC相を示す液
晶組成物(以下、本発明で使用するSC母体液晶という
。)に、光学活性化合物から成るキラルドーバントを添
加して成る強誘電性液晶組成物であって、特に減粘液晶
が次の一般式(A)で表わされる化合物の少な(とも1
種を含有し、キラルドーパントが下記−硫酸CB)で表
わされる光学活性化合物を含有する、室温を含む広い温
度範囲でS01相を示す強誘電性液晶組成物を提供する
。
液晶及び高温液晶を含有し、スメクチックC相を示す液
晶組成物(以下、本発明で使用するSC母体液晶という
。)に、光学活性化合物から成るキラルドーバントを添
加して成る強誘電性液晶組成物であって、特に減粘液晶
が次の一般式(A)で表わされる化合物の少な(とも1
種を含有し、キラルドーパントが下記−硫酸CB)で表
わされる光学活性化合物を含有する、室温を含む広い温
度範囲でS01相を示す強誘電性液晶組成物を提供する
。
(式中、R′″及びRbは、各々独立的に炭素原子数1
〜18の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わすが、R
′″及びRbのうち、少なくとも一方が炭素原子数1〜
18の直鎖状のアルキル基を表わす。R1及びRhが各
々独立的に炭素原子数3〜12の直鎖状アルキル基であ
る場合が好ましい。
〜18の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わすが、R
′″及びRbのうち、少なくとも一方が炭素原子数1〜
18の直鎖状のアルキル基を表わす。R1及びRhが各
々独立的に炭素原子数3〜12の直鎖状アルキル基であ
る場合が好ましい。
を表わす。〕
Q”−Z−Q” ・−(8)
c式中、Q l *及びQ gllは互いに異なった光
学活性基であって、各光学活性基は少なくとも1個の不
斉炭素原子を有し、かつ、Q”及びQ10のうち少なく
とも1方の基は、不斉炭素原子が酸素、イオつ、窒素、
フッ素、塩素あるいは一〇−又は−CENと直結した構
造を有する。Zは一般式(式中、 舎 −(◇−及び−(り一 の環上の任意の1〜2個の水素原子がフッ素原子又はシ
アン基に置換した構造を表わすが、た、 環上の水素原子がフッ素原子又はシアノ基には各々独立
的に単結合、 COO− 0CO− CH2O− 0CR,− −C1,CI!− −C=C− COS 又は 5CO−を表わすが、 単結合、 COO− 0CO−−CH20−又は−0CI+2−である場合が
好ましく、m=1の場合には、Y′及びY2の内の少な
(とも一方が単結合であることが好ましい。)で表わさ
れる液晶性分子の中心骨格(コア)部分を表わす。〕 本発明で使用するSC母体液晶は、そのSC相の高温側
において、降温時に、 (イ)I(等方性液体)相→N相→SA相→SC相の相
系列を有するもの (ロ)■相→SA相→SC相の相系列を有するもの (ハ)I相→N相→SC相の相系列を有するもの 又は (ニ)■相→SC相の相系列を有するもののいずれかの
相系列を有するものが用いられるが、(イ)〜(ニ)ノ
選択は、同時に用いるキラルドーパントによって異なる
。最も繁用性のあるのは(イ)であり、キラルドーパン
トのネマチック性(SC母体液晶に添加した場合に、N
9相の温度範囲を広げ、SA相の温度範囲を狭くしやす
い傾向)が強い場合には(ロ)を、キラルドーパントの
スメクチックA性(SC母体液晶に添加した場合に、S
A相の温度範囲を広げ、N′″相の□温度範囲を狭くし
やすい傾向)が強い場合には(ハ)を、また、SC性が
弱く、N*相やSA相の温度範囲を広げやすい場合など
には(ニ)を用いるのが、最も適している。重要である
のはsc1液晶組成物とした場合の相系列であって、−
船釣には、I→N1→SA→SC1の相系列が配向性の
点で有利である。一方、■→N4→Sc0の相系列も配
向制御方法によっては、より良好な配向を示す場合もあ
り、また、大きなチルト角が得やすいので、ゲスト・ホ
スト方式などには適している。
学活性基であって、各光学活性基は少なくとも1個の不
斉炭素原子を有し、かつ、Q”及びQ10のうち少なく
とも1方の基は、不斉炭素原子が酸素、イオつ、窒素、
フッ素、塩素あるいは一〇−又は−CENと直結した構
造を有する。Zは一般式(式中、 舎 −(◇−及び−(り一 の環上の任意の1〜2個の水素原子がフッ素原子又はシ
アン基に置換した構造を表わすが、た、 環上の水素原子がフッ素原子又はシアノ基には各々独立
的に単結合、 COO− 0CO− CH2O− 0CR,− −C1,CI!− −C=C− COS 又は 5CO−を表わすが、 単結合、 COO− 0CO−−CH20−又は−0CI+2−である場合が
好ましく、m=1の場合には、Y′及びY2の内の少な
(とも一方が単結合であることが好ましい。)で表わさ
れる液晶性分子の中心骨格(コア)部分を表わす。〕 本発明で使用するSC母体液晶は、そのSC相の高温側
において、降温時に、 (イ)I(等方性液体)相→N相→SA相→SC相の相
系列を有するもの (ロ)■相→SA相→SC相の相系列を有するもの (ハ)I相→N相→SC相の相系列を有するもの 又は (ニ)■相→SC相の相系列を有するもののいずれかの
相系列を有するものが用いられるが、(イ)〜(ニ)ノ
選択は、同時に用いるキラルドーパントによって異なる
。最も繁用性のあるのは(イ)であり、キラルドーパン
トのネマチック性(SC母体液晶に添加した場合に、N
9相の温度範囲を広げ、SA相の温度範囲を狭くしやす
い傾向)が強い場合には(ロ)を、キラルドーパントの
スメクチックA性(SC母体液晶に添加した場合に、S
A相の温度範囲を広げ、N′″相の□温度範囲を狭くし
やすい傾向)が強い場合には(ハ)を、また、SC性が
弱く、N*相やSA相の温度範囲を広げやすい場合など
には(ニ)を用いるのが、最も適している。重要である
のはsc1液晶組成物とした場合の相系列であって、−
船釣には、I→N1→SA→SC1の相系列が配向性の
点で有利である。一方、■→N4→Sc0の相系列も配
向制御方法によっては、より良好な配向を示す場合もあ
り、また、大きなチルト角が得やすいので、ゲスト・ホ
スト方式などには適している。
本発明で使用するSC母体液晶は、従来用いられてきた
ようなSC相を示す化合物から成る組成物を用いること
もできるが、より高速応答性を得るためには、以下に示
すような組成物がより好ましい。
ようなSC相を示す化合物から成る組成物を用いること
もできるが、より高速応答性を得るためには、以下に示
すような組成物がより好ましい。
即ち、(I)2環構造であり、室温に近い温度でSC相
を示す化合物又はその同族体(アルキル鎖のみが異なる
化合物)から成る組成物(以下、中温域液晶という。)
に、 (■)2環構造であり、分子中に極性基が少なく、低粘
性の化合物(以下、減粘液晶という。)を加えて粘度を
低くし、 (I[[)減粘液晶を加えることによって低下したSC
相の上限温度を高くするために、Tc”点(SC相又は
S09相の上限温度を表わす。)が高く、3環以上の環
構造を有する化合物又はその同族体から成る組成物(以
下、高温液晶という。)を加えて成る組成物である。
を示す化合物又はその同族体(アルキル鎖のみが異なる
化合物)から成る組成物(以下、中温域液晶という。)
に、 (■)2環構造であり、分子中に極性基が少なく、低粘
性の化合物(以下、減粘液晶という。)を加えて粘度を
低くし、 (I[[)減粘液晶を加えることによって低下したSC
相の上限温度を高くするために、Tc”点(SC相又は
S09相の上限温度を表わす。)が高く、3環以上の環
構造を有する化合物又はその同族体から成る組成物(以
下、高温液晶という。)を加えて成る組成物である。
(I)中温域液晶
本発明で用いる中温域液晶とは、それを構成する液晶化
合物が、光学的に不活性であり、2環構造であって、S
C相を示す化合物又は、そのアルキル鎖の炭素原子数、
形状のみが異った同族体から成り、その同族体中の少な
くとも1種の化合物は10″C以上における任意の1°
C以上の温度中の範囲でモノドロピンクでもよいSC相
を示す化合物である。
合物が、光学的に不活性であり、2環構造であって、S
C相を示す化合物又は、そのアルキル鎖の炭素原子数、
形状のみが異った同族体から成り、その同族体中の少な
くとも1種の化合物は10″C以上における任意の1°
C以上の温度中の範囲でモノドロピンクでもよいSC相
を示す化合物である。
中温域液晶として用いられる化合物の代表的なものを以
下に掲げる。ただし、以下に示す一般式において、R,
、R2は各々独立的に炭素原子数1〜18のアルキル基
を表わす。
下に掲げる。ただし、以下に示す一般式において、R,
、R2は各々独立的に炭素原子数1〜18のアルキル基
を表わす。
(I−a)
(■
R10+トR2
(I
RIO−’Eベー@−0R2
(I
RI+¥01?。
N
R10(防でYF3
−N
(I−a
R10(叉で4oR。
−N
(I −a−38)
(■
a−39)
R,O潰H伽C0OR。
R,C00((防(奸COOR2
(1−b)
(1−b−31)
(1−b−32)
(1−b−33)
(I −b−34)
(1−b−35)
(1−b−36)
(1−b−37)
R,OCO畳coo(c児OR。
RIOCOO+C00((奈R2
R,0COO依))COO−@−R。
R10COO−@−COO−@)−OR2R,0COO
合coo(頌OR。
合coo(頌OR。
R,0COOよぎcoo合0R2
RIO((奈C00(ト0COORz
(1−c)
(I
c−22)
R,Coo畳COO+COOR2
(■
c−24)
RIOCO+C00極))COORZ
(I
R,O−4かCOO80R2
−N
(Lc
RICOO−@−Coo80RZ
口
(I −d)
以上の化合物のうち、中温域母体液晶としては、式(I
−a)及び式(1−b)で表わされる化合物が好ましく
、式(I−a−Ib式(I−a−2)、式(I−a−5
)、式(I−a−6)、式(I−a−41)、式(1−
a−42)及び式(Ib−1)で表わされる化合物が特
に好ましい。
−a)及び式(1−b)で表わされる化合物が好ましく
、式(I−a−Ib式(I−a−2)、式(I−a−5
)、式(I−a−6)、式(I−a−41)、式(1−
a−42)及び式(Ib−1)で表わされる化合物が特
に好ましい。
(II) 減粘液晶
本発明で用いる減粘液晶とは、低粘度の液晶化合物又は
組成物であって、構成する低粘度化合物は2環構造であ
って、両側鎖中のアルキル鎖の炭素原子数及びその形状
のみの異なった同族体においてもSC相を示さないが、
中温域液晶に添加することにより、応答性の向上に寄与
するものであり、両側鎖の少なくとも一方は、アルキル
基であり、特に望ましくは両側鎖がアルキル基である化
合物であって、分子内に含まれるエステル結合は1個以
下である。
組成物であって、構成する低粘度化合物は2環構造であ
って、両側鎖中のアルキル鎖の炭素原子数及びその形状
のみの異なった同族体においてもSC相を示さないが、
中温域液晶に添加することにより、応答性の向上に寄与
するものであり、両側鎖の少なくとも一方は、アルキル
基であり、特に望ましくは両側鎖がアルキル基である化
合物であって、分子内に含まれるエステル結合は1個以
下である。
本発明は、特に減粘液晶として前記−硫酸(Aで表わさ
れる化合物を含有することを特徴とするものである。
れる化合物を含有することを特徴とするものである。
一般式
で表わされる化合物の代表的なも
のと、
その相転移温度を第1表に掲げる。
第
■
表
第
■
表
(つづき)
上表において、Crは結晶相、SBはスメクチックB相
、Nはネマチック相、■は等方性液体相を各々表わす。
、Nはネマチック相、■は等方性液体相を各々表わす。
・はその相が存在することを、−はその相が存在しない
(又は確認できない)ことを表わし、・の右の数字はそ
の相からより高温域の相への転移温度を表わし、()内
はその相がモノトロピックであることを表わす。
(又は確認できない)ことを表わし、・の右の数字はそ
の相からより高温域の相への転移温度を表わし、()内
はその相がモノトロピックであることを表わす。
これらの化合物は、SB相又はN相を示すが、SC相を
示さない。
示さない。
一般にこのような相転移を示す液晶化合物をSC相を示
す液晶組成物に添加した場合、そのTc(SC相の上限
温度)を大きく降下させることが多い。しかるに本発明
の式(A)の化合物を添加した場合においては、高温液
晶を加えることにより、Tcの降下度を小さくし、しか
も組成物の粘度を低下させ、応答性を大きく向上させる
ことも可能である。
す液晶組成物に添加した場合、そのTc(SC相の上限
温度)を大きく降下させることが多い。しかるに本発明
の式(A)の化合物を添加した場合においては、高温液
晶を加えることにより、Tcの降下度を小さくし、しか
も組成物の粘度を低下させ、応答性を大きく向上させる
ことも可能である。
/
減粘液晶としては、下記−硫酸CD)で表わされる化合
物が、−硫酸(A)で表わされる化合物と併用して用い
ることもできる。
物が、−硫酸(A)で表わされる化合物と併用して用い
ることもできる。
Rt及びR”は各々独立的に炭素原子数1〜18の直鎖
状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシル基であって
少なくとも1方はアルキル基を表わすが、好ましくは炭
素原子数3〜12の直鎖状のアルギル基を表わし、 ■は−COO−−OCO−−CII□Q−−OCH,−
−CH,C11z−、−CEC−、−COS−、−5C
O−又は単結合を表わす。
状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシル基であって
少なくとも1方はアルキル基を表わすが、好ましくは炭
素原子数3〜12の直鎖状のアルギル基を表わし、 ■は−COO−−OCO−−CII□Q−−OCH,−
−CH,C11z−、−CEC−、−COS−、−5C
O−又は単結合を表わす。
(III) 高温液晶
本発明で用いる高温液晶とは、3環あるいは4環構造か
らなる光学的に不活性な化合物、あるいはそれから成る
組成物であって、各化合物は前記中温域液晶からなるS
C相の上限温度(以下、Tcと略称する。)が50〜6
0°Cの組成物に10%混合した際に、そのTcを3°
C以上上昇しうるちのであり、好ましくは、少なくとも
2環は芳香環(1,4−フェニレン、ピリミジン−2,
5−ジイル。
らなる光学的に不活性な化合物、あるいはそれから成る
組成物であって、各化合物は前記中温域液晶からなるS
C相の上限温度(以下、Tcと略称する。)が50〜6
0°Cの組成物に10%混合した際に、そのTcを3°
C以上上昇しうるちのであり、好ましくは、少なくとも
2環は芳香環(1,4−フェニレン、ピリミジン−2,
5−ジイル。
ピラジン−2,5−ジイル、ピリジン−2,5−ジイル
、あるいはそのフッ素置換体)であり、Tcが90°C
以上で、かつ、SC相の温度域が5°C以上の温度幅を
有する化合物、あるいは、その側鎖のアルキル基の炭素
原子数あるいはその形状が異った伺族体であることを特
徴とするものである。
、あるいはそのフッ素置換体)であり、Tcが90°C
以上で、かつ、SC相の温度域が5°C以上の温度幅を
有する化合物、あるいは、その側鎖のアルキル基の炭素
原子数あるいはその形状が異った伺族体であることを特
徴とするものである。
高温液晶として用いられる化合物の代表的なものを以下
に掲げる。ただし以下に示す一般式において、R1,R
tは各々独立的に炭素原子数1〜18のアルキル基を表
わす。
に掲げる。ただし以下に示す一般式において、R1,R
tは各々独立的に炭素原子数1〜18のアルキル基を表
わす。
(■
a)
(■
・・るd沢憂・・
(■
・・Φdト竪・・
(■
b)
(■
C)
(I[I−d)
(■
R,Oやに沢ΦR2
(■
R,oW面))R。
(■
RI07減亜0R2
(■
e)
(■
r)
(■
f
R1+■C00(シ0COR2
(■
R50(X■coo◎0COR。
<m−r
R,COO象〆停coo℃い2
(■
RICOO−@バ◇coo■0R2
(■
(沢◇coo−◎cooR2
(I[I−f
一@−COO迄+OR2
(■
g)
(■
h)
(■
i)
帽
j)
(■
k)
(III−j2)
以下に掲げる複素環を有する化合物も高温液晶として使
用することができる。また、以下に掲げる一般式で示さ
れる複素環を有する化合物におけるベンゼン環、シクロ
ヘキサン環にフッ素原子、塩素原子又はシアノ基が置換
した化合物も高温液晶として使用することができる。
用することができる。また、以下に掲げる一般式で示さ
れる複素環を有する化合物におけるベンゼン環、シクロ
ヘキサン環にフッ素原子、塩素原子又はシアノ基が置換
した化合物も高温液晶として使用することができる。
ン
/
(Hl−m)
(m−m−9)
(m −m−10)
(■−111)
(IILm−12)
(I[[−m−13)
(I[[−m−14)
(II[−m−15)
(III−n+−16)
R,0℃\頑coo()R。
R,0Φhンcoo()ORZ
R1■p)coo()ocoR。
R,Coo℃%NO>COO−@−R2R,−’C図陪
coo()Rt R1や図5’?COO−@−OR。
coo()Rt R1や図5’?COO−@−OR。
R,O<Hソ奔COO−@−R2
RIO<H図陪coo()OR2
(III−n+−41)
(III−m−42)
(m −m−43)
(I[[−a+−44)
(I[−m−45)
(u[−m−46)
(m−m−47)
(DI−m−48)
It、鞄g)coo−@−0COth
R,COO鞄ばDcoo()R。
Rdβ(羽C00(し2
R,(、+COO−@−OR。
R,OイR蔓−coo−@−1?2
R1O<]()]COO−@r−O
hR,N+COO−@−0COR−
R,COOイ9(防coo()R2
(DI−m−73)
(■〜ドア4)
(m −rs−75>
(■〜176)
(m−m−77)
(m −m−18>
(III −m−79)
(III −s+−80)
R,% coo(o) R2
R,$ coo(Q、> op2
R,o% cooユンR2
R,0% coo(Q−OR2
R1nC00(0”)OCOR−
R,COOや+ cooやンR2
R,!coo−(、Q)R。
RI(双7coo−<、cいR2
(■
n)
(n[−n−29)
(m−n−30)
R(\奔0CO()OCORz
R,coo+奔0CO(治2
(m −n−93)
(In−n−94)
(m−n−95)
(m−n−96)
(III −n−97)
(m−n−98)
(I[[−n−99)
(m −n−100)
RIO象x■0CO(防R2
R,O拶x■ocへ)OR。
R130CO−@−0COR2
RICOO$ OCへ)li!2
R,%OCO+R。
R,□ oco +OR。
h、o% oco 会1h
R,0−0バ■oco +OR2
(nI−o)
(■
Coo $ CHzO−@−RZ
(III−o−49)
(III −o−50)
(III −o−51)
(m−o−52)
(II[−o−53)
(III −o−54)
(II[−o−55)
(II[−o−56)
R1I層(9)CH20()Rz
R,−0次像CIIzO+ORz
RIO(べ灸CIItO合R2
R10(べ膀CH20(いR2
R,−”CべΦCH2O舎0COR。
R,coo(べ■cuzo()R2
H
抛X國 ()
R,CI□OR2
抛X灸 ()
R,CH□0 0R2
R
OnCH−0イ畿
R+ e CHzO◎R2
RI$CH2O◎OR2
R50eCH−OeR2
RIO$ CIIZO◎ORz
(III−p)
(■
R1拗挺”、’)−0CII□GocoIl。
(III−p
(■
p−11)
R,0や汀いC1l□■0R2
R1℃罵防OCI+4)OCOR2
(m −p−37)
(II[−p−38)
(III−p−39)
(m −p−40)
([1−p−41)
(m −p−42)
(III−p−43)
(III−p−44)
R,心、■DoCH−@−Rχ
R1ゆ、(へ)DOCH−GOR−
R,0(3)8■DOCH−@−R−
R,O心バ■OCH!■OR。
R,(3)N図DOCIfzD 0CORzR,COO
や、セ0CII祢DR− R9÷バ或oCHzD R2 R,÷バ(ハ)OCR1■OR。
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(I[−p
(■
R,O也バ僚0CHz合R2
R,O祖バ灸0CH2℃いR2
(III −p−101)
R1’30CH2+0CORz
(II[−p−102)
RICOO$ OCH礪トRz
(III−q)
(m−q−25)
(III −q−26)
(III −q−27)
(I[r −q−28)
(I[[−q−29)
(m−q−30)
RI W C11ZCH2()R2
R1(\p co−co2<防oRz
R1O% CH2CH撃DR−
R10(\)cHzcu2+0Rz
R1や4co2CH2()ocol?zRICOO−@
\E5’)−CIIzCH2()Rz(m −q−57
) (m −q−58) (m−q−59) (I[−q−60) (II −q−61) (I[I−q−62) (m−q−63) (I[[−q−64) ・喪H□□□ 畳 R,CH2CH2R2 ・蛮べ灸 () R,CH,CIi□ OR。
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喪バ■ (■
R,C1(□CHz 0CORzすX灸 で
) RICOOCH2CH2R2 H,イト()山C1l□Xφ>R2 R1祖H灸CtlzCHz舎01h R,O祖ぺ盛C)I2CHz+Rz R,O祖べ灸CI(ZCH;+ORz (III−q−96) R+COO+ CHzCIfzG Rt以上の化合物の
うち、式(I[[−a)、式(III −b)、式(I
II−c)、式(I[−f)、式(I[[−h)、式(
I[I−m) 、式(I[I−n)、式(If−o)及
び式(m−p)で表わされる化合物が特に好ましい。
) RICOOCH2CH2R2 H,イト()山C1l□Xφ>R2 R1祖H灸CtlzCHz舎01h R,O祖ぺ盛C)I2CHz+Rz R,O祖べ灸CI(ZCH;+ORz (III−q−96) R+COO+ CHzCIfzG Rt以上の化合物の
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II−c)、式(I[−f)、式(I[[−h)、式(
I[I−m) 、式(I[I−n)、式(If−o)及
び式(m−p)で表わされる化合物が特に好ましい。
中温域母体液晶の配合割合は、SC母体液晶の1〜90
重量%が好ましく、5〜75重量%が特に好ましい。減
粘液晶の配合割合は、SC母体液晶の1〜50重量%が
好ましく、5〜40重量%が特に好ましい、高温液晶の
配合割合は、SC母体液晶の1〜70重景%が好ましく
、5〜60重量%が特に好ましい。
重量%が好ましく、5〜75重量%が特に好ましい。減
粘液晶の配合割合は、SC母体液晶の1〜50重量%が
好ましく、5〜40重量%が特に好ましい、高温液晶の
配合割合は、SC母体液晶の1〜70重景%が好ましく
、5〜60重量%が特に好ましい。
減粘液晶中に、上記−硫酸(A)で表わされる化合物は
10重量%以上、特に50重量%以上含まれることが好
ましい。
10重量%以上、特に50重量%以上含まれることが好
ましい。
本発明で使用するキラルドーバントとしては、(1)S
C”相を示す化合物、(2)SC“相思外の液晶相のみ
を示す化合物又は(3)液晶性を全く示さない化合物を
用いることができるが、(3)の場合には、SC母体液
晶に添加して得られるS01液晶組成物の液晶性が低下
する傾向を防止するために、液晶類似の骨格を有する化
合物を用いることが好ましい。
C”相を示す化合物、(2)SC“相思外の液晶相のみ
を示す化合物又は(3)液晶性を全く示さない化合物を
用いることができるが、(3)の場合には、SC母体液
晶に添加して得られるS01液晶組成物の液晶性が低下
する傾向を防止するために、液晶類似の骨格を有する化
合物を用いることが好ましい。
キラルドーバントがSC″1液晶組成物にもたらす諸物
性のうち重要なものは、その誘起する螺旋ピッチ、自発
分極の向き及びその大きさであるが、これらはキラルド
ーバントを構成する各化合物の光学活性部位により最も
大きな影響を受ける。
性のうち重要なものは、その誘起する螺旋ピッチ、自発
分極の向き及びその大きさであるが、これらはキラルド
ーバントを構成する各化合物の光学活性部位により最も
大きな影響を受ける。
これまでキラルドーパント、SC“化合物又はネマチッ
ク液晶への添加剤として用いられてきた光学活性化合物
における光学活性基の代表的なものを以下に掲げる。
ク液晶への添加剤として用いられてきた光学活性化合物
における光学活性基の代表的なものを以下に掲げる。
(IV−1)
CH3
+ CHz +−rCHC211S
(IV−2)
1li
1・
一〇÷CHz+rCH
zHs
(■
CHl
−e−CHz)=0−(−CHz −+−r C1l
−czos(IV−4) 1b −OfCHzh−0+CHz÷ycH−cz++5(I
V−7) CH。
−czos(IV−4) 1b −OfCHzh−0+CHz÷ycH−cz++5(I
V−7) CH。
(−CHz+−CHR3
(■
CH。
1申
0+CH,−すrCH−R。
(IV−12)
CH2
−CHR4
(IV−13)
CH3
1・
−CHz−CHCL 0Rs
(IV−14)
Hff
CH−coz
Rs
CIl3
C1l CHzcHtcHz
CH。
(IV−16)
−0−CHzGHz
CIl−CH:+
(IV−18)
CH,C1+3
−O−CIZCI、−CI−CIl□CHzCII=C
CH3(IV−20) −0−CH2にCH−にH2l;H2Uth−t、、I
Iし113 (IV−21) CH3 −S + CL−)TCH(CHz+F−CH3(■ CH。
CH3(IV−20) −0−CH2にCH−にH2l;H2Uth−t、、I
Iし113 (IV−21) CH3 −S + CL−)TCH(CHz+F−CH3(■ CH。
0−CH
(tv −aF)
U L;H−CHz CHUNs(IV −4
11) L;tl t; U Hs(IV−53
) CH。
11) L;tl t; U Hs(IV−53
) CH。
1傘
−CH−0−R5
(IV−55)
OC11z CHRs
(IV−57)
1・
OCL CHRs
(IV−62)
h
OCHRs
(IV−64)
CH。
OCHz CHCHz 0Rs
(IV−66)
CH。
−O−(−CH、−)−C11(C1l□+TORs(
IV−67) −COOC1h CHU量1−しzhs(■ −CO0CHt CHRs (IV−70) CH1 1・ −OCHz CHCHz 0CORs(TV−71
) CI。
IV−67) −COOC1h CHU量1−しzhs(■ −CO0CHt CHRs (IV−70) CH1 1・ −OCHz CHCHz 0CORs(TV−71
) CI。
OCHCut OC0Rs
(IV−72)
CHz
1・
OCRGHz(CHzh「0CORs
(IV−73)
CHz
1・
OCHz−C)l (C8雪)rOcORs(IV−7
5) CH3 0CHz CH0Rs (■ CH。
5) CH3 0CHz CH0Rs (■ CH。
S CHRs
(IV−78)
tHs
1申
OCHz CI ORb
(IV−80)
−C00CII□−CH−R。
(rV−81)
CN
OCR1CHR5
CN
1・
Cl−R5
CH,CN
COOCH2CHRs
(■
CH,CN
OCHt CHRs
上記各−硫酸において、mは1〜4の整数を表わし、n
は1〜10の整数を表わし、R1は炭素原子数3〜8の
アルキル基を表わし、R4は炭素原子数2〜10のアル
キル基を表わし、R2は炭素原子数1〜10のアルキル
基を表わし、R&は炭素原子数1〜4のアルキル基を表
わす。
は1〜10の整数を表わし、R1は炭素原子数3〜8の
アルキル基を表わし、R4は炭素原子数2〜10のアル
キル基を表わし、R2は炭素原子数1〜10のアルキル
基を表わし、R&は炭素原子数1〜4のアルキル基を表
わす。
光学活性基として、式(IV−1)〜(rV−22)で
表わされる光学活性基のみを含有する光学活性化合物で
はSC母体液晶に添加してS08液晶組成物とした際に
誘起される自発分極は小さいものが多く、単独でSC*
相を示す場合でもそのほとんどが10nC/c+s”以
下にすぎない。
表わされる光学活性基のみを含有する光学活性化合物で
はSC母体液晶に添加してS08液晶組成物とした際に
誘起される自発分極は小さいものが多く、単独でSC*
相を示す場合でもそのほとんどが10nC/c+s”以
下にすぎない。
一方、光学活性基として、式(IV−31)〜(■91
)で表わされる光学活性基を含有する光学活性化合物は
、SC母体液晶に添加してSC“液r組成物とした際に
誘起する自発分極が大きいものが多く、単独でS00相
を示す場合などでは30(nC7cm”以上の大きな値
を示すものも存在する。
)で表わされる光学活性基を含有する光学活性化合物は
、SC母体液晶に添加してSC“液r組成物とした際に
誘起する自発分極が大きいものが多く、単独でS00相
を示す場合などでは30(nC7cm”以上の大きな値
を示すものも存在する。
このような光学活性基を末端に有するようなX学活性化
合物の基本骨格の代表的なものを以下C掲げる。
合物の基本骨格の代表的なものを以下C掲げる。
(V−18)
−< CHtCHt−0
(V−42)
召HOバ衿
(V−210)
−+ oCH,(8
(V−234)
召旨呼0C11□→)
(V −260)
−(、h・・・−〇
(V−446)
(泊込
(V
畳C00−C旨不
(V−448)
畳oco■込込
(V
(戸H,O祖凶入
(V−450)
合OCHg−C述t
(V
[相](ン込
(■
−@−COO赫
(V
鞄バ■ocoぺ内
(■
(ト(防山OJソ表
(■
鞄x)oCH,−Aス
(■
召H(9)coo赫
(V
如旨卆oco挾ス
(V
如4cH20糸人
(■
lバ)OOC11□赫
上記各基本骨格中のベンゼン環あるいはシクロヘキサン
環にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、メト
キシ基、シアノ基又はニトロ基が置換した各基本骨格も
使用できる。
環にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、メト
キシ基、シアノ基又はニトロ基が置換した各基本骨格も
使用できる。
以上のような基本骨格の片側もしくは両側に前記キラル
基が結合した光学活性化合物がキラルドーパントの構成
成分として有効に使用することができる。本発明におい
ては、特に両側に前記キラル基が結合した前記−硫酸(
B)で表わされる光学活性化合物を含有することを特徴
とする。
基が結合した光学活性化合物がキラルドーパントの構成
成分として有効に使用することができる。本発明におい
ては、特に両側に前記キラル基が結合した前記−硫酸(
B)で表わされる光学活性化合物を含有することを特徴
とする。
−硫酸(B)で表わされる光学活性化合物において、特
に、少なくとも一方の光学活性基は前記(IV−31)
〜(IV−91)で表わされる基のいずれかであること
が望ましい。
に、少なくとも一方の光学活性基は前記(IV−31)
〜(IV−91)で表わされる基のいずれかであること
が望ましい。
このように、基本骨格の両側に互いに異ったキラル基が
結合した光学活性化合物を用いることによる利点として
以下の点を挙げることができる。
結合した光学活性化合物を用いることによる利点として
以下の点を挙げることができる。
(1)片側にのみキラル基を有する化合物より強い自発
分極を示しうる。
分極を示しうる。
即ち、前記(IV−31)〜(■−91)で表わされる
基から選ばれるキラル基と(IV−1)〜(IV−22
)で表わされる基から選ばれるキラル基とを基本骨格の
両側に有する化合物と、同一の基本骨格でキラル基とし
ては(IV−31)〜(■91)で表わされる基から選
ばれる同一の基のみで他の側はアキラルな基である化合
物をそれぞれSC母体液晶に添加して、その外挿値とし
て自発分極を求めてみると、両側にキラル基を有する化
合物の方が10〜30nC/cm”あるいはそれ以上大
きい、(IV−1)〜(IV−22)で表わされる基に
由来する自発分極はたかだか10nC/cm2程度であ
るので、両側のキラル基による自発分極の単純和よりも
大きくなっていることがわかる。
基から選ばれるキラル基と(IV−1)〜(IV−22
)で表わされる基から選ばれるキラル基とを基本骨格の
両側に有する化合物と、同一の基本骨格でキラル基とし
ては(IV−31)〜(■91)で表わされる基から選
ばれる同一の基のみで他の側はアキラルな基である化合
物をそれぞれSC母体液晶に添加して、その外挿値とし
て自発分極を求めてみると、両側にキラル基を有する化
合物の方が10〜30nC/cm”あるいはそれ以上大
きい、(IV−1)〜(IV−22)で表わされる基に
由来する自発分極はたかだか10nC/cm2程度であ
るので、両側のキラル基による自発分極の単純和よりも
大きくなっていることがわかる。
さらに(TV−31)〜(rV−91)で表わされる基
から選ばれる基であって互いに異ったキラル基を上記基
本骨格の両側に有するような化合物では、両方のキラル
基による自発分極の極性(よく知られた強誘電性液晶で
ある(S)−2−メチルブチルb−デシルオキシベンジ
リデンアミノフェニルシンナメート(DOBAMBC)
の極性をeと決める。)を同一にあわせた場合には非常
に大きい自発分極を得ることができる。
から選ばれる基であって互いに異ったキラル基を上記基
本骨格の両側に有するような化合物では、両方のキラル
基による自発分極の極性(よく知られた強誘電性液晶で
ある(S)−2−メチルブチルb−デシルオキシベンジ
リデンアミノフェニルシンナメート(DOBAMBC)
の極性をeと決める。)を同一にあわせた場合には非常
に大きい自発分極を得ることができる。
この場合には両側のキラル基による自発分極の単純和よ
りもさらに100 nC7cm”あるいはそれ以上に大
きな自発分極を得ることもできる。
りもさらに100 nC7cm”あるいはそれ以上に大
きな自発分極を得ることもできる。
キラルドーパントとしてはその誘起しうる自発分極が大
きい程、その使用量が少なくてもすむので、低粘性のS
C母体液晶の割合を多くすることができ、その結果、s
c”液晶組成物の低粘度化が可能となる。結果として、
応答性の向上につながるものである。
きい程、その使用量が少なくてもすむので、低粘性のS
C母体液晶の割合を多くすることができ、その結果、s
c”液晶組成物の低粘度化が可能となる。結果として、
応答性の向上につながるものである。
(2) N”相あるいはSC“相に誘起する螺旋ピッ
チが非常に長い化合物、及び非常に短い化合物など、螺
旋ピッチを調整することが可能である。
チが非常に長い化合物、及び非常に短い化合物など、螺
旋ピッチを調整することが可能である。
前述のように良好な配向性を得るためには、そのN0相
あるいはS01相における螺旋ピッチが長いことが重要
である。キラルドーバントは全体として螺旋ピッチが調
整されていればよいのであって、個々の化合物について
は、必ずしもその必要はないが、キラルドーパントの主
成分としてはある程度螺旋ピッチが長い方が、その調整
が容易である。また、螺旋ピッチ調整を主目的として加
える化合物では、その螺旋ピッチが短い程、その添加量
を押えることができるので好都合である。
あるいはS01相における螺旋ピッチが長いことが重要
である。キラルドーバントは全体として螺旋ピッチが調
整されていればよいのであって、個々の化合物について
は、必ずしもその必要はないが、キラルドーパントの主
成分としてはある程度螺旋ピッチが長い方が、その調整
が容易である。また、螺旋ピッチ調整を主目的として加
える化合物では、その螺旋ピッチが短い程、その添加量
を押えることができるので好都合である。
螺旋ピッチを長くするには、両側のキラル基による螺旋
ピッチの向きが互いに相反すればよいが、(IV−31
)〜(IV−91)で表わされる基から選ばれる基を両
側に有する化合物では、その自発分極の極性は同一であ
ることが好ましい。
ピッチの向きが互いに相反すればよいが、(IV−31
)〜(IV−91)で表わされる基から選ばれる基を両
側に有する化合物では、その自発分極の極性は同一であ
ることが好ましい。
(3)大きな自発分極を示しうる特に(rV−31)〜
(TV−91)で表わされる基から選ばれるキラル基で
あって、不斉合成、光学分割等の化学的手法により得ら
れたものは、その光学純度は必ずしも100%ではない
ものが多いが、これらを100%に精製するのはかなり
困難である。しかしながら、天然物から得られた(S)
−2−メチルブタノール由来のキラル基、あるいは微生
物工学的手法で得られるような光学純度の極めて高いキ
ラル基と組み合わせれば、これらはジアステレオマーと
なるため、クロマトグラフィー、再結晶による分離が容
易となり光学純度を100%に近づけることができる。
(TV−91)で表わされる基から選ばれるキラル基で
あって、不斉合成、光学分割等の化学的手法により得ら
れたものは、その光学純度は必ずしも100%ではない
ものが多いが、これらを100%に精製するのはかなり
困難である。しかしながら、天然物から得られた(S)
−2−メチルブタノール由来のキラル基、あるいは微生
物工学的手法で得られるような光学純度の極めて高いキ
ラル基と組み合わせれば、これらはジアステレオマーと
なるため、クロマトグラフィー、再結晶による分離が容
易となり光学純度を100%に近づけることができる。
一般式(B)の化合物は、キラルドーバントの構成成分
として10%以上、好ましくは30%以上、特に好まし
くは50%以上用いるのが有効である。
として10%以上、好ましくは30%以上、特に好まし
くは50%以上用いるのが有効である。
一般式(B)の化合物中で、特に好ましい基本骨格とキ
ラル基の組み合せを有する化合物を以下に示す。
ラル基の組み合せを有する化合物を以下に示す。
上記−硫酸中、R4及びR、rは各々独立的に炭素原子
数2〜工0のアルキル基を表わし、R5及びR、rは各
々独立的に炭素原子数1〜10のアルキル基を表わし、
R7は炭素原子数2〜10の直鎖状のアルキル基又は炭
素原子数3〜10の分岐状のアルキル基、又は炭素原子
数4〜10の少なくとも1個の不斉炭素を含む光学的活
性なアルキル基を表わし、2はO〜5の整数を表わし、
Yは単結合、−o−、−oco−、−coo−、又は−
oco。
数2〜工0のアルキル基を表わし、R5及びR、rは各
々独立的に炭素原子数1〜10のアルキル基を表わし、
R7は炭素原子数2〜10の直鎖状のアルキル基又は炭
素原子数3〜10の分岐状のアルキル基、又は炭素原子
数4〜10の少なくとも1個の不斉炭素を含む光学的活
性なアルキル基を表わし、2はO〜5の整数を表わし、
Yは単結合、−o−、−oco−、−coo−、又は−
oco。
を表わし、Wは、塩素フッ素又は−o−C11,を表わ
し、Z′は、 C0O− −OCO−。
し、Z′は、 C0O− −OCO−。
CH,0゜
OCH□
又は単結合を
X+及びX4は各々独立的に水素原子、フン素原子又は
シアノ基を表わし、X2は水素原子又はX′を表わし、
X3は水素原子又はX4を表わす及びX4のうち少な(
とも一方は水素原子を表わす。
シアノ基を表わし、X2は水素原子又はX′を表わし、
X3は水素原子又はX4を表わす及びX4のうち少な(
とも一方は水素原子を表わす。
上記のキラルドーバントは、SC母体液晶中に1〜60
重景%の割合で添加してSC“液晶組成物として用いる
のが適当であるが、さらに好ましくは2〜50重景%の
割合で添加することが好ましい。キラルドーパントの添
加割合が60重景%より多いと、自発分極は増加するが
、キラルドーパント自体が母体液晶にくらべるとはるか
に粘性が大きいため、SC′″液晶組成物の粘度が太き
(なり、結果的に高速応答性に悪影響を与える傾向にあ
るので好ましくない。また、キラルドーバントの添加量
の増加はその螺旋ピッチを短くするために配向性にも悪
影響を与える傾向にあるので好ましくない。一方、キラ
ルドーパントの添加割合が1重量%より少ないと、自発
分極があまりに小さくなりやはり高速応答性は望めない
。
重景%の割合で添加してSC“液晶組成物として用いる
のが適当であるが、さらに好ましくは2〜50重景%の
割合で添加することが好ましい。キラルドーパントの添
加割合が60重景%より多いと、自発分極は増加するが
、キラルドーパント自体が母体液晶にくらべるとはるか
に粘性が大きいため、SC′″液晶組成物の粘度が太き
(なり、結果的に高速応答性に悪影響を与える傾向にあ
るので好ましくない。また、キラルドーバントの添加量
の増加はその螺旋ピッチを短くするために配向性にも悪
影響を与える傾向にあるので好ましくない。一方、キラ
ルドーパントの添加割合が1重量%より少ないと、自発
分極があまりに小さくなりやはり高速応答性は望めない
。
S00液晶組成物の自発分極の値は、3〜30nc/c
a+”の範囲にあるようにキラルドーパントの添加割合
を調整することが好ましく、SC“相を示すキラルドー
バントの場合、単独で100nC/aa”程度の自発分
極を示すか、又はそれに相当する強さの自発分極を誘起
するキラルドーパントの場合、キラルドーパントの添加
割合は10〜40重量%の範囲が好ましく ミ300
nC/ cm”以上の強い自発分極を示すキラルドーバ
ントの場合、キラルドーパントの添加割合は、2〜25
重量%の範囲が好ましい。キラルドーバントの誘起する
自発分極が強い程、その最も望ましい添加割合は減少す
るが、例示した光学活性化合物からなるキラルドーバン
トではその添加割合が1重量%を下回ることはない。
a+”の範囲にあるようにキラルドーパントの添加割合
を調整することが好ましく、SC“相を示すキラルドー
バントの場合、単独で100nC/aa”程度の自発分
極を示すか、又はそれに相当する強さの自発分極を誘起
するキラルドーパントの場合、キラルドーパントの添加
割合は10〜40重量%の範囲が好ましく ミ300
nC/ cm”以上の強い自発分極を示すキラルドーバ
ントの場合、キラルドーパントの添加割合は、2〜25
重量%の範囲が好ましい。キラルドーバントの誘起する
自発分極が強い程、その最も望ましい添加割合は減少す
るが、例示した光学活性化合物からなるキラルドーバン
トではその添加割合が1重量%を下回ることはない。
本発明のSC*液晶組成物は、等方性液体状態からの冷
却時においてN0相、次いでSA相を経てSC*相へと
相転移するが、その際N*相からSA相への相転移温度
(以下N”−3A点という、)から、該N”−3A点の
1度高温側までにおけるN”相に出現する螺旋のピッチ
が3μm以上であるSC“液晶組成物がより好ましく、
該螺旋のピッチが10μm以上であり、N“−3A点に
近づくにつれて該螺旋のピッチが発散的に大きくなるS
C8液晶組成物が特に好ましい。
却時においてN0相、次いでSA相を経てSC*相へと
相転移するが、その際N*相からSA相への相転移温度
(以下N”−3A点という、)から、該N”−3A点の
1度高温側までにおけるN”相に出現する螺旋のピッチ
が3μm以上であるSC“液晶組成物がより好ましく、
該螺旋のピッチが10μm以上であり、N“−3A点に
近づくにつれて該螺旋のピッチが発散的に大きくなるS
C8液晶組成物が特に好ましい。
−硫酸(B)の光学活性化合物のうち、両側のキラル基
RI”+RZ”によってN*相に誘起される螺旋の向き
が互いに逆であるような化合物では、その誘起する螺旋
ピッチはかなり長いため、このような化合物をキラルド
ーバントの主成分として用いる場合には、螺旋ピッチ調
整が不要であるか、あるいは容易であることが多いが、
−船釣には以下のようにして螺旋ピッチを長く調整する
ことができる。
RI”+RZ”によってN*相に誘起される螺旋の向き
が互いに逆であるような化合物では、その誘起する螺旋
ピッチはかなり長いため、このような化合物をキラルド
ーバントの主成分として用いる場合には、螺旋ピッチ調
整が不要であるか、あるいは容易であることが多いが、
−船釣には以下のようにして螺旋ピッチを長く調整する
ことができる。
複数の光学活性化合物を含むSC”液晶組成物のN“相
に出現する螺旋のピッチP(μm)は各光学活性物質の
濃度をC1、各単位濃度あたりの螺旋のピッチをPi
(μm)とするとおり、(ここでは螺旋のピッチは右
巻きを正、左巻きを負とする。)、これを用いてSC“
液晶組成物の5A−N”点T0におけるP’をP7五、
とする時、となるようにCiを選べばよい。ここでPi
はN相を有する該SC母体液晶に各光学活性化合物を単
位濃度添加することにより測定が可能である。
に出現する螺旋のピッチP(μm)は各光学活性物質の
濃度をC1、各単位濃度あたりの螺旋のピッチをPi
(μm)とするとおり、(ここでは螺旋のピッチは右
巻きを正、左巻きを負とする。)、これを用いてSC“
液晶組成物の5A−N”点T0におけるP’をP7五、
とする時、となるようにCiを選べばよい。ここでPi
はN相を有する該SC母体液晶に各光学活性化合物を単
位濃度添加することにより測定が可能である。
実際にはToは各Ciによって変化するが、各光学活性
化合物を該SC母体液晶中に、濃度ΣC4だけ添加した
ときの5A−N“点の変化などから、かなり正確に類推
できることが多く、推定値T0とそれを用いて選ばれた
組成物のToとが太き(異なる場合にはT0′に換えて
Toを用いて再度測定すればよい。
化合物を該SC母体液晶中に、濃度ΣC4だけ添加した
ときの5A−N“点の変化などから、かなり正確に類推
できることが多く、推定値T0とそれを用いて選ばれた
組成物のToとが太き(異なる場合にはT0′に換えて
Toを用いて再度測定すればよい。
本発明のS09液晶組成物のN′″相を示す温度範囲は
、3度以上30度未満の範囲が好ましい。
、3度以上30度未満の範囲が好ましい。
N1相を示す温度範囲が、3度未満である場合、降温時
にすみやかにSA相に相転移するため、N″相で液晶分
子を充分に配向しにくくなる傾向にあるので好ましくな
い。また、N1相を示す温度範囲が30度以上である場
合、SC*液晶組成物の透明点が高温になり、セルに液
晶材料を充填する工程等における作業性に悪影響を及ぼ
す傾向にあるので好ましくない。
にすみやかにSA相に相転移するため、N″相で液晶分
子を充分に配向しにくくなる傾向にあるので好ましくな
い。また、N1相を示す温度範囲が30度以上である場
合、SC*液晶組成物の透明点が高温になり、セルに液
晶材料を充填する工程等における作業性に悪影響を及ぼ
す傾向にあるので好ましくない。
キラルドーパントは、キラルドーバント自体の液晶性の
有無にかかわらず、SC母体液晶に添加した場合に、 (1) N’″相を示す温度範囲を拡大する傾向にあ
るもの、又は (2) N”相を示す温度範囲を縮小する傾向にある
もの など、それぞれ固有の性質を有している。本発明のS0
0液晶組成物のN“相を示す温度範囲を上記の好ましい
範囲に調整するためには、(1)の場合、N相を示す温
度範囲が狭いSC母体液晶、又は、N相を示さないSC
母体液晶を用いればよく、(2)の場合、N相を示す温
度範囲が広いSC母体液晶を用いればよい。この方法は
、N*相に限らず、SA相及びSC0相についても同様
に応用することができる。例えば、キラルドーバントが
SC1液晶組成物のSA相のみを拡大し、N1相及びS
C0相を縮小するような場合には、SC母体液晶として
、SC相の上限温度が高く、N相の温度範囲が広く、か
つ、SC相→N相→I相の相系列を有するもの、又はS
A相の温度範囲が狭<SC相→SA相→N相→■相の相
系列を有するものを用いればよい。
有無にかかわらず、SC母体液晶に添加した場合に、 (1) N’″相を示す温度範囲を拡大する傾向にあ
るもの、又は (2) N”相を示す温度範囲を縮小する傾向にある
もの など、それぞれ固有の性質を有している。本発明のS0
0液晶組成物のN“相を示す温度範囲を上記の好ましい
範囲に調整するためには、(1)の場合、N相を示す温
度範囲が狭いSC母体液晶、又は、N相を示さないSC
母体液晶を用いればよく、(2)の場合、N相を示す温
度範囲が広いSC母体液晶を用いればよい。この方法は
、N*相に限らず、SA相及びSC0相についても同様
に応用することができる。例えば、キラルドーバントが
SC1液晶組成物のSA相のみを拡大し、N1相及びS
C0相を縮小するような場合には、SC母体液晶として
、SC相の上限温度が高く、N相の温度範囲が広く、か
つ、SC相→N相→I相の相系列を有するもの、又はS
A相の温度範囲が狭<SC相→SA相→N相→■相の相
系列を有するものを用いればよい。
このようなキラルドーパントの傾向は、SC母体液晶に
一定量のキラルドーパントを添加して得られるSC1液
晶組成物の相転移温度の変化を測定することにより、容
易に知ることができる。この結果から、SC′″液晶組
成物における各相、特にN1相を示す温度範囲は容易に
調整することができる。
一定量のキラルドーパントを添加して得られるSC1液
晶組成物の相転移温度の変化を測定することにより、容
易に知ることができる。この結果から、SC′″液晶組
成物における各相、特にN1相を示す温度範囲は容易に
調整することができる。
本発明で使用するキラルドーパントとしては、一定量の
SC母体液晶に添加することによって、ある程度以上の
自発分極(以下、P、と省略する。)を誘起することが
必要である。
SC母体液晶に添加することによって、ある程度以上の
自発分極(以下、P、と省略する。)を誘起することが
必要である。
前述の如く、S09液晶組成物としては、そのP、の値
が、特に室温付近で3〜30nC/cn+”の範囲にな
るようにキラルドーバントの添加量を調整すればよい。
が、特に室温付近で3〜30nC/cn+”の範囲にな
るようにキラルドーバントの添加量を調整すればよい。
しかしながら、キラルドーバントが誘起するP3の値が
小さい場合には、その添加量がSC母体液晶に対して多
くなり、これに伴なってSC“液晶組成物の粘性が大き
くなり、その結果、高速応答性が得られなくなる傾向に
あるので好ましくない。従って、本発明で使用するキラ
ルドーパントとしては、SC母体液晶に10重量%添加
した場合に1. OnC/ cts”以上のP、を誘起
できるものが好ましく、5重量%添加した場合に0.5
nC/cm”以上のP、を誘起できるものが特に好まし
い。
小さい場合には、その添加量がSC母体液晶に対して多
くなり、これに伴なってSC“液晶組成物の粘性が大き
くなり、その結果、高速応答性が得られなくなる傾向に
あるので好ましくない。従って、本発明で使用するキラ
ルドーパントとしては、SC母体液晶に10重量%添加
した場合に1. OnC/ cts”以上のP、を誘起
できるものが好ましく、5重量%添加した場合に0.5
nC/cm”以上のP、を誘起できるものが特に好まし
い。
以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本
発明の主旨及び適用範囲は、これらの実施例によって限
定されるものではない。なお、実施例中、「%」は重量
%を表わす。また組成物の相転移温度の測定は、温度調
節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計(D
SC)を併用して行った。
発明の主旨及び適用範囲は、これらの実施例によって限
定されるものではない。なお、実施例中、「%」は重量
%を表わす。また組成物の相転移温度の測定は、温度調
節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計(D
SC)を併用して行った。
実施例I
SC母体液晶に添加してSC″′液晶組成物とした際に
、N“相に右巻きの螺旋を出現させる化合物として、式 (この化合物を以下に示したSC母体液晶に10%添加
した際にN1相に出現させる螺旋のピッチは60°Cに
おいて4.7μmである。)の化合物73%と、左巻き
の螺旋を出現させる化合物として、式、 (この化合物を以下に示したSC母体液晶に10%添加
した際にN*相に出現させる螺旋のピッチは60°Cに
おいて11.9μmである。)の化合物27%とを混合
して、N1相に出現させる螺旋のピッチが調整されたキ
ラルドーパントを調製した。
、N“相に右巻きの螺旋を出現させる化合物として、式 (この化合物を以下に示したSC母体液晶に10%添加
した際にN1相に出現させる螺旋のピッチは60°Cに
おいて4.7μmである。)の化合物73%と、左巻き
の螺旋を出現させる化合物として、式、 (この化合物を以下に示したSC母体液晶に10%添加
した際にN*相に出現させる螺旋のピッチは60°Cに
おいて11.9μmである。)の化合物27%とを混合
して、N1相に出現させる螺旋のピッチが調整されたキ
ラルドーパントを調製した。
このキラルドーパントを、以下に示したSC母体液晶に
10%添加して得たS04液晶組成物の25°Cにおけ
る自発分極の値は、5.5nC/cm2であった。
10%添加して得たS04液晶組成物の25°Cにおけ
る自発分極の値は、5.5nC/cm2であった。
なお、用いたSC母体液晶は前記−硫酸(1−a−1)
で表わされる化合物から 35% 30% からなる組成物(以下、母体液晶(A)という。)であ
り、57°C以下でSC相を、64.5°C以下でSA
相を、69°C以下でN相を各々示した。なお、60°
Cにおける螺旋ピッチの値は外挿的に求めた値である。
で表わされる化合物から 35% 30% からなる組成物(以下、母体液晶(A)という。)であ
り、57°C以下でSC相を、64.5°C以下でSA
相を、69°C以下でN相を各々示した。なお、60°
Cにおける螺旋ピッチの値は外挿的に求めた値である。
次に、この母体液晶(A)80%と、高温液晶として前
記−硫酸(I[I−a−1)で表わされる化合物から式 20%から成るSC相の温度範囲が拡大されたSC母体
液晶を調製した。(以下、母体液晶(B)という。) この母体液晶(B)は68.5°C以下でSC相を、7
3.5°C以下でSA相を、83.5°C以下でN相を
各々示し、その融点は13°Cであった。
記−硫酸(I[I−a−1)で表わされる化合物から式 20%から成るSC相の温度範囲が拡大されたSC母体
液晶を調製した。(以下、母体液晶(B)という。) この母体液晶(B)は68.5°C以下でSC相を、7
3.5°C以下でSA相を、83.5°C以下でN相を
各々示し、その融点は13°Cであった。
この母体液晶(B)74%と、減粘液晶として前記式(
II−19)の化合物10%及び、前記キラルドーパン
ト16%から成るSC“液晶組成物を調製した。
II−19)の化合物10%及び、前記キラルドーパン
ト16%から成るSC“液晶組成物を調製した。
このSC9液晶組成物は50°C以下でS09相を、6
7°C以下でSA相を、70.5°C・以下でN*相を
各々示し、それ以上の温度で、等方性液体(1)相とな
った。また、室温以下で長時間放置しても結晶化せず、
その融点は明確ではなかった。
7°C以下でSA相を、70.5°C・以下でN*相を
各々示し、それ以上の温度で、等方性液体(1)相とな
った。また、室温以下で長時間放置しても結晶化せず、
その融点は明確ではなかった。
このSC′″液晶組成物を、配向処理(ポリイミドコー
ティング−ラビング処理)を施した2枚のガラス透明電
極からなる厚さ約2μmのセルに充填し、I相から室温
まで徐冷を行ったところ、極めて良好な配向性を示し、
均一なモノドメインが得られた。
ティング−ラビング処理)を施した2枚のガラス透明電
極からなる厚さ約2μmのセルに充填し、I相から室温
まで徐冷を行ったところ、極めて良好な配向性を示し、
均一なモノドメインが得られた。
このセルに電界強度10VPイ/μm、50Hzの矩形
波を印加してその電気光学応答速度を測定したところ、
25°Cで79μ秒の高速応答性が確認された。
波を印加してその電気光学応答速度を測定したところ、
25°Cで79μ秒の高速応答性が確認された。
このときのチルト角は20.6°、自発分極は10、
OnC7cm”であり、コントラストは良好であった。
OnC7cm”であり、コントラストは良好であった。
比較例
実施例1において、減粘液晶を用いず、母体液晶(B)
84%と前記キラルドーパント16%から成るSC′″
液晶組成物を調製したところ、68℃までsc”相を、
70.5°CまでSA相を、76.5°CまでN1相を
示したが、25°Cにおける電気光学応答速度は99μ
秒であった。
84%と前記キラルドーパント16%から成るSC′″
液晶組成物を調製したところ、68℃までsc”相を、
70.5°CまでSA相を、76.5°CまでN1相を
示したが、25°Cにおける電気光学応答速度は99μ
秒であった。
本発明の強誘電性液晶組成物は、配向性及び高速応答性
に優れており、かつ、室温を含む広い温度範囲で作動が
可能な液晶材料である。
に優れており、かつ、室温を含む広い温度範囲で作動が
可能な液晶材料である。
従って、本発明の強誘電性液晶組成物は、強誘電性スメ
クチック液晶を利用した液晶デバイスの材料として極め
て有用である。
クチック液晶を利用した液晶デバイスの材料として極め
て有用である。
代
理
人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、中温域液晶、減粘液晶及び高温液晶を含有し、スメ
クチックC相を示す液晶組成物に、キラルドーパントを
添加して成る強誘電性液晶組成物であって、減粘液晶が
一般式(A) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^a及びR^bは各々独立的に炭素原子数1
〜18の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わすが、R
^a及びR^bのうち、少なくとも一方は炭素原子数1
〜18の直鎖状のアルキル基を表わし、▲数式、化学式
、表等があります▼はトランス−1,4−シクロヘキシ
レン基を表わす。) で表わされる化合物を含有し、キラルドーパントが一般
式(B) Q^1^*−Z−Q^2^* 〔式中、Q^1^*及びQ^2^*は互いに異なった光
学活性基であって、各光学活性基は少なくとも1個の不
斉炭素原子を有し、かつ、Q^1^*及びQ^2^*の
うち少なくとも1方の基は、不斉炭素原子が酸素、イオ
ウ、窒素、フッ素、塩素あるいは▲数式、化学式、表等
があります▼又は−C≡Nと直結した構造を有する。Z
は一般式(C) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、▲数式、化学式、表等があります▼及び▲数式
、化学式、表等があります▼ は各々独立的に▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼又はこれらの環上の
任意の1〜2個の水素原子がフッ素原子又はシアノ基に
置換した構造を表わし、Y^1及びY^2は各々独立的
に単結合、−COO−、−OCO−、−CH_2O−、
−OCH_2−、−CH_2CH_2−、−C≡C−、
−COS−又は−SCO−を表わし、mは0又は1を表
わす。) で表わされる液晶性分子の中心骨格(コア)部分を表わ
す。〕 で表わされる光学活性化合物を含有することを特徴とす
る、室温を含む広い温度範囲でキラルスメクチックC相
を示す強誘電性液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087970A JPH02269187A (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 強誘電性液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087970A JPH02269187A (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 強誘電性液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02269187A true JPH02269187A (ja) | 1990-11-02 |
Family
ID=13929705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1087970A Pending JPH02269187A (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 強誘電性液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02269187A (ja) |
-
1989
- 1989-04-10 JP JP1087970A patent/JPH02269187A/ja active Pending
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