JPH02270396A - コンデンサ内蔵多層セラミック基板の製造方法 - Google Patents
コンデンサ内蔵多層セラミック基板の製造方法Info
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- JPH02270396A JPH02270396A JP1092377A JP9237789A JPH02270396A JP H02270396 A JPH02270396 A JP H02270396A JP 1092377 A JP1092377 A JP 1092377A JP 9237789 A JP9237789 A JP 9237789A JP H02270396 A JPH02270396 A JP H02270396A
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
本発明は、コンデンサ内蔵多層セラミック基板の製造方
法に関し、特に、セラミックグリーンシートに誘電体ペ
ーストを塗工し、その上面に同組成のセラミックグリー
ンシートを圧着し、焼成するコンデンサ内蔵多層セラミ
ック基板の製造方法の改良に関するものである。
法に関し、特に、セラミックグリーンシートに誘電体ペ
ーストを塗工し、その上面に同組成のセラミックグリー
ンシートを圧着し、焼成するコンデンサ内蔵多層セラミ
ック基板の製造方法の改良に関するものである。
［従来の技術］
従来、コンデンサを内蔵するセラミック回路基板を同時
焼成によって製造する方法には、セラミックグリーンシ
ートに電極印刷したのち、コンデンサ形成部分に誘電体
ペーストを印刷し、その上に対向電極を印刷し、必要に
応じて、更に誘電体印刷と電極印刷を繰り返し、その後
別のセラミックグリーンシートを重ねて圧着し、一体焼
成してコンデンサを内蔵するセラミック基板を作製する
方法がある。
焼成によって製造する方法には、セラミックグリーンシ
ートに電極印刷したのち、コンデンサ形成部分に誘電体
ペーストを印刷し、その上に対向電極を印刷し、必要に
応じて、更に誘電体印刷と電極印刷を繰り返し、その後
別のセラミックグリーンシートを重ねて圧着し、一体焼
成してコンデンサを内蔵するセラミック基板を作製する
方法がある。
［発明か解決しようとする課題］
しかしながら、この方法の場合、第７図に示すように、
積層して一体焼成した回路基板ｌＯには、誘電体１１と
隣の誘電体１２との間に位置する回路基板１０の表面に
凹み１３が生じたり、第８図に示すように、誘電体１１
と隣の誘電体１２との間にボイド１４が生じたりする欠
点があった。
積層して一体焼成した回路基板ｌＯには、誘電体１１と
隣の誘電体１２との間に位置する回路基板１０の表面に
凹み１３が生じたり、第８図に示すように、誘電体１１
と隣の誘電体１２との間にボイド１４が生じたりする欠
点があった。
Ｅ問題点を解決するための手段］
本発明者らは、誘電体を印刷した部分、或は誘電体印刷
と電極印刷を繰り返し行なった部分の周囲に基板材料と
同じ材料の絶縁体ペーストを同一の厚さに印刷すること
により、基板の凹みやボイドの発生を防止することがで
きるとの知見を得て本発明を完成した。
と電極印刷を繰り返し行なった部分の周囲に基板材料と
同じ材料の絶縁体ペーストを同一の厚さに印刷すること
により、基板の凹みやボイドの発生を防止することがで
きるとの知見を得て本発明を完成した。
すなわち、本発明の要旨は、セラミックグリーンシート
に誘電体ペーストを塗工し、その上面に同組成のセラミ
ックグリーンシートを圧着し、焼成するコンデンサ内蔵
多層セラミック基板の製造５方法において、セラミック
グリーンシート上の誘電体ペースト塗工面以外の面部分
に絶縁体ペーストを誘電体ペーストの厚さと同じ厚さに
塗工したのち、セラミックグリーンシートを圧着し、焼
成することを特徴とするコンデンサ内蔵多層セラミック
基板の製造方法にある。
に誘電体ペーストを塗工し、その上面に同組成のセラミ
ックグリーンシートを圧着し、焼成するコンデンサ内蔵
多層セラミック基板の製造５方法において、セラミック
グリーンシート上の誘電体ペースト塗工面以外の面部分
に絶縁体ペーストを誘電体ペーストの厚さと同じ厚さに
塗工したのち、セラミックグリーンシートを圧着し、焼
成することを特徴とするコンデンサ内蔵多層セラミック
基板の製造方法にある。
本発明でグリーンシート材料に用いられるセラミックと
しては、グリーンシート多層積層法に用いられるもので
あれば任意のものが使用できるが、回路基板の焼成に際
して導体材料の選択幅があり、微細配線が可能な点から
、焼成温度が８００〜１０００℃の低ｆＡＭＡ結セラミ
ックス基板に用いられるものが好ましい。
しては、グリーンシート多層積層法に用いられるもので
あれば任意のものが使用できるが、回路基板の焼成に際
して導体材料の選択幅があり、微細配線が可能な点から
、焼成温度が８００〜１０００℃の低ｆＡＭＡ結セラミ
ックス基板に用いられるものが好ましい。
このような基板材料の絶縁体粉末としては、例えばＺｎ
Ｏ−Ｍｇ０−ＡｊｚＯｓ系粉末、５ｉＯａ−Ｂｉｎ３系
ガラス粉末とアルミナ粉末を所定割合で混合した粉末、
ＰｂＯ−５ｉＯ□−Ｂ＊０ｓ−ＣａＯ系ガラス粉末とア
ルミナ粉末を所定割合で混合した粉末、ＣａＱ−Ａｊａ
０３−５ｉＯａ−Ｂ２０３系ガラス粉末とアルミナ粉末
を所定割合で混合した粉末、ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ，−５ｌ
Ｏａ−ＢａＯａ系ガラス粉末とアルミナ粉末を所定割合
で混合した粉末。
Ｏ−Ｍｇ０−ＡｊｚＯｓ系粉末、５ｉＯａ−Ｂｉｎ３系
ガラス粉末とアルミナ粉末を所定割合で混合した粉末、
ＰｂＯ−５ｉＯ□−Ｂ＊０ｓ−ＣａＯ系ガラス粉末とア
ルミナ粉末を所定割合で混合した粉末、ＣａＱ−Ａｊａ
０３−５ｉＯａ−Ｂ２０３系ガラス粉末とアルミナ粉末
を所定割合で混合した粉末、ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ，−５ｌ
Ｏａ−ＢａＯａ系ガラス粉末とアルミナ粉末を所定割合
で混合した粉末。
Ｂａ５ｎ（ＳＯ，ｌ粉末等がアル。
誘電体としては特に限定はないが、クリーンシートの焼
成温度にほぼ合致した８００〜１０００℃で焼成できる
誘電体が好ましい。
成温度にほぼ合致した８００〜１０００℃で焼成できる
誘電体が好ましい。
本発明の方法において、コンデンサを形成する誘電体と
、その周囲を充填する絶縁体とはそれぞれ印刷される。
、その周囲を充填する絶縁体とはそれぞれ印刷される。
印刷は、通常のスクリーン印刷法が用いられる。
誘電体及び絶縁体の印刷膜厚は、印刷スクリーンのメツ
シュの選択、乳剤厚さの変更及びペーストの固形分量の
調節によって行なう。
シュの選択、乳剤厚さの変更及びペーストの固形分量の
調節によって行なう。
誘電体層とその周囲の絶縁体層とはその厚さをなるべく
同じにすることが好ましく、かつ、その境界のギャップ
は５０ｕｍ以下にすることが望ましい、ギヤ・ンプが大
きすぎるとギャップ間で導体の断線を生ずるおそれがあ
るからである。
同じにすることが好ましく、かつ、その境界のギャップ
は５０ｕｍ以下にすることが望ましい、ギヤ・ンプが大
きすぎるとギャップ間で導体の断線を生ずるおそれがあ
るからである。
単体コンデンサを形成せしめる場合は、通常グリーンシ
ート上に下部導体を印刷し、次いで誘電体、絶縁体、上
部導体の順で印刷を行なうのが。
ート上に下部導体を印刷し、次いで誘電体、絶縁体、上
部導体の順で印刷を行なうのが。
誘電体の厚み精度上好ましいが、更に好ましくは上部導
体は上部に積層されるグリーンシート上に印刷し、厚さ
を同じに印刷された誘電体及び絶縁体の上部に積層され
る。
体は上部に積層されるグリーンシート上に印刷し、厚さ
を同じに印刷された誘電体及び絶縁体の上部に積層され
る。
多層コンデンサを形成せしめる場合には、下部グリーン
シート上に導体、誘電体、絶縁体を印刷した上に、更に
導体、誘電体、絶縁体を印刷し、必要に応じてこれが繰
り返される。
シート上に導体、誘電体、絶縁体を印刷した上に、更に
導体、誘電体、絶縁体を印刷し、必要に応じてこれが繰
り返される。
下部導体から上部層へ配線を持っでいく場合には絶縁体
ペースト印刷部にスルーホールを設ける。スルーホール
は印刷乾燥後に打抜いてもよいし、また絶縁体ペースト
の印刷時に形成させることもできる。
ペースト印刷部にスルーホールを設ける。スルーホール
は印刷乾燥後に打抜いてもよいし、また絶縁体ペースト
の印刷時に形成させることもできる。
［実施例］
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
実施例１
セラミックグリーンシートはアルミナとホウ珪酸ガラス
を５０：５０ （重量比）で混ぜた粉末にバインダと溶
剤を加えてスラリーとし、塗工して作製した。
を５０：５０ （重量比）で混ぜた粉末にバインダと溶
剤を加えてスラリーとし、塗工して作製した。
誘電体ペーストは、Ｐｂ（Ｍｇ＋ｚ３Ｎｂａｚｉ）０３
−ＰｂＴｉＯ：＋〜ＰｂＯ誘電体粉末にビヒクルを加え
て作製した。
−ＰｂＴｉＯ：＋〜ＰｂＯ誘電体粉末にビヒクルを加え
て作製した。
絶縁体ペーストはアルミナとホウ珪酸ガラスを５０：５
０ （重量比）で混ぜた粉末にビヒクルを加えて作製し
た。
０ （重量比）で混ぜた粉末にビヒクルを加えて作製し
た。
導電体ペーストはＡｇ−Ｐｄｆ１５％）粉末にビヒクル
を加えたペーストを用いた。
を加えたペーストを用いた。
第１図〜第５図は本発明の回路基板の製造方法の実施例
における工程を示す。
における工程を示す。
第１図は誘電体層を形成する厚さ０．３ｍｍのセラミッ
クグリーンシートｌの上面図及び断面図を示し、その必
要箇所にスルーホール２を穿孔し、次いでスルーホール
２に導電体ペーストを充填した後乾燥し、更に配線用導
体３を印刷した６第２図で、第１図のグリーンシート上
にコンデンサ用電極４を、印刷乾燥後にその厚さが１０
μｍになるようにスクリーン印刷し、その上に誘電体ペ
ースト５を乾燥後の厚さが４０１１Ｉｎになるようにス
クリーン印刷した。
クグリーンシートｌの上面図及び断面図を示し、その必
要箇所にスルーホール２を穿孔し、次いでスルーホール
２に導電体ペーストを充填した後乾燥し、更に配線用導
体３を印刷した６第２図で、第１図のグリーンシート上
にコンデンサ用電極４を、印刷乾燥後にその厚さが１０
μｍになるようにスクリーン印刷し、その上に誘電体ペ
ースト５を乾燥後の厚さが４０１１Ｉｎになるようにス
クリーン印刷した。
第３図で、第３図の誘電体を印刷していない部分に絶縁
体ペースト６を乾燥後の厚さが５０μｍになるように印
刷した。
体ペースト６を乾燥後の厚さが５０μｍになるように印
刷した。
別に、第１図と同様の対向電極及び配線用導体を有する
グリーンシートｌ°を作製し、第４図に示すように第３
図のシート上に積層し、熱圧着させ、この圧着体を脱バ
インダした後、８５０℃で１０分間一体焼成して第５図
に示す断面のコンデンサ内蔵回路基板７を得た。
グリーンシートｌ°を作製し、第４図に示すように第３
図のシート上に積層し、熱圧着させ、この圧着体を脱バ
インダした後、８５０℃で１０分間一体焼成して第５図
に示す断面のコンデンサ内蔵回路基板７を得た。
実施例２
実施例１の第２図で、コンデンサ電極、誘電体及び絶縁
体を印刷する工程を繰り返し、得られた積層体にスルー
ホール穿孔して導電体ペーストにより各電極を接続させ
た後、グリーンシートを積層し、熱圧着し、脱バインダ
した後、８５０℃で１０分間一体焼成して、第６図に断
面図を示すような多層コンデンサを内蔵する回路基板８
を得た。
体を印刷する工程を繰り返し、得られた積層体にスルー
ホール穿孔して導電体ペーストにより各電極を接続させ
た後、グリーンシートを積層し、熱圧着し、脱バインダ
した後、８５０℃で１０分間一体焼成して、第６図に断
面図を示すような多層コンデンサを内蔵する回路基板８
を得た。
［発明の効果］
本発明はコンデンサ内蔵多層セラミック基板を製造する
に当たり、セラミックグリーンシート面に、誘電体ペー
スト及び該ペーストが塗工されない部分に絶縁体ペース
トをそれぞれ同一厚さに塗工し、次いで使のセラミック
グリーンシートを圧着し焼成するので、製造された多層
基板の各層には凹凸がない、したがって、従来の製法に
よる凹凸の多い多層基板に比して回路素子の搭載可能面
積が拡大され、実装密度を高めることができる。
に当たり、セラミックグリーンシート面に、誘電体ペー
スト及び該ペーストが塗工されない部分に絶縁体ペース
トをそれぞれ同一厚さに塗工し、次いで使のセラミック
グリーンシートを圧着し焼成するので、製造された多層
基板の各層には凹凸がない、したがって、従来の製法に
よる凹凸の多い多層基板に比して回路素子の搭載可能面
積が拡大され、実装密度を高めることができる。
第１図〜第５図は本発明の実施例のコンデンサ内蔵回路
基板の製造工程の説明図で、第６図は他の実施例で得ら
れた多層コンデンサを内蔵する回路基板の断面図である
。第７図及び第８図は従来法により得られた基板の断面
図である。 ■＝セラミックグリーンシート ２ スルーホール ３：配線用導体 ４ 電極 ５・誘電体ペースト ６：絶縁体ペースト ７．８二回路基板 出願人 日本セメント株式会社、 代理人 弁理士 厚 １）桂 一部 テ１５― 手続辛…正書（方式） 平成１年７月３１日
基板の製造工程の説明図で、第６図は他の実施例で得ら
れた多層コンデンサを内蔵する回路基板の断面図である
。第７図及び第８図は従来法により得られた基板の断面
図である。 ■＝セラミックグリーンシート ２ スルーホール ３：配線用導体 ４ 電極 ５・誘電体ペースト ６：絶縁体ペースト ７．８二回路基板 出願人 日本セメント株式会社、 代理人 弁理士 厚 １）桂 一部 テ１５― 手続辛…正書（方式） 平成１年７月３１日
Claims (1)
- （１）セラミックグリーンシート（１）に誘電体ペース
ト（５）を塗工し、その上面に同組成のセラミックグリ
ーンシート（１）を圧着し、焼成するコンデンサ内蔵多
層セラミック基板の製造方法において、セラミックグリ
ーンシート（１）上の誘電体ペースト塗工面以外の面部
分に絶縁体ペースト（６）を誘電体ペーストの厚さと同
じ厚さに塗工したのち、セラミックグリーンシート（１
）を圧着し、焼成することを特徴とするコンデンサ内蔵
多層セラミック基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1092377A JPH02270396A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | コンデンサ内蔵多層セラミック基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1092377A JPH02270396A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | コンデンサ内蔵多層セラミック基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02270396A true JPH02270396A (ja) | 1990-11-05 |
Family
ID=14052737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1092377A Pending JPH02270396A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | コンデンサ内蔵多層セラミック基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02270396A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5656113A (en) * | 1993-08-03 | 1997-08-12 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Method of manufacturing a multilayered wiring substrate of aluminum nitride having a high dielectric layer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0195591A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-13 | Murata Mfg Co Ltd | 多層セラミック基板の製造方法 |
-
1989
- 1989-04-11 JP JP1092377A patent/JPH02270396A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0195591A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-13 | Murata Mfg Co Ltd | 多層セラミック基板の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5656113A (en) * | 1993-08-03 | 1997-08-12 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Method of manufacturing a multilayered wiring substrate of aluminum nitride having a high dielectric layer |
| US5709928A (en) * | 1993-08-03 | 1998-01-20 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Multilayered wiring substrate of aluminum nitride having a high dielectric layer and method of manufacture thereof |
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