JPH1167574A - セラミック電子部品及びその製造方法 - Google Patents
セラミック電子部品及びその製造方法Info
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- JPH1167574A JPH1167574A JP9229924A JP22992497A JPH1167574A JP H1167574 A JPH1167574 A JP H1167574A JP 9229924 A JP9229924 A JP 9229924A JP 22992497 A JP22992497 A JP 22992497A JP H1167574 A JPH1167574 A JP H1167574A
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- glass
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 水分の浸透による絶縁不良の発生を低減する
とともに、クラック等の構造欠陥の発生を低減できるセ
ラミック電子部品を提供する。 【解決手段】 セラミックグリーンシートに導電性ペー
ストを印刷したものを積層し、裁断し、焼成して製造し
た誘電体層２と内部電極３からなる素体４に、ガラスペ
ーストを塗布し、乾燥させ、焼成することにより、素体
４の表面からガラス１１を浸透・拡散させた。これによ
り、素体４の表面付近の気孔１２にガラス１１が充填さ
れるので、空気中の水分が浸透せず、強度を増すことが
できる。
とともに、クラック等の構造欠陥の発生を低減できるセ
ラミック電子部品を提供する。 【解決手段】 セラミックグリーンシートに導電性ペー
ストを印刷したものを積層し、裁断し、焼成して製造し
た誘電体層２と内部電極３からなる素体４に、ガラスペ
ーストを塗布し、乾燥させ、焼成することにより、素体
４の表面からガラス１１を浸透・拡散させた。これによ
り、素体４の表面付近の気孔１２にガラス１１が充填さ
れるので、空気中の水分が浸透せず、強度を増すことが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層セラミックコ
ンデンサ等のセラミック電子部品及びその製造方法に関
するものである。
ンデンサ等のセラミック電子部品及びその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のセラミック電子部品の一例として
の積層セラミックコンデンサを図２を参照して説明す
る。図２は積層セラミックコンデンサの分解斜視図であ
る。
の積層セラミックコンデンサを図２を参照して説明す
る。図２は積層セラミックコンデンサの分解斜視図であ
る。
【０００３】図において、１０１は積層コンデンサで、
誘電体層１０２と内部電極１０３とを交互に積層してな
る素体１０４と、素体１０４の両端部において内部電極
を交互に並列に接続している一対の外部電極１０５とか
ら構成されている。
誘電体層１０２と内部電極１０３とを交互に積層してな
る素体１０４と、素体１０４の両端部において内部電極
を交互に並列に接続している一対の外部電極１０５とか
ら構成されている。
【０００４】内部電極１０３は、誘電体層１０２の中央
領域付近に設けられた内部電極片１０３ａと、外部電極
１０５に沿って外部電極１０５に接続した状態で設けら
れた内部電極引出部１０３ｂとからなり、内部電極片１
０３ａは内部電極引出部１０３ｂを介して外部電極１０
５に接続されている。
領域付近に設けられた内部電極片１０３ａと、外部電極
１０５に沿って外部電極１０５に接続した状態で設けら
れた内部電極引出部１０３ｂとからなり、内部電極片１
０３ａは内部電極引出部１０３ｂを介して外部電極１０
５に接続されている。
【０００５】誘電体層１０２は矩形のシート上のセラミ
ック焼結体からなり、セラミック焼結体は、例えばチタ
ン酸バリウム等を主成分とする誘電体磁器材料から形成
されている。内部電極１０３は金属ペーストを焼結させ
た金属薄膜からなり、金属ペーストとしては、例えばＰ
ｄやＡｇ−Ｐｄのような貴金属材料を主成分とするもの
が使用されている。外部電極１０５も内部電極１０３と
同様の材料により形成され、表面には半田濡れ性をよく
するために半田メッキが施されている。
ック焼結体からなり、セラミック焼結体は、例えばチタ
ン酸バリウム等を主成分とする誘電体磁器材料から形成
されている。内部電極１０３は金属ペーストを焼結させ
た金属薄膜からなり、金属ペーストとしては、例えばＰ
ｄやＡｇ−Ｐｄのような貴金属材料を主成分とするもの
が使用されている。外部電極１０５も内部電極１０３と
同様の材料により形成され、表面には半田濡れ性をよく
するために半田メッキが施されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の積層コンデンサ１０１においては、セラミック
焼結体からなる誘電体層１０２に微細な気孔が多数生じ
ることがあり、この気孔内に空気中の水分が浸透し内部
電極間の絶縁不良が生ずることがあった。また、焼成時
における内部電極１０３の膨張率は誘電体層１０２より
も大きいため、焼成後の誘電体層１０２には内部電極１
０３の応力によるクラック等の構造欠陥が生じることが
あった。
た従来の積層コンデンサ１０１においては、セラミック
焼結体からなる誘電体層１０２に微細な気孔が多数生じ
ることがあり、この気孔内に空気中の水分が浸透し内部
電極間の絶縁不良が生ずることがあった。また、焼成時
における内部電極１０３の膨張率は誘電体層１０２より
も大きいため、焼成後の誘電体層１０２には内部電極１
０３の応力によるクラック等の構造欠陥が生じることが
あった。
【０００７】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、水分
の浸透による絶縁不良の発生を低減するとともに、クラ
ック等の構造欠陥の発生を低減できるセラミック電子部
品を提供することにある。
の浸透による絶縁不良の発生を低減するとともに、クラ
ック等の構造欠陥の発生を低減できるセラミック電子部
品を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明は、導体パターンを内蔵するセラミ
ック焼結体表面に前記導体パターンと導通接続する端子
電極を付設したセラミック電子部品において、セラミッ
ク焼結体表面からガラスを浸透させてセラミック焼結体
表面におけるガラスの含有率が中心部よりも高くなって
いることを特徴とする。
に、請求項１の発明は、導体パターンを内蔵するセラミ
ック焼結体表面に前記導体パターンと導通接続する端子
電極を付設したセラミック電子部品において、セラミッ
ク焼結体表面からガラスを浸透させてセラミック焼結体
表面におけるガラスの含有率が中心部よりも高くなって
いることを特徴とする。
【０００９】この発明によれば、セラミック焼結体の表
面付近においてガラスの含有率が高くなっているので、
表面から空気中の水分が浸透することを防止することが
できる。
面付近においてガラスの含有率が高くなっているので、
表面から空気中の水分が浸透することを防止することが
できる。
【００１０】また、請求項２の発明は、導体パターンを
内蔵するセラミック焼結体表面に前記導体パターンと導
通接続する端子電極を付設したセラミック電子部品にお
いて、セラミック焼結体表面の少なくとも前記導体パタ
ーンが露出する部位からガラスを浸透させて導体パター
ン近傍におけるガラスの含有率が他の部分よりも高くな
っていることを特徴とする。
内蔵するセラミック焼結体表面に前記導体パターンと導
通接続する端子電極を付設したセラミック電子部品にお
いて、セラミック焼結体表面の少なくとも前記導体パタ
ーンが露出する部位からガラスを浸透させて導体パター
ン近傍におけるガラスの含有率が他の部分よりも高くな
っていることを特徴とする。
【００１１】この発明によれば、導体パターン近傍のセ
ラミック焼結体にガラスが高含有率で存在するため、こ
の部分の強度が増加され、セラミック焼結体に導体パタ
ーンからの応力による亀裂等が発生することを防止でき
る。
ラミック焼結体にガラスが高含有率で存在するため、こ
の部分の強度が増加され、セラミック焼結体に導体パタ
ーンからの応力による亀裂等が発生することを防止でき
る。
【００１２】さらに、請求項４の発明は、セラミック粉
末をバインダー溶液に混合してスラリーを生成し、この
スラリーからシート状のセラミックグリーンシートを生
成し、このセラミックグリーンシートと導体パターンを
交互に積層してなる積層体を焼結し、この焼結体の前記
導体パターンと導通接続する端子電極を形成してなるセ
ラミック電子部品の製造方法において、焼結後のセラミ
ック積層体表面にガラスペーストを塗布し、これを焼成
する工程を有することを特徴とする。
末をバインダー溶液に混合してスラリーを生成し、この
スラリーからシート状のセラミックグリーンシートを生
成し、このセラミックグリーンシートと導体パターンを
交互に積層してなる積層体を焼結し、この焼結体の前記
導体パターンと導通接続する端子電極を形成してなるセ
ラミック電子部品の製造方法において、焼結後のセラミ
ック積層体表面にガラスペーストを塗布し、これを焼成
する工程を有することを特徴とする。
【００１３】ここで、ガラスペーストとは、ガラス粉末
を、例えばトルエン等の分散媒に分散させて生成したペ
ースト状のものをいう。
を、例えばトルエン等の分散媒に分散させて生成したペ
ースト状のものをいう。
【００１４】この発明によれば、セラミック焼結体に点
在する微細な気孔にガラスペーストが浸透し充填される
ので、セラミック焼結体の表面においてガラスの含有率
が高いものとなる。このため、セラミック焼結体の表面
から空気中の水分が浸透することを防止することができ
る。
在する微細な気孔にガラスペーストが浸透し充填される
ので、セラミック焼結体の表面においてガラスの含有率
が高いものとなる。このため、セラミック焼結体の表面
から空気中の水分が浸透することを防止することができ
る。
【００１５】さらに、請求項５の発明は、セラミック粉
末をバインダー溶液に混合してスラリーを生成し、この
スラリーからシート状のセラミックグリーンシートを生
成し、このセラミックグリーンシートと導体パターンを
交互に積層してなる積層体を焼結し、この焼結体の前記
導体パターンと導通接続する端子電極を形成してなるセ
ラミック電子部品の製造方法において、セラミック積層
体を焼結した後に、このセラミック積層体をガラスを分
散させた懸濁液に浸漬し、このセラミック積層体を焼成
し、この後に端子電極を形成することを特徴とする。
末をバインダー溶液に混合してスラリーを生成し、この
スラリーからシート状のセラミックグリーンシートを生
成し、このセラミックグリーンシートと導体パターンを
交互に積層してなる積層体を焼結し、この焼結体の前記
導体パターンと導通接続する端子電極を形成してなるセ
ラミック電子部品の製造方法において、セラミック積層
体を焼結した後に、このセラミック積層体をガラスを分
散させた懸濁液に浸漬し、このセラミック積層体を焼成
し、この後に端子電極を形成することを特徴とする。
【００１６】この発明によれば、セラミック焼結体に点
在する微細な気孔にガラスペーストが浸透し充填される
ので、セラミック焼結体の表面においてガラスの含有率
が高いものとなる。また、端子電極と接続するために焼
結体表面に露出している導体パターンに沿って、ガラス
がセラミック焼結体内部に浸透するので、導体パターン
の近傍においてガラスの含有率が高いものとなる。この
ため、セラミック焼結体の表面から空気中の水分が浸透
することを防止することができる。また、導体パターン
近傍のセラミック焼結体にガラスが高含有率で存在する
ため、この部分の強度が増加され、セラミック焼結体に
導体パターンからの応力による亀裂等が発生することを
防止できる。
在する微細な気孔にガラスペーストが浸透し充填される
ので、セラミック焼結体の表面においてガラスの含有率
が高いものとなる。また、端子電極と接続するために焼
結体表面に露出している導体パターンに沿って、ガラス
がセラミック焼結体内部に浸透するので、導体パターン
の近傍においてガラスの含有率が高いものとなる。この
ため、セラミック焼結体の表面から空気中の水分が浸透
することを防止することができる。また、導体パターン
近傍のセラミック焼結体にガラスが高含有率で存在する
ため、この部分の強度が増加され、セラミック焼結体に
導体パターンからの応力による亀裂等が発生することを
防止できる。
【００１７】さらに、前記の発明において、ガラスとし
てＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＰｂＯのいずれか一つ
を主成分とすると、これらの発明を確実に実施すること
ができる。
てＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＰｂＯのいずれか一つ
を主成分とすると、これらの発明を確実に実施すること
ができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態にかか
る積層セラミックコンデンサについて図１を参照して説
明する。図１は、積層セラミックコンデンサの要部を示
す断面拡大図である。図において、１は積層セラミック
コンデンサであり、誘電体層２と内部電極３を交互に積
層してなる略直方体形状の素体４と、素体４の両端部に
おいて内部電極３を交互に並列に接続している一対の外
部電極５とからなる。
る積層セラミックコンデンサについて図１を参照して説
明する。図１は、積層セラミックコンデンサの要部を示
す断面拡大図である。図において、１は積層セラミック
コンデンサであり、誘電体層２と内部電極３を交互に積
層してなる略直方体形状の素体４と、素体４の両端部に
おいて内部電極３を交互に並列に接続している一対の外
部電極５とからなる。
【００１９】誘電体層２は、矩形のシート状のセラミッ
ク焼結体であり、その内部にガラス１１及び素体４を焼
成した時に形成された微細な気孔１２が点在している。
ここで、セラミック焼結体は、例えばチタン酸バリウム
を主成分とするセラミックグリーンシートを焼成して形
成した誘電体磁器材料からなる。また、ガラス１１は、
ＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＰｂＯのいずれか一つを
主成分としたものである。
ク焼結体であり、その内部にガラス１１及び素体４を焼
成した時に形成された微細な気孔１２が点在している。
ここで、セラミック焼結体は、例えばチタン酸バリウム
を主成分とするセラミックグリーンシートを焼成して形
成した誘電体磁器材料からなる。また、ガラス１１は、
ＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＰｂＯのいずれか一つを
主成分としたものである。
【００２０】素体４に点在するガラス１１及び気孔１２
は、ガラス１１及び気孔１２の平均径は約０．２μｍで
あり、外部電極５の形成部を除く素体４の表面において
ガラス１１の含有率が高く、この部位では気孔１２はほ
とんど存在しない。また、素体４の表面から中心部にか
けて、ガラス１１の含有率が漸減するとともに気孔１２
の含有率が高くなっており、中心部においてはガラス１
１はほとんど存在しない。尚、この素体４の全体に対し
てガラス１１及び気孔１２を合わせたものが占める割合
は、約２％である。また、ガラス１１が含まれている領
域１３は、素体４の表面から約２０．０μｍの深さであ
る。
は、ガラス１１及び気孔１２の平均径は約０．２μｍで
あり、外部電極５の形成部を除く素体４の表面において
ガラス１１の含有率が高く、この部位では気孔１２はほ
とんど存在しない。また、素体４の表面から中心部にか
けて、ガラス１１の含有率が漸減するとともに気孔１２
の含有率が高くなっており、中心部においてはガラス１
１はほとんど存在しない。尚、この素体４の全体に対し
てガラス１１及び気孔１２を合わせたものが占める割合
は、約２％である。また、ガラス１１が含まれている領
域１３は、素体４の表面から約２０．０μｍの深さであ
る。
【００２１】誘電体層２を介して隣り合う一対の内部電
極３のそれぞれは矩形になっており、内部電極３の長片
は外部電極５に対して略直角になっている。また、各内
部電極３の幅は各々等しく形成されている。この内部電
極３は、導電性ペーストの薄膜を焼結させた金属薄膜か
らなり、導電性ペーストとしては、例えばパラジウム粉
末を主成分とするものが使用される。
極３のそれぞれは矩形になっており、内部電極３の長片
は外部電極５に対して略直角になっている。また、各内
部電極３の幅は各々等しく形成されている。この内部電
極３は、導電性ペーストの薄膜を焼結させた金属薄膜か
らなり、導電性ペーストとしては、例えばパラジウム粉
末を主成分とするものが使用される。
【００２２】外部電極５は、素体４の両端面からこれに
隣接する側面に亘って形成され、素体４の端面に露出す
る内部電極２を交互に並列に接続している。この外部電
極５は内部電極３と同様の材料により形成され、表面に
は半田濡れ性を向上するために半田メッキが施されてい
る。
隣接する側面に亘って形成され、素体４の端面に露出す
る内部電極２を交互に並列に接続している。この外部電
極５は内部電極３と同様の材料により形成され、表面に
は半田濡れ性を向上するために半田メッキが施されてい
る。
【００２３】次に、この積層セラミックコンデンサ１の
製造方法について説明する。まず、誘電体の原料粉末に
有機バインダーを１５重量％付加し、さらに水５０重量
％を加え、これらをボールミルに入れて十分に混合し、
誘電磁器材料のスラリーを作成する。
製造方法について説明する。まず、誘電体の原料粉末に
有機バインダーを１５重量％付加し、さらに水５０重量
％を加え、これらをボールミルに入れて十分に混合し、
誘電磁器材料のスラリーを作成する。
【００２４】次いで、このスラリーを真空脱泡器に入れ
て脱泡した後、リバースロールコーターに入れ、ポリエ
ステルフィルム上にこのスラリーからなる薄膜を形成
し、この薄膜をポリエステルフィルム上で１００℃に加
熱して乾燥させ、これを打ち抜いて、１０ｃｍ角、厚さ
約２０μｍのセラミックグリーンシートを得る。
て脱泡した後、リバースロールコーターに入れ、ポリエ
ステルフィルム上にこのスラリーからなる薄膜を形成
し、この薄膜をポリエステルフィルム上で１００℃に加
熱して乾燥させ、これを打ち抜いて、１０ｃｍ角、厚さ
約２０μｍのセラミックグリーンシートを得る。
【００２５】一方、平均粒径が１．５μｍのパラジウム
粉末１０ｇと、エチルセルロース０．９ｇをプチルカル
ビトール９．１ｇに溶解させたものとを撹拌器に入れ、
１０時間撹拌することにより内部電極３に用いる導電性
ペーストを得る。
粉末１０ｇと、エチルセルロース０．９ｇをプチルカル
ビトール９．１ｇに溶解させたものとを撹拌器に入れ、
１０時間撹拌することにより内部電極３に用いる導電性
ペーストを得る。
【００２６】次に、前述した内部電極３のパターンを５
０個有するスクリーンを用いて、セラミックグリーンシ
ートの片面に導電性ペーストからなる内部電極のパター
ンを印刷し、これを乾燥させる。
０個有するスクリーンを用いて、セラミックグリーンシ
ートの片面に導電性ペーストからなる内部電極のパター
ンを印刷し、これを乾燥させる。
【００２７】次に、この印刷面を上にしてセラミックグ
リーンシートを複数枚積層し、さらにこの積層物の上下
両面に印刷の施されていないセラミックグリーンシート
を積層する。次いで、この積層物を約５０℃の温度で厚
さ方向に焼く４０トンの圧力を加えて圧着させる。この
後に、この積層物を格子状に裁断し、約５０個の積層チ
ップを得る。
リーンシートを複数枚積層し、さらにこの積層物の上下
両面に印刷の施されていないセラミックグリーンシート
を積層する。次いで、この積層物を約５０℃の温度で厚
さ方向に焼く４０トンの圧力を加えて圧着させる。この
後に、この積層物を格子状に裁断し、約５０個の積層チ
ップを得る。
【００２８】次いで、この積層チップを雰囲気焼成可能
な炉に入れ、大気中で６００℃まで加熱して、有機バイ
ンダーを焼成させ、その後、炉の雰囲気を大気中雰囲気
とし、積層体チップの加熱温度を６００℃から焼成温度
の１１５０℃（最高温度）を３時間保持する。この後、
１００℃／時の速度で６００℃まで降温し、室温まで冷
却して焼結体チップを得る。この工程により、有機バイ
ンダーが焼成されて焼結体チップ内に気孔１２が点在す
ることになる。
な炉に入れ、大気中で６００℃まで加熱して、有機バイ
ンダーを焼成させ、その後、炉の雰囲気を大気中雰囲気
とし、積層体チップの加熱温度を６００℃から焼成温度
の１１５０℃（最高温度）を３時間保持する。この後、
１００℃／時の速度で６００℃まで降温し、室温まで冷
却して焼結体チップを得る。この工程により、有機バイ
ンダーが焼成されて焼結体チップ内に気孔１２が点在す
ることになる。
【００２９】次に、内部電極が露出する焼結体チップの
端面に銀とガラスフリットとビヒクルからなる導電性ペ
ーストを塗布して乾燥させた後に、炉の雰囲気を酸化雰
囲気として約８００℃の温度で２０分間焼成して一対の
外部電極を形成する。
端面に銀とガラスフリットとビヒクルからなる導電性ペ
ーストを塗布して乾燥させた後に、炉の雰囲気を酸化雰
囲気として約８００℃の温度で２０分間焼成して一対の
外部電極を形成する。
【００３０】一方、平均粒径が０．５μｍの、Ｓｉ
Ｏ2，Ｂ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＰｂＯのいずれか一つを主成
分とするガラス粉末を、アクリル等の樹脂に分散させ、
溶剤により適当な粘度に調整したガラスペーストを作成
する。
Ｏ2，Ｂ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＰｂＯのいずれか一つを主成
分とするガラス粉末を、アクリル等の樹脂に分散させ、
溶剤により適当な粘度に調整したガラスペーストを作成
する。
【００３１】次に、前述した積層チップのうち外部電極
が形成されていない表面にガラスペーストを塗布し乾燥
させた後に、炉の雰囲気を大気中雰囲気として約６００
℃の温度で３０分間焼成させる。この工程により、積層
チップ表面よりガラスが積層チップ内に浸透・拡散し
て、焼結体チップに内在する気孔１２にガラスが充填さ
れる。
が形成されていない表面にガラスペーストを塗布し乾燥
させた後に、炉の雰囲気を大気中雰囲気として約６００
℃の温度で３０分間焼成させる。この工程により、積層
チップ表面よりガラスが積層チップ内に浸透・拡散し
て、焼結体チップに内在する気孔１２にガラスが充填さ
れる。
【００３２】最後に、一対の外部電極に銅を無電解メッ
キで被着させ、この上に電気メッキ法でＰｂ−Ｓｎ半田
層を設けて積層セラミックコンデンサが得られる。
キで被着させ、この上に電気メッキ法でＰｂ−Ｓｎ半田
層を設けて積層セラミックコンデンサが得られる。
【００３３】この積層セラミックコンデンサ１によれ
ば、セラミック焼結体である誘電体層２の表面付近にお
いてそのガラス１１の含有率が高くなっているので、表
面から空気中の水分が浸透することを防止することがで
きる。これにより、水分の浸透による絶縁不良や強度の
低下等を低減することができるので、信頼性・耐久性の
高いものとなる。
ば、セラミック焼結体である誘電体層２の表面付近にお
いてそのガラス１１の含有率が高くなっているので、表
面から空気中の水分が浸透することを防止することがで
きる。これにより、水分の浸透による絶縁不良や強度の
低下等を低減することができるので、信頼性・耐久性の
高いものとなる。
【００３４】次に、本発明の第２の実施の形態にかかる
積層セラミックコンデンサについて図２を参照して説明
する。図２は、積層セラミックコンデンサの要部を示す
断面拡大図である。本実施の形態の積層セラミックコン
デンサが第１の実施の形態にかかるものと相異する点
は、誘電体層におけるガラスの分布状態にあるのみなの
で、ここでは同一符号をもって説明する。
積層セラミックコンデンサについて図２を参照して説明
する。図２は、積層セラミックコンデンサの要部を示す
断面拡大図である。本実施の形態の積層セラミックコン
デンサが第１の実施の形態にかかるものと相異する点
は、誘電体層におけるガラスの分布状態にあるのみなの
で、ここでは同一符号をもって説明する。
【００３５】図において、２１は積層セラミックコンデ
ンサであり、誘電体層２と内部電極３を交互に積層して
なる略直方体形状の素体４と、素体４の両端部において
内部電極３を交互に並列に接続している一対の外部電極
５とからなる。
ンサであり、誘電体層２と内部電極３を交互に積層して
なる略直方体形状の素体４と、素体４の両端部において
内部電極３を交互に並列に接続している一対の外部電極
５とからなる。
【００３６】誘電体層２は、矩形のシート状のセラミッ
ク焼結体であり、その内部にガラス１１及び素体４を焼
成した時に形成された微細な気孔１２が点在している。
ここで、セラミック焼結体は、例えばチタン酸バリウム
を主成分とするセラミックグリーンシートを焼成して形
成した誘電体磁器材料からなる。また、ガラス１１は、
ＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＰｂＯのいずれか一つを
主成分としたものである。
ク焼結体であり、その内部にガラス１１及び素体４を焼
成した時に形成された微細な気孔１２が点在している。
ここで、セラミック焼結体は、例えばチタン酸バリウム
を主成分とするセラミックグリーンシートを焼成して形
成した誘電体磁器材料からなる。また、ガラス１１は、
ＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＰｂＯのいずれか一つを
主成分としたものである。
【００３７】素体４に点在するガラス１１及び気孔１２
は、ガラス１１及び気孔１２の平均径は約０．２μｍで
あり、素体４の表面においてガラス１１の含有率が高
く、この部位では気孔１２はほとんど存在しない。ま
た、素体４の表面から中心部にかけて、ガラス１１の含
有率が漸減するとともに気孔１２の含有率が高くなって
いる。さらに内部電極３の近傍において、ガラス１１の
含有率が高く、内部電極３から離れるほどガラス１１の
含有率は低くなっている。具体的には、ガラス１１が存
在する領域１３は、内部電極３に対して上下に約２．０
μｍの領域である。尚、この素体４の全体に対してガラ
ス１１及び気孔１２を合わせたものが占める割合は、約
２％である。
は、ガラス１１及び気孔１２の平均径は約０．２μｍで
あり、素体４の表面においてガラス１１の含有率が高
く、この部位では気孔１２はほとんど存在しない。ま
た、素体４の表面から中心部にかけて、ガラス１１の含
有率が漸減するとともに気孔１２の含有率が高くなって
いる。さらに内部電極３の近傍において、ガラス１１の
含有率が高く、内部電極３から離れるほどガラス１１の
含有率は低くなっている。具体的には、ガラス１１が存
在する領域１３は、内部電極３に対して上下に約２．０
μｍの領域である。尚、この素体４の全体に対してガラ
ス１１及び気孔１２を合わせたものが占める割合は、約
２％である。
【００３８】誘電体層２を介して隣り合う一対の内部電
極３のそれぞれは矩形になっており、内部電極３の長片
は外部電極５に対して略直角になっている。また、各内
部電極３の幅は各々等しく形成されている。この内部電
極３は、導電性ペーストの薄膜を焼結させた金属薄膜か
らなり、導電性ペーストとしては、例えばパラジウム粉
末を主成分とするものが使用される。
極３のそれぞれは矩形になっており、内部電極３の長片
は外部電極５に対して略直角になっている。また、各内
部電極３の幅は各々等しく形成されている。この内部電
極３は、導電性ペーストの薄膜を焼結させた金属薄膜か
らなり、導電性ペーストとしては、例えばパラジウム粉
末を主成分とするものが使用される。
【００３９】外部電極５は、素体４の両端面からこれに
隣接する側面に亘って形成され、素体４の端面に露出す
る内部電極２を交互に並列に接続している。この外部電
極５は内部電極３と同様の材料により形成され、表面に
は半田濡れ性を向上するために半田メッキが施されてい
る。
隣接する側面に亘って形成され、素体４の端面に露出す
る内部電極２を交互に並列に接続している。この外部電
極５は内部電極３と同様の材料により形成され、表面に
は半田濡れ性を向上するために半田メッキが施されてい
る。
【００４０】次に、この積層チップコンデンサ２１の製
造方法について説明する。まず、グリーンシートに導電
性ペーストを印刷したものを積層し、裁断し、焼成して
焼結体チップを得るが、この製造法については第１の実
施の形態と同様なので詳述は省略する。
造方法について説明する。まず、グリーンシートに導電
性ペーストを印刷したものを積層し、裁断し、焼成して
焼結体チップを得るが、この製造法については第１の実
施の形態と同様なので詳述は省略する。
【００４１】次に、平均粒径が０．５μｍの、Ｓｉ
Ｏ2，Ｂ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＰｂＯのいずれか一つを主成
分とするガラス粉末を、水或いはアルコール等に分散さ
せた懸濁液を生成する。
Ｏ2，Ｂ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＰｂＯのいずれか一つを主成
分とするガラス粉末を、水或いはアルコール等に分散さ
せた懸濁液を生成する。
【００４２】次に、前述した焼結体チップを、約１０分
の間この懸濁液中に浸浸させた後に、液中より取り出し
乾燥させる。次いで、この焼結体チップを炉の雰囲気を
大気中雰囲気として約８００℃の温度で３０分間焼成さ
せる。この工程により、焼結体チップ表面よりガラスが
積層チップ内に浸透・拡散する。また、焼結体チップ端
面に露出する内部電極と焼結体との境界部から内部電極
に沿ってガラスが浸透・拡散する。これにより、焼結体
チップに内在する気孔１２にガラスが充填される。
の間この懸濁液中に浸浸させた後に、液中より取り出し
乾燥させる。次いで、この焼結体チップを炉の雰囲気を
大気中雰囲気として約８００℃の温度で３０分間焼成さ
せる。この工程により、焼結体チップ表面よりガラスが
積層チップ内に浸透・拡散する。また、焼結体チップ端
面に露出する内部電極と焼結体との境界部から内部電極
に沿ってガラスが浸透・拡散する。これにより、焼結体
チップに内在する気孔１２にガラスが充填される。
【００４３】次に、内部電極が露出する焼結体チップの
端面に銀とガラスフリットとビヒクルからなる導電性ペ
ーストを塗布して乾燥させた後に、炉の雰囲気を酸化雰
囲気として約６００℃の温度で２０分間焼成して一対の
外部電極を形成する。 最後に、一対の外部電極に銅を
無電解メッキで被着させ、この上に電気メッキ法でＰｂ
−Ｓｎ半田層を設けて積層セラミックコンデンサが得ら
れる。
端面に銀とガラスフリットとビヒクルからなる導電性ペ
ーストを塗布して乾燥させた後に、炉の雰囲気を酸化雰
囲気として約６００℃の温度で２０分間焼成して一対の
外部電極を形成する。 最後に、一対の外部電極に銅を
無電解メッキで被着させ、この上に電気メッキ法でＰｂ
−Ｓｎ半田層を設けて積層セラミックコンデンサが得ら
れる。
【００４４】この積層コンデンサ２１によれば、セラミ
ック焼結体である誘電体層２の表面付近においてガラス
１１の含有率が高くなっているので、表面から空気中の
水分が浸透することを防止することができる。また、素
体４に表面に露出している内部電極３に沿って、ガラス
１１がセラミック焼結体である素体４の内部に浸透する
ので、内部電極３の近傍においてガラス１１の含有率が
高いものとなる。このため、素体４の表面から空気中の
水分が浸透することを防止することができる。また、内
部電極３近傍の素体４にガラス１１が高含有率で存在す
るため、この部分の強度が増加され、素体４に内部電極
３からの応力による亀裂等が発生することを防止でき
る。これにより、水分の浸透による絶縁不良や強度の低
下等を低減することができるので、信頼性・耐久性の高
いものとなる。
ック焼結体である誘電体層２の表面付近においてガラス
１１の含有率が高くなっているので、表面から空気中の
水分が浸透することを防止することができる。また、素
体４に表面に露出している内部電極３に沿って、ガラス
１１がセラミック焼結体である素体４の内部に浸透する
ので、内部電極３の近傍においてガラス１１の含有率が
高いものとなる。このため、素体４の表面から空気中の
水分が浸透することを防止することができる。また、内
部電極３近傍の素体４にガラス１１が高含有率で存在す
るため、この部分の強度が増加され、素体４に内部電極
３からの応力による亀裂等が発生することを防止でき
る。これにより、水分の浸透による絶縁不良や強度の低
下等を低減することができるので、信頼性・耐久性の高
いものとなる。
【００４５】以上、第１の実施の形態及び第２の実施の
形態ではセラミック電子部品として積層セラミックコン
デンサを例示したが、これに限らずセラミックインダク
タや、これらを組み合わせた積層セラミックフィルタ
や、コンデンサアレイ等であってもよい。
形態ではセラミック電子部品として積層セラミックコン
デンサを例示したが、これに限らずセラミックインダク
タや、これらを組み合わせた積層セラミックフィルタ
や、コンデンサアレイ等であってもよい。
【００４６】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１の発明に
よれば、セラミック焼結体の表面付近においてガラスの
含有率が高くなっているので、表面から空気中の水分が
浸透することを防止することができる。これにより、水
分の浸透による絶縁不良や強度の低下等を低減すること
ができるので、信頼性・耐久性の高いものとなる。
よれば、セラミック焼結体の表面付近においてガラスの
含有率が高くなっているので、表面から空気中の水分が
浸透することを防止することができる。これにより、水
分の浸透による絶縁不良や強度の低下等を低減すること
ができるので、信頼性・耐久性の高いものとなる。
【００４７】また、請求項２の発明によれば、導体パタ
ーン近傍のセラミック焼結体にガラスが高含有率で存在
するため、この部分の強度が増加され、セラミック焼結
体に導体パターンからの応力による亀裂等が発生するこ
とを防止できる。これにより、亀裂等からの水分の浸透
を防止することができるので、信頼性・耐久性の高いも
のとなる。
ーン近傍のセラミック焼結体にガラスが高含有率で存在
するため、この部分の強度が増加され、セラミック焼結
体に導体パターンからの応力による亀裂等が発生するこ
とを防止できる。これにより、亀裂等からの水分の浸透
を防止することができるので、信頼性・耐久性の高いも
のとなる。
【００４８】さらに、請求項４の発明によれば、セラミ
ック焼結体に点在する微細な気孔にガラスペーストが浸
透し充填されるので、セラミック焼結体の表面において
ガラスの含有率が高いものとなる。このため、セラミッ
ク焼結体の表面から空気中の水分が浸透することを防止
することができるので、信頼性・耐久性の高いものとな
る。
ック焼結体に点在する微細な気孔にガラスペーストが浸
透し充填されるので、セラミック焼結体の表面において
ガラスの含有率が高いものとなる。このため、セラミッ
ク焼結体の表面から空気中の水分が浸透することを防止
することができるので、信頼性・耐久性の高いものとな
る。
【００４９】さらに、請求項５の発明によれば、セラミ
ック焼結体に点在する微細な気孔にガラスペーストが浸
透し充填されるので、セラミック焼結体の表面において
ガラスの含有率が高いものとなる。また、端子電極と接
続するために焼結体表面に露出している導体パターンに
沿って、ガラスがセラミック焼結体内部に浸透するの
で、導体パターンの近傍においてガラスの含有率が高い
ものとなる。このため、セラミック焼結体の表面から空
気中の水分が浸透することを防止することができる。ま
た、導体パターン近傍のセラミック焼結体にガラスが高
含有率で存在するため、この部分の強度が増加され、セ
ラミック焼結体に導体パターンからの応力による亀裂等
が発生することを防止できる。従って、信頼性・耐久性
の高いものとなる。
ック焼結体に点在する微細な気孔にガラスペーストが浸
透し充填されるので、セラミック焼結体の表面において
ガラスの含有率が高いものとなる。また、端子電極と接
続するために焼結体表面に露出している導体パターンに
沿って、ガラスがセラミック焼結体内部に浸透するの
で、導体パターンの近傍においてガラスの含有率が高い
ものとなる。このため、セラミック焼結体の表面から空
気中の水分が浸透することを防止することができる。ま
た、導体パターン近傍のセラミック焼結体にガラスが高
含有率で存在するため、この部分の強度が増加され、セ
ラミック焼結体に導体パターンからの応力による亀裂等
が発生することを防止できる。従って、信頼性・耐久性
の高いものとなる。
【００５０】さらに、これらの発明において、ガラスと
してＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＰｂＯのいずれか一
つを主成分とすると、これらの発明を確実に実施するこ
とができる。
してＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＰｂＯのいずれか一
つを主成分とすると、これらの発明を確実に実施するこ
とができる。
【図１】一実施の形態にかかる積層セラミックコンデン
サの要部を示す断面拡大図
サの要部を示す断面拡大図
【図２】一実施の形態にかかる積層セラミックコンデン
サの要部を示す断面拡大図
サの要部を示す断面拡大図
【図３】従来の積層セラミックコンデンサの分解斜視図
１，２１…積層セラミックコンデンサ、２…誘電体層、
３…内部電極、４…素体、５…外部電極、１１…ガラ
ス、１２…気孔
３…内部電極、４…素体、５…外部電極、１１…ガラ
ス、１２…気孔
Claims (6)
- 【請求項１】 導体パターンを内蔵するセラミック焼結
体表面に前記導体パターンと導通接続する端子電極を付
設したセラミック電子部品において、 セラミック焼結体表面からガラスを浸透させてセラミッ
ク焼結体表面におけるガラスの含有率が中心部よりも高
くなっていることを特徴とするセラミック電子部品。 - 【請求項２】 導体パターンを内蔵するセラミック焼結
体表面に前記導体パターンと導通接続する端子電極を付
設したセラミック電子部品において、 セラミック焼結体表面の少なくとも前記導体パターンが
露出する部位からガラスを浸透させて導体パターン近傍
におけるガラスの含有率が他の部分よりも高くなってい
ることを特徴とするセラミック電子部品。 - 【請求項３】 前記ガラスは、ＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3，Ｂｉ2
Ｏ3，ＰｂＯのいずれか一つを主成分とすることを特徴
とする請求項１又は請求項２記載のセラミック電子部
品。 - 【請求項４】 セラミック粉末をバインダー溶液に混合
してスラリーを生成し、このスラリーからシート状のセ
ラミックグリーンシートを生成し、このセラミックグリ
ーンシートと導体パターンを交互に積層してなる積層体
を焼結し、この焼結体の前記導体パターンと導通接続す
る端子電極を形成してなるセラミック電子部品の製造方
法において、 焼結後のセラミック積層体表面にガラスペーストを塗布
し、これを焼成する工程を有することを特徴とするセラ
ミック電子部品の製造方法。 - 【請求項５】 セラミック粉末をバインダー溶液に混合
してスラリーを生成し、このスラリーからシート状のセ
ラミックグリーンシートを生成し、このセラミックグリ
ーンシートと導体パターンを交互に積層してなる積層体
を焼結し、この焼結体の前記導体パターンと導通接続す
る端子電極を形成してなるセラミック電子部品の製造方
法において、 セラミック積層体を焼結した後に、このセラミック積層
体をガラスを分散させた懸濁液に浸漬し、このセラミッ
ク積層体を焼成し、この後に端子電極を形成することを
特徴とするセラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項６】 前記ガラスは、ＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3，Ｂｉ2
Ｏ3，ＰｂＯのいずれか一つを主成分とすることを特徴
とする請求項４又は請求項５記載のセラミック電子部品
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9229924A JPH1167574A (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9229924A JPH1167574A (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167574A true JPH1167574A (ja) | 1999-03-09 |
Family
ID=16899880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9229924A Pending JPH1167574A (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1167574A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010245095A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Tdk Corp | セラミック積層電子部品およびその製造方法 |
| JP2017038036A (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
| US10658115B1 (en) * | 2018-11-22 | 2020-05-19 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Capacitor component and method for manufacturing the same |
| JP2023107723A (ja) * | 2022-01-24 | 2023-08-03 | サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層型電子部品 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS598323A (ja) * | 1982-07-05 | 1984-01-17 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
| JPS59141215A (ja) * | 1983-02-01 | 1984-08-13 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JPH043407A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Nippon Steel Corp | 電子部品ならびにその製造方法 |
-
1997
- 1997-08-26 JP JP9229924A patent/JPH1167574A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS598323A (ja) * | 1982-07-05 | 1984-01-17 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
| JPS59141215A (ja) * | 1983-02-01 | 1984-08-13 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JPH043407A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Nippon Steel Corp | 電子部品ならびにその製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010245095A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Tdk Corp | セラミック積層電子部品およびその製造方法 |
| JP2017038036A (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
| US10658115B1 (en) * | 2018-11-22 | 2020-05-19 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Capacitor component and method for manufacturing the same |
| CN111210992A (zh) * | 2018-11-22 | 2020-05-29 | 三星电机株式会社 | 电容器组件和用于制造电容器组件的方法 |
| US11062847B2 (en) | 2018-11-22 | 2021-07-13 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Capacitor component and method for manufacturing the same |
| CN111210992B (zh) * | 2018-11-22 | 2023-03-14 | 三星电机株式会社 | 电容器组件和用于制造电容器组件的方法 |
| JP2023107723A (ja) * | 2022-01-24 | 2023-08-03 | サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層型電子部品 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020129 |