JPH02272765A - 配列型赤外線検知器 - Google Patents
配列型赤外線検知器Info
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- JPH02272765A JPH02272765A JP1092913A JP9291389A JPH02272765A JP H02272765 A JPH02272765 A JP H02272765A JP 1092913 A JP1092913 A JP 1092913A JP 9291389 A JP9291389 A JP 9291389A JP H02272765 A JPH02272765 A JP H02272765A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 claims description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
＊発明は配列型赤外線検知器の村ＩＸ造に関し、ざらに
詳しくは素子間のクロストークか抑制された配列型赤外
線検知器に関する。
詳しくは素子間のクロストークか抑制された配列型赤外
線検知器に関する。
Ｕ従来の技術］
従来より、半導体を使用した赤外線検知器においては、
特にＨｇ１□ＣｄｘＴｅを用いたものか高感度であるこ
とが知られている。ＨＣｌ１−７ＣｄｘＴｅを用いた赤
外線検知器においては、Ｈｑｌ−ｘＣｄｘＴｅのホトダ
イオードを多数配列して、この出力をＣＯＤ （電荷結
合素子）やＭＯＳＦＥＴのスイッチアレイでオンチップ
処理した後に外部に読み出す方式の配列型赤外線検知器
が将来有望である。
特にＨｇ１□ＣｄｘＴｅを用いたものか高感度であるこ
とが知られている。ＨＣｌ１−７ＣｄｘＴｅを用いた赤
外線検知器においては、Ｈｑｌ−ｘＣｄｘＴｅのホトダ
イオードを多数配列して、この出力をＣＯＤ （電荷結
合素子）やＭＯＳＦＥＴのスイッチアレイでオンチップ
処理した後に外部に読み出す方式の配列型赤外線検知器
が将来有望である。
第２図は、プロシーディング・オブ・ニス・ピー・アイ
・イー（Ｓ、Ｐ、１．Ｅ）５１０巻、１２１頁（１９８
４年）に開示されている配列型赤外線検知器の部分断面
図である。同図において、１はＣＯＤやＭＯＳスイッチ
を含む３ｉのＩＣ１２は接着剤、３はｐ型ＨｇＯ，８ｃ
ｄｏ、２ Ｔｅ層、４はインジウム電極、５は表面保護
膜（ＺｎＳ、陽極’ｉｉｆ＋を化膜等）、６はホウ素（
Ｂ）等をｐ型Ｈｇ□、ＢＣｄ（、，２Ｔｅにイオン注入
することによって形成されたＨ ｇ□、Ｂ Ｃｄ（３２
Ｔ ｅの高濃度ｎ型層（ｎ 層）でおる。
・イー（Ｓ、Ｐ、１．Ｅ）５１０巻、１２１頁（１９８
４年）に開示されている配列型赤外線検知器の部分断面
図である。同図において、１はＣＯＤやＭＯＳスイッチ
を含む３ｉのＩＣ１２は接着剤、３はｐ型ＨｇＯ，８ｃ
ｄｏ、２ Ｔｅ層、４はインジウム電極、５は表面保護
膜（ＺｎＳ、陽極’ｉｉｆ＋を化膜等）、６はホウ素（
Ｂ）等をｐ型Ｈｇ□、ＢＣｄ（、，２Ｔｅにイオン注入
することによって形成されたＨ ｇ□、Ｂ Ｃｄ（３２
Ｔ ｅの高濃度ｎ型層（ｎ 層）でおる。
この例においては、各インジウム電）へ４の周囲に形成
されたｎ＋層６によりｎ ＋ ｐ接合を利用した個々の
ホトダイオードが形成されており、これが多数配列され
た配列型赤外線検知器となっている。この場合、各ホト
ダイオードからの出力はインジウム電極４を通して５ｉ
ＩＣ１に入力する。
されたｎ＋層６によりｎ ＋ ｐ接合を利用した個々の
ホトダイオードが形成されており、これが多数配列され
た配列型赤外線検知器となっている。この場合、各ホト
ダイオードからの出力はインジウム電極４を通して５ｉ
ＩＣ１に入力する。
信号となるべき赤外光７は、同図中で上側から入射する
。
。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、以上のような配列型赤外線検知器には以
下の欠点が存在する。
下の欠点が存在する。
配列型赤外線検知器においては、配列された各ホトダイ
オードが、これによって得られた画像の各画素に対応す
るので、各ホトダイオード間のクロストークは、各画素
の独立性を妨げ、解像度を劣化させる。
オードが、これによって得られた画像の各画素に対応す
るので、各ホトダイオード間のクロストークは、各画素
の独立性を妨げ、解像度を劣化させる。
即ら、第２図の検知器の場合、各ｎ 層６、あるいはそ
の極近傍に入射した赤外光は、この部分に電子・正孔対
を発生させ、これかｎ ｆｍ６とｐ型Ｈｇ□、３ Ｃ
ｄ□、２ Ｔｅ１Ｗ３との接合部に拡散されてホトダイ
オードの出力となる。一方、各−層（ホトダイオード）
６０間に入射した赤外光はやはりこの部分で電子・正孔
対を発生させるが、これは隣接する複数のｎ＋ｐ接合部
まで拡散する可能性がある。従って、この部分に入射し
た赤外光は複数のホトダイオードの出力となり、素子間
のクロス１〜−りが発生する。また、各ｎ 層６の極近
傍で発生した電子・正孔対も、ｐ型ト１ｇｏ、８Ｃｄｏ
、２ Ｔｅ１Ｗ３の拡散長が５０ＪＪＪｎ程度あるため
に、このｎ” １６の間隔がこれ以下になっている場合
には隣接したｎ ＋ ｐ接合まで拡散する可能性がおり
、やはりクロストークの原因になる。
の極近傍に入射した赤外光は、この部分に電子・正孔対
を発生させ、これかｎ ｆｍ６とｐ型Ｈｇ□、３ Ｃ
ｄ□、２ Ｔｅ１Ｗ３との接合部に拡散されてホトダイ
オードの出力となる。一方、各−層（ホトダイオード）
６０間に入射した赤外光はやはりこの部分で電子・正孔
対を発生させるが、これは隣接する複数のｎ＋ｐ接合部
まで拡散する可能性がある。従って、この部分に入射し
た赤外光は複数のホトダイオードの出力となり、素子間
のクロス１〜−りが発生する。また、各ｎ 層６の極近
傍で発生した電子・正孔対も、ｐ型ト１ｇｏ、８Ｃｄｏ
、２ Ｔｅ１Ｗ３の拡散長が５０ＪＪＪｎ程度あるため
に、このｎ” １６の間隔がこれ以下になっている場合
には隣接したｎ ＋ ｐ接合まで拡散する可能性がおり
、やはりクロストークの原因になる。
本発明の目的は、以上述べたような素子間のクロストー
クの発生を抑制し、優れた解像度を有する配列型赤外線
検知器を提供することにある。
クの発生を抑制し、優れた解像度を有する配列型赤外線
検知器を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、狭禁制帯幅の半導体上に、該半導体と反対導
電型の領域が配列して形成されてなる配列型赤外線検知
器において、各反対導電型の領域間に存在する狭禁制帯
幅の半導体上には陽極酸化膜が形成されていることを特
徴とする配列型赤外線検知器である。
電型の領域が配列して形成されてなる配列型赤外線検知
器において、各反対導電型の領域間に存在する狭禁制帯
幅の半導体上には陽極酸化膜が形成されていることを特
徴とする配列型赤外線検知器である。
［作用］
本発明の配列型赤外線検知器においては、配列された各
ホトダイオードの間の狭禁制帯幅の半導体上には陽極酸
化膜が形成されている。該半導体、例えばｐ型ＨＣｌ１
−ｘＣｄヶＴｅにおいては、その表面に陽極酸化膜が形
成された場合、その直下には反転層（ｎ層）が生じる。
ホトダイオードの間の狭禁制帯幅の半導体上には陽極酸
化膜が形成されている。該半導体、例えばｐ型ＨＣｌ１
−ｘＣｄヶＴｅにおいては、その表面に陽極酸化膜が形
成された場合、その直下には反転層（ｎ層）が生じる。
陽極酸化膜は赤外光に対して透明であり、この直下では
赤外光によって電子・正孔対が発生するが、これは反転
層下のｎｐ接合に拡散によって到達し、ホトダイオード
のｎ ＋ ｐ接合には到達しない。同様の理由で、隣の
ｎ＋ｐ接合の極近傍で発生した電子・正孔対がホトダイ
オードの出力に寄与することも抑制される。
赤外光によって電子・正孔対が発生するが、これは反転
層下のｎｐ接合に拡散によって到達し、ホトダイオード
のｎ ＋ ｐ接合には到達しない。同様の理由で、隣の
ｎ＋ｐ接合の極近傍で発生した電子・正孔対がホトダイ
オードの出力に寄与することも抑制される。
一方、ｎ層層の近傍には表面保護膜（ＺｎＳ、陽極硫化
膜等〉を形成することにより、ホトダイオード自身の感
度等の特性に、この陽極酸化膜が悪影響を及ぼづことは
ない。
膜等〉を形成することにより、ホトダイオード自身の感
度等の特性に、この陽極酸化膜が悪影響を及ぼづことは
ない。
以上のことにより、クロストークの原因となる電子・正
孔対は吸収され、素子間のクロストークが抑制される。
孔対は吸収され、素子間のクロストークが抑制される。
［実施例］
次に、本発明の一実施例について、図面を参照して説明
する。
する。
第１図は、本発明の配列型赤外線検知器の一実施例の部
分断面図である。図において、１はＳのＩＣ１２は接着
剤、３はｐ型Ｈｇ０．８ Ｃｄｏ、２Ｔｅ１３．４はイ
ンジウム電極、５は表面保護膜（ＺｎＳ、陽極硫化膜等
）、６はＨＱｏ、８、Ｃｄ□、２Ｔｅのｎ層層、８は陽
極酸化膜である。
分断面図である。図において、１はＳのＩＣ１２は接着
剤、３はｐ型Ｈｇ０．８ Ｃｄｏ、２Ｔｅ１３．４はイ
ンジウム電極、５は表面保護膜（ＺｎＳ、陽極硫化膜等
）、６はＨＱｏ、８、Ｃｄ□、２Ｔｅのｎ層層、８は陽
極酸化膜である。
本実施例においては、配列された各ｎ 層６の間におい
て、その表面には表面保護膜５が形成されておらず、そ
の代わりに陽極酸化膜８が形成されている領域がおるこ
とが特徴である。
て、その表面には表面保護膜５が形成されておらず、そ
の代わりに陽極酸化膜８が形成されている領域がおるこ
とが特徴である。
ｐ型Ｈｇｌ −ｘ Ｃｄ ｘＴ ｅにおいては、その陽
極酸化膜はエチレングリコール、水、水酸化カリウムよ
りなる溶液中での電気化学反応によって形成される。こ
の陽極酸化膜は、例えばソリッド・ステート・エレクト
ロニクス（Ｓｏｌ＋ｄ−３ｔａｔｅＥｌｅｃｔｒｏｎｉ
ｃｓ）第２２巻、８３１頁（１９７９年）に述ぺられて
いるように、正の固定電荷を持ち、ｐ型ト１ｇ１−、Ｃ
ｄｘＴｅ上に形成された場合には、その直下のｐ型Ｈｇ
１−、＜ ＣｄｘＴｅに反転層を形成する。従って、陽
極酸化膜はホトダイオードの表面保護膜には適さず、ホ
トダイオードの表面保護膜としては先に述べたようにＺ
ｎＳヤ陽４セ硫化膜といったものが用いられる。この実
施例では、この陽極酸化膜が各ｎ 層、すなわち、各ホ
トダイオードの間に形成されていることにより、この直
下のｐ型Ｈｇｏ、８Ｃｄ。、２Ｔｅの表面には反転層（
ｎ Ｆｔｉ ＞が形成されている。照射された赤外光に
よって生じた電子・正孔対はこの反転層で吸収され、ホ
トダイオードのｎｐ接合には到達しない。
極酸化膜はエチレングリコール、水、水酸化カリウムよ
りなる溶液中での電気化学反応によって形成される。こ
の陽極酸化膜は、例えばソリッド・ステート・エレクト
ロニクス（Ｓｏｌ＋ｄ−３ｔａｔｅＥｌｅｃｔｒｏｎｉ
ｃｓ）第２２巻、８３１頁（１９７９年）に述ぺられて
いるように、正の固定電荷を持ち、ｐ型ト１ｇ１−、Ｃ
ｄｘＴｅ上に形成された場合には、その直下のｐ型Ｈｇ
１−、＜ ＣｄｘＴｅに反転層を形成する。従って、陽
極酸化膜はホトダイオードの表面保護膜には適さず、ホ
トダイオードの表面保護膜としては先に述べたようにＺ
ｎＳヤ陽４セ硫化膜といったものが用いられる。この実
施例では、この陽極酸化膜が各ｎ 層、すなわち、各ホ
トダイオードの間に形成されていることにより、この直
下のｐ型Ｈｇｏ、８Ｃｄ。、２Ｔｅの表面には反転層（
ｎ Ｆｔｉ ＞が形成されている。照射された赤外光に
よって生じた電子・正孔対はこの反転層で吸収され、ホ
トダイオードのｎｐ接合には到達しない。
またｎ 層６近傍では表面保護膜、例えばｚｎｓ。
陽極硫化膜等が形成されており、ホトダイオード自身の
感度等の特性に上記陽極酸化膜８が悪影響を及ぼすこと
はない。
感度等の特性に上記陽極酸化膜８が悪影響を及ぼすこと
はない。
以上のようにして１ｑられだ配列型赤外線検知器は、素
子間のクロストークがなく、解像度の優れたものであっ
た。
子間のクロストークがなく、解像度の優れたものであっ
た。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の配列型赤外線検知器は素
子間のクロストークが抑制され、解像度の良好なもので
ある。
子間のクロストークが抑制され、解像度の良好なもので
ある。
第１図は本発明の配列型赤外線検知器の一実施例の部分
断面図、第２図は従来の配列型赤外線検知器の一例の部
分断面図である。 １・・・５ｉＩＣ ２・・・接着剤 ３−Ｉ）型Ｈｇ（３３Ｃｄ□、２ Ｔｅ１Ｗ４・・・イ
ンジウム電極 ５・・・表面保護膜 ６・・・ｎ 層 ７・・・赤外光 ８・・・陽極酸化膜
断面図、第２図は従来の配列型赤外線検知器の一例の部
分断面図である。 １・・・５ｉＩＣ ２・・・接着剤 ３−Ｉ）型Ｈｇ（３３Ｃｄ□、２ Ｔｅ１Ｗ４・・・イ
ンジウム電極 ５・・・表面保護膜 ６・・・ｎ 層 ７・・・赤外光 ８・・・陽極酸化膜
Claims (1)
- （１）狭禁制帯幅の半導体上に、該半導体と反対導電型
の領域が配列して形成されてなる配列型赤外線検知器に
おいて、各反対導電型の領域間に存在する狭禁制帯幅の
半導体上には陽極酸化膜が形成されていることを特徴と
する配列型赤外線検知器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1092913A JPH0828490B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 配列型赤外線検知器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1092913A JPH0828490B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 配列型赤外線検知器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02272765A true JPH02272765A (ja) | 1990-11-07 |
| JPH0828490B2 JPH0828490B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=14067726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1092913A Expired - Lifetime JPH0828490B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 配列型赤外線検知器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828490B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04192559A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Nec Corp | 配列型赤外線検知器及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5735381A (en) * | 1980-08-12 | 1982-02-25 | Fujitsu Ltd | Manufacture of ir detecting device |
| JPS5825262A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-02-15 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | 放射検出装置 |
| JPH02155269A (ja) * | 1988-12-07 | 1990-06-14 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知装置 |
-
1989
- 1989-04-14 JP JP1092913A patent/JPH0828490B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5735381A (en) * | 1980-08-12 | 1982-02-25 | Fujitsu Ltd | Manufacture of ir detecting device |
| JPS5825262A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-02-15 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | 放射検出装置 |
| JPH02155269A (ja) * | 1988-12-07 | 1990-06-14 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04192559A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Nec Corp | 配列型赤外線検知器及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0828490B2 (ja) | 1996-03-21 |
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