JPH02278749A - 画像表示装置およびその製造方法 - Google Patents
画像表示装置およびその製造方法Info
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- JPH02278749A JPH02278749A JP1098721A JP9872189A JPH02278749A JP H02278749 A JPH02278749 A JP H02278749A JP 1098721 A JP1098721 A JP 1098721A JP 9872189 A JP9872189 A JP 9872189A JP H02278749 A JPH02278749 A JP H02278749A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ワープロ、テレビジ３ン、各種コンピュータ
のデイスプレィとして用いることができる画像表示装置
およびその製造方法に関するものである。
のデイスプレィとして用いることができる画像表示装置
およびその製造方法に関するものである。
（従来の技術）
従来の画素電極層とスイッチング用の薄膜トランジスタ
を形成する多結晶シリコンとのコンタクＩ−の構造を説
明する。第３図に従来のコンタクト部の構造を示す。同
図において、１１は石英基板。
を形成する多結晶シリコンとのコンタクＩ−の構造を説
明する。第３図に従来のコンタクト部の構造を示す。同
図において、１１は石英基板。
１２は多結晶シリコンである。スイッチング用の薄膜１
〜ランジスタは、多結晶シリコン１２を用いて形成され
る。また、コンタクト部の多結晶シリコンは、ドーピン
グによりＮ型あるいはＰ型になっている。１３はＮ Ｓ
Ｇ （Ｎｏｎｄｏｐｅｄ−３ｉＬｉｃｏｎ−Ｇ］、ａ
ｓｓ）で、層間絶縁用である。１４はｐＨ−５ｉＮｘ（
１）で、ＩＴＯエツチングのときにＡＱ配線を保護する
役割をする。
〜ランジスタは、多結晶シリコン１２を用いて形成され
る。また、コンタクト部の多結晶シリコンは、ドーピン
グによりＮ型あるいはＰ型になっている。１３はＮ Ｓ
Ｇ （Ｎｏｎｄｏｐｅｄ−３ｉＬｉｃｏｎ−Ｇ］、ａ
ｓｓ）で、層間絶縁用である。１４はｐＨ−５ｉＮｘ（
１）で、ＩＴＯエツチングのときにＡＱ配線を保護する
役割をする。
１５はＡｔ）、 １６はＣｒ、１７は画素電極のＩＴＯ
であり、１８はパッシベーションのρＱ−３ｉＮ、 （
２）である。
であり、１８はパッシベーションのρＱ−３ｉＮ、 （
２）である。
（発明が解決しようとする課題）
上記従来のコンタクト部の構造では、透明画素電極のＩ
ＴＯと多結晶シリコンは直接コンタクトしておらず、間
にＡＱとＣｒが介在しており、コンタクト形成に必要な
工程数が多くなり、画像表示装置の製造において歩留り
を低下させ、原価も割高になる欠点があった。
ＴＯと多結晶シリコンは直接コンタクトしておらず、間
にＡＱとＣｒが介在しており、コンタクト形成に必要な
工程数が多くなり、画像表示装置の製造において歩留り
を低下させ、原価も割高になる欠点があった。
本発明の目的は、従来の欠点を解消し、簡易な構造で、
しかも製造工程数も少なくてすむ画像表示装置を提供す
ることである。
しかも製造工程数も少なくてすむ画像表示装置を提供す
ることである。
（課題を解決するための手段）
本発明の画像表示装置は１石英基板上に堆積された多結
晶シリコンと画素電極層との間には穴のあいている種類
の異なる二層の絶縁層があり、穴の領域で多結晶シリコ
ンと画素電極層とは直接接触しており、穴は上層に行く
にしたがって急激に大きくなっているものである。
晶シリコンと画素電極層との間には穴のあいている種類
の異なる二層の絶縁層があり、穴の領域で多結晶シリコ
ンと画素電極層とは直接接触しており、穴は上層に行く
にしたがって急激に大きくなっているものである。
またその製造方法は１石英基板上の多結晶シリコン上に
堆積した二層の絶縁層にエツチングによって多結晶シリ
コンに達する穴を形成するとき。
堆積した二層の絶縁層にエツチングによって多結晶シリ
コンに達する穴を形成するとき。
上層の絶縁層のサイドエツチングを利用して穴の側壁が
なだらかな傾斜状となり、その上に画素電極層を堆積す
る工程を含むものである。
なだらかな傾斜状となり、その上に画素電極層を堆積す
る工程を含むものである。
（作 用）
本発明の構造およびコンタクト穴の形成方法により、Ｃ
ｒ層を形成するプロセスをなくすることができ、従来に
比ベプロセス工程を簡単化でき、多結晶シリコンとＩＴ
Ｏのコンタクトを確実に形成でき、その結果として、装
置の製造歩留りを向上することができ、さらに原価を低
減することができる。
ｒ層を形成するプロセスをなくすることができ、従来に
比ベプロセス工程を簡単化でき、多結晶シリコンとＩＴ
Ｏのコンタクトを確実に形成でき、その結果として、装
置の製造歩留りを向上することができ、さらに原価を低
減することができる。
（実施例）
本発明の一実施例を第１図および第２図に基づいて説明
する。
する。
第１図は、本発明の画素電極層と薄膜トランジスタ形成
層のコンタクト部の構造図である。同図において、１は
石英基板、２は多結晶シリコンである。スイッチング用
の薄膜トランジスタは、多結晶シリコン２を用いて形成
される。また、コンタクト部の多結晶シリコンは、ドー
ピングによりＮ型あるいはＰ型になっている。３はＮＳ
Ｇで、眉間絶縁用である。４はｐＨ−５ｉＮｘ （１）
、５は画素電極のＩＴＯであり、６はパッシベーション
のρａ−５ｉＮｘ（２）である１以上のように、多結晶
シリコン２とＩＴＯ５は直接コンタクトしている。
層のコンタクト部の構造図である。同図において、１は
石英基板、２は多結晶シリコンである。スイッチング用
の薄膜トランジスタは、多結晶シリコン２を用いて形成
される。また、コンタクト部の多結晶シリコンは、ドー
ピングによりＮ型あるいはＰ型になっている。３はＮＳ
Ｇで、眉間絶縁用である。４はｐＨ−５ｉＮｘ （１）
、５は画素電極のＩＴＯであり、６はパッシベーション
のρａ−５ｉＮｘ（２）である１以上のように、多結晶
シリコン２とＩＴＯ５は直接コンタクトしている。
次に、コンタクトの製造方法を第２図に基づいて説明す
る。まず、第２図（ａ）に示すように１石英基板１上に
多結晶シリコン２．Ｎ５Ｇ３．ｐＨ−５ｉＮｘ４を順に
堆積し、レジスト７によりコンタクトを形成する部分を
バターニングする０次に、７％弗酸水溶液を用いてエツ
チングを行う。７％弗酸水溶液に対するエツチングレー
トは、ＮＳＧに比べｐＱ−３ｉＮｘは速い。そのため、
エツチングを行うとｐＱ−５ｉＮ、ばかなりサイドエツ
チングされる。
る。まず、第２図（ａ）に示すように１石英基板１上に
多結晶シリコン２．Ｎ５Ｇ３．ｐＨ−５ｉＮｘ４を順に
堆積し、レジスト７によりコンタクトを形成する部分を
バターニングする０次に、７％弗酸水溶液を用いてエツ
チングを行う。７％弗酸水溶液に対するエツチングレー
トは、ＮＳＧに比べｐＱ−３ｉＮｘは速い。そのため、
エツチングを行うとｐＱ−５ｉＮ、ばかなりサイドエツ
チングされる。
その結果、コンタクトの穴が多結晶シリコン２に達した
ときには、第２＠（ｂ）に示すようになる。
ときには、第２＠（ｂ）に示すようになる。
すなわち、コンタクトの穴はステップ状に形成されるの
ではなく、コンタクトの穴の側壁はなだらかな傾斜状に
なる。このように、コンタクトの穴を形成したあと、レ
ジスト７を除去し、ＩＴＯを堆積し、１２５℃で３０分
間熱処理を施すことにより、ＩＴＯと多結晶シリコンと
の間に直接オーミックコンタクトを形成し、最後にパッ
シベーションのｐ＜！−３ｉＮｘを堆積し、第１図に示
したコンタクト部の構造を完成させる。
ではなく、コンタクトの穴の側壁はなだらかな傾斜状に
なる。このように、コンタクトの穴を形成したあと、レ
ジスト７を除去し、ＩＴＯを堆積し、１２５℃で３０分
間熱処理を施すことにより、ＩＴＯと多結晶シリコンと
の間に直接オーミックコンタクトを形成し、最後にパッ
シベーションのｐ＜！−３ｉＮｘを堆積し、第１図に示
したコンタクト部の構造を完成させる。
本発明の構造を用いて画像表示装置を作製したところ、
従来と変わりない特性を示した。
従来と変わりない特性を示した。
なお１本実施例では、コンタクト穴を形成するエツチン
グ液として７％弗酸水溶液を用いたが。
グ液として７％弗酸水溶液を用いたが。
ＮＳＧよりもｐＨ−３ｉＮｘの方がエツチングレートの
速いエツチング液ならばよい。
速いエツチング液ならばよい。
以上のように１本実施例によれば、ＩＴＯと多結晶シリ
コンとを直接コンタクトしても、従来と同じ特性の０画
像特性が得られることから、製造工程の減った分だけ歩
留りが上がり、原価を低減することができる。
コンとを直接コンタクトしても、従来と同じ特性の０画
像特性が得られることから、製造工程の減った分だけ歩
留りが上がり、原価を低減することができる。
（発明の効果）
本発明によれば、コンタクト穴の形成を工夫することに
より、ＩＴＯと多結晶シリコンを直接コンタクトするこ
とにより、製造工程を簡単化でき、歩留りも高くなり、
原価を大幅に低減することができ、その実用上の効果は
大である。
より、ＩＴＯと多結晶シリコンを直接コンタクトするこ
とにより、製造工程を簡単化でき、歩留りも高くなり、
原価を大幅に低減することができ、その実用上の効果は
大である。
第１図は本発明の一実施例における画像表示装置のＩＴ
Ｏと多結晶シリコンのコンタクト部の構成図、第２図は
同コンタクト部の製造方法を示す工程図、第３図は従来
の画像表示装置のコンタクト部の構成図である。 １・・・石英基板、 ２・・・多結晶シリコン。 ３−Ｎ Ｓ Ｇ、 ４−・ｐ＋！−５ｉＮｘ（１）、
５ ・ＩＴｏ、 ６−ｐＱ−ｓｉＮｘ（２）。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第 図 （ａ） （ｂ）
Ｏと多結晶シリコンのコンタクト部の構成図、第２図は
同コンタクト部の製造方法を示す工程図、第３図は従来
の画像表示装置のコンタクト部の構成図である。 １・・・石英基板、 ２・・・多結晶シリコン。 ３−Ｎ Ｓ Ｇ、 ４−・ｐ＋！−５ｉＮｘ（１）、
５ ・ＩＴｏ、 ６−ｐＱ−ｓｉＮｘ（２）。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第 図 （ａ） （ｂ）
Claims (2)
- （１）石英基板上に堆積された多結晶シリコンと画素電
極層との間には穴のあいている種類の異なる二層の絶縁
層があり、前記穴の領域で多結晶シリコンと画素電極層
とは直接接触しており、前記穴は上層に行くにしたがっ
て急激に大きくなっていることを特徴とする画像表示装
置。 - （２）石英基板上の多結晶シリコン上に堆積した二層の
絶縁層にエッチングによって多結晶シリコンに達する穴
を形成するとき、上層の絶縁層のサイドエッチングを利
用して穴の側壁がなだらかな傾斜状となり、その上に画
素電極層を堆積する工程を含むことを特徴とする画像表
示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1098721A JPH02278749A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 画像表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1098721A JPH02278749A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 画像表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02278749A true JPH02278749A (ja) | 1990-11-15 |
Family
ID=14227386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1098721A Pending JPH02278749A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 画像表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02278749A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5956105A (en) * | 1991-06-14 | 1999-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
| US6975296B1 (en) | 1991-06-14 | 2005-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
| US6977392B2 (en) | 1991-08-23 | 2005-12-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
| US7420628B1 (en) | 1991-02-16 | 2008-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of making an active-type LCD with digitally graded display |
| US7727898B2 (en) | 1995-11-27 | 2010-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device and method of fabricating same |
| US7786553B1 (en) | 1995-11-27 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55154750A (en) * | 1979-05-22 | 1980-12-02 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS59205738A (ja) * | 1983-05-10 | 1984-11-21 | Seiko Epson Corp | アクテイブマトリツクス基板 |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP1098721A patent/JPH02278749A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55154750A (en) * | 1979-05-22 | 1980-12-02 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
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| US7727898B2 (en) | 1995-11-27 | 2010-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device and method of fabricating same |
| US7786553B1 (en) | 1995-11-27 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device |
| US7800235B2 (en) | 1995-11-27 | 2010-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device |
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