JPH0228184A - 7―メトキシセフェム誘導体の製造法 - Google Patents
7―メトキシセフェム誘導体の製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、7−メドキシセフエム誘導体の製造方法に関
し、詳しくは、セファロスポリンの7位にメトキシ基を
導入するための新規方法に関する。
し、詳しくは、セファロスポリンの7位にメトキシ基を
導入するための新規方法に関する。
7位にメトキシ基を有する一群のセファマイシン系抗生
物質としてセファマイシン系抗生物質が天然に見出され
、それらが7位にメトキシ基を有する構造上の特徴によ
って優れた抗菌性を示すことが知られて以来、多数の7
−メドキシセフアロスボリン誘導体が合成されてきた。
物質としてセファマイシン系抗生物質が天然に見出され
、それらが7位にメトキシ基を有する構造上の特徴によ
って優れた抗菌性を示すことが知られて以来、多数の7
−メドキシセフアロスボリン誘導体が合成されてきた。
一方、セフェム核の7位に、メトキシ基を化学的に導入
する新しい方法が数多く研究されてきた。
する新しい方法が数多く研究されてきた。
これらの新規誘導体のあるものは優れた抗菌剤としての
評価が定まり、化学療法剤として実際の医療に供されて
いる。従って、セファロスポリン骨格(特にセフェム核
)の7位に化学的にメトキシ基を導入する方法は工業的
に極めて重要であり、これまでに多数の方法が提案され
て来ている。その例を挙げると次のような方法がある。
評価が定まり、化学療法剤として実際の医療に供されて
いる。従って、セファロスポリン骨格(特にセフェム核
)の7位に化学的にメトキシ基を導入する方法は工業的
に極めて重要であり、これまでに多数の方法が提案され
て来ている。その例を挙げると次のような方法がある。
(1) 7 (または6)−アシルアミノセファロスポ
リン(またはペニシリン)を強塩基存在下でt−ブチル
ヒポクロライドなどの陽性ハロゲン化合物と反応させて
対応するアシルイミノ化合物に導き、これにメタノール
を付加させる、いわゆるアシルイミン法(J、 A+*
、 Chen、 Soc、 95゜2401 +197
31 +。
リン(またはペニシリン)を強塩基存在下でt−ブチル
ヒポクロライドなどの陽性ハロゲン化合物と反応させて
対応するアシルイミノ化合物に導き、これにメタノール
を付加させる、いわゆるアシルイミン法(J、 A+*
、 Chen、 Soc、 95゜2401 +197
31 +。
(2) 7 (または6)位のアミノ基をシッフ塩基に
導き、これに強塩基を作用させて生成する7(または6
)位の対応カルボアニオンにメタンチオスルホネートま
たは陽性ハロゲン化合物を作用せしめて、7(または6
)−メチルチオ体または−ハロ体とし、更にこれをメタ
ノールによりメトキシ基に置換する所謂カルボアニオン
法(J。
導き、これに強塩基を作用させて生成する7(または6
)位の対応カルボアニオンにメタンチオスルホネートま
たは陽性ハロゲン化合物を作用せしめて、7(または6
)−メチルチオ体または−ハロ体とし、更にこれをメタ
ノールによりメトキシ基に置換する所謂カルボアニオン
法(J。
Org、 Chem、、 38,943(1973)l
。
。
(3) 7 (または6)位アミノ基の3.5−ジ−t
−ブチル−4−ヒドロキシベンツアルデヒドとのシッフ
塩基をキノンイミン体へ酸化後、該イミンにメタノール
を付加させるメトキシ導入法(Tetrahedron
1etters、、 1975.27051゜(4)
α−八ハロたは、α、α−ジハロアセトアミドセファロ
スポリン(またはペニシリン)またはそのビニローブ体
のイミノハロゲン化後、メタノールの置換によって誘導
されるイミノエーテル体を1.4−脱ハロゲン化水素に
よりとニルイミン体とし、これの1.4−位にメタノー
ルを付加させる方法(Tetrahedron 1et
ters、、 1976゜1307+。
−ブチル−4−ヒドロキシベンツアルデヒドとのシッフ
塩基をキノンイミン体へ酸化後、該イミンにメタノール
を付加させるメトキシ導入法(Tetrahedron
1etters、、 1975.27051゜(4)
α−八ハロたは、α、α−ジハロアセトアミドセファロ
スポリン(またはペニシリン)またはそのビニローブ体
のイミノハロゲン化後、メタノールの置換によって誘導
されるイミノエーテル体を1.4−脱ハロゲン化水素に
よりとニルイミン体とし、これの1.4−位にメタノー
ルを付加させる方法(Tetrahedron 1et
ters、、 1976゜1307+。
(5) 7 (または6)−スルフェンアミドセファ0
スポリン(またはペニシリン)を対応スルフェンイミン
体へと酸化し、これにメタノールを付加させる方法[J
、 An、 Chew、 Soc、、 99.5505
(1977)] − (6) 7 (または6)位のアミノ基をジアゾ化し、
これに対するハロゲン化アジド等のアジド化合物の付加
反応を特徴とする方法[J、 ArW、 Chem。
スポリン(またはペニシリン)を対応スルフェンイミン
体へと酸化し、これにメタノールを付加させる方法[J
、 An、 Chew、 Soc、、 99.5505
(1977)] − (6) 7 (または6)位のアミノ基をジアゾ化し、
これに対するハロゲン化アジド等のアジド化合物の付加
反応を特徴とする方法[J、 ArW、 Chem。
Soc、、 94.1.408i1972)]等である
。
。
しかし、上記の各方法は、それぞれ次のような欠点、H
点を有しているため、工業的方法としては満足し難い方
法であり、−層優れた方法の開発が求められている6 (1)の方法は強力な酸化剤を使用するため、酸化され
やすい側鎖、特に、スルフィド結合含有の側鎖がある場
合には酸化副生物が生成しやすいという欠点がある。(
1)、(2)、(4)の方法に於いては反応上極低温(
−78°C)という特殊な反応条件が必要であることや
リチウムメトキシドなどのβ−ラクタム環を開裂しやす
い強塩基を使用する必要があるという難点がある。また
、(3)、(5)の方法は、酸化剤として、大過剰の金
属酸化物(固体)を使用する不均一系の反応を伴うが、
工業的規模での実施に於いてはこの不均一系の反応のコ
ントロールが難しい等の難点がある。また〔6)の方法
ではアジド化合物の付加が立体特異的でないために収率
が低いことや反応経路が長くて煩雑である等の欠点が存
在する。
点を有しているため、工業的方法としては満足し難い方
法であり、−層優れた方法の開発が求められている6 (1)の方法は強力な酸化剤を使用するため、酸化され
やすい側鎖、特に、スルフィド結合含有の側鎖がある場
合には酸化副生物が生成しやすいという欠点がある。(
1)、(2)、(4)の方法に於いては反応上極低温(
−78°C)という特殊な反応条件が必要であることや
リチウムメトキシドなどのβ−ラクタム環を開裂しやす
い強塩基を使用する必要があるという難点がある。また
、(3)、(5)の方法は、酸化剤として、大過剰の金
属酸化物(固体)を使用する不均一系の反応を伴うが、
工業的規模での実施に於いてはこの不均一系の反応のコ
ントロールが難しい等の難点がある。また〔6)の方法
ではアジド化合物の付加が立体特異的でないために収率
が低いことや反応経路が長くて煩雑である等の欠点が存
在する。
本発明の目的は、新規な中間体化合物を出発物質として
7−メドキシセフアロスボリン誘導体を製造する方法を
提供することである。
7−メドキシセフアロスボリン誘導体を製造する方法を
提供することである。
本発明者らが見出した出発物質は、次式(I)によって
示される。
示される。
[式中、R1は水素原子又は基−A−B (ここに、A
は酸素原子又はイ才つ原子であり、Bは酸素原子、窒素
原子及びイオウ原子から成る群より選ばれた少なくとも
1のへテロ原子を環員として含む置換もしくは非置換の
複素環基;又は置換もしくは非置換のカルバモイル基で
ある。]を表わし:R2は水酸基、又はカルボキシル基
の保護基を表わし、R3は低級アルキル基を表わし;R
4は低級アルキル基又は置換もしくは非置換のフェニル
基を表す、] なお、R’を構成するBの一態様である複素環基が有し
ていてもよい置換基としては、例えば低級アルキル基、
アミノアルキル基、カルボキシルアルキル基、スルホア
ルキル基などが挙げられる。かかる複素環基の具体例と
しては、IH−テトラゾール−5−イル基、1−メチル
−テトラゾール−5−イル基、■−カルボキシメチルー
IH−テトラゾール−5−イル基、2−カルボキシメチ
ル−IH−トリアゾール−5−イル基、■−スルホエチ
ルーIH−テトラゾール−5−イル基、2−カルボキシ
メチル−1−メチル−IH−トリアゾール−5−イル基
、4−メチル−5−才キソー6−ヒドロキシ−4,5−
ジヒドロ−1゜2.4−トリアシリル−3−イル基、ピ
リジニウムメチル基、トリアゾリル基、チアジアゾリル
基等が挙げられる。Bは置換もしくは非置換のカルバモ
イル基でもよいが、置換カルバモイル基としては、例え
ばアルキル基などにより置換されたモノ置換カルバモイ
ル基、ジ置換カルバモイル基が含まれる。
は酸素原子又はイ才つ原子であり、Bは酸素原子、窒素
原子及びイオウ原子から成る群より選ばれた少なくとも
1のへテロ原子を環員として含む置換もしくは非置換の
複素環基;又は置換もしくは非置換のカルバモイル基で
ある。]を表わし:R2は水酸基、又はカルボキシル基
の保護基を表わし、R3は低級アルキル基を表わし;R
4は低級アルキル基又は置換もしくは非置換のフェニル
基を表す、] なお、R’を構成するBの一態様である複素環基が有し
ていてもよい置換基としては、例えば低級アルキル基、
アミノアルキル基、カルボキシルアルキル基、スルホア
ルキル基などが挙げられる。かかる複素環基の具体例と
しては、IH−テトラゾール−5−イル基、1−メチル
−テトラゾール−5−イル基、■−カルボキシメチルー
IH−テトラゾール−5−イル基、2−カルボキシメチ
ル−IH−トリアゾール−5−イル基、■−スルホエチ
ルーIH−テトラゾール−5−イル基、2−カルボキシ
メチル−1−メチル−IH−トリアゾール−5−イル基
、4−メチル−5−才キソー6−ヒドロキシ−4,5−
ジヒドロ−1゜2.4−トリアシリル−3−イル基、ピ
リジニウムメチル基、トリアゾリル基、チアジアゾリル
基等が挙げられる。Bは置換もしくは非置換のカルバモ
イル基でもよいが、置換カルバモイル基としては、例え
ばアルキル基などにより置換されたモノ置換カルバモイ
ル基、ジ置換カルバモイル基が含まれる。
また、R2は水素原子又はカルボキシル基の保護基であ
るが、カルボキシル基の保護基としては、ペニシリン、
セファロスポリン分野で通常利用される保護基が用いら
れ、例^ばtert−ブトキシ基などが挙げられる。ま
た、R4のハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨウ素
が一般的である。
るが、カルボキシル基の保護基としては、ペニシリン、
セファロスポリン分野で通常利用される保護基が用いら
れ、例^ばtert−ブトキシ基などが挙げられる。ま
た、R4のハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨウ素
が一般的である。
上記の出発物質(I)は、下記の反応経路に従って製造
することができる。
することができる。
(上記式中、
R2、
R1及びR4は前
述した意味を有し、Rsはハロゲン原子を表わす。)
以下、 4M述の式に即しながら出発物質(I)の製造
方法につき詳述する。
方法につき詳述する。
即ら、7−アミノセフェム化合物(Il)にアルデヒド
R3R’ R’ CCHO(ここに、R2H“及びR5
は前述の意味を有する。)又はそれと4価な試薬を、常
法により反応させることにより、対応するシッフ塩基体
(III )が得られる。
R3R’ R’ CCHO(ここに、R2H“及びR5
は前述の意味を有する。)又はそれと4価な試薬を、常
法により反応させることにより、対応するシッフ塩基体
(III )が得られる。
次に、得られたシッフ塩基体(III )に、適当な酸
補捉剤を作用せしめることにより効率よく脱ハロゲン化
水素反応が起り、ここに一般式(I)で示される新規セ
フェム誘導体であるイミン化合物が好収率で得られる。
補捉剤を作用せしめることにより効率よく脱ハロゲン化
水素反応が起り、ここに一般式(I)で示される新規セ
フェム誘導体であるイミン化合物が好収率で得られる。
ここで使用される酸捕捉剤としては、アルミナ、シリカ
ゲル、ゼオライト〔モレキュラーシーブなど)、塩基性
レジンのような固体脱酸剤:ビリジン、トリエチルアミ
ン、トリエチレンジアミン、ジアザビシクロノネン(D
BN)、ジアザビシクロウンデセン(DBU)のごとき
有機第3アミン:リチウムメトキシド、カリウムも一ブ
トキシドのごとき金属アルっキシド:リチウムジイソプ
ロピルアミドのごとき金、属アミド、水素化ナトリウム
のごとき金属水素化物、炭酸水素ナトリウム、ホウ砂の
ごとき塩基性無機塩等が挙げられる。中でも特に好適な
ものは、アルミナである6 以上詳しく述べたように、式(IT)の化合物がら、本
発明に係る式(X)の出発物質に至るまでの諸工程は、
不活性な溶媒を用いて穏和な条件下で行われる。中間生
成物である式(rn)の化合物は単離して次の工程へ進
んでもよいが、単離せずに連続的に反応を進めることも
できる。
ゲル、ゼオライト〔モレキュラーシーブなど)、塩基性
レジンのような固体脱酸剤:ビリジン、トリエチルアミ
ン、トリエチレンジアミン、ジアザビシクロノネン(D
BN)、ジアザビシクロウンデセン(DBU)のごとき
有機第3アミン:リチウムメトキシド、カリウムも一ブ
トキシドのごとき金属アルっキシド:リチウムジイソプ
ロピルアミドのごとき金、属アミド、水素化ナトリウム
のごとき金属水素化物、炭酸水素ナトリウム、ホウ砂の
ごとき塩基性無機塩等が挙げられる。中でも特に好適な
ものは、アルミナである6 以上詳しく述べたように、式(IT)の化合物がら、本
発明に係る式(X)の出発物質に至るまでの諸工程は、
不活性な溶媒を用いて穏和な条件下で行われる。中間生
成物である式(rn)の化合物は単離して次の工程へ進
んでもよいが、単離せずに連続的に反応を進めることも
できる。
上記の本発明に係る出発物質(1)は、下に示すように
極めて穏和な条件下、酸触媒の存在下又は非存在下で、
例えば0℃にてパラトルエンスルホン酸の存在下、メタ
ノールで処理することにより、式(IT ) で表わさ
れる7−メドキシーシツフ塩基体に高い選択性をもって
好収率で変換することができる。
極めて穏和な条件下、酸触媒の存在下又は非存在下で、
例えば0℃にてパラトルエンスルホン酸の存在下、メタ
ノールで処理することにより、式(IT ) で表わさ
れる7−メドキシーシツフ塩基体に高い選択性をもって
好収率で変換することができる。
(式中、R1、R2、R3及びR4は前述した意味を有
する。) 得られたシッフ塩基化合物(iV )を常法により、加
水分解後アシルクロライド (R’ Co(12)を作用せしめてアシル化するか、
或いは、直接アシルクロライド (R’C0(1)によりアシル化後加水分解を行うこと
により、次の式(V) OCRl (上式中、R1及びR2は前記と同意義であり、R6は
アルキル、ハロアルキル、アラルキルなどを表わす、) で示される7−アシルアミノ−7−メトキシ−3−セフ
ェム化合物に導(ことができる、この反応をもとにして
、有用な抗生物質(The Journalof An
tibiotics X X IX、 554(197
6) 、特願昭54−123159、参照)を誘導する
ことができる。
する。) 得られたシッフ塩基化合物(iV )を常法により、加
水分解後アシルクロライド (R’ Co(12)を作用せしめてアシル化するか、
或いは、直接アシルクロライド (R’C0(1)によりアシル化後加水分解を行うこと
により、次の式(V) OCRl (上式中、R1及びR2は前記と同意義であり、R6は
アルキル、ハロアルキル、アラルキルなどを表わす、) で示される7−アシルアミノ−7−メトキシ−3−セフ
ェム化合物に導(ことができる、この反応をもとにして
、有用な抗生物質(The Journalof An
tibiotics X X IX、 554(197
6) 、特願昭54−123159、参照)を誘導する
ことができる。
文武(I)で表わされる出発物質は、ルイス酸及びメチ
ルオルソエステル類の存在下にメタノールを付加させる
と一工程で(VT)式の化合物に変換される。
ルオルソエステル類の存在下にメタノールを付加させる
と一工程で(VT)式の化合物に変換される。
OCH3
ルイス酸としては、三フフ化ホウ素・エーテル錯体、四
塩化チタン、塩化亜鉛などが挙げられる。
塩化チタン、塩化亜鉛などが挙げられる。
又、メチルオルソエステル類としては、トリメチルボレ
ート、テトラメチルオルソチタノエート、アルミニウム
トリメトキシド、テトラメチルオルソシリケート、トリ
メチルオルソホルメート、テトラメチルオルソカーボネ
ート、メチルトリメチルシリルエーテル、リチウムメト
キシドなどが挙げられる。又、メチルオルソエステル類
の存在下反応を行う場合には、必ずしもメタノールは必
要ではない。
ート、テトラメチルオルソチタノエート、アルミニウム
トリメトキシド、テトラメチルオルソシリケート、トリ
メチルオルソホルメート、テトラメチルオルソカーボネ
ート、メチルトリメチルシリルエーテル、リチウムメト
キシドなどが挙げられる。又、メチルオルソエステル類
の存在下反応を行う場合には、必ずしもメタノールは必
要ではない。
式(VT)の化合物はアシルクロライドを作用させるこ
とにより、式(V)の化合物に導かれ、さらに、前述の
ごとく、有用な抗生物質に誘導することができる。
とにより、式(V)の化合物に導かれ、さらに、前述の
ごとく、有用な抗生物質に誘導することができる。
以下、
実施例及び参考例を示して本発明をさらに詳しく説明す
る。
る。
参考例
[出発物質の製造]
7β−アミノ−3−
(l−メチル−1
H−テトラゾール−5−イル)
チオメチル−3−
セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(4
,95g、10.0+smoj)の塩化メチレン(7O
N1)溶液に、水冷下2−クロロ−2−メチルプロパナ
ール(1,17g、L L、 O++uwoj)の塩化
メチレン(5−)溶液を加λ、続いて無水硫酸マグネシ
ウム(5g)を加える。室温下1.5時間攪拌後、反応
溶液をろ過し、ろ液を減圧上濃縮乾固し、7β−(2′
−クロロ−2′−メチルプロピリデンアミノ)−3−(
1−メチル−IH−テトラゾール−5−イル)チオメチ
ル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエス
テル(5,84g)を得た。
,95g、10.0+smoj)の塩化メチレン(7O
N1)溶液に、水冷下2−クロロ−2−メチルプロパナ
ール(1,17g、L L、 O++uwoj)の塩化
メチレン(5−)溶液を加λ、続いて無水硫酸マグネシ
ウム(5g)を加える。室温下1.5時間攪拌後、反応
溶液をろ過し、ろ液を減圧上濃縮乾固し、7β−(2′
−クロロ−2′−メチルプロピリデンアミノ)−3−(
1−メチル−IH−テトラゾール−5−イル)チオメチ
ル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエス
テル(5,84g)を得た。
(2) (1)で得られたシッフ塩基を単離精製す
ることなく再び塩化メチレン(200−)に溶かし、水
冷下アルミナ(活性度II−nr )(120g)を加
え1時間撹拌する。アルミナをろ去し、減圧下111a
シ、得られる結晶をジメチルスルホキシド(30−)よ
り再結晶し、標題の化合物(2,16g、収率:39%
)を淡黄色結晶として得た。
ることなく再び塩化メチレン(200−)に溶かし、水
冷下アルミナ(活性度II−nr )(120g)を加
え1時間撹拌する。アルミナをろ去し、減圧下111a
シ、得られる結晶をジメチルスルホキシド(30−)よ
り再結晶し、標題の化合物(2,16g、収率:39%
)を淡黄色結晶として得た。
閃、p、215°〜218° (分解)NMRfCDC
jsl δppm : L、90f3H,sl、
2.05[3H,broad sl、 3.70f
2H,broad s)、 3.82f3H,sl。
jsl δppm : L、90f3H,sl、
2.05[3H,broad sl、 3.70f
2H,broad s)、 3.82f3H,sl。
4.17(LH,d、J:L4Hz1. 4.46(L
H,d、J=14Hzl。
H,d、J=14Hzl。
5.27(IH,sl、 6.60flH,broa
d sl、 6.96(ILs)。
d sl、 6.96(ILs)。
7.1〜7.7 flOH,m1
IRfKBr錠剤法) cta−’ : 1765.1
710M、S、 fFD) : 546fM”1(参考
例2) (1) 7β−アミノ−3−(1−メチル−IH−テト
ラゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−
カルボン酸ベンズヒドリルエステル(2,97g、6.
00關oj)の塩化メチレン(60J)溶液に、水冷下
、2−クロル−2−フェニルプロパナール(1,l1g
、6.60mnoりを加え、続いて無水硫酸マグネシウ
ム(6g)を加えた。室温にて、2時間撹拌後、反応液
をろ過し、7β−(2′−クロル−2′フエニルプロピ
リデンアミノ)−3−(1−メチル−IH−テトラゾー
ル−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボ
ン酸ベンズヒドリルエステルの塩化メチレン溶液を得た
。
710M、S、 fFD) : 546fM”1(参考
例2) (1) 7β−アミノ−3−(1−メチル−IH−テト
ラゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−
カルボン酸ベンズヒドリルエステル(2,97g、6.
00關oj)の塩化メチレン(60J)溶液に、水冷下
、2−クロル−2−フェニルプロパナール(1,l1g
、6.60mnoりを加え、続いて無水硫酸マグネシウ
ム(6g)を加えた。室温にて、2時間撹拌後、反応液
をろ過し、7β−(2′−クロル−2′フエニルプロピ
リデンアミノ)−3−(1−メチル−IH−テトラゾー
ル−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボ
ン酸ベンズヒドリルエステルの塩化メチレン溶液を得た
。
(2) (1)で得られた塩化メチレン溶液にさら
に塩化メチレンを加^、全量200−とする。
に塩化メチレンを加^、全量200−とする。
この濡液を一20℃に冷却し、アルミナ(活性度ll−
l1+) (120g)を加え、同温にて1時間撹拌
する1反応液をろ過し、ろ液をa縮し、残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにより分離した。(シリカ
ゲル200gを用い、塩化メチレンにて溶出した。)目
的物(Rf値:0.65、ベンゼン・酢酸エチル=5
: 1)を含む分画をあわせて濃縮し、黄色結晶の標題
の化合物を1′E、Z混合物として1.46g (40
%)得た6m、p、 152〜160” (分解)
NMR((:DCjs)δppm : 2.50(3H
,broad sl。
l1+) (120g)を加え、同温にて1時間撹拌
する1反応液をろ過し、ろ液をa縮し、残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにより分離した。(シリカ
ゲル200gを用い、塩化メチレンにて溶出した。)目
的物(Rf値:0.65、ベンゼン・酢酸エチル=5
: 1)を含む分画をあわせて濃縮し、黄色結晶の標題
の化合物を1′E、Z混合物として1.46g (40
%)得た6m、p、 152〜160” (分解)
NMR((:DCjs)δppm : 2.50(3H
,broad sl。
3.77(2H,broad sl、 3.85(3H
,s)、 4.19(IH,d、J=14Hz1.4.
49(IH,d、J:14Hz1.5.33+5.43
(IH)。
,s)、 4.19(IH,d、J=14Hz1.4.
49(IH,d、J:14Hz1.5.33+5.43
(IH)。
6.98flH,sl、 7.05〜8.00(16H
,m1IR(KBr錠剤法) caa−’ : 176
5.1710(1) 7−(2′−メチル−1′−プ
ロペニルイミノ)−3−(1−メチル−IH−テトラゾ
ール−5−イル)−4−カルボン酸ベンズヒドリルエス
テル(200mg、0 、366n*ol)の塩化メチ
レン(107)溶液に、水冷下、メタノール(5−)及
びp−1−ルエンスルホン酸(4mg)を加えた。水冷
下、3時間撹拌後、ジラールT試薬(200mg、
L 、 19n*ol)のメタノール(4−)の溶液
を加え、室温にて30分間撹拌した0次いで5反応溶液
を減圧下、半量まで濃縮し、氷水30−を加久酢酸エチ
ル(30−12回)にて抽出した。酢酸エチル層を氷水
(3〇−12回)で洗い、無水硫酸マグネシウムで乾燥
すると、7−アミツーツーメトキシ−3−(1−メチル
−IH−テトラゾール−5−イル)チオメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステルの酢酸
エチル溶液が得られた。
,m1IR(KBr錠剤法) caa−’ : 176
5.1710(1) 7−(2′−メチル−1′−プ
ロペニルイミノ)−3−(1−メチル−IH−テトラゾ
ール−5−イル)−4−カルボン酸ベンズヒドリルエス
テル(200mg、0 、366n*ol)の塩化メチ
レン(107)溶液に、水冷下、メタノール(5−)及
びp−1−ルエンスルホン酸(4mg)を加えた。水冷
下、3時間撹拌後、ジラールT試薬(200mg、
L 、 19n*ol)のメタノール(4−)の溶液
を加え、室温にて30分間撹拌した0次いで5反応溶液
を減圧下、半量まで濃縮し、氷水30−を加久酢酸エチ
ル(30−12回)にて抽出した。酢酸エチル層を氷水
(3〇−12回)で洗い、無水硫酸マグネシウムで乾燥
すると、7−アミツーツーメトキシ−3−(1−メチル
−IH−テトラゾール−5−イル)チオメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステルの酢酸
エチル溶液が得られた。
(2) (1)で得られた酢酸エチル溶液を減圧下
10−まで濃縮し、これに酢酸エチル30−を加え、再
び減圧下で5−まで濃縮した。この溶液に、−20℃に
て、ジメチルアニリン (0,070J、0.55m+moj)を、続いて、臭
化ブロムアセチル(0,05C1tt’、0,551m
oj)を加えた。反応液を、水冷下、10分間撹拌後、
氷水(30id)を加え、酢酸エチル(50Mi)で抽
出した。酢酸エチル層を、水冷した飽和硫酸水素カリウ
ム水溶液(20−13回)、氷水(20d)、水冷した
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液(20J)及び飽和食塩
水(20at’)で順次洗い、無水WL酸マグネシウム
で乾燥した。減圧下、店媒を除去後、シリカゲル薄層ク
ロマトグラフィーにより単離精製し、標題の化合物(1
39mg、収率59%)を白色泡状物質として得た。
10−まで濃縮し、これに酢酸エチル30−を加え、再
び減圧下で5−まで濃縮した。この溶液に、−20℃に
て、ジメチルアニリン (0,070J、0.55m+moj)を、続いて、臭
化ブロムアセチル(0,05C1tt’、0,551m
oj)を加えた。反応液を、水冷下、10分間撹拌後、
氷水(30id)を加え、酢酸エチル(50Mi)で抽
出した。酢酸エチル層を、水冷した飽和硫酸水素カリウ
ム水溶液(20−13回)、氷水(20d)、水冷した
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液(20J)及び飽和食塩
水(20at’)で順次洗い、無水WL酸マグネシウム
で乾燥した。減圧下、店媒を除去後、シリカゲル薄層ク
ロマトグラフィーにより単離精製し、標題の化合物(1
39mg、収率59%)を白色泡状物質として得た。
(Rf値:0.70.ベンゼン、酢酸エチル=1=1)
。
。
C02(、:HpH2
(j(。
CO□CHPh、 CH。
(1) 7−(2’ −メチル−1゛−プロペニルイ
ミノ)−3−(1−メチル−IH−テトラゾール−5−
イル)−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(20
0mg、0 、 366mmoi)の塩化メチレン(I
c)J)溶液に水冷下、トリメチルボレート(Ld)、
三フッ化ホウ素エーテル錯体(0,050m/)及びメ
タノール(0,5id)を順次加えた。水冷下、2時間
撹拌後、反応液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液(20
ttl)と氷(20g>の混合物に加太、酢酸エチル(
301d)にて抽出した。有機層を、飽和食塩水(2〇
−)で洗い、無水硫酸マグネシウムで乾燥すると、7−
アミツーツーメトキシ−3−セフェム−4−カルボン酸
ベンズヒドリルエステルの酢酸エチル−塩化メチレン溶
液が得られた。
ミノ)−3−(1−メチル−IH−テトラゾール−5−
イル)−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(20
0mg、0 、 366mmoi)の塩化メチレン(I
c)J)溶液に水冷下、トリメチルボレート(Ld)、
三フッ化ホウ素エーテル錯体(0,050m/)及びメ
タノール(0,5id)を順次加えた。水冷下、2時間
撹拌後、反応液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液(20
ttl)と氷(20g>の混合物に加太、酢酸エチル(
301d)にて抽出した。有機層を、飽和食塩水(2〇
−)で洗い、無水硫酸マグネシウムで乾燥すると、7−
アミツーツーメトキシ−3−セフェム−4−カルボン酸
ベンズヒドリルエステルの酢酸エチル−塩化メチレン溶
液が得られた。
(2) (1)で得られた溶液を実施例1のと同様
に処理し、 標題の化合物(127 mg。
に処理し、 標題の化合物(127 mg。
収率:
53%)
を白色泡状物質として得た。
(2゛
一フェニルー1′
一プロペニ
ルイミノ)−3−(1−メチル−IH−テトラゾール−
5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸
ベンズヒドリルエステル(90,0+wg、 0. 1
48+uwoj)の塩化メチレン(5m7)溶液に、水
冷下、メタノール(1−)及びP−トルエンスルホン酸
(1mg)を加え、45分間攪拌した0反応液を水冷し
た飽和炭酸水素ナトリウム水溶液(20−)に加え、塩
化メチレン(20Mりにより抽出した。塩化メチレン層
を無水硫酸マグネシウムで乾燥後濃縮した。残渣を酢酸
エチル(2−)に溶かし、ジラールT試薬((カルボキ
シメチル)トリメチルアンモニウムクロリドヒドラジド
) (100mg、 0.600mmoffi)のメ
タノール(3NI)溶液を加え、室温にて2.5時間攪
拌した0反応液を氷水(20d)に加え、酢酸エチル(
20dX2回)にて抽出した。酢酸エチル層を氷水(2
0W7X2回)で洗滌し無水硫酸マグネシウムで乾燥後
、2NIまで濃縮し、7−アミツーツーメトキシ−3−
(1−メチル−LH−テトラゾール−5−イル)チオメ
チルー3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエ
ステルの酢酸エチル滴液を得た。
5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸
ベンズヒドリルエステル(90,0+wg、 0. 1
48+uwoj)の塩化メチレン(5m7)溶液に、水
冷下、メタノール(1−)及びP−トルエンスルホン酸
(1mg)を加え、45分間攪拌した0反応液を水冷し
た飽和炭酸水素ナトリウム水溶液(20−)に加え、塩
化メチレン(20Mりにより抽出した。塩化メチレン層
を無水硫酸マグネシウムで乾燥後濃縮した。残渣を酢酸
エチル(2−)に溶かし、ジラールT試薬((カルボキ
シメチル)トリメチルアンモニウムクロリドヒドラジド
) (100mg、 0.600mmoffi)のメ
タノール(3NI)溶液を加え、室温にて2.5時間攪
拌した0反応液を氷水(20d)に加え、酢酸エチル(
20dX2回)にて抽出した。酢酸エチル層を氷水(2
0W7X2回)で洗滌し無水硫酸マグネシウムで乾燥後
、2NIまで濃縮し、7−アミツーツーメトキシ−3−
(1−メチル−LH−テトラゾール−5−イル)チオメ
チルー3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエ
ステルの酢酸エチル滴液を得た。
(2) (1)において得られたアミンエステルの
溶液を実施例1の(2)と同様にブロムアセチル化して
標題の化合物(4:3+g、収率:45%)を得た6 Co2CHPh2 CH8 (1) 7−(2′−メチル−1′−プロペニルイミ
ノ)−3−(1−メチル−IH−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリルエステル(200mg、0、366mmoj)
の塩化メチレン(10d)溶液にメタノール(lttl
lを加え1次に、−78°Cにて四塩化チタン(0,0
40R1,0,37mmoQ)を滴下した。同温度で2
時間攪拌後反応液を水冷した飽和炭酸ナトリウム水溶液
(20d)中にあけ塩化メチレン(20dX2回)にて
抽出した。
溶液を実施例1の(2)と同様にブロムアセチル化して
標題の化合物(4:3+g、収率:45%)を得た6 Co2CHPh2 CH8 (1) 7−(2′−メチル−1′−プロペニルイミ
ノ)−3−(1−メチル−IH−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリルエステル(200mg、0、366mmoj)
の塩化メチレン(10d)溶液にメタノール(lttl
lを加え1次に、−78°Cにて四塩化チタン(0,0
40R1,0,37mmoQ)を滴下した。同温度で2
時間攪拌後反応液を水冷した飽和炭酸ナトリウム水溶液
(20d)中にあけ塩化メチレン(20dX2回)にて
抽出した。
塩化メチレン層を氷水(20dX2回)で洗滌し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥後5−まで濃縮した。酢酸エチ
ル30m!’を加え、再び5−まで1縮し、この滴液に
ジラールT試薬((カルボキシメチル)トリメチルアン
モニウムクロリドヒドラジド)(200mg、1 、2
0a++aoj)のメタノール(5wtt)m液を加え
室温にて30分間攪拌した。
硫酸マグネシウムで乾燥後5−まで濃縮した。酢酸エチ
ル30m!’を加え、再び5−まで1縮し、この滴液に
ジラールT試薬((カルボキシメチル)トリメチルアン
モニウムクロリドヒドラジド)(200mg、1 、2
0a++aoj)のメタノール(5wtt)m液を加え
室温にて30分間攪拌した。
反応液を氷水(20−)に加え酢酸エチル(2〇−×2
回)で抽出した。酢酸エチル層を氷水(20+dX2回
)で洗滌し無水硫酸マグネシウムで乾燥後5NI!まで
濃縮し、7−アミツーツーメトキシ−3−(l−メチル
−IH−テトラゾール−5−イル)チオメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステルの酢酸
エチル溶液を得た。
回)で抽出した。酢酸エチル層を氷水(20+dX2回
)で洗滌し無水硫酸マグネシウムで乾燥後5NI!まで
濃縮し、7−アミツーツーメトキシ−3−(l−メチル
−IH−テトラゾール−5−イル)チオメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステルの酢酸
エチル溶液を得た。
(2) (1)において得られたアミノエステルの
溶液を実施例1の(2)と同様にブロムアセチル化し標
題の化合¥′IJ(120ng、収率:51%)を得た
。
溶液を実施例1の(2)と同様にブロムアセチル化し標
題の化合¥′IJ(120ng、収率:51%)を得た
。
(1) 7−(2’ −メチル−1−プロペニルイミ
ノ)−3−(L−メチル−IH−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリルエステル(200II1g、0、366mn+
offi)の塩化メチレン(10111)溶液にメタノ
ール(1−)を加え次に、−20℃にて三フッ化ホウ素
エーテル錯体(0,050d、0.37門offi)を
滴下した。同温度にて2時間撹拌後、反応液を水冷した
飽和炭酸ナトリウム水ン容液(20d)中にあけ、塩化
メチレン(20RIX2回)にて抽出した。塩化メチレ
ン層を、氷水(20dX2回)で洗滌し、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後5−までa縮した。酢酸エチル(3〇
−)を加え再び5dまで′a縮しジラールT試薬((カ
ルボキシメチル)トリメチルアンモニウムクロリドヒド
ラジド)(200mg、1,20+emoj)のメタノ
ール(5d)消液を加え、室温にて30分間撹拌した0
反応液を、氷水(20R1)に加え酢酸エチル(2C)
tt’X2回)で抽出した。
ノ)−3−(L−メチル−IH−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリルエステル(200II1g、0、366mn+
offi)の塩化メチレン(10111)溶液にメタノ
ール(1−)を加え次に、−20℃にて三フッ化ホウ素
エーテル錯体(0,050d、0.37門offi)を
滴下した。同温度にて2時間撹拌後、反応液を水冷した
飽和炭酸ナトリウム水ン容液(20d)中にあけ、塩化
メチレン(20RIX2回)にて抽出した。塩化メチレ
ン層を、氷水(20dX2回)で洗滌し、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後5−までa縮した。酢酸エチル(3〇
−)を加え再び5dまで′a縮しジラールT試薬((カ
ルボキシメチル)トリメチルアンモニウムクロリドヒド
ラジド)(200mg、1,20+emoj)のメタノ
ール(5d)消液を加え、室温にて30分間撹拌した0
反応液を、氷水(20R1)に加え酢酸エチル(2C)
tt’X2回)で抽出した。
酢酸エチル層を氷水(20dX2回)で洗滌し無水硫酸
マグネシウムで乾燥後5−までa縮し。
マグネシウムで乾燥後5−までa縮し。
7−アミツーツーメトキシ−3−(1−メチル−IH−
テトラゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム−
4−カルボン酸ベンズヒドリルエステルの酢酸エチル滴
液を得た。
テトラゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム−
4−カルボン酸ベンズヒドリルエステルの酢酸エチル滴
液を得た。
(2) (1)で得られたアミノエステルの溶液を
実施例1の(2)と同様にブロムアセチル化して標題の
化合物 (142mg、 収率 60%) を得 た。
実施例1の(2)と同様にブロムアセチル化して標題の
化合物 (142mg、 収率 60%) を得 た。
Claims (4)
- (1)次式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1は水素原子又は基−A−B(ここに、A
は酸素原子又はイオウ原子であり、Bは酸素原子、窒素
原子及びイオウ原子から成る群より選ばれた少なくとも
1のヘテロ原子を環員として含む置換もしくは非置換の
複素環基;又は置換もしくは非置換のカルバモイル基で
ある。)を表わし;R^2は水素原子又はカルボキシル
基の保護基を表わし;R^3は低級アルキル基を表わし
;R^4は低級アルキル基又は置換もしくは非置換のフ
ェニル基を表す。] で示される化合物に、酸触媒の存在又は非存在下、メタ
ノールを作用させることを特徴とする次式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1、R^2、R^3及びR^4は前述した
意味を有する。) で示される7−メトキシセフェム化合物の製造法。 - (2)酸触媒がプロトン酸又はルイス酸である特許請求
の範囲第1項記載の製造法。 - (3)次式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1は水素原子又は基−A−B(ここに、A
は酸素原子又はイオウ原子であり、Bは酸素原子、窒素
原子及びイオウ原子から成る群より選ばれた少なくとも
1のヘテロ原子を環員として含む置換もしくは非置換の
複素環基;又は置換もしくは非置換のカルバモイル基で
ある。)を表わし;R^2は水素原子又はカルボキシル
基の保護基を表わし;R^3は低級アルキル基を表わし
;R^4は低級アルキル基又は置換もしくは非置換のフ
ェニル基を表す。] で示される化合物に、ルイス酸及びメチルオルソエステ
ル類の存在下、メタノールを作用させることを特徴とす
る次式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1及びR^2は前述した意味を有する。) で示される7−アミノ−7−メトキシセフェム化合物の
製造法。 - (4)ルイス酸が三フッ化ホウ素もしくはそのエーテル
錯体である特許請求の範囲第3項記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1145222A JPH0228184A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 7―メトキシセフェム誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1145222A JPH0228184A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 7―メトキシセフェム誘導体の製造法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56013819A Division JPS57128692A (en) | 1981-02-03 | 1981-02-03 | Cephem derivative and its preparation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0228184A true JPH0228184A (ja) | 1990-01-30 |
| JPH0359074B2 JPH0359074B2 (ja) | 1991-09-09 |
Family
ID=15380179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1145222A Granted JPH0228184A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 7―メトキシセフェム誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0228184A (ja) |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP1145222A patent/JPH0228184A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0359074B2 (ja) | 1991-09-09 |
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