JPH0228364A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0228364A JPH0228364A JP63145153A JP14515388A JPH0228364A JP H0228364 A JPH0228364 A JP H0228364A JP 63145153 A JP63145153 A JP 63145153A JP 14515388 A JP14515388 A JP 14515388A JP H0228364 A JPH0228364 A JP H0228364A
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- JP
- Japan
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- insulating film
- polysilicon
- oxide film
- forming
- semiconductor device
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/201—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits
- H10D84/204—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits of combinations of diodes or capacitors or resistors
- H10D84/209—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits of combinations of diodes or capacitors or resistors of only resistors
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は半導体基板上に絶縁膜により完全分離して抵
抗を形成する半導体装置の製造方法に関するものである
。
抗を形成する半導体装置の製造方法に関するものである
。
従来の技術
従来、この種の半導体装置は、初めにトランジスタを形
成する工程で、第４図に示すように、半導体基板５内に
エミッタ領域３の作り込みやベース４へのコンタクトの
作り込み時に不純物拡散処理を実施するが、この時窓形
成のための絶縁膜１上にも不純物が拡散され、不純物層
２が形成される。この絶縁股上に第５図に示すように、
ポリシリコンを形成して抵抗６を作り込むが、ポリシリ
コン形成時、またはその後の熱処理により、不純物層２
から不純物がポリシリコン中に拡散され、不純物拡散処
理の温度時間、量及び熱処理の温度１時間、雰囲気によ
ってその拡散による影響は一定ではな（、本来必要とす
る抵抗値の調整を困難にしたり、一定の抵抗値を持続さ
せることができなかった。
成する工程で、第４図に示すように、半導体基板５内に
エミッタ領域３の作り込みやベース４へのコンタクトの
作り込み時に不純物拡散処理を実施するが、この時窓形
成のための絶縁膜１上にも不純物が拡散され、不純物層
２が形成される。この絶縁股上に第５図に示すように、
ポリシリコンを形成して抵抗６を作り込むが、ポリシリ
コン形成時、またはその後の熱処理により、不純物層２
から不純物がポリシリコン中に拡散され、不純物拡散処
理の温度時間、量及び熱処理の温度１時間、雰囲気によ
ってその拡散による影響は一定ではな（、本来必要とす
る抵抗値の調整を困難にしたり、一定の抵抗値を持続さ
せることができなかった。
発明が解決しようとする課題
このような従来の構成では、上記のように、本来一定の
範囲内にあるべき抵抗値が、抵抗形成後変化するという
問題があった。本発明はこのような問題点を解決するも
ので、抵抗形成時の抵抗がこの後の熱処理によって変化
することなく、抵抗を内蔵した半導体装置を作ることを
目的とするものである。
範囲内にあるべき抵抗値が、抵抗形成後変化するという
問題があった。本発明はこのような問題点を解決するも
ので、抵抗形成時の抵抗がこの後の熱処理によって変化
することなく、抵抗を内蔵した半導体装置を作ることを
目的とするものである。
課題を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、トランジスタ形
成時のエミッタ領域またはベースコンタクト領域での不
純物拡散された絶縁膜とポリシリコン形成との間に、不
純物が混入されていない絶縁膜をトランジスタの特性に
影響のない温度で低温酸化膜を形成した上にポリシリコ
ン抵抗を形成し、抵抗値の変動を完全になくしたもので
ある。
成時のエミッタ領域またはベースコンタクト領域での不
純物拡散された絶縁膜とポリシリコン形成との間に、不
純物が混入されていない絶縁膜をトランジスタの特性に
影響のない温度で低温酸化膜を形成した上にポリシリコ
ン抵抗を形成し、抵抗値の変動を完全になくしたもので
ある。
作用
この構成により、完全に絶縁膜上の不純物の影響がな（
なり、安定したポリシリコン抵抗が形成される。
なり、安定したポリシリコン抵抗が形成される。
実施例
第１図は本発明の実施例で得られた半導体装置の断面図
である。この図を参照して、本発明を詳しくのべる。
である。この図を参照して、本発明を詳しくのべる。
絶縁膜１をマスクとして、半導体基板５内のベース領域
４に、エミッタ域３がイオン注入によって形成される。
４に、エミッタ域３がイオン注入によって形成される。
このとき、絶縁膜１の表面にも、不純物層２が形成され
る。そこで、全面に、無添加酸化膜７を、低温での化学
気相成長法によって形成し、その上に、ポリシリコン抵
抗６を設ける。これにより、ポリシリコン抵抗６は無添
加酸化膜７で不紗物層２と分離され、同不純物層２から
、不純物の不測の導入が防止される。
る。そこで、全面に、無添加酸化膜７を、低温での化学
気相成長法によって形成し、その上に、ポリシリコン抵
抗６を設ける。これにより、ポリシリコン抵抗６は無添
加酸化膜７で不紗物層２と分離され、同不純物層２から
、不純物の不測の導入が防止される。
第２図は、本発明をバイポーラ抵抗内蔵トランジスタ素
子に適用した実施例で得られた半導体装置の断面図、第
３図はその等価回路図である。本素子はベース領域４、
エミッタ領域３ （ＮｐＮタイプの場合）を形成した後
、ノン−ドープド低温酸化膜７を数１０００Ａ形成した
のち、ポリシリコン膜を数１０００Ａ形成し、通常のフ
ォトリソグラフィによって、一定の長さと幅を有する抵
抗６を形成し、アルミニウム電極配線８によってトラン
ジスタのエミッターベース間またはベースに抵抗が挿入
されるようにして、一定の抵抗値をバイアス抵抗として
内蔵させることができた。
子に適用した実施例で得られた半導体装置の断面図、第
３図はその等価回路図である。本素子はベース領域４、
エミッタ領域３ （ＮｐＮタイプの場合）を形成した後
、ノン−ドープド低温酸化膜７を数１０００Ａ形成した
のち、ポリシリコン膜を数１０００Ａ形成し、通常のフ
ォトリソグラフィによって、一定の長さと幅を有する抵
抗６を形成し、アルミニウム電極配線８によってトラン
ジスタのエミッターベース間またはベースに抵抗が挿入
されるようにして、一定の抵抗値をバイアス抵抗として
内蔵させることができた。
発明の効果
本発明によれば、絶縁膜上に無添加酸化膜を低温で形成
し、この上にポリシリコン抵抗を形成することにより、
その後の熱過程によっても、下層の絶縁膜から、不純物
が導入されて、ポリシリコン抵抗の抵抗値が変化すると
いう不測の要因が排され、安定な半導体装置が得られる
。
し、この上にポリシリコン抵抗を形成することにより、
その後の熱過程によっても、下層の絶縁膜から、不純物
が導入されて、ポリシリコン抵抗の抵抗値が変化すると
いう不測の要因が排され、安定な半導体装置が得られる
。
第１図は本発明の実施例により得られた半導体装置の断
面図、第２図は本発明を採用した抵抗内蔵トランジスタ
の断面図、第３図はその等価回路図、第４図、第５図は
従来例装置の製造過程断面図、構造断面図である。 １・・・・・・絶縁膜、２・・・・・・絶縁膜中に拡散
された不純物層、３・・・・・・エミッタ領域、４・・
・・・・ベース領域、５・・・・・・半導体基板、６・
・・・・・ポリシリコン抵抗、７・・・・・・ノンドー
プド低温酸化膜、８・・・・・・電極材料 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第 図 第 図 ノ −−！Ａ麺ヒン（！１ 焦添Ｓ蒙化斌
面図、第２図は本発明を採用した抵抗内蔵トランジスタ
の断面図、第３図はその等価回路図、第４図、第５図は
従来例装置の製造過程断面図、構造断面図である。 １・・・・・・絶縁膜、２・・・・・・絶縁膜中に拡散
された不純物層、３・・・・・・エミッタ領域、４・・
・・・・ベース領域、５・・・・・・半導体基板、６・
・・・・・ポリシリコン抵抗、７・・・・・・ノンドー
プド低温酸化膜、８・・・・・・電極材料 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第 図 第 図 ノ −−！Ａ麺ヒン（！１ 焦添Ｓ蒙化斌
Claims (1)
- エミッタ領域までの作り込みが完了したトランジスタ基
体の表面に酸化性雰囲気中での不純物拡散処理により低
温酸化膜を形成し、その上にポリシリコン抵抗を形成す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63145153A JPH0228364A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63145153A JPH0228364A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0228364A true JPH0228364A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=15378648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63145153A Pending JPH0228364A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0228364A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101522117B1 (ko) * | 2010-10-08 | 2015-05-20 | 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 | 반도체소자 접합용 귀금속 페이스트 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5132536A (en) * | 1974-09-14 | 1976-03-19 | Mitsui Seiyaku Kogyo Kk | P aminomechiruansokukosan no seizohoho |
| JPS59186358A (ja) * | 1983-04-06 | 1984-10-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 抵抗体内蔵半導体装置 |
-
1988
- 1988-06-13 JP JP63145153A patent/JPH0228364A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5132536A (en) * | 1974-09-14 | 1976-03-19 | Mitsui Seiyaku Kogyo Kk | P aminomechiruansokukosan no seizohoho |
| JPS59186358A (ja) * | 1983-04-06 | 1984-10-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 抵抗体内蔵半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101522117B1 (ko) * | 2010-10-08 | 2015-05-20 | 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 | 반도체소자 접합용 귀금속 페이스트 |
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