JPH02288272A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体発光装置に関し、特に駆動トランジス
タを内蔵した半導体発光装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、半導体発光装置は、第４図に示すように、半導体
発光素子２を電流制限抵抗６０を介して駆動トランジス
タ３０により駆動する方法が用いられていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の発光装置は、電流制限抵抗を用いるので
電圧印加時に抵抗による電圧低下のため電圧利用率が悪
化するという欠点があった、特にリモコン装置に使用す
る場合には発光側が携帯のため電池を用いるので動作電
圧の変動が大きく、電流制限抵抗を入れても光強度の変
動が大きい欠点があった。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子の近くに駆
動トランジスタを配置し、且つ駆動トランジスタのベー
ス、エミッタ間に、駆動トランジスタのコレクタ領域を
利用して作られた横方向フォトトランジスタのコレクタ
、エミッタをそれぞれ電気的に接続したことを特徴とす
る。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の第１の実施例の縦断面図である。リードフレ
ームアイランド１上に、半導体発光素子２及び駆動トラ
ンジスタ３０を搭載し、駆動トランジスタ３０のコレク
タ領域３１内に横方向構造のフォトトランジスタ５０を
形成する。

フォトトランジスタ５０のコレクタ５２．エミッタ５１
は、それぞれ駆動トランジスタ３０のベース領域３２．
エミッタ領域３３に電気接続されている。第２図は第１
図の等価回路を示す。

発光素子２からの放射光の一部がフォトトランジスタ５
０を導通させることにより、駆動トランジスタ３０のベ
ース電流を減少させ、発光素子２の駆動電流を制御する
。

第３図は本発明の第２の実施例の駆動トランジスタ３０
の縦断面図である。この実施例ではフォトトランジスタ
５０の領域が駆動トラジスタのベース領域３２の深さ２
〜３μｍより深く５μｍ以上とし、且つ表面濃度も１０
１１０ｌ７’程度と薄くする。フォトトランジスタ５０
の領域を本実施例の様にすることにより、フォトトラン
ジスタのｈＦＥが３０と比較的高いものが得られ、受光
特性が向上するため光量の制御性が改善される。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、半導体発光素子からの光
の一部を駆動トランジスタのコレクタ電流の制御に用い
ることにより、光強度を制限するための電流制限抵抗が
不要になり、抵抗による電圧降下をなくすことができる
効果がある。また、半導体発光素子と駆動トランジスタ
を一体化することにより小型化が実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図、第２図は、
第１図の等価回路図、第３図は本発明の第２の実施例の
縦断面図、第４図は従来の発光素子の使用方法を示す等
価回路図である。 １・・・リードフレームアイランド、２・・・半導体発
光素子、３０・・・駆動トランジスタ、３１・・・コレ
クタ領域、３２・・・ベース領域、３３・・・エミッタ
領域、４１・・・ベース端子、４２・・・エミッタ端子
、４３・・・アノード端子、５０・・・横方向フォトト
ランジスタ、５１・・・フォトトランジスタエミッタ、
５２・・・フォトトランジスタコレクタ、６０・・・電
流制限抵抗。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. リードフレームの同一アイランド上に半導体発光素子と
   ベース領域及びエミッタ領域を形成した駆動トランジス
   タとを搭載した半導体発光装置において、前記駆動トラ
   ンジスタのコレクタ領域内に、前記トランジスタと同じ
   極性の横方向フォトトランジスタを形成し、このフォト
   トランジスタの縦型コレクタ及び縦型エミッタが、それ
   ぞれ前記駆動トランジスタのベース及びエミッタに電気
   的に接続されていることを特徴とする半導体発光装置。