JPH02288352A - ウェーハを絶縁されたブレードにより静電的にクランプする方法 - Google Patents
ウェーハを絶縁されたブレードにより静電的にクランプする方法Info
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- JPH02288352A JPH02288352A JP1339902A JP33990289A JPH02288352A JP H02288352 A JPH02288352 A JP H02288352A JP 1339902 A JP1339902 A JP 1339902A JP 33990289 A JP33990289 A JP 33990289A JP H02288352 A JPH02288352 A JP H02288352A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、一般に、はさみこみ形電極を利用して静電式
ウェーハ・クランプを行う半導体ウェーハ搬送ブレード
に関し、更に詳細には、ブレードの加速運動中にウェー
ハがブレードから滑り出るのを防止するため、ウェーハ
搬送ブレードと半導体ウェーハとの間に発生させられる
静電クランプ力を最大にするための装置及び方法に関す
る。
ウェーハ・クランプを行う半導体ウェーハ搬送ブレード
に関し、更に詳細には、ブレードの加速運動中にウェー
ハがブレードから滑り出るのを防止するため、ウェーハ
搬送ブレードと半導体ウェーハとの間に発生させられる
静電クランプ力を最大にするための装置及び方法に関す
る。
［従来の技術］
半導体製作装置においては、蒸着、エツチング等のため
の処理チャンバ間でウェーハを搬送することが必要であ
る。ウェーハ搬送は、一般に、ウェーハを機械的アーム
にクランプすることによって行われる。従来のクランプ
手法としては、機械的クランプ、真空クランプ及び静電
クランプがある。機械的アームの制御された精密な運動
により、種々の処理チャンバにおいてウェーへの挿入及
び取り出しを行うことができる。
の処理チャンバ間でウェーハを搬送することが必要であ
る。ウェーハ搬送は、一般に、ウェーハを機械的アーム
にクランプすることによって行われる。従来のクランプ
手法としては、機械的クランプ、真空クランプ及び静電
クランプがある。機械的アームの制御された精密な運動
により、種々の処理チャンバにおいてウェーへの挿入及
び取り出しを行うことができる。
米国特許第４，１８４，１８８号において、静電式ウェ
ーハ・クランプが開示されている。このクランプは、複
数の平行なはさみこみ形の正及び負の電極の対がブレー
ド面上に配置されているブレードを有す。誘電体層が前
記正及び負の電極の上をおおって配置され、ブレード面
上に複数のコンデンサを形成している。電極を賦勢する
と、各コンデンサ対の正電極と負電極との間に静電力の
フリンジングが生ずる。帯電した電極の上に分極性ウェ
ーハを載せると、ウェーハによって占有された領域をフ
リンジング静電力が通過する。これにより、ウェーハ内
の負の電荷が正に帯電した電極上で分極するし、及び正
のウェーハ電荷が負に帯電した電極上で分極するときに
クランプ力が生ずる。
ーハ・クランプが開示されている。このクランプは、複
数の平行なはさみこみ形の正及び負の電極の対がブレー
ド面上に配置されているブレードを有す。誘電体層が前
記正及び負の電極の上をおおって配置され、ブレード面
上に複数のコンデンサを形成している。電極を賦勢する
と、各コンデンサ対の正電極と負電極との間に静電力の
フリンジングが生ずる。帯電した電極の上に分極性ウェ
ーハを載せると、ウェーハによって占有された領域をフ
リンジング静電力が通過する。これにより、ウェーハ内
の負の電荷が正に帯電した電極上で分極するし、及び正
のウェーハ電荷が負に帯電した電極上で分極するときに
クランプ力が生ずる。
このクランプ力はウェーハ上に働く静電力に正比例する
。
。
現在のところ、静電式ウェーハクランプを利用した１ウ
エーハ搬送または給送装置があるだけである。米国特許
第４，７３３，６３２号においては、ウェーハ搬送装置
は可動アーム、前記可動アームに取り付けられた垂直可
動支持部材を有する静電式チャ、り機構、及び前記支持
部材を移動させるための可動機構を有す。
エーハ搬送または給送装置があるだけである。米国特許
第４，７３３，６３２号においては、ウェーハ搬送装置
は可動アーム、前記可動アームに取り付けられた垂直可
動支持部材を有する静電式チャ、り機構、及び前記支持
部材を移動させるための可動機構を有す。
ウェーハ搬送は、搬送すべきウェーハの上に静電式チャ
ックを位置決めすることによって行われる。静電式チャ
ックは、各電極上に形成された絶縁膜によって互いに電
気的に離隔された２つの半円形電極を有す。これら電極
を、クランプすべきウェーハの上面の周辺の回りに適合
するように配置する。ウェーハの周辺は一般に処理され
ず、従って適当するクランプ用面を提供する。前記電極
を直流電圧で状勢し、ウェーハと電極との間に、ウェー
ハをチャック面に周辺的にクランプするのに十分な静電
力を誘起する。チャックに取り付けられている支持部材
の垂直運動によってウェーハを持ち上げ、アーム部の制
御された運動によってウェーハを搬送する。
ックを位置決めすることによって行われる。静電式チャ
ックは、各電極上に形成された絶縁膜によって互いに電
気的に離隔された２つの半円形電極を有す。これら電極
を、クランプすべきウェーハの上面の周辺の回りに適合
するように配置する。ウェーハの周辺は一般に処理され
ず、従って適当するクランプ用面を提供する。前記電極
を直流電圧で状勢し、ウェーハと電極との間に、ウェー
ハをチャック面に周辺的にクランプするのに十分な静電
力を誘起する。チャックに取り付けられている支持部材
の垂直運動によってウェーハを持ち上げ、アーム部の制
御された運動によってウェーハを搬送する。
周辺静電式ウェーハ・チャック搬送には種々の問題が付
随する。チャックはウェーハの上面と機械的に接触する
。整合誤りがあると、チャックは、ウェーハの上面に形
成されている損障を受は易いトランジスタと機械的に接
触する可能性があり、トランジスタに対する汚染または
用障の可能性が増す。また、クランプの後にチャックが
ウェーハを放すときに、放電電流がウェーハの上面を通
って流れる。これもまた、ウェーハ上の損障を受は易い
トランジスタに損障を与える可能性がある。
随する。チャックはウェーハの上面と機械的に接触する
。整合誤りがあると、チャックは、ウェーハの上面に形
成されている損障を受は易いトランジスタと機械的に接
触する可能性があり、トランジスタに対する汚染または
用障の可能性が増す。また、クランプの後にチャックが
ウェーハを放すときに、放電電流がウェーハの上面を通
って流れる。これもまた、ウェーハ上の損障を受は易い
トランジスタに損障を与える可能性がある。
それで、ウェーハの基体下面をウェーハ・ブレードの上
面にクランプすることによって静電式クランプが行われ
るウェーハ搬送ブレードが要望されている。また、単位
電圧当たりのクランプ力を最大にするウェーハ搬送ブレ
ードが要望されている。このような装置及び方法が得ら
れれば、ブレードの加速運動中におけるブレードからの
ウェーハの滑り出しが防止され、ウェーハの汚染が減り
、静電式クランプ中のトランジスタに対する１員障の可
能性が減る。
面にクランプすることによって静電式クランプが行われ
るウェーハ搬送ブレードが要望されている。また、単位
電圧当たりのクランプ力を最大にするウェーハ搬送ブレ
ードが要望されている。このような装置及び方法が得ら
れれば、ブレードの加速運動中におけるブレードからの
ウェーハの滑り出しが防止され、ウェーハの汚染が減り
、静電式クランプ中のトランジスタに対する１員障の可
能性が減る。
［発明が解決しようとする課題］
本発明の目的は、ブレード上に乗っているウェーハによ
って占有されている領域内にフリンジング静電クランプ
力を誘起することによって半導体ウェーハの基体下面が
ブレード上に乗って静電的にクランプされるようにした
静電式ウェーハ搬送ブレードを提供することにある。
って占有されている領域内にフリンジング静電クランプ
力を誘起することによって半導体ウェーハの基体下面が
ブレード上に乗って静電的にクランプされるようにした
静電式ウェーハ搬送ブレードを提供することにある。
本発明の他の目的は、単位電圧当たりクランプ力を最大
にし、ウェーハ搬送中のウェーハ滑りを防止することに
ある。
にし、ウェーハ搬送中のウェーハ滑りを防止することに
ある。
［課題を解決するための手段］
本発明においては、ウェーハ平坦化を容易にするように
、単位入力電圧当たりの静電式ウェーハ・ブレードのク
ランプ力を最適にするための装置及び方法を提供するも
のであり、これにより、ブレードに対するウェーハのク
ランプを可能にし、ブレードの加速運動中にウェーハが
ブレードから滑り出るのを防止する。本発明のウェーハ
搬送ブレード装置は、基盤と、前記基盤上に形成され、
交互の電極が電気的に共通に接続されている少なくとも
１対のはさみこみ形電極と、前記基盤上のはさみこみ形
電極の上をおおって被着され、０．０５０８重−（２ミ
ル）と０．３８１鳳■（１５ミル）との間の範囲内の厚
さを有する誘電材料の層とを備えている。好ましくは、
電極間距離に対する電極幅の比は３／１ないし２／１の
範囲内にある。
、単位入力電圧当たりの静電式ウェーハ・ブレードのク
ランプ力を最適にするための装置及び方法を提供するも
のであり、これにより、ブレードに対するウェーハのク
ランプを可能にし、ブレードの加速運動中にウェーハが
ブレードから滑り出るのを防止する。本発明のウェーハ
搬送ブレード装置は、基盤と、前記基盤上に形成され、
交互の電極が電気的に共通に接続されている少なくとも
１対のはさみこみ形電極と、前記基盤上のはさみこみ形
電極の上をおおって被着され、０．０５０８重−（２ミ
ル）と０．３８１鳳■（１５ミル）との間の範囲内の厚
さを有する誘電材料の層とを備えている。好ましくは、
電極間距離に対する電極幅の比は３／１ないし２／１の
範囲内にある。
本発明方法は、搬送すべきウェーハを、好ましい幅／間
隔比のはさみこみ形電極を有するブレードの上面に載置
する段階と、前記ブレード上の電極に、前記ウェーハに
よって占有された領域内において前記ウェーハを平坦に
してこれをブレードにクランプするのに十分な静電力を
誘起するように選定された最小電圧を印加する段階と、
前記ブレードに取り付けられた機械的アームを用いて前
記ウェーハの加速運動を制御する段階とを有し、これに
より、前記クランプ力が前記ウェーハを平坦にして該ウ
ェーハを前記ブレードに対して保持する。
隔比のはさみこみ形電極を有するブレードの上面に載置
する段階と、前記ブレード上の電極に、前記ウェーハに
よって占有された領域内において前記ウェーハを平坦に
してこれをブレードにクランプするのに十分な静電力を
誘起するように選定された最小電圧を印加する段階と、
前記ブレードに取り付けられた機械的アームを用いて前
記ウェーハの加速運動を制御する段階とを有し、これに
より、前記クランプ力が前記ウェーハを平坦にして該ウ
ェーハを前記ブレードに対して保持する。
本発明の他の目的及び特徴は図面を参照して行う以下の
詳細な説明から明らかになり、また特許請求の範囲の記
載から解る。
詳細な説明から明らかになり、また特許請求の範囲の記
載から解る。
［実施例］
第１図は複式チャンバ形集積回路処理装置１０の路上面
図である。複式チャンバ処理装置１０については、本出
願人に譲渡された許可済みの係属中のメイドラン（Ｍａ
ｙｄｅｎ）等にかかる１９８６年１２月１９日出願の発
明の名称「複式チャンバ形集積処理装置Ｊ （ＭＵＬ
ＴＩＰＬＥ ＣＩＩＡＭＢＥＲＩＮＴＥＧＲＡＴｌ１２
ＤＰＲＯＣＥＳＳ ５ＹＳＴ聞）なる米国特許出願第９
４４，９０３号に詳細に記載されており、その内容につ
いては本明細書において参照として全体を説明する。
図である。複式チャンバ処理装置１０については、本出
願人に譲渡された許可済みの係属中のメイドラン（Ｍａ
ｙｄｅｎ）等にかかる１９８６年１２月１９日出願の発
明の名称「複式チャンバ形集積処理装置Ｊ （ＭＵＬ
ＴＩＰＬＥ ＣＩＩＡＭＢＥＲＩＮＴＥＧＲＡＴｌ１２
ＤＰＲＯＣＥＳＳ ５ＹＳＴ聞）なる米国特許出願第９
４４，９０３号に詳細に記載されており、その内容につ
いては本明細書において参照として全体を説明する。
図示のように、複式チャンバ１０は、いくつかの単ウェ
ーハを取りつける閉じたほぼ多角形状の真空ロードロッ
ク・チャンバ１１、及び最初は標準のプラスチックカセ
ット１５に収容されている複数のウェーハ１４を処理す
るために関連のロードロツタ・チャンバ壁１３上にある
真空処理チャンバ１２を備えている。前記力セントは、
第５チヤンバ壁１７に隣接配置された外部カセント昇降
器１６上に取り付けられている。矢印１８で示すように
、外部力セント昇降器１６は水平及び垂直方向に移動可
能であって割り出し可能であり、未処理ウェーハをロー
ドロック・チャンバ１１内にロードし、及び処理済みウ
ェーハをチャンバから受は取るためにカセットを位置決
めするようになっている。
ーハを取りつける閉じたほぼ多角形状の真空ロードロッ
ク・チャンバ１１、及び最初は標準のプラスチックカセ
ット１５に収容されている複数のウェーハ１４を処理す
るために関連のロードロツタ・チャンバ壁１３上にある
真空処理チャンバ１２を備えている。前記力セントは、
第５チヤンバ壁１７に隣接配置された外部カセント昇降
器１６上に取り付けられている。矢印１８で示すように
、外部力セント昇降器１６は水平及び垂直方向に移動可
能であって割り出し可能であり、未処理ウェーハをロー
ドロック・チャンバ１１内にロードし、及び処理済みウ
ェーハをチャンバから受は取るためにカセットを位置決
めするようになっている。
ウェーハ１４のローディング及びアンローディングは、
ウェーハ搬送ブレード２０を具備する機械的アーム１９
によって行われる。このウェーハ搬送ブレードは、矢印
２１で示す可逆線形並進運動（Ｒ運動）及び矢印２２で
示す可逆回転運動（θ運動）をするように取り付けられ
ている。詳述スると、４バー・リンク機構２３及びウェ
ーハ搬送ブレード２０を装備している回転可能プラント
ホーム２４によってθ運動が行われている間に、４バー
・リンク機構２３がＲ運動を行わせる。
ウェーハ搬送ブレード２０を具備する機械的アーム１９
によって行われる。このウェーハ搬送ブレードは、矢印
２１で示す可逆線形並進運動（Ｒ運動）及び矢印２２で
示す可逆回転運動（θ運動）をするように取り付けられ
ている。詳述スると、４バー・リンク機構２３及びウェ
ーハ搬送ブレード２０を装備している回転可能プラント
ホーム２４によってθ運動が行われている間に、４バー
・リンク機構２３がＲ運動を行わせる。
装置ｌＯ内の真空を破ることなしに種々の処理チャンバ
１２へ搬送するため、及びロードロック・チャンバ１１
内体内で処理するため、垂直割出し可能内部ウェーハ支
持昇降器３４を用いてウェーハをロードロツタ・チャン
バ１１内に格納するようになっている。
１２へ搬送するため、及びロードロック・チャンバ１１
内体内で処理するため、垂直割出し可能内部ウェーハ支
持昇降器３４を用いてウェーハをロードロツタ・チャン
バ１１内に格納するようになっている。
次に第２図について説明すると、図は本発明にかかるウ
ェーハ・ブレード２０の拡大上面図である。ウェーハ・
ブレード２０は基盤３２及び上面３４を有す。基盤３２
は機械的アーム１９の端部に取り付けられている。処理
装置１０の稼働中、ウェーハ１４はブレード２０の上面
上に配置されてこれにクランプされる。機械的アームの
精密運動により、ウェーハ１４は装置１０内の種々のチ
ャンバへ及びこれから搬送される。性能を最大にするた
め、ブレード２０は本質的に非尋電材料から成っている
ことが望ましい。例えば、本実施例においては、ブレー
ド２０はＡｈＯ：ｔのようなセラミック材料製である。
ェーハ・ブレード２０の拡大上面図である。ウェーハ・
ブレード２０は基盤３２及び上面３４を有す。基盤３２
は機械的アーム１９の端部に取り付けられている。処理
装置１０の稼働中、ウェーハ１４はブレード２０の上面
上に配置されてこれにクランプされる。機械的アームの
精密運動により、ウェーハ１４は装置１０内の種々のチ
ャンバへ及びこれから搬送される。性能を最大にするた
め、ブレード２０は本質的に非尋電材料から成っている
ことが望ましい。例えば、本実施例においては、ブレー
ド２０はＡｈＯ：ｔのようなセラミック材料製である。
複数のコンデンサ４０がブレード上面３４に配置されて
いる。各コンデンサ４０は正電極４２及び対応の負電極
４４を有す。正電極４２は負電極４４と交互に配置され
、ブレード上面上にはさみこみ形フィンガーを形成して
いる。本実施例においては、電極４２及び４４は導電性
金属製である。
いる。各コンデンサ４０は正電極４２及び対応の負電極
４４を有す。正電極４２は負電極４４と交互に配置され
、ブレード上面上にはさみこみ形フィンガーを形成して
いる。本実施例においては、電極４２及び４４は導電性
金属製である。
使用可能な導電体としては銀、アルミニューム及びタン
グステンがあるが、これに限定されるものではない。電
極４２と４４との間の空間的距離については後で説明す
る。
グステンがあるが、これに限定されるものではない。電
極４２と４４との間の空間的距離については後で説明す
る。
後で説明する所定の厚さを有する誘電材料４６の層が各
々の電極４２及び４４の上をおおい、及び上面３４上に
被着されている。誘電材料４６は上面３４の上をおおっ
て滑らかな平らな面を形成している。
々の電極４２及び４４の上をおおい、及び上面３４上に
被着されている。誘電材料４６は上面３４の上をおおっ
て滑らかな平らな面を形成している。
次に第３図について説明すると、図は、ブレード２０上
に乗っているウェーハ１４の上面図である。装置ＩＯの
稼働中、機械的アームＩ９は、搬送すべきウェーハ１４
の下にブレード２０を位置させる。ウェーハ１４がブレ
ード２０の上面に乗っているときに、状勢電圧を電極４
２及び４４に加え、その結果、ウェーハ１４をブレード
２０にクランプさせる。機械的アーム１９の運動を制御
することにより、ウェーハ・ブレード２０を、ウェーハ
１４をブレード２０から滑り出させることなしに、種々
のチャンバ１１及び１２間を簡単に移動させることがで
きる。
に乗っているウェーハ１４の上面図である。装置ＩＯの
稼働中、機械的アームＩ９は、搬送すべきウェーハ１４
の下にブレード２０を位置させる。ウェーハ１４がブレ
ード２０の上面に乗っているときに、状勢電圧を電極４
２及び４４に加え、その結果、ウェーハ１４をブレード
２０にクランプさせる。機械的アーム１９の運動を制御
することにより、ウェーハ・ブレード２０を、ウェーハ
１４をブレード２０から滑り出させることなしに、種々
のチャンバ１１及び１２間を簡単に移動させることがで
きる。
次に第４図及び第５図について本発明におけるクランプ
動作について説明する。第４図は、クランプ前にウェー
ハ１４の下に位置させられたブレード２０を示すもので
ある。ウェーハ１４の基体はブレード２０の平らな誘電
体面４６の上に機械的に乗っている。ウェーハ１４に不
規則性及び反りがあるので、エアギャップ５０（第４図
においては明確化のために拡大して示しである）が誘電
体平面４６とウェーハ基体との間に存在する。
動作について説明する。第４図は、クランプ前にウェー
ハ１４の下に位置させられたブレード２０を示すもので
ある。ウェーハ１４の基体はブレード２０の平らな誘電
体面４６の上に機械的に乗っている。ウェーハ１４に不
規則性及び反りがあるので、エアギャップ５０（第４図
においては明確化のために拡大して示しである）が誘電
体平面４６とウェーハ基体との間に存在する。
装置ｌＯの空気中または真空中においては、エアギャッ
プ５０は１．００に近い誘電率を有す。従って、クラン
プ電圧を加えると、電極４２及び４４並びにウェーハ１
４間の大部分の電圧降下はエアギャップ５０による。以
下に詳細に説明するように、ギャップき５０は、ウェー
ハ１４をブレード２０に静電的にクランプするのに必要
な電圧要件を支配する。
プ５０は１．００に近い誘電率を有す。従って、クラン
プ電圧を加えると、電極４２及び４４並びにウェーハ１
４間の大部分の電圧降下はエアギャップ５０による。以
下に詳細に説明するように、ギャップき５０は、ウェー
ハ１４をブレード２０に静電的にクランプするのに必要
な電圧要件を支配する。
クランプを行うためには、十分な直流電圧を正電極４２
と負電極４４との間に加える。第５図に示す静電線４８
の密度に比例する静電力が正電極４２と負電極４４との
間に生ずる。クランプ力は電極４２と４４との間の静電
力に正比例する。
と負電極４４との間に加える。第５図に示す静電線４８
の密度に比例する静電力が正電極４２と負電極４４との
間に生ずる。クランプ力は電極４２と４４との間の静電
力に正比例する。
前記の結果、ウェーハ１４に占有されている領域内に生
ずるフリンジング静電力がウェーハ１４内の電荷の分極
を生じさせる。ウェーハ１４内の正電荷は、負に帯電し
ている電極４４上に堆積する。ウェーハ、１４内の負電
荷は、正に帯電している電極４２上に堆積する。十分な
静電フリンジングがあると、電極４２′ＨＬび４４並び
にウェーハ１４内の分極済み電荷間の引力はエアギヤツ
ブ５０に打ち勝つのに十分になり、これに付随する効果
として、高い加速度がかかっている最中であってもウェ
ーハはブレード上に保持される。
ずるフリンジング静電力がウェーハ１４内の電荷の分極
を生じさせる。ウェーハ１４内の正電荷は、負に帯電し
ている電極４４上に堆積する。ウェーハ、１４内の負電
荷は、正に帯電している電極４２上に堆積する。十分な
静電フリンジングがあると、電極４２′ＨＬび４４並び
にウェーハ１４内の分極済み電荷間の引力はエアギヤツ
ブ５０に打ち勝つのに十分になり、これに付随する効果
として、高い加速度がかかっている最中であってもウェ
ーハはブレード上に保持される。
ウェーハ１４に占有されている領域における静電フリン
ジングを最大にするには３つのパラメータが主要な問題
となる。即ち、第１に、誘電材料及び厚さ、第２に、電
極４２及び４４の幅、第３に、電極４２と４４との間の
空間的関係または距離、である。
ジングを最大にするには３つのパラメータが主要な問題
となる。即ち、第１に、誘電材料及び厚さ、第２に、電
極４２及び４４の幅、第３に、電極４２と４４との間の
空間的関係または距離、である。
誘電材料を選択する際にはいくつかの要因が考えられる
。第１の考慮事項は材料の誘電率である。
。第１の考慮事項は材料の誘電率である。
誘電率が高くなるほど単位電圧当たりの力が太きくなる
。第２の考慮事項は材料の絶縁耐力である。
。第２の考慮事項は材料の絶縁耐力である。
絶縁耐力は、絶縁破壊が生じて誘電材料が誘電体となる
までに誘電材料が耐えることのできる電圧限界として定
義される。第３の考慮事項は前述した材料の誘電体静止
摩擦係数である。第４の考慮事項は誘電材料の熱特性で
ある。エツチングのようなウェーハ処理中に、ウェーハ
１４は、平均４００℃の温度、そして７００℃のピーク
温度に達する可能性がある。ウェーハ１４の熱エネルギ
ーのかなりの部分は誘電体層４６によって吸収されるか
ら、誘電体４６は、溶融、クランク、またはその他劣化
することなしに、かかる温度に耐えることのできること
が必要である。
までに誘電材料が耐えることのできる電圧限界として定
義される。第３の考慮事項は前述した材料の誘電体静止
摩擦係数である。第４の考慮事項は誘電材料の熱特性で
ある。エツチングのようなウェーハ処理中に、ウェーハ
１４は、平均４００℃の温度、そして７００℃のピーク
温度に達する可能性がある。ウェーハ１４の熱エネルギ
ーのかなりの部分は誘電体層４６によって吸収されるか
ら、誘電体４６は、溶融、クランク、またはその他劣化
することなしに、かかる温度に耐えることのできること
が必要である。
一般に、誘電体層４６が薄くなるほど、ウェーハ１４に
よって占有される領域内の静電的フリンジングが大きく
なる。しかし、誘電体層の厚さの減少を制限する実際上
の限界がある。約０．０２５４ ａｍ（約１ミル）また
はそれ以下の厚さの誘電体層に対しては、誘電材料はエ
アギャップに打ち勝つのに必要な電圧において絶縁破壊
してその絶縁特性を失うということが認められている。
よって占有される領域内の静電的フリンジングが大きく
なる。しかし、誘電体層の厚さの減少を制限する実際上
の限界がある。約０．０２５４ ａｍ（約１ミル）また
はそれ以下の厚さの誘電体層に対しては、誘電材料はエ
アギャップに打ち勝つのに必要な電圧において絶縁破壊
してその絶縁特性を失うということが認められている。
その結果、電流がウェーハを通って流れ、トランジスタ
破損の可能性を著しく増大させる。従って、本実施例に
おいては、誘電体の厚さ範囲を、下端の約０．０５０９
ｍ（約２ミル）から上端の約０．３８１■ｌ（約１５ミ
ル）までに限定しである。当業者には明らかに解るよう
に、誘電材料の技術が進歩するにつれて誘電体の厚さ範
囲の下端が低下するであろう。
破損の可能性を著しく増大させる。従って、本実施例に
おいては、誘電体の厚さ範囲を、下端の約０．０５０９
ｍ（約２ミル）から上端の約０．３８１■ｌ（約１５ミ
ル）までに限定しである。当業者には明らかに解るよう
に、誘電材料の技術が進歩するにつれて誘電体の厚さ範
囲の下端が低下するであろう。
一例を挙げると、本実施例においては誘電体層４６はＡ
ｌ２０１製である。Ａｌ２Ｏ，は、前述した各考慮事項
に関し、その性能が最も適している誘電材料であると認
められた。他の採用可能な構成材料としてはＡＩＮ 、
Ｓｉ３Ｎ４及びＳｉｎｇがあるが、これに限定される
ものではない。
ｌ２０１製である。Ａｌ２Ｏ，は、前述した各考慮事項
に関し、その性能が最も適している誘電材料であると認
められた。他の採用可能な構成材料としてはＡＩＮ 、
Ｓｉ３Ｎ４及びＳｉｎｇがあるが、これに限定される
ものではない。
静電フリンジングを最大にするための電極４２及び４４
の最適の幅は上端の約３．０４８■ｌ（約１２０ミル）
から下端の約０．３０４８ｍｍ（約１２ミル）までの範
囲であるということが認められた。
の最適の幅は上端の約３．０４８■ｌ（約１２０ミル）
から下端の約０．３０４８ｍｍ（約１２ミル）までの範
囲であるということが認められた。
個々の電極４２間の最適の空間的関係または距離は上端
の約１．０１６１１（約４０ミル）から下端の約０．１
５２４ｍｍ（約６ミル）までの範囲であるということが
認められた。
の約１．０１６１１（約４０ミル）から下端の約０．１
５２４ｍｍ（約６ミル）までの範囲であるということが
認められた。
３／１から２／１までの範囲内の電極幅対電極間空間的
距離の比が、ウェーハ１４によって占有される領域内の
静電フリンジングを最大にするということが認められた
。本発明の一実施例においては、３．０４８ｍｍ （１
２０ミル）の電極幅及び３／１の相関比を選定した場合
、１．０１６ｍｍ （４０ミル）の電極間距離が静電フ
リンジング４８を最大にする。他の実施例においては、
２．２８６■■（９０ミル）の電極幅及び３／１の相関
比を選定した場合、０．７６２ｍｍ（３０ミル）の電極
間間隔が静電フリンジング４８を最大にする。更に他の
実施例においては、０．３０４８重量（１２ミル）の電
極幅及び３／１の相関比を選定した場合、０．１０１１
０ｌ６ミル）の電極間間隔が静電フリンジング４８を最
大にする。いずれにせよ、十分なフリンジングをウェー
ハ基体内に生じさせるためには、電極間間隔は誘電体厚
さの数倍であるべきである。
距離の比が、ウェーハ１４によって占有される領域内の
静電フリンジングを最大にするということが認められた
。本発明の一実施例においては、３．０４８ｍｍ （１
２０ミル）の電極幅及び３／１の相関比を選定した場合
、１．０１６ｍｍ （４０ミル）の電極間距離が静電フ
リンジング４８を最大にする。他の実施例においては、
２．２８６■■（９０ミル）の電極幅及び３／１の相関
比を選定した場合、０．７６２ｍｍ（３０ミル）の電極
間間隔が静電フリンジング４８を最大にする。更に他の
実施例においては、０．３０４８重量（１２ミル）の電
極幅及び３／１の相関比を選定した場合、０．１０１１
０ｌ６ミル）の電極間間隔が静電フリンジング４８を最
大にする。いずれにせよ、十分なフリンジングをウェー
ハ基体内に生じさせるためには、電極間間隔は誘電体厚
さの数倍であるべきである。
当業者には解るように、前述の相関比は全て共通の特性
を持っている。これらは、電極４２及び４４の面によっ
て提供される導電面面積の、ブレード２０上の非導電面
面積に対する比を最大にする傾向がある。
を持っている。これらは、電極４２及び４４の面によっ
て提供される導電面面積の、ブレード２０上の非導電面
面積に対する比を最大にする傾向がある。
次に、本発明の一つの実施例について説明すると、ブレ
ード２０の加速運動中におけるウェーハ１４の滑りを防
止するのに必要な電圧を計算するためには５ステツプの
過程が必要である。この５ステツプを次に説明する。
ード２０の加速運動中におけるウェーハ１４の滑りを防
止するのに必要な電圧を計算するためには５ステツプの
過程が必要である。この５ステツプを次に説明する。
第１のステップは、ブレード２０上に乗っているシリシ
ア・ウェーハ１４とブレード２０との間に存在するエア
ギャップ５０に打ち勝つのに必要な面積当たり力ｑを決
定することである。この力ｑは次式によって与えられる
。
ア・ウェーハ１４とブレード２０との間に存在するエア
ギャップ５０に打ち勝つのに必要な面積当たり力ｑを決
定することである。この力ｑは次式によって与えられる
。
ウェーハ１４が、単に縁境界部が支持されている状態の
シリカの円形ディスクであり、そして下に示す寸法を有
しているものと仮定する。
シリカの円形ディスクであり、そして下に示す寸法を有
しているものと仮定する。
（１） ウェー八半径ｒ＝６３．５ｍ（２，５インチ
）ウェーハ厚さｔ＝０．５０８龍 （０，０２０インチ） （２） シリコンに対するポアソン比＝０．４２（３
） シリコンの弾性率は次式に等しい。
）ウェーハ厚さｔ＝０．５０８龍 （０，０２０インチ） （２） シリコンに対するポアソン比＝０．４２（３
） シリコンの弾性率は次式に等しい。
Ｅ＝０．２１８ Ｘ １０” ｋｇ／ａ！（３，Ｉ Ｘ
１０ ” ｌｂ／ｉｎ”）（４）平面定数は次式に等
しい。
１０ ” ｌｂ／ｉｎ”）（４）平面定数は次式に等
しい。
Ｄ＝（Ｅ−ｔ３）／ （１２（１−ポアソン比２））（
５） ウ亙−ハとブレードとの間に存在するエアギャ
ップ（最悪の場合） ｙｃ＝０．２５４鰭（０，０１０インチ）従って、 ｑ＝１．０８３’ｃ ＝ｏ、ｏ ００８０９ｋｇ／ａａ
（０，０１１５ｌｂ／ｉｎ”） 第２のステップにおいて、ブレード２０が発生すること
を要求される力Ｆを計算する。ブレード２０は矩形状で
あり、次の寸法を有しているものと仮定する。
５） ウ亙−ハとブレードとの間に存在するエアギャ
ップ（最悪の場合） ｙｃ＝０．２５４鰭（０，０１０インチ）従って、 ｑ＝１．０８３’ｃ ＝ｏ、ｏ ００８０９ｋｇ／ａａ
（０，０１１５ｌｂ／ｉｎ”） 第２のステップにおいて、ブレード２０が発生すること
を要求される力Ｆを計算する。ブレード２０は矩形状で
あり、次の寸法を有しているものと仮定する。
（１） ７ ６．２＋ｎＸ ｌ １ ４
．３ｍｍ （３，１４ｎＸ ４．５ｉｎ）（２）
ブレード面積＝１３．５ｉｎ”＝８．７Ｘ１０−’
ｏｆブレード２０は次式に等しい力を発生することを要
求される。
．３ｍｍ （３，１４ｎＸ ４．５ｉｎ）（２）
ブレード面積＝１３．５ｉｎ”＝８．７Ｘ１０−’
ｏｆブレード２０は次式に等しい力を発生することを要
求される。
［２］ Ｆ＝ｑｘブレード面積
＝０．０７０３ｋｇ （０，１５５１ｂ）または０．６
９Ｎ 第３のステップにおいては０．００８０９ ｋｇ（０，
１５５ｌｂ）に等しい静電クランプ力を発生するのに必
要な電圧を決定する。この必要電圧を計算するための式
は次の通りである。
９Ｎ 第３のステップにおいては０．００８０９ ｋｇ（０，
１５５ｌｂ）に等しい静電クランプ力を発生するのに必
要な電圧を決定する。この必要電圧を計算するための式
は次の通りである。
［３］
ここに、
（１） Ｆ ＝ ０．６ ９ Ｎ
＋２１ Ｘｅａｐ ＝ １／２ ｙｃ ＝ｏ、ｏ
０５ｉｎ＝１．２２５Ｘ１０−’ｍ ｆ３） ｄｔｔＬＭ＝誘電体膜厚−０，００２ｉｎ＝
５ＸｌＯ−’ｍ （４） ε、□＝１．０（空気または真空の誘電率）
（５） εｒ＝ｔ、＝９．０ （Ａ １２０３の誘電
率）（６） ε。＝８．８５ ｘ １０−１２Ｆ／ｍ
（自由空間の誘電率） （７１Ａ＝３ｘｌＯ−％（全電極面積の約ｌ／２）式［
３］によると、ウェーハ１４を平らにするには約７６０
ボルトが必要である。クランプ電圧を与えてもウェーハ
１４は平らになるが、エアギャップ５０の全てが無くな
るわけではない。それで、平らになったウェーハに残っ
ている小さなギャップを示すために、新しい小さなギャ
ップＸ９．、・なる記号を用いる。
０５ｉｎ＝１．２２５Ｘ１０−’ｍ ｆ３） ｄｔｔＬＭ＝誘電体膜厚−０，００２ｉｎ＝
５ＸｌＯ−’ｍ （４） ε、□＝１．０（空気または真空の誘電率）
（５） εｒ＝ｔ、＝９．０ （Ａ １２０３の誘電
率）（６） ε。＝８．８５ ｘ １０−１２Ｆ／ｍ
（自由空間の誘電率） （７１Ａ＝３ｘｌＯ−％（全電極面積の約ｌ／２）式［
３］によると、ウェーハ１４を平らにするには約７６０
ボルトが必要である。クランプ電圧を与えてもウェーハ
１４は平らになるが、エアギャップ５０の全てが無くな
るわけではない。それで、平らになったウェーハに残っ
ている小さなギャップを示すために、新しい小さなギャ
ップＸ９．、・なる記号を用いる。
第４のステップにおいては、１０００ボルトという高い
クランプ電圧を安全マージンとして用いる。１０００ボ
ルトにおけるウェーハ平坦化力Ｆｃを計算するための式
はつぎの通りである。
クランプ電圧を安全マージンとして用いる。１０００ボ
ルトにおけるウェーハ平坦化力Ｆｃを計算するための式
はつぎの通りである。
［４］
Ａε０８ｇ、ｐ ＡεＯεｆｉＬ＠ここに、Ｘ９１
．・＝ １．０ｍ１ｌ ＝２．５４ Ｘ ｌ Ｏ−’Ｖ
＝１０００Ｖ 式［４］によると、ウェーハ平坦化力は次のようになる
。
．・＝ １．０ｍ１ｌ ＝２．５４ Ｘ ｌ Ｏ−’Ｖ
＝１０００Ｖ 式［４］によると、ウェーハ平坦化力は次のようになる
。
ＦＣ＝ １１．４Ｎ＝２．５６１ｂ
最後の第５のステップにおいては、ウェーハ１４がブレ
ード２０から滑り出始めるときの接線加速度を決定する
。ａｓＬｉｐを計算するための式は次の通りである。
ード２０から滑り出始めるときの接線加速度を決定する
。ａｓＬｉｐを計算するための式は次の通りである。
［ｓｌ ａｓｔｉｐ＝ＦｃＸＫｓ／Ｍ Ｍ／Ｓ”
ここに、Ｍ＝０．０１５ｋｇ（水の質量）Ｋ、＝０．３
２（シリコン・ウェーハと誘電材料Ａ１．０．との間の
静止摩擦係数）ＦＣ＝１１．４Ｎ ｇ＝９．８Ｍ／Ｓ” 即ち、１０００ボルトにおいて、ウェーハは、接線加速
度が２４．８ Ｇになるまで、滑り始めることはなく、
これは、２〜３Ｇの範囲内の機械的アーム１９の一般的
加速値に対して成る程度の安全マージンを与える。
ここに、Ｍ＝０．０１５ｋｇ（水の質量）Ｋ、＝０．３
２（シリコン・ウェーハと誘電材料Ａ１．０．との間の
静止摩擦係数）ＦＣ＝１１．４Ｎ ｇ＝９．８Ｍ／Ｓ” 即ち、１０００ボルトにおいて、ウェーハは、接線加速
度が２４．８ Ｇになるまで、滑り始めることはなく、
これは、２〜３Ｇの範囲内の機械的アーム１９の一般的
加速値に対して成る程度の安全マージンを与える。
以上、本発明をその若干の実施例について説明したが、
これは例として示したものであって本発明を限定するも
のではない。当業者には明らかなように、特許請求の範
囲に記載のごとき本発明の真の精神及び範囲を逸脱する
ことなしに種々の変形を行うことが可能である。
これは例として示したものであって本発明を限定するも
のではない。当業者には明らかなように、特許請求の範
囲に記載のごとき本発明の真の精神及び範囲を逸脱する
ことなしに種々の変形を行うことが可能である。
第１図は本発明を具現する静電式ウェーハ搬送ブレード
を有する半導体ウェーハ処理装置の油路上面図、第２図
は本発明にかかる静電式ブレード・クランプの斜視図、
第３図は本発明にかかる半導体ウェーハをクランプする
第１図及び第２図の静電式ブレードの斜視上面図、第４
図は本発明にかかる静電クランプの前に半導体ウェーハ
の下に位置させられた第１図及び第２図の静電式ブレー
ドの側面図、第５図は本発明にかかる静電力線を示す第
１図及び第２図の静電式ブレードの側面図である。 半導体ウェーバ ウェーバ搬送ブレード ブレードの基盤 正電極 負電極 誘電材料 手 続 補 正 書 （方式） ％式％ １、事件の表示 平成１年特許願第３３９９０２号 ２、発明の名称 ウェーハを絶縁されたブレードにより 静電的にクランプする方法 ３、補正をする者 事件との関係
を有する半導体ウェーハ処理装置の油路上面図、第２図
は本発明にかかる静電式ブレード・クランプの斜視図、
第３図は本発明にかかる半導体ウェーハをクランプする
第１図及び第２図の静電式ブレードの斜視上面図、第４
図は本発明にかかる静電クランプの前に半導体ウェーハ
の下に位置させられた第１図及び第２図の静電式ブレー
ドの側面図、第５図は本発明にかかる静電力線を示す第
１図及び第２図の静電式ブレードの側面図である。 半導体ウェーバ ウェーバ搬送ブレード ブレードの基盤 正電極 負電極 誘電材料 手 続 補 正 書 （方式） ％式％ １、事件の表示 平成１年特許願第３３９９０２号 ２、発明の名称 ウェーハを絶縁されたブレードにより 静電的にクランプする方法 ３、補正をする者 事件との関係
Claims (8)
- （１）選択された印加電圧に対する単位入力電圧当たり
力を最適にすることによってウェーハ搬送ブレードに対
する半導体ウェーハの静電クランプ力を最大にする方法
において、 ウェーハ搬送ブレードの上面上の少なくとも１対の選択
された幅のはさみこみ形電極の上をおおって誘電材料の
層を堆積させる段階を有し、前記誘電材料は約０．０５
０８ｍｍから０．３８１ｍｍまで（約２ミルから１５ミ
ルまで）の範囲の厚さを有し、前記電極の選択された幅
と前記電極間の距離との比は３／１ないし２／１の範囲
内にあり、更に、 前記半導体ウェーハを前記ブレードに対して平らにする
のに十分な電圧を前記電極を横切って印加する段階を有
する静電クランプ力最大化方法。 - （２）選択された電極の幅は約０．３０４８ｍｍ（１２
ミル）ないし３．０４８ｍｍ（１２０ミル）の範囲内に
ある請求項１記載の静電クランプ力最大化方法。 - （３）電極間距離は約０．１０１６ｍｍないし１．０１
６ｍｍ（約４ミルないし４０ミル）の範囲内にある請求
項１記載の静電クランプ力最大化方法。 - （４）基盤と、 前記基盤上に形成され、交互の電極が電気的に共通に接
続されている少なくとも１対のはさみこみ形電極と、 前記はさみこみ形電極及び基盤の上をおおっている誘電
材料の層とを備え、前記誘電材料はクランプ電圧が印加
されるときの絶縁破壊を防止するのに十分な厚さを有し
ており、更に、前記ブレードとその上に載置された半導
体ウェーハとの間に静電クランプ力を発生するため、前
記交互の電極間に電圧を印加するための手段を備えて成
り、 前記静電クランプ力を増強するため、電極間間隔に対す
る電極幅の比は３／１ないし２／１の範囲内にあるウェ
ーハ搬送ブレード。 - （５）誘電体の層はＡｌ＿２Ｏ＿３から成り、その厚さ
は約０．０５０８ｍｍないし０．３８１ｍｍ（約２ミル
ないし１５ミル）の範囲内にある請求項２記載の静電ク
ランプ力最大化方法。 - （６）電極の厚さは０．３０４８ｍｍ（１２ミル）から
３．０４８ｍｍ（１２０ミル）までの範囲内にある請求
項２記載の静電クランプ力最大化方法。 - （７）電極間距離は０．１０１６ｍｍ（４ミル）から１
．０１６ｍｍ（４０ミル）までの範囲内にある請求項２
記載の静電クランプ力最大化方法。 - （８）静電式ウェーハブレードを用いるウェーハ製作装
置内のウェーハを搬送するための方法において、 搬送すべきウェーハを前記ブレードの上面に載置する段
階を有し、前記上面は、交互の電極が電気的に共通に接
続されている少なくとも１対のはさみこみ形電極を有し
、前記電極は、３／１から２／１までの範囲の価をもっ
て［電極幅／電極間距離］によって定義される相関比に
基づく幅及び前記電極間空間的距離を有しており、更に
、 前記ウェーハと前記ブレードとの間にウェーハ平坦化静
電力を誘起するのに十分な電圧を前記ブレード上の前記
電極に印加する段階と、装置内の前記ウェーハの移動を
制御するため、前記ブレードに取り付けられた機械的ア
ームをもって前記ブレードの運動を加速する段階とを有
し、加速運動中にクランプ力が前記ウェーハを前記ブレ
ード上に保持していることを特徴とするウェーハ搬送方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US335556 | 1981-12-29 | ||
| US07/335,556 US4962441A (en) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | Isolated electrostatic wafer blade clamp |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02288352A true JPH02288352A (ja) | 1990-11-28 |
| JPH0566022B2 JPH0566022B2 (ja) | 1993-09-20 |
Family
ID=23312275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1339902A Granted JPH02288352A (ja) | 1989-04-10 | 1989-12-28 | ウェーハを絶縁されたブレードにより静電的にクランプする方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4962441A (ja) |
| EP (1) | EP0392399B1 (ja) |
| JP (1) | JPH02288352A (ja) |
| KR (1) | KR0165114B1 (ja) |
| DE (1) | DE69013203T2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07321176A (ja) * | 1994-05-20 | 1995-12-08 | Hitachi Ltd | 基板搬送方法 |
| JP2005223185A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Toto Ltd | 静電チャックとその製造方法 |
| JP2008205508A (ja) * | 2008-05-15 | 2008-09-04 | Ulvac Japan Ltd | 基板搬送装置、真空処理装置 |
| JP2008205509A (ja) * | 2008-05-15 | 2008-09-04 | Ulvac Japan Ltd | 絶縁基板搬送方法、位置合わせ方法 |
| JP2009004806A (ja) * | 2003-07-08 | 2009-01-08 | Future Vision:Kk | 基板ステージ用静電チャック及びそれに用いる電極ならびにそれらを備えた処理システム |
| WO2012014428A1 (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-02 | 株式会社アルバック | 基板搬送方法および基板搬送システム |
| JP2017518649A (ja) * | 2014-05-16 | 2017-07-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 処理のために基板を支持する静電キャリア |
Families Citing this family (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5447409A (en) * | 1989-10-20 | 1995-09-05 | Applied Materials, Inc. | Robot assembly |
| ES2130295T3 (es) * | 1989-10-20 | 1999-07-01 | Applied Materials Inc | Aparato de tipo robot. |
| EP0493089B1 (en) * | 1990-12-25 | 1998-09-16 | Ngk Insulators, Ltd. | Wafer heating apparatus and method for producing the same |
| JPH06737A (ja) * | 1991-03-29 | 1994-01-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電チャック基板 |
| US5155652A (en) * | 1991-05-02 | 1992-10-13 | International Business Machines Corporation | Temperature cycling ceramic electrostatic chuck |
| US5191506A (en) * | 1991-05-02 | 1993-03-02 | International Business Machines Corporation | Ceramic electrostatic chuck |
| US5184398A (en) * | 1991-08-30 | 1993-02-09 | Texas Instruments Incorporated | In-situ real-time sheet resistance measurement method |
| US5315473A (en) * | 1992-01-21 | 1994-05-24 | Applied Materials, Inc. | Isolated electrostatic chuck and excitation method |
| US5355577A (en) * | 1992-06-23 | 1994-10-18 | Cohn Michael B | Method and apparatus for the assembly of microfabricated devices |
| US5600530A (en) * | 1992-08-04 | 1997-02-04 | The Morgan Crucible Company Plc | Electrostatic chuck |
| US5436790A (en) * | 1993-01-15 | 1995-07-25 | Eaton Corporation | Wafer sensing and clamping monitor |
| US5444597A (en) * | 1993-01-15 | 1995-08-22 | Blake; Julian G. | Wafer release method and apparatus |
| US5376862A (en) * | 1993-01-28 | 1994-12-27 | Applied Materials, Inc. | Dual coaxial magnetic couplers for vacuum chamber robot assembly |
| DE69402918T2 (de) * | 1993-07-15 | 1997-08-14 | Applied Materials Inc | Substratfangvorrichtung und Keramikblatt für Halbleiterbearbeitungseinrichtung |
| US5697748A (en) * | 1993-07-15 | 1997-12-16 | Applied Materials, Inc. | Wafer tray and ceramic blade for semiconductor processing apparatus |
| JPH07153825A (ja) * | 1993-11-29 | 1995-06-16 | Toto Ltd | 静電チャック及びこの静電チャックを用いた被吸着体の処理方法 |
| US6864570B2 (en) * | 1993-12-17 | 2005-03-08 | The Regents Of The University Of California | Method and apparatus for fabricating self-assembling microstructures |
| US5545291A (en) * | 1993-12-17 | 1996-08-13 | The Regents Of The University Of California | Method for fabricating self-assembling microstructures |
| US5904545A (en) * | 1993-12-17 | 1999-05-18 | The Regents Of The University Of California | Apparatus for fabricating self-assembling microstructures |
| US5463526A (en) * | 1994-01-21 | 1995-10-31 | Lam Research Corporation | Hybrid electrostatic chuck |
| TW288253B (ja) * | 1994-02-03 | 1996-10-11 | Aneruba Kk | |
| US5514439A (en) * | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Sibley; Thomas | Wafer support fixtures for rapid thermal processing |
| US5671116A (en) * | 1995-03-10 | 1997-09-23 | Lam Research Corporation | Multilayered electrostatic chuck and method of manufacture thereof |
| US5886863A (en) * | 1995-05-09 | 1999-03-23 | Kyocera Corporation | Wafer support member |
| US6042686A (en) * | 1995-06-30 | 2000-03-28 | Lam Research Corporation | Power segmented electrode |
| US5835333A (en) * | 1995-10-30 | 1998-11-10 | Lam Research Corporation | Negative offset bipolar electrostatic chucks |
| US5838529A (en) * | 1995-12-22 | 1998-11-17 | Lam Research Corporation | Low voltage electrostatic clamp for substrates such as dielectric substrates |
| US5841623A (en) * | 1995-12-22 | 1998-11-24 | Lam Research Corporation | Chuck for substrate processing and method for depositing a film in a radio frequency biased plasma chemical depositing system |
| US5812361A (en) * | 1996-03-29 | 1998-09-22 | Lam Research Corporation | Dynamic feedback electrostatic wafer chuck |
| US5886864A (en) * | 1996-12-02 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Substrate support member for uniform heating of a substrate |
| US5955858A (en) | 1997-02-14 | 1999-09-21 | Applied Materials, Inc. | Mechanically clamping robot wrist |
| US6217272B1 (en) | 1998-10-01 | 2001-04-17 | Applied Science And Technology, Inc. | In-line sputter deposition system |
| US6328858B1 (en) | 1998-10-01 | 2001-12-11 | Nexx Systems Packaging, Llc | Multi-layer sputter deposition apparatus |
| JP3805134B2 (ja) | 1999-05-25 | 2006-08-02 | 東陶機器株式会社 | 絶縁性基板吸着用静電チャック |
| US6821912B2 (en) | 2000-07-27 | 2004-11-23 | Nexx Systems Packaging, Llc | Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine |
| US6530733B2 (en) | 2000-07-27 | 2003-03-11 | Nexx Systems Packaging, Llc | Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine |
| US6682288B2 (en) | 2000-07-27 | 2004-01-27 | Nexx Systems Packaging, Llc | Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine |
| US6780696B1 (en) | 2000-09-12 | 2004-08-24 | Alien Technology Corporation | Method and apparatus for self-assembly of functional blocks on a substrate facilitated by electrode pairs |
| US6591560B2 (en) * | 2001-03-09 | 2003-07-15 | Milliken & Company | Electrostatic dissipating flooring article |
| JP2003110012A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Nissin Electric Co Ltd | 基板保持方法およびその装置 |
| JP4201564B2 (ja) * | 2001-12-03 | 2008-12-24 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハ搬送方法およびこれを用いた半導体ウエハ搬送装置 |
| US7100954B2 (en) | 2003-07-11 | 2006-09-05 | Nexx Systems, Inc. | Ultra-thin wafer handling system |
| JP2005123292A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Canon Inc | 収納装置、当該収納装置を用いた露光方法 |
| KR101660241B1 (ko) * | 2009-01-11 | 2016-09-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판을 이동시키기 위한 시스템, 장치 및 방법 |
| CH702404A1 (de) * | 2009-12-07 | 2011-06-15 | Iworks Ag | Vorrichtung und Verfahren für das Halten und Transportieren von Substraten. |
| KR20180112794A (ko) * | 2016-01-22 | 2018-10-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 전도성 층들이 매립된 세라믹 샤워헤드 |
| CN106563989B (zh) * | 2016-09-23 | 2019-01-04 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种抛光后蓝宝石晶片的装夹方法 |
| US10665494B2 (en) | 2018-01-31 | 2020-05-26 | Applied Materials, Inc. | Automated apparatus to temporarily attach substrates to carriers without adhesives for processing |
| CN109148345B (zh) * | 2018-07-05 | 2021-03-02 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种晶圆传载手臂及晶圆承载装置 |
| US12327749B2 (en) * | 2022-09-21 | 2025-06-10 | Intel Corporation | Carrier chuck and methods of forming and using thereof |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IL56224A (en) * | 1978-01-16 | 1982-08-31 | Veeco Instr Inc | Substrate clamp for use in semiconductor fabrication |
| GB2106325A (en) * | 1981-09-14 | 1983-04-07 | Philips Electronic Associated | Electrostatic chuck |
| US4733632A (en) * | 1985-09-25 | 1988-03-29 | Tokyo Electron Limited | Wafer feeding apparatus |
| US4724510A (en) * | 1986-12-12 | 1988-02-09 | Tegal Corporation | Electrostatic wafer clamp |
-
1989
- 1989-04-10 US US07/335,556 patent/US4962441A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-28 JP JP1339902A patent/JPH02288352A/ja active Granted
-
1990
- 1990-04-06 EP EP90106699A patent/EP0392399B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-04-06 DE DE69013203T patent/DE69013203T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-04-10 KR KR1019900004872A patent/KR0165114B1/ko not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07321176A (ja) * | 1994-05-20 | 1995-12-08 | Hitachi Ltd | 基板搬送方法 |
| JP2009004806A (ja) * | 2003-07-08 | 2009-01-08 | Future Vision:Kk | 基板ステージ用静電チャック及びそれに用いる電極ならびにそれらを備えた処理システム |
| JP2005223185A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Toto Ltd | 静電チャックとその製造方法 |
| JP2008205508A (ja) * | 2008-05-15 | 2008-09-04 | Ulvac Japan Ltd | 基板搬送装置、真空処理装置 |
| JP2008205509A (ja) * | 2008-05-15 | 2008-09-04 | Ulvac Japan Ltd | 絶縁基板搬送方法、位置合わせ方法 |
| WO2012014428A1 (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-02 | 株式会社アルバック | 基板搬送方法および基板搬送システム |
| JP5470460B2 (ja) * | 2010-07-27 | 2014-04-16 | 株式会社アルバック | 基板搬送方法および基板搬送システム |
| US8717737B2 (en) | 2010-07-27 | 2014-05-06 | Ulvac, Inc. | Substrate conveyance method and substrate conveyance system |
| JP2017518649A (ja) * | 2014-05-16 | 2017-07-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 処理のために基板を支持する静電キャリア |
Also Published As
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| DE69013203D1 (de) | 1994-11-17 |
| KR900017140A (ko) | 1990-11-15 |
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