JPH0228855A - バックアップデータ記憶方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 所定メモリへ記憶するデータをバックアップするための
バックアップ用データを更にバックアップするためのバ
ックアップデータ記憶方式に関し、バックアップ用メモ
リに不良箇所が発生したり、寿命回数に達しても緊急に
交換することなくバックアソプ用データをカバーし保証
することが出来るハックアップデータ記憶方式の実現を
目的とし、停電時対策を備えた書き込み／読み出し可能
なメモリの領域を、バックアップ用データを記憶する第
１の領域と、第１の領域が不良となった時そのアドレス
を記憶する第２の領域と、第２の領域と１対１で対応づ
けられている位置へ、第１の領域に記憶すべきハックア
ップ用データをバックアップするために記憶させる第３
の領域を割り当て、第１の領域にバックアップ用データ
を書き込んだ時、バ・２クアソプ用データを読み出し、
バックアップ用データの書き込みデータと読み出しデー
タとをチェックするバックアップ用データヂエソカを備
え、バックアップ用データチェンカにてチェックした結
果が不良の場合は、そのアドレスを第２の領域へ書き込
むと同時に第３の領域に第１の領域へ書き込むべき当該
バックアップ用データを書き込ように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、所定メモリへ記憶するデータをハックアップ
するためのバックアップ用データを更にバックアップす
るためのハックアップデータ記憶方式に関する。

通常、重要なデータを取り扱う場合等は書き込、７ｊ／
読み出し可能なメモリを使用してデータ処理を行う場合
、書き込み／読み出し可能なメモリへ供給される電源が
断になり、記憶しているデータが消失したり、メモリ素
子が不良となり書き込むことが不可能になった場合、代
替え領域を設けてこれらをハソアソプする方式が採用さ
れる場合が多い。

しかし、代替え領域が不良になった場合にこれに代わる
領域を考えたものは通常考えられておらず、最近のよう
に取り扱うデータが社会的にも重要な意味を持つように
なると代替え領域の代替えを簡易な方法で備えられるこ
とが要求される場合が多くなっている。

〔従来の技術〕

第３図は従来例を説明する図、第４図は他の従来例を説
明する図をそれぞれ示す。

第３図に示す図は先に特開昭６２−２８６１４０号公報
に”ζ公開されているものであり、その構成は、 不揮発性の主記憶装置２内に設けられている代替用メモ
リ領域情報を更新可能に記憶する代替情幸トメモリ領域
４と、 主記憶装置２に接続される補助記憶装置３に設げられデ
ータが書き込まれるメモリ領域５と、メモリ領域５にエ
ラーが発生した時に代替用として主記憶装置２により指
定される代替用メモリ領域６と、 上述の各メモリを制御する制御部（以下ＣＰＵと称する
）１とからなっている。

主記憶装置２はＣＰＵＩ内装置内装子設置され、補助記
憶装置３はＣＰＵＩの外部に設置されたものである。

又、主記憶装置２は例えば磁気コアメモリやハソテリバ
ソクアソプのＩＣメモリ等不揮発性メモリ構造となって
いる。

主記憶装置２には所定領域に渡って代替情報メモリ領域
４が設けられており、この代替情報メモリ領域４には代
替用メモリ領域に関する情報が予め書き込まれている。

一方、補助記憶装置３のメモリ領域はアドレスＡからＡ
＋１・・・Ａ＋ｍ＋ｌ・・・等のアドレス空間を有し、
まずＡ−Ａ　＋　ｍのメモリ領域５はＣＰＵＩからデー
タを書き込み格納するために確保されている。

次に、アドレスＡ＋ｍ＋１以降のメモリ領域６は、メモ
リ領域５に事故があった場合の代替用として設けら、以
下メモリ領域７が続いている。

そして、主記憶装置２の代替情報メモリ領域４にはメモ
リ領域５に事故があってデータの書き込みが不能の場合
の代替用の領域としてメモリ領域６のアドレスが記憶さ
れている。

このようにして、メモリ領域５の代替用点してメモリ領
域６が使用されると、代替情報メモリ領域４の情報を更
新して次のメモリ領域５の代替用としてメモリ領域７の
アドレスが書き込まれ保持される。

次に、第４図に示すブロック図は先に特開昭５７−１６
２１９３号公報にて公開されているものであり、その構
成は、 その領域が４つに分割されたメモリＭＥＭ１〜４と、 ４つに分割されたメモリＭＥＭＩ〜４のうちの１つのア
ドレスを指定するアドレス設定装置ＡＤと、 領域が４つに分割されたメモリＭＥＭ１〜４に書き込ま
れるデータや読み出されるデータのエラーを検出するエ
ラー検出装置ＥＤＴと、エラー検出装置ＥＤＴからの出
力によりアクセスされアドレス設定装置ＡＤの出力を変
換するアドレス変換装置ＡＤＣとを具備する。

例えば、アドレス設定装置ＡＤでメモリＭＥＭ１が指定
され、メモリＭＥＭ１から読み出されたデータからエラ
ー検出装置ＥＤＴにてエラーが検出されると、エラー検
出装置ＥＤＴのアクセスでアドレス変換装置ＡＤＣはア
ドレス設定装置ＡＤにメモリＭＥＭ２のアドレスを設定
し、メモリＭＥＭ２を使用するようにする。

又、メモリＭＥＭ２から読み出されたデータにエラー検
出装置ＥＤＴにてエラーが検出されると、メモリＭＥＭ
３のアドレスが設定されメモリＭＥＭ３を使用状態とす
る。

このような処理を分割されたメモリの数だけ繰り返すこ
とにより、簡易に代替メモリを確保することが可能とな
る。

尚、例えば第３図で説明した補助記憶装置３や第４図で
説明したメモリＭＥＭ１〜４のようにバックアップ用メ
モリとして、不揮発性機能を備えた書き込み／読み出し
可能なメモリであるＥ２ＦＲＯＭを使用する場合がある
。

又、これら不揮発性機能を備えたバックアップ用メモリ
やフロッピィディスク等の補助記憶装置等は通常正常に
書き込みが保証される回数が設定してあり、例えばＥ２
−ＦＲＯＭの場合は１万〜１０万回まで保証され、それ
以上の場合は交換する必要がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述のような方式でバックアップ用メモリを使用する場
合、バックアップ用データの書き込み／読み出し回数が
書き込み保証に達すると、直ちに交換する必要がある。

従って、バックアップ用データの書き込み／読み出し回
数が多い場合には交換時期に達する時間が早く、しかも
その回数が多くなり緊急の時には保守運用上問題となる
可能性がある。

本発明は、バックアップ用メモリに不良箇所が発生した
り、寿命回数に達しても緊急に交換することなくバック
アップ用データをカバーし保証することが出来るバック
アップデータ記憶方式の実現を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

第１図は本発明の詳細な説明するブロック図を示す。

第１図に示す本発明の実施例のブロック図中の１０は停
電時対策を備えた書き込み／読め出し可能なメモリの領
域を、バックアップ用データを記憶する第１の領域と、
第１の領域が不良となった時そのアドレスを記憶する第
２の領域と、第２の領域で指定され、しかも領域内の位
置が１対１で対応づけられている位置へ、第１の領域に
記憶すべきバックアップ用データをハックアップするた
めに記憶させる第３の領域を割り当てているメモリであ
り、 ２０はメモリ１０内第１の領域に当該ハックアップ用デ
ータを書き込むと直ちに当該ハックアップ用データの正
常性をチェックするため読み出し、当該ハックアップ用
データの書き込めデータと読み出しデータとをチェック
するハックアップ用データチェッカであり、 かかる手段を具備することにより本課題を解決するため
の手段とする。

Ｏ 〔作　用〕 メモリ１０内第１の領域に記憶されているバ・ツクアッ
プ用データを書き込み更新すると、直ちにそのデータを
読み出しその正常性をハックアンプ用データチェッカ２
０にてチェックする。

そして、チェック結果が正しければ更新作業を終了とし
、チェック結果が不良であればメモリ１０内第２の領域
で未使用領域を捜し、その箇所へメモリ１０内第１の領
域の不良箇所のアドレスを書き込む。

同時に、メモリ１０内第１の領域の不良箇所へ書き込む
予定のバックアップ用データをメモリ１０内第３の領域
に書き込み、その作業を終了させる。

このように、バックアップ用データ領域をバックアップ
する領域を設けることにより、緊急時にバックアップ用
データ領域が不良となるとその領域をバックアップする
領域を使用することにより正常な運用が保証させる。

〔実施例〕

以下本発明の要旨を第１図、第２図に示す実施例により
具体的に説明する。

第２図は本発明におけるバックアップ用メモリのエリア
マツプ例を説明する図を示す。尚、全図を通じて同一符
号は同一対象物を示す。

本発明の実施例はバックアップ用メモリＩＯとしてＥ２
−ＰＲＯＭを用いた場合の例であり、その第１の領域と
して第２図に示すようにハックアップ用データ記憶領域
（ａｌ、第２の領域として不良アドレス記憶領域（ｂｌ
、第３の領域として不良アドレス用データ記憶領域（Ｃ
１とした場合である。

尚、不良アドレス記憶領域（ｂ）と不良アドレス用デー
タ記ｔＳＩ域（Ｃ１は予め１対１で対応つげがなされて
いるものとする。又、第１図に示ずＣ０ＮＴ３０はＥ”
−ＦＲＯＭＩＯへのデータの書き込み／読み出しアクセ
スや不良アドレス記憶領域ｆｂｌ内の未使用領域の探索
等を行うものとする。

通常、データの書き込み／読み出し可能なメモリ　（Ｒ
ＡＭ）４０のハックアップ用としてはＥ２ＰＲＯＭＩＯ
内バックアップ用の通常データ記憶領域＋ａ＋が使用さ
れる。

このバックアップ用データ記憶領域（ａｌヘパツクアン
プ用データが書き込まれたり更新された場合は、リード
アフタライト方式で直ちにそのデータの正常性がバック
アップ用データチェッカ２０にてチェックされる。

そして、チェックが不良の場合のみ不良アドレス記憶領
域（ｂｌ及び不良アドレス用データ記憶領域（Ｃ１が下
記要領で使用される。

即ぢ、チェック結果が不良と言う通知を受けたＣ０ＮＴ
３０は、不良アドレス記憶領域（ｂｌ内で未使用領域（
例えば、初期値である“００”が記録されている領域）
を捜し、そこへバックアップ用データ記憶領域（ａｌの
不良箇所のアドレスを書き込む。

同時に、不良アドレス記憶領域ｉｂｌ内で未使用領域に
対応している不良アドレス用データ記憶領域（Ｃ１の箇
所ヘパツクアンプ用データをＣ０ＮＴ３０の制御の基に
書き込む。

次に、このハックアップ用データを読み出す場合は、ま
ず不良アドレス記憶領域（ｂｌを探索し何らかのデータ
（不良アドレス）が書き込まれている時はそのアドレス
をＣ０ＮＴ３０が記憶し、この不良アドレス記憶領域（
ｂｌに１対１で対応している不良アドレス用データ記憶
領域（Ｃ１の箇所の読み出しアドレスに変換してバック
アップ用データを読み出すことになる。

尚、不良アドレス記憶領域（ｂｌと不良アドレス用デー
タ記憶領域（Ｃ）は、１アドレスに１回の書き込みしか
行うことがない、即ち一度ハツクアップ用データ記憶領
域（ａｌの箇所が不良になると不良箇所が復旧すること
がないため二度使用することがないので、不良アドレス
記憶領域（ｂｌと不良アドレス用データ記憶領域（Ｃ１
での障害の発生確率は非常に低いものとなる。

又、以上のような不良アドレス記憶領域（ｂ）と不良ア
ドレス用データ記憶領域（Ｃ１を設けることにより、バ
ックアップ用メモリであるＥ２−ＦＲＯＭＩＯの障害時
、交換の緊急度を下げることが可能となり、保守運用上
非常に有効である。

〔発明の効果〕

以上のような本発明によれば、バックアップ用メモリが
不良になっても余裕を持って交換することが出来る。

３０はＣ０ＮＴ、 をそれぞれ示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 書き込み／読み出し可能な所定メモリ（４０）に対して
   書き込まれるデータが電源断の場合や記憶素子が破損し
   たために消失したり不良となる場合に備えて、バックア
   ップ用のデータを停電時対策を備えた書き込み／読み出
   し可能なメモリ（１０）に記憶するバックアップデータ
   記憶方式であって、 前記停電時対策を備えた書き込み／読み出し可能なメモ
   リ（１０）の領域を、バックアップ用データを記憶する
   第１の領域と、 前記第１の領域が不良となった時そのアドレスを記憶す
   る第２の領域と、 前記第２の領域と１対１で対応づけられている位置へ、
   前記第１の領域に記憶すべきバックアップ用データをバ
   ックアップするために記憶させる第３の領域を割り当て
   、 前記第１の領域に当該バックアップ用データを書き込ん
   だ時、当該バックアップ用データを読み出し、当該バッ
   クアップ用データの書き込みデータと読み出しデータと
   をチェックするバックアップ用データチェッカ（２０）
   を備え、 前記バックアップ用データチェッカ（２０）にてチェッ
   クした結果が不良の場合は、そのアドレスを前記第２の
   領域へ書き込むと同時に前記第３の領域に前記第１の領
   域へ書き込むべき当該バックアップ用データを書き込む
   ことを特徴とするバックアップデータ記憶方式。