JPH0228916B2 - Purintokibannokairohoshuyoteepunoseizohoho - Google Patents
PurintokibannokairohoshuyoteepunoseizohohoInfo
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- JPH0228916B2 JPH0228916B2 JP11748783A JP11748783A JPH0228916B2 JP H0228916 B2 JPH0228916 B2 JP H0228916B2 JP 11748783 A JP11748783 A JP 11748783A JP 11748783 A JP11748783 A JP 11748783A JP H0228916 B2 JPH0228916 B2 JP H0228916B2
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Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、プリント基板の回路補修用テープの
製造方法に関する。
製造方法に関する。
近時プリント基板の高密度化により回路が細く
なり、1枚のプリント基板で1ケ所でも回路に断
線があると、そのプリント基板は廃品となるの
で、その補修は重要である。従来プリント基板の
回路補修用テープとしては、幅0.05〜0.2mm、厚
さ50μmのものが要求され、しかも厚さ50μmの
内のりん銅ろう又は銀ろうが25μm、回路用金属
としてCuが25μmのクラツドテープが必要とされ
ている。
なり、1枚のプリント基板で1ケ所でも回路に断
線があると、そのプリント基板は廃品となるの
で、その補修は重要である。従来プリント基板の
回路補修用テープとしては、幅0.05〜0.2mm、厚
さ50μmのものが要求され、しかも厚さ50μmの
内のりん銅ろう又は銀ろうが25μm、回路用金属
としてCuが25μmのクラツドテープが必要とされ
ている。
現在斯かる寸法の回路補修用のクラツドテープ
は、製造不可能で、せいぜい幅0.2〜0.3mmのクラ
ツドテープしか作り得ず、それさえ現状では板材
を切断して作つている。
は、製造不可能で、せいぜい幅0.2〜0.3mmのクラ
ツドテープしか作り得ず、それさえ現状では板材
を切断して作つている。
然し、板材を幅0.2〜0.3mmに切断することは、
刃の関係上極めて困難で、特に幅0.2mm未満に切
断することは不可能であつた。
刃の関係上極めて困難で、特に幅0.2mm未満に切
断することは不可能であつた。
また板材を所要の厚さにする為に、化学処理に
て厚みをコントロールするので、表面が非常に汚
染されるものである。また機械加工と異なり厚み
にばらつきが生じるものである。
て厚みをコントロールするので、表面が非常に汚
染されるものである。また機械加工と異なり厚み
にばらつきが生じるものである。
本発明は斯かる実情に鑑みなされたもので、幅
が0.05〜0.2mmと極めて狭く、しかもCuとりん銅
ろう又は銀ろうとが確実、強固に付着した薄い回
路補修用のクラツドテープを作ることのできる製
造方法を提供せんとするものである。
が0.05〜0.2mmと極めて狭く、しかもCuとりん銅
ろう又は銀ろうとが確実、強固に付着した薄い回
路補修用のクラツドテープを作ることのできる製
造方法を提供せんとするものである。
本発明によるプリント基板の回路補修用テープ
の製造方法は、幅0.05〜0.2mm、厚さ10〜100μm
のりん銅ろう又は銀ろうのテープの少なくとも片
面に、Cu膜を形成することを特徴とするもので
ある。
の製造方法は、幅0.05〜0.2mm、厚さ10〜100μm
のりん銅ろう又は銀ろうのテープの少なくとも片
面に、Cu膜を形成することを特徴とするもので
ある。
りん銅ろう又は銀ろうテープにCu膜を形成す
るには、スパツタリング、イオンプレーテイン
グ、蒸着等の手段が用いられる。
るには、スパツタリング、イオンプレーテイン
グ、蒸着等の手段が用いられる。
以下本発明によるプリント基板の回路補修用テ
ープの製造方法の実施例を図によつて説明する。
ープの製造方法の実施例を図によつて説明する。
先ずスパツタリングによりりん銅ろうテープの
片面にCu膜を形成する場合を第1図a,bによ
つて説明すると、第1図aに示すステンレス製の
直径180mm、長さ320mmのドラム1に、幅0.1mm、
厚さ25μmのBCuP−5(りん銅ろう JIS−Z−
3264)テープ2を密着して巻き、これを第1図b
に示すスパツタリング装置3の真空容器4中にセ
ツトしてモータ5により回転するようになし、ド
ラム1と平行に対向して真空容器4中に直径127
mmのCuターゲツト6を2個セツトした。そして
ドラム1を20rpmの回転数で回転し、真空容器4
中の真空度を3×10-3Torrになし、ターゲツト
電圧500Vで各Cuターゲツト6に印加し、3時間
スパツタリングを行つた。その結果、BCuP−5
テープ2に平均膜厚20μmのCu膜7の形成された
第2図に示す断面形状の回路補修用のクラツドテ
ープ8を得た。このクラツドテープのCu膜7の
膜厚は、ドラム1の中央部長さ280mmの範囲内で
20±2μmと均一でその全体の長さは1583mであ
つた。またCu膜7の付着強度は極めて高いもの
であつた。
片面にCu膜を形成する場合を第1図a,bによ
つて説明すると、第1図aに示すステンレス製の
直径180mm、長さ320mmのドラム1に、幅0.1mm、
厚さ25μmのBCuP−5(りん銅ろう JIS−Z−
3264)テープ2を密着して巻き、これを第1図b
に示すスパツタリング装置3の真空容器4中にセ
ツトしてモータ5により回転するようになし、ド
ラム1と平行に対向して真空容器4中に直径127
mmのCuターゲツト6を2個セツトした。そして
ドラム1を20rpmの回転数で回転し、真空容器4
中の真空度を3×10-3Torrになし、ターゲツト
電圧500Vで各Cuターゲツト6に印加し、3時間
スパツタリングを行つた。その結果、BCuP−5
テープ2に平均膜厚20μmのCu膜7の形成された
第2図に示す断面形状の回路補修用のクラツドテ
ープ8を得た。このクラツドテープのCu膜7の
膜厚は、ドラム1の中央部長さ280mmの範囲内で
20±2μmと均一でその全体の長さは1583mであ
つた。またCu膜7の付着強度は極めて高いもの
であつた。
次にイオンプレーテイングによりBCuP−5テ
ープの片面にCu膜を形成する場合を第3図によ
つて説明すると、ステンレス製の直径180mm、長
さ320mmのドラム1′に、幅0.1mm、厚さ25μmの
BCuP−5テープ2を密着して巻き、これをイオ
ンプレーテイング装置3′の真空容器4′中にセツ
トし、ドラム1′に対向してCu6′を300mmの間隔
を存して配した。そしてドラム1′を20rpmの回
転数で回転し、ドラム1′の電圧400V、イオン化
電流、電圧20A、40V、真空度5×10-4Torrの条
件で5時間アーク放電して電子ビーム溶解した
CuをBCuP−5テープ2にプレーテイングした。
その結果、BCuP−5テープ2に膜厚20μmのCu
膜7の形成された第2図に示す如き断面形状の回
路補修用のクラツドテープ8を得た。このクラツ
ドテープ8のCu膜7の膜厚は均一で、付着強度
は、極めて高いものであつた。
ープの片面にCu膜を形成する場合を第3図によ
つて説明すると、ステンレス製の直径180mm、長
さ320mmのドラム1′に、幅0.1mm、厚さ25μmの
BCuP−5テープ2を密着して巻き、これをイオ
ンプレーテイング装置3′の真空容器4′中にセツ
トし、ドラム1′に対向してCu6′を300mmの間隔
を存して配した。そしてドラム1′を20rpmの回
転数で回転し、ドラム1′の電圧400V、イオン化
電流、電圧20A、40V、真空度5×10-4Torrの条
件で5時間アーク放電して電子ビーム溶解した
CuをBCuP−5テープ2にプレーテイングした。
その結果、BCuP−5テープ2に膜厚20μmのCu
膜7の形成された第2図に示す如き断面形状の回
路補修用のクラツドテープ8を得た。このクラツ
ドテープ8のCu膜7の膜厚は均一で、付着強度
は、極めて高いものであつた。
次いで、真空蒸着によりBCuP−5テープの片
面にCu膜を形成する場合を第4図によつて説明
すると、ステンレス製の直径180mm、長さ320mmの
ドラム1″に幅0.1mm、厚さ25μmのBCuP−5テー
プ2を密着して巻き、これを真空蒸着装置3″の
真空容器4″中にセツトし、ドラム1″に対向して
Cu6′を配した。そしてドラム1″を20rpmの回
転数で回転し、真空度10-4Torr、エミシヨン400
mA、9KVの条件でCu6″を溶融蒸発させてCu
をBCuP−5テープ2に蒸着した。
面にCu膜を形成する場合を第4図によつて説明
すると、ステンレス製の直径180mm、長さ320mmの
ドラム1″に幅0.1mm、厚さ25μmのBCuP−5テー
プ2を密着して巻き、これを真空蒸着装置3″の
真空容器4″中にセツトし、ドラム1″に対向して
Cu6′を配した。そしてドラム1″を20rpmの回
転数で回転し、真空度10-4Torr、エミシヨン400
mA、9KVの条件でCu6″を溶融蒸発させてCu
をBCuP−5テープ2に蒸着した。
その結果、BCuP−5テープ2に膜厚20μmの
Cu膜7の形成された第2図に示す如き断面形状
の回路補修用のクラツドテープ7を得た。このク
ラツドテープ8のCu膜7の膜厚は均一で、付着
強度は極めて高いものであつた。
Cu膜7の形成された第2図に示す如き断面形状
の回路補修用のクラツドテープ7を得た。このク
ラツドテープ8のCu膜7の膜厚は均一で、付着
強度は極めて高いものであつた。
以上の説明で判るように本発明のプリント基板
の回路補修用テープの製造方法によれば、幅が狭
くとも回路用金属であるCu膜が薄く且つ均一に
しかも確実、強固に付着された長尺の回路補修用
のクラツドテープを容易に作ることができるとい
う優れた効果がある。また本発明の製造方法によ
り得られた回路補修用のクラツドテープは、プリ
ント基板の細い回路の断線部に、所要の長さに切
断して配置して加熱することにより、りん銅ろう
又は銀ろうテープ側にてCu膜にて断線部を容易
に接続できる。
の回路補修用テープの製造方法によれば、幅が狭
くとも回路用金属であるCu膜が薄く且つ均一に
しかも確実、強固に付着された長尺の回路補修用
のクラツドテープを容易に作ることができるとい
う優れた効果がある。また本発明の製造方法によ
り得られた回路補修用のクラツドテープは、プリ
ント基板の細い回路の断線部に、所要の長さに切
断して配置して加熱することにより、りん銅ろう
又は銀ろうテープ側にてCu膜にて断線部を容易
に接続できる。
第1図aは本発明の製造方法の一実施例におい
てBCuPテープを密着して巻き付けるドラムの斜
視図、第1図bは本発明の製造方法の一実施手段
であるスパツタリング装置を示す概略図、第2図
はその製造方法により得られた回路補修用テープ
の断面拡大図、第3図は本発明の製造方法の他の
実施手段であるイオンプレーテイング装置を示す
概略図、第4図は本発明の製造方法のさらに他の
実施手段である真空蒸着装置を示す概略図であ
る。 1,1′,1″……ドラム、2……BCuPテー
プ、3……スパツタリング装置、3′……イオン
プレーテイング装置、3″……真空蒸着装置、4,
4′,4″……真空容器、5……モータ、6……
Cuターゲツト、7……Cu膜、8……回路補修用
のクラツドテープ。
てBCuPテープを密着して巻き付けるドラムの斜
視図、第1図bは本発明の製造方法の一実施手段
であるスパツタリング装置を示す概略図、第2図
はその製造方法により得られた回路補修用テープ
の断面拡大図、第3図は本発明の製造方法の他の
実施手段であるイオンプレーテイング装置を示す
概略図、第4図は本発明の製造方法のさらに他の
実施手段である真空蒸着装置を示す概略図であ
る。 1,1′,1″……ドラム、2……BCuPテー
プ、3……スパツタリング装置、3′……イオン
プレーテイング装置、3″……真空蒸着装置、4,
4′,4″……真空容器、5……モータ、6……
Cuターゲツト、7……Cu膜、8……回路補修用
のクラツドテープ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 幅0.05〜0.2mm、厚さ10〜100μmのりん銅ろ
う又は銀ろうのテープの少なくとも片面に、Cu
膜を形成することを特徴とするプリント基板の回
路補修用テープの製造方法。 2 Cu膜の形成を、ドラムに巻いたりん銅ろう
又は銀ろうテープを真空中で回転し乍らドラムに
対向させたCuターゲツトをりん銅ろう又は銀ろ
うテープにスパツタリングして行うことを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載のプリント基板の
回路補修用テープの製造方法。 3 Cu膜の形成を、ドラムに巻いたりん銅ろう
又は銀ろうテープを真空中で回転し乍らドラムに
対向させたCuをりん銅ろう又は銀ろうテープに
イオンプレーテイングして行うことを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載のプリント基板の回路
補修用テープの製造方法。 4 Cu膜の形成を、ドラムに巻いたりん銅ろう
又は銀ろうテープを真空中で回転し乍らドラムに
対向させたCuをりん銅ろう又は銀ろうテープに
蒸着して行うことを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載のプリント基板の回路補修用テープの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11748783A JPH0228916B2 (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | Purintokibannokairohoshuyoteepunoseizohoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11748783A JPH0228916B2 (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | Purintokibannokairohoshuyoteepunoseizohoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS609195A JPS609195A (ja) | 1985-01-18 |
| JPH0228916B2 true JPH0228916B2 (ja) | 1990-06-27 |
Family
ID=14712928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11748783A Expired - Lifetime JPH0228916B2 (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | Purintokibannokairohoshuyoteepunoseizohoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0228916B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH047349Y2 (ja) * | 1985-06-26 | 1992-02-26 |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP11748783A patent/JPH0228916B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS609195A (ja) | 1985-01-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |