JPH02289381A

JPH02289381A - 記録媒体

Info

Publication number: JPH02289381A
Application number: JP1110362A
Authority: JP
Inventors: Kyoji Tsutsui; 恭治筒井; Masabumi Ota; 正文太田; Ryohei Miyake; 了平三宅
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1989-04-28
Filing date: 1989-04-28
Publication date: 1990-11-29

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔技術分野〕本発明は熱エネルギーの印加による結晶状態の可逆的な
変化を利用した高密度記録媒体に関する。〔従来技術〕近年、たとえば光によって与えられた情報を熱エネルギ
ーの形に変換して印加し、記録材料の形状変化や物性変
化として記録するいわゆるヒートモード記録システムが
実用化されつつある。このようなヒートモード記録媒体
としては、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｅ。Ｔｂ、Ｉｎなどを主成分とする金属材料を用いた無機系
の記録媒体、あるいは、シアニンなどのポリメチン系色
素、フタロシアニン、ナフタロシアニン、ポルフィリン
などの大環状アザアヌレン系色素、ナフトキノン、アン
トラキノン系色素およびジチオール金属錯体系色素など
の有機色素を用いた記録媒体が知られている。これらの
記録媒体は集光したレーザー光の照射などにより熱エネ
ルギーが加えられると、照射部分の記＠層が溶融あるい
は蒸発して孔（ピット）を形成し、情報を記録するもの
である。しかし、これらの記録媒体は、記録した情報を
消去して、再び新しい情報を記録する可逆性を有してい
ない。上記のような再生専用、追記型のヒートモード光記録媒
体の発達とともに、記録、再生、消去が可能な可逆記録
媒体の必要性が高まっている。こうした可逆記録媒体として、たとえばＧｄ。ｒｂ、ａｙなどの希土類元素とＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏなどの
遷移金属とからなる合金薄膜を用いた光磁気記録媒体が
ある。これは、レーザー光照射による加熱と外部印加磁
界を併用して記録し、磁化の向きによる光の振動面の回
転方向の違いを利用して再生するものである。また、情
報の消去はレーザーによる加熱と記録時とは逆向きの外
部磁界を加えることにより行なわれる。しかし、この光
磁気記録媒体は、再生時の感度が十分でなくＳハ比が悪
いこと、および酸化などの影響により記録感度の劣化や
記録の安定性に問題があるなどの欠点を有している。また、可逆記録媒体としてＧｅ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｉ
ｎ、Ｓｎなどの元素を主成分とする無機材料薄膜からな
る記録層の結晶−非晶間の相転移を利用したものがある
。この記録媒体はレーザー光の照射のみでヒートモード
で記録および消去ができる利点があるが、記録部と非記
録部のコントラストや記録の安定性が十分でないこと、
記録層の材料の安全性に関して問題があるなどの欠点を
有している。一方、特開昭５４−１１９３７７、同５５−１５４１９
８、同６３−３９３７８、同６３−４１１８６号公報に
は、樹脂マトリックス材と、このマトリックス材中に微
粒子分散状態で存在する有機低分子物質からなる熱記録
材料が開示されている。この記録材料はある温度以上に
加熱し冷却すると白濁状態（遮光状態）になり、またあ
る温度範囲に加熱し冷却すると透明状態となり、この遮
光性の可逆的な変化により記録が行なわれる。しかし、
この遮光性によるコントラストは１通常目視でａ祭でき
る程度の大きさの記録の場合には明瞭であったとしても
、数μｍ程度の小さな部分が変化してできた記録部を顕
微鏡的に拡大してｗＡ察する場合には記録として確認で
きない程度の低いコントラストとなってしまう。記ａ層
中では有機低分子物質の微粒子のマトリックス中での状
態によって、光の散乱性が変化しているのであるが、記
録部分の大きさが数Ｒ程度になってしまうと、記録部分
の大きさに対してこの微粒子の大きさがこのような散乱
を起こすには十分なほどの小ささではなくなってしまう
ためである。これを補うためには、記録の大きさに比べ
記録層の厚さをはるかに厚くすることが考えられるが、
このように厚い記録層を厚さ方向に全体に均一に加熱し
て小さな記録部を形成することは、実質的に困難である
。したがって、高密度な記録を行なう記録媒体に適用す
ることはできない。その他に、有機材料を用いた消去可能な記録媒体として
、たとえば特開昭５８−１９９３４３号公報には有機金
属錯体ビス（１−ρ−ｎ−アルキルフェニルブタンー１
，３−ジオナト）（■）と有機高分子混合物、特開昭６
３−１５７９３号公報には結晶性と非品性の熱可塑性樹
脂混合物、特開昭６３−９５９９３号、同９６７４８号
公報には結晶性芳香族ビニレンスルフィド重合体、特開
昭６３−２７９４４０号公報には含硫黄ポリマー、特開
昭６３−１２８９９３号公報にはジアザビシクロ（２，
２，２）オクタン４級塩、特開昭６３−２５９８５１号
公報には延伸配向した高分子や液晶性高分子の結晶−非
晶転移あるいは配向度の変化を利用した記録媒体が示さ
れている。しかし、これらはいずれも記録速度あるいは
消去速度がおそく実用化は困難である。〔発明が解決しようとする課題〕このように従来の記録媒体には、記録の安定性。記録感度、消去速度、記録部と非記録部のコントラスト
などに種々の問題を残している。また、記録媒体は安全
性の面から毒性のない材料を用いたものであることが望
ましい。このような観点から、本発明は、情報を記録し、再生し
、かつ記録された情報を消去することができ、繰り返し
使用可能な記録媒体を提供するものである。また、記録
感度、記録速度に優れ、記録の安定性が良好で、記録部
と非記録部のコントラストが大きく、高密度に情報が記
録でき、記録された情報を高速に消去できる記録媒体を
提供するものである。さらに、本発明は毒性がなく安全
性の高い記録媒体を提供するものである。〔課題を解決するための手段〕本発明者らは、以上のような目的から種々の有機材料の
熱変化を検討した結果、安息香酸誘導体の薄膜状結晶を
記＠層に用いた場合、熱を印加した部分の結晶状態が変
化することを見出した。また、この変化部分が適当な温
度に再加熱されることにより元に戻ることを見出した。本発明は、このような安息香酸誘導体の薄膜状結晶の熱
的な可逆変化に基づくものである。すなわち、本発明の記録媒体は、基板上に記録層を有す
る記録媒体において、記録層が安息香酸誘導体を主成分
とする薄膜状結晶であるか、またはその薄膜状結晶を含
む層であることを特徴とするものである。また、本発明の記録媒体は、上記薄膜状結晶からなるか
、またはこれを含む記録層と、記録時に照射された光の
一部または全部を吸収し熱に変換する光熱変換層を有す
ることを特徴とするものである。また、本発明の記録媒体は、上記の二つの構成において
、安息香酸誘導体を含む記録層中に記録時に照射された
光の一部または全部を吸収し熱に変換する光熱変換物質
を含有することを特徴とするものである。以下に本発明の記録媒体について詳細に説明する。本発明の記録媒体の記録層は安息香酸誘導体を主成分と
する薄膜状結晶またはこれを含む層であるが、ここで言
う安息香酸誘導体とは、詳しくは下記−船人で表わされ
る安息香酸およびそのエステル、アミド、アニリドなど
が含まれる。また、この他に置換されていてもよいヒド
ラジド、ウレイドあるいは無水物、金属塩、アンモニウ
ム塩などの塩類が含まれる。また、エステルは一般式（
ＩＩ）で表わされる化合物以外に、脂肪族炭化水素化合
物の多価アルコールあるいは、複数のヒドロキシ基を持
つ芳香族炭化水素とのエステルを含む。一般式中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３，およびその他の安息香酸
誘導体の置換基としては、たとえば、水素、アルキル基
、アルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル
基、アントラニル基などのアリール基であり、Ｒｏはこ
れらの他、アシル基、アシルオキシ基、ハロゲン、ニト
ロ基、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボキシル基および
そのエステル、置換されていてもよいカルバモイル基、
スルホ基およびそのエステル、あるいはアルキル基、フ
ェニル基、置換フェニル基で置換されていてもよいアミ
ノ基などがある。また、上記のアルキル基、アルコキシ
基、アリール基は、Ｒｏと同様の置換基で置換されてい
てもよい。また、アルキル基、アルコキシ基は直鎖状の
ものでも枝分れしたものでもよく、炭素数２個以上のも
のにあっては炭素鎖中に、１個以上の不飽和結合を含ん
でいてもよい。使用する安息香酸誘導体は、好ましくは融点が５０〜２
００℃、特に６０〜１５０℃の範囲のものが好ましい。これより低いと記録の保存性に問題あり、また高いと記
録に要するエネルギーが大きくなり、記録速度がおそく
なる。本発明の記録媒体の記録層には、これらの安息香酸誘導
体の１種または２種以上を混合して用いることができる
。また、本発明における記録層は、これらの安息香酸誘
導体を主成分とする薄膜状結晶からなるか、またはこれ
を含むものであるが、これ以外に、層を形成する上で必
要に応じ樹脂を用いることができる。樹脂としては、た
とえば、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重
合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合体、
塩化ビニル−アクリレート共重合体、ポリ塩化ビニリデ
ン、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリ
エステル、ポリアミド、ポリアクリレート、ポリメタク
リレート、ポリカーボネート、ポリウレタン、シリコン
樹脂などが挙げられる。記録層中に樹脂を用いる場合、
記録層全体で安息香酸誘導体１に対して、樹脂は重量比
で３以下、特に１以下であることが好ましい。本発明の記録媒体に用いられる基板としては、ガラス板
、全屈板、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネー
トなどのプラスチック板などがある。ただし、情報記録
後、透過光により記録を読み取る場合には、基板には再
生光を透過するものを用いる必要がある。また反射光に
より読み取る場合には、必要に応じ、たとえば白金、チ
タン、シリコン、クロム、ニッケル、ゲルマニウム、ア
ルミニウムなどの金属または半金属の膜を設は反射層と
する。本発明の記録媒体は記録層に熱を印加することにより記
録するものであるが、熱を印加する方法としてレーザー
光などの光を用いる場合には、記録すべき情報に従って
照射された光の一部または全部を吸収し熱に変換する光
熱変換層を設けるか、あるいは、記録層中に光を吸収し
熱に変換する物質を含有させる必要がある。光熱変換層
としては前記反射層と同様の金属または半金属の膜を設
ければよく、したがって、この層は反射層と兼用するこ
とができる。また光熱変換層は照射した光を吸収する色
素、たとえば、アゾ系色素、シアニン系色素、ナフトキ
ノン系色素、アンｌ〜ラキノン系色素、スクアリリウム
系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色
素、ポルフィリン系色素、インジゴ系色素、ジチオール
錯体系色素、アズレニウム系色素、キノンイミン系色素
、キノンジイミン系色素などを含有する層であってもよ
く、記録に用いる光の波長により選択する。一方、記録
層中に含有させる光を吸収して熱に変換する物質として
は、上記光熱変換層中に含有させる各種色素を使用する
ことができ、記録に用いる光の波長により選択する。本発明の記録媒体は、基板上に安息香酸誘導体を主成分
とする薄膜状結晶からなるか、またはこれを含む記録層
を有し、その記録層が熱の印加により結晶状態が変化す
る層であることを特徴とするものであり、それらの構成
については特定するものではないが通常よく用いられる
記録媒体の構成例を第１図から第５図に示す。第１図に
おいて、１は基板、２は安息香酸誘導体を主成分とする
薄膜状結晶からなるか、またはこれを含む記録層である
。第２図は第１図に示される基板１と記録層２との間に
、光の一部または全部を吸収し熱に変換し必要に応じて
光の一部を反射する光熱変換層３を設けたものである。第３図は基板１上に記録層２を設けその上に光熱変換層
３を設けたものである。第４図は第２図の記録層２の下
に、たとえば記録層２の膜質の向上などを目的とする下
引き層４を設けたものである。さらに第５図は第４図の
記Ｍｆｆｉ２の一部に保′Ｗｋ層５を設けたものである
。下引きＮ４には、前記の記録層２を形成するときに用い
てもよい樹脂の例のような種々の樹脂を用いることがで
きる。また保護層５も同様にこれらの樹脂を用いてもよ
いし、あるいはガラス板を用いてもよい。ガラス板を用
いる場合には、下引き層と同様の目的で表面（記録層に
接する面）に同様の、樹脂層を設けてもよいし、ガラス
表面の性質を改良する表面処理剤たとえばシラン系また
はチタネート系表面処理剤であらかじめ処理を施してお
いてもよい。本発明の記録媒体を製造するには、前記の基板１上に必
要に応じ光熱変換層３をたとえば前記のような金属また
は半金属を用い、蒸着、スパッタあるいはメツキなどの
手段によって形成し、その上に記録層２を形成する。記８Ｎ２を形成する方法にはたとえば次のような方法が
ある。まず、光熱変換層３を設けた基板１上に、必要な
記録層２の厚さに応じたギャップを保ち保護Ｍ５に相当
するガラス板あるいは樹脂フィルムをかぶせる。ギャッ
プを作るためレニ、記録層２を形成する部分の周囲にス
ペーサー層を設けておいてもよいし、あるいは微小で均
一な径を有するギャップ材たとえばシリカ粒子、ポリス
チレンビーズなどをあらかじめ光熱変換／ＩＦａ側また
は保護層５側に付着させておいてもよい。このようにし
てギャップを形成した基板全体を恒温槽中に入れるかホ
ットプレート上にのせ、記録層２に用いる材料の融点よ
り高い温度に保ち、ギャップの端部に溶融した材料を置
き、ギャップ間に浸み込ませる。得られた融液層を徐冷
し結晶化させると。光熱変換層３と保護層５の間に、記録層２の薄膜状結晶
が形成できる。このとき、ギャップ間隔を一定に維持す
るため、結晶化するまでの間、おもりなどで加圧してお
いてもよい。また気泡が入らないようにするためこれら
の作業を減圧下で行なってもよい。また、別の製造方法としては、たとえば記録層２を形成
する材料を適当な有機溶媒たとえばテトラヒドロフラン
、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン５クロ
ロホルム、四塩化炭素などに溶解し、スピンコード法、
ブレードコート法、デイツプコート法などにより塗布し
乾燥するか、または蒸着法により光熱変換層３上に均一
な厚さの層を形成する。この上に必要に応じて適当な溶
媒に溶解した樹脂を塗布する６次に、これを恒温槽中に
入れるかホットプレート上にのせて、記録層２の材料の
融点以上になるように加熱した後。徐冷することにより結晶化させ記録層２の薄膜状結晶を
形成する。記録層２の形成にはこの他、ラングミュア・
プロジェット法など種々の方法を用いることができる。記録層２中に光熱変換物質を含ませる場合には、たとえ
ば記録層２の材料の溶液の中に前記の色素を同時に溶解
するか、あるいは分散して塗布すればよい。記録時または消去時に照射された光の一部または全部を
吸収し熱に変換する光熱変換層３を前記のごとき色素を
用いて形成する場合には、蒸着、スパッタなどの方法に
より形成するか、溶媒に溶解または分散した液を塗布し
て形成してもよい。この場合には必要に応じ結着性樹脂を用いてもよい。光
反射層が必要な場合は、金属の蒸着膜を別に設けてもよ
い。また、安息香酸誘導体を主成分とする薄膜状結晶からな
るか、またはこれを含む記録層２の膜厚は、特に限定す
るものではないが１通常１０人〜１０μＩ、好ましくは
１０人〜５ｐｍ程度である。光熱変換層３の厚さは、記
録に用いた光の波長や強度と用いた材料の種類により適
当な範囲が決まるが、おおむね、５０人〜５ｐａ程度で
ある。本発明の記録媒体は、安息香酸誘導体を主成分とする薄
膜状結晶からなるか、またはこれを含む記録層を有し、
その薄膜状結晶の結晶状態が熱の印加によって可逆的に
変化することを利用するものである。情報の記録すなわ
ち熱の印加の方法には種々の方法が考えられるが、高密
度な？２録を行なうためには集光したレーザー光の照射
による方法が最も好ましい。この場合、記録媒体には光
を吸収し熱に変換する前述の光熱変換層を設けるか、あ
るいは光を吸収して熱に変換する物質を記録層中に加え
る必要がある。記録時には、レーザー光照射部分は、光熱変換層または
光熱変換物質が光を吸収して発熱し、安息香酸誘導体の
薄膜状結晶からなるか、またはこれを含む記録層は瞬時
に加熱され、レーザー光照射が止むと急激に冷却され、
記録ピット（ただし、ここで言うピットとは穴ではなく
、薄膜状結晶中に結晶状態の変化として記録された部分
をさす。）が形成される。このとき、記録層中では、薄膜状結晶の一部、すなわち
短時間のレーザー光照射により発熱した光熱変換層（物
質）から伝わった熱によって瞬時に加熱された部分は、
結晶が完全に溶融する温度にまで到達する。しかし、レ
ーザー光照射が止むと熱は拡散し、この部分は瞬時に冷
却され、固化（結晶化）する、このように瞬時に加熱溶
融→冷却結晶化した部分の結晶状態は、熱が印加されて
いない部分の状態すなわち周囲の非記録部の結晶状態と
は異なった状態となる。この結晶状態の変化とは、たとえば（１）結晶粒の大き
さ形態の変化、（２）結晶軸の方向の変化。または分子の配向方向の変化、（３）結晶構造の変化な
どがある。記録が行なわれる前の記録層は、全体がほぼ
−様な方向を向いて並んだ、はぼ−様な厚さの薄膜状の
結晶となっている。この変化のうち（１）の結晶粒の大
きさ形態の変化とは、たとえば薄膜状結晶の中の記録部
が、小さく分割された結晶の集合となったものである。この状態の変化は、たとえば走査型電子顕微鏡などで、
剥離した記録層をｗｔ察することにより確認できる。ま
た（２）の結晶軸方向の変化または分子配向方向の変化
とは、たとえば結晶構造は基本的には同じであるが、結
晶の向いている方向、すなわち結晶軸の方向が異なって
結晶化したもの、あるいは、これほどには明確ではない
が、基本的には何らかの配向をした分子の集合となって
おり、その全体の配向方向が周囲の非記録部とは異なる
場合である。また、（３）の結晶構造の変化とは、記録部が周囲の非
記録部とは異なる結晶状態へ結晶化したものであり、こ
の中には分子配列の規則性の乱れが大きく、あるいは規
則性を持つ範囲が非常にせまい。非晶状態に変化する場合も含まれる。これらの結晶状態の変化は、薄膜状結晶への部分的な短
時間の熱の印加、すなわち短時間の光照射によって起こ
る溶融状態からの急冷に起因するものであるが、その冷
却速度は主に光照射の時間に依存する。集光したレーザ
ー光に照射された微小な部分の温度変化を測定すること
は困難であるため、レーザー光の強度分布、光吸収と熱
伝導を考慮し、各層の厚さ、光吸収特性、熱伝導率、比
熱などの熱特性を表−１に示す値とし、記録層の温度変
化をシュミレーションすると、たとえば、８０℃から６
０℃まで冷却されるのに要する時間は、照射時間が１０
０μｓｅｃでは約１．７μｓｅｃ、照射時間が０．２５
μｓｅｃでは約１５ｎｓｅｃとなり、その冷却速度の差
は非常に大きい。したがって、短時間の光照射（熱の印
加）によって起こる結晶状態の変化も、照射時間によっ
て変化し一定ではない、たとえば、微結晶化では、冷却
速度が速いほどより微細化する傾向が認められる。また
１分子の配向状態とも関係し、一般に冷却速度が速いほ
ど配向の乱れが大きくなる傾向があり１分子が規則的配
列をとる範囲がせまく、結晶化度の低い状態になる場合
もある。このような記録による結晶状態の変化はたとえ
ば記録層のＸ線回折を測定することによって確認できる
。また、記録によって起こる前記（１）、（２）、　（
３）の結晶状態の変化は、それぞれ別々に起こるという
よりは複合して起こるものである。また、レーザー光を
照射された記録層中の溶融した部分の中は、光熱変換層
からの距離やビームの中心からの距離によって、到達温
度、冷却速度が大きく異なり、それぞれの場所で異なる
条件で結晶化が起こるため、必ずしも−様な状態とはな
らない。したがって、（１）、（２）、（３）の結晶状
態の変化は、ひとつの記録部内においても、位置により
様々な形で複合されて起こる。表−ル −ザー光波長：Ｉｌ１３０ｎｍ記録された状態は、たとえば顕微鏡、偏光顕微鏡などの
光学的観察手段により確認することができる。特に、こ
のような結晶状態の変化は偏光特性の変化を伴なう場合
が多く、偏光顕微鏡を用いクロスニコル下で明暗のコン
トラストあるいは色調の差として明瞭に観察できる場合
が多い。したがって、記録された情報の再生（読み出し
）は、記録媒体に集光した偏光を入射させ、その反射ま
たは透過光を入射させた光の振動方向と直交する振動方
向の光を透過するように置かれた偏光子を通して光の強
度を検知することにより行なうことができる。再生に用
いる光の強度は記録および消去に用いる光に比べ十分に
弱めて、記録層の温度が消去温度まで上昇しない程度と
する。このように記録層中の安息酸誘導体を主成分とする薄膜
状結晶の一部に熱を印加し、瞬時に溶融再結晶化させる
ことにより結晶状態の変化として記録された情報は、記
録層が記録時の温度より低い温度であり、記録層が完全
には溶融しない温度であるが、分子が十分に熱運動し得
る温度に加熱することにより、消去することができる。消去が可能な温度範囲は記録層の材料、純度等により変
化するが、記録層を形成する薄膜状結晶の融点より低い
温度に存在する。この記録が消去される様子は、偏光顕
微鏡で観察しながら、記録Ｊけの温度を上昇させていく
ことにより確認できる。偏光顕微鏡では記録部の状態は
、たとえば明るい非記録部の中に暗いライン状に見える
が、温度を上昇させていくと、ある温度からそのライン
が部分的に欠は始め最終的には全体が非記録部と同じ明
るい状態となり、この温度から冷却すれば記録は消去さ
れる。この消去温度では非記録部の明るさの変化はない
が、さらに温度を上げ記録層の融点まで到達すると、視
野全体が完全に暗くなる。したがって、薄膜状結晶中に
形成された結晶状態の変化した微小な記録部の分子が、
十分に熱運動し得る状態になるとその周囲の非記録部の
分子と同様な配列をとるようになり、その温度から室温
に戻ることにより全体が−様な薄膜状結晶となって消去
される。消去は具体的には記録媒体全体を上記温度範囲に加熱し
冷却して記録全体を消去することもできるし、記録ピッ
ト部分、あるいは、これより少し広い範囲を局部的に消
去温度まで加熱冷却することによって、記録された情報
の一部のみを消去することも可能である。後者の場合に
は記録時に照射したレーザー光の強度を弱めて、記録ピ
ット部分の温度が消去温度範囲に入るように調節して、
重ねて照射すればよい。このとき記録層の薄膜状結晶の
記録ピット部分（結晶状態が変化した部分）は、いった
ん消去温度まで加熱され、冷却されると、その結晶状態
が元の状態すなわち周囲の非記録部と同じ結晶状態に戻
り、記録ピットは消去される。この消去された状態は、
記録状態と同様、顕微鏡、偏光顕微鏡などの光学的観察
手段により確認できる。本発明の記録媒体は、基本的に熱により記録層に穴をあ
けたり、記録層の表面形状を変化させたりするものでは
なく、記録層を形成する薄膜状結晶または記録層中に含
まれる薄膜状結晶の一部分の結晶状態を変化させること
により記録するものであり、形成された記録部と非記録
部の差をたとえば偏光特性の差として検出するものであ
る。この点で本発明の記録媒体は従来の記録媒体と太き
く異っている。たとえば、従来技術の項で示した樹脂マ
トリックス中に有機低分子化合物が分散された状態で存
在し、加熱温度により遮光性が変化する記録媒体とは全
く異なる現象に基づくものである。すなわち、この例の
記録媒体は記録層中に有機低分子化合物が微粒子状に存
在し、記録部そのものも多数の微粒子によって形成され
、記録がこの微粒子分散状態による光の散乱に基づく遮
光性の差であるのに対し、本発明の記録媒体は安息香酸
誘導体が薄膜状結晶として存在し、記録がこの薄膜状結
晶の一部に結晶状態の変化として形成され、その結果と
しての光学的性質の差を検出するものである。したがっ
て、両者の違いは明白である。

【発明の効果〕

本発明の記録媒体の記録と消去は、基本的に記録層を形
成する安息香酸誘導体の薄膜状結晶の到達温度差による
ものであり、これは照射するレーザー光の強度より調節
できる。また記録も消去も高速に行なえるため、消去し
ながら記録を行なう。いわゆるオーバーライド（重ね書き）が可能である。また、この記録と消去は安定して繰り返し行なうことが
できる。さらに、記録部は非記録部と同様安定な状態に
あるので、記録された情報は長期間にわたり安定に保存
できる。（実施例〕以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。実施例１光学研磨された直径４インチ（ｌｏｆ、６＋ｍ）、厚さ
１．２ｎｎのガラスディスク上に光反射層であり、かつ
光熱変換層であるクロム層を真空蒸着により設けた。厚
さ約９００人であった。このクロム層上にポリイミド樹
脂溶液（日本合成ゴム社製、ＪＩＢ−１）を塗布し、温
度１５０℃で１時間乾燥して厚さ約０．１戸のポリイミ
ド層を設けた。一方体設層となる厚さ０．１ｍガラス板
を用意し、その片面に同様に厚さ約０．１声のポリイミ
ド層を設け、さらにその上にギャップ材として直径約１
７ｍのシリカ粒子を微量付着させた。この両方を温度１
４０℃の恒温槽中に入れ加熱した後、同温度でガラスデ
ィスクのポリイミド層上に４−ヘキサデシルオキシ安息
香酸を少量のせ溶融させた。次に、一方のガラス板をギ
ャップ材の付着した面を下にして、その融液上に一端か
ら静かにかぶせ、融液を全面に拡げてはさみ込んだ。さ
らにかぶせたガラス板の上から均一に荷重をかけ、その
まま恒温槽の温度をゆっくり下げ、４−ヘキサデシルオ
キシ安息香酸を結晶化させて、はぼ−様な配向をした薄
膜状結晶よりなる記録Ｊａ（厚さ約１　ｐｖａ　）を形
成した。このようにして作成した記録媒体を９００ＲＰにで回転
させ、そこに直径１７ａに集光した波長８３０ｎ−の半
導体レーザーを線速３５００−４０００ｎｕａ／　ｓｅ
ｅでスパイラル状に照射した。このときレーザーの点灯
条件は周波数２００にＨｚ、デユーティ比５０％で記録
媒体面での強度が５．６，７．８．１０．１２．１４．
１６ｍＶになるように設定した。この記録媒体を反射偏光顕微鏡を用い直交ニコル状態で
観察すると、記録層のレーザー光照射部分に、強度７１
以上で記録ができていることが明瞭なコントラストで認
められた。また記録部分は、照射したレーザー光の強度
が大きくなるに従って幅が広くなる。第６図に強度１２ｒｒ＋Ｗで記録された部分の偏光顕微
鏡写真を示す、なお、この記録の状態は通常の光学顕微
鏡ではほとんど確認できない程度であった。次に、この記録部を偏光顕微鏡で観察しながら記録媒体
の温度を１’Ｃ／分の速度で上げていくと、明瞭なコン
トラストで見えていた記録部が７１℃位から消え始め、
８０℃では完全に消去された。また、この温度では非記
録部には変化は認められなかった。さらに品温を続けて
いくと、１１５℃で視野の一端から完全に暗くなり、す
ぐに全体に拡がって、この温度で記録層の結晶薄膜が完
全に溶融したことが確認された。次に前述の通り記録した記録媒体に対して、直径５μ−
に集光した波長７８０ｎｍの半導体レーザー光を記録媒
体での強度を２．８ｍＷとなるように連続点灯し、線速
５０ｗｍ／ｓｅｃの速度で、前の記録部と重なるように
直線状に走査した。この記録媒体を偏光顕微鏡でｗＡ察
したところ、５／Ｉｌｌφのレーザー光が走査した部分
だけ、前に形成されていた１声φレーザー光による記録
が帯状に消去されていた。実施例２実施例１において、記録層に用いた４−ヘキサデシルオ
キシ安息香酸の代わりに、記録層の材料として表−】に
示す安息香酸誘導体を用いた以外は、実施例１と同様の
方法で記録媒体を作成した。ただし、このときの温度は
各材料の融点より１０〜２０℃高い温度とし、その温度
から荷重をかけながら徐冷して結晶化させた。このように作成した記録媒体に、直、径１趣に集光した
半導体レーザーを実施例１と同様の条件で照射した。た
だし、記録光の強度は表−１に示した通りとした。各記
録媒体を偏光顕微鏡でａ察したところ、表−１の安息香
酸誘導体を用いた記録媒体すべてに、実施例１と同様の
記録が形成しているのが確認できた。表−１

【図面の簡単な説明】

第１図〜第５図は本発明の記録媒体の断面図であり５図
中１は基板、２は安息香酸誘導体の記録層、３は光熱変
換層、４は下引き層、５は保護層を示す。第６図は４−ヘキサデシルオキシ安息香酸の薄膜状結晶
を記録層とする記録媒体に１μｍφのレーザー光照射に
より記録した部分の偏光顕微鏡写真である。第図第３図第５図第２図第４図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板上に記録層を有する記録媒体において、記録
層が安息香酸誘導体を主成分とする薄膜状結晶であるか
、またはその薄膜状結晶を含む層であることを特徴とす
る記録媒体。
（２）記録時に照射された光の一部または全部を吸収し
熱に変換する光熱変換層を設けたことを特徴とする請求
項（１）記載の記録媒体。
（３）記録層中に記録時に照射された光の一部または全
部を吸収し熱に変換する光熱変換物質が含有されている
ことを特徴とする請求項（１）または（２）記載の記録
媒体。