JPH02289414A - 二酸化珪素被膜の製造方法 - Google Patents
二酸化珪素被膜の製造方法Info
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- JPH02289414A JPH02289414A JP10813189A JP10813189A JPH02289414A JP H02289414 A JPH02289414 A JP H02289414A JP 10813189 A JP10813189 A JP 10813189A JP 10813189 A JP10813189 A JP 10813189A JP H02289414 A JPH02289414 A JP H02289414A
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 116
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title claims abstract description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 5
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 30
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 7
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- LRCFXGAMWKDGLA-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;hydrate Chemical compound O.O=[Si]=O LRCFXGAMWKDGLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 229910003638 H2SiF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- ZEFWRWWINDLIIV-UHFFFAOYSA-N tetrafluorosilane;dihydrofluoride Chemical compound F.F.F[Si](F)(F)F ZEFWRWWINDLIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
本発明は二酸化珪素被膜の製造方法に関し、特に珪弗化
水素酸の二酸化珪素過飽和溶液を含む処理液と基材とを
接触させて、基材表面に二酸化珪素被膜を製造する方法
の改良法に関する。
水素酸の二酸化珪素過飽和溶液を含む処理液と基材とを
接触させて、基材表面に二酸化珪素被膜を製造する方法
の改良法に関する。
［従来の技術］
従来、二酸化珪素被膜形成法として、珪弗化水素酸の二
酸化珪素過飽和水溶液に基材を浸せきして基材表面に二
酸化珪素被膜を形成する方法（以後析出法と呼ぶ）が知
られている。（例えば、特開昭５７−１９６７４４、特
開昭６１−２８１０４７、特開昭６２−２０８７６＞上
記析出法で成膜速度を増加させるためには、処理液であ
る珪弗化水素酸の分解を促進させるような物質または熱
エネルギーの供給速度を増加させることが有効であるが
、供給速度が速すぎると処理液中で二酸化珪素粒子が発
生し、成膜速度が逆に減少することが知られている。こ
れは、 （二酸化珪素被膜成膜量）／（珪弗化水素酸の
分解を促進させるような物質または熱エネルギーの供給
量）の比で表わされる成膜効率（以後、成膜効率と略す
）が低下する事を意味する。上記二酸化珪素粒子の発生
・成長を抑制し、かつ成膜速度を増加させる（つまり、
成膜効率を増加させる）ためには、珪弗化水素酸の分解
を促進させるような物質または熱エネルギーを連続的に
供給し、処理液の一部を循環させ処理液中に発生する二
酸化珪素粒子を濾過するという方法（以後改良法１と呼
ぶ）が知られている。
酸化珪素過飽和水溶液に基材を浸せきして基材表面に二
酸化珪素被膜を形成する方法（以後析出法と呼ぶ）が知
られている。（例えば、特開昭５７−１９６７４４、特
開昭６１−２８１０４７、特開昭６２−２０８７６＞上
記析出法で成膜速度を増加させるためには、処理液であ
る珪弗化水素酸の分解を促進させるような物質または熱
エネルギーの供給速度を増加させることが有効であるが
、供給速度が速すぎると処理液中で二酸化珪素粒子が発
生し、成膜速度が逆に減少することが知られている。こ
れは、 （二酸化珪素被膜成膜量）／（珪弗化水素酸の
分解を促進させるような物質または熱エネルギーの供給
量）の比で表わされる成膜効率（以後、成膜効率と略す
）が低下する事を意味する。上記二酸化珪素粒子の発生
・成長を抑制し、かつ成膜速度を増加させる（つまり、
成膜効率を増加させる）ためには、珪弗化水素酸の分解
を促進させるような物質または熱エネルギーを連続的に
供給し、処理液の一部を循環させ処理液中に発生する二
酸化珪素粒子を濾過するという方法（以後改良法１と呼
ぶ）が知られている。
（例えば、特開昭６０−３３２３３、特開昭６３また、
上記析出法で緻密な二酸化珪素被膜を形成する方法とし
ては、高い処理液温度で二酸化珪素被膜を形成する方法
（例えば、特願昭６２−１８４５６９ 以後改良法２
と呼ぶ）や、処理液として高濃度の珪弗化水素酸水溶液
を用いる方法（例えば、特願昭６２−１７４５６１
以後改良法３と呼ぶ）が知られている。
上記析出法で緻密な二酸化珪素被膜を形成する方法とし
ては、高い処理液温度で二酸化珪素被膜を形成する方法
（例えば、特願昭６２−１８４５６９ 以後改良法２
と呼ぶ）や、処理液として高濃度の珪弗化水素酸水溶液
を用いる方法（例えば、特願昭６２−１７４５６１
以後改良法３と呼ぶ）が知られている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかし上記改良法ｌで得られる成膜速度は、処理条件に
より多少異なるが約３３０−１Ｏ０ｎ／ｈであり、工業
的に十分とはいえない。更に上記改良法１の場合に於い
ても、二酸化珪素粒子の発生はおこっており、成膜効率
は必ずしも十分ではない。
より多少異なるが約３３０−１Ｏ０ｎ／ｈであり、工業
的に十分とはいえない。更に上記改良法１の場合に於い
ても、二酸化珪素粒子の発生はおこっており、成膜効率
は必ずしも十分ではない。
また、上記改良法２や上記改良法３では、処理液からの
３１成分（Ｈ２ＳｉＦ６またはＳｉＦ４と推定される）
の蒸発が激しく、処理液と大気との界面や処理液液面上
の容器壁に二酸化珪素粒子が生成してしまう。これらの
二酸化珪素粒子は、本来処理液中で二酸化珪素被膜とな
り得ると推定され、大気中に飛散してしまう結果、成膜
効率が低下してしまうという問題があった。
３１成分（Ｈ２ＳｉＦ６またはＳｉＦ４と推定される）
の蒸発が激しく、処理液と大気との界面や処理液液面上
の容器壁に二酸化珪素粒子が生成してしまう。これらの
二酸化珪素粒子は、本来処理液中で二酸化珪素被膜とな
り得ると推定され、大気中に飛散してしまう結果、成膜
効率が低下してしまうという問題があった。
［問題点を解決するための手段］
本発明は前記問題点を解決するためになされたものであ
って、二酸化珪素が過飽和状態となった珪弗化水素酸溶
液を含む処理液と基材とを接触させて基材表面に二酸化
珪素被膜を析出させる二酸化珪素被膜の製造方法におい
て、該処理液からのｓｉ酸成分蒸発を防ぐため、該珪弗
化水素酸溶液を含む処理液と気体との界面をなくすと言
う方法を用いている。
って、二酸化珪素が過飽和状態となった珪弗化水素酸溶
液を含む処理液と基材とを接触させて基材表面に二酸化
珪素被膜を析出させる二酸化珪素被膜の製造方法におい
て、該処理液からのｓｉ酸成分蒸発を防ぐため、該珪弗
化水素酸溶液を含む処理液と気体との界面をなくすと言
う方法を用いている。
該処理液と気体の界面をなくす方法としては、密閉容器
中に該処理液を満たす、該処理液上に固体を浮かべる等
の方法でも良いが、該処理液との反応性が低く、かつ該
処理液より比重の軽い液状物質を浮遊させると言う方法
が、簡便で、かつ該処理液と気体との界面をくまな（な
くすことが出来るため望ましい。
中に該処理液を満たす、該処理液上に固体を浮かべる等
の方法でも良いが、該処理液との反応性が低く、かつ該
処理液より比重の軽い液状物質を浮遊させると言う方法
が、簡便で、かつ該処理液と気体との界面をくまな（な
くすことが出来るため望ましい。
該液状物質としては、該処理液との反応性が低く、かつ
該処理液より比重の軽い物質であれば特に限定されない
。例えば一般弐Ｃ１Ｈ２ｎ＊２で表される脂肪族炭化水
素ではｎ＝４〜３１のものが使用できるが本発明を実施
するときの処理液温度及び該液状物質の融点、沸点、該
処理液温度での蒸気圧等を考慮′して選択したほうがよ
い。
該処理液より比重の軽い物質であれば特に限定されない
。例えば一般弐Ｃ１Ｈ２ｎ＊２で表される脂肪族炭化水
素ではｎ＝４〜３１のものが使用できるが本発明を実施
するときの処理液温度及び該液状物質の融点、沸点、該
処理液温度での蒸気圧等を考慮′して選択したほうがよ
い。
上記二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化水素酸溶液
を含む処理液の調整方法は特に限定されず、例えば二酸
化珪素の略飽和状態となった珪弗化水素酸溶液に、Ｈ３
ＢＯ３，ＡＩ等の珪弗化水素酸の分解を促進させる物質
を添加する方法、及び二酸化珪素の略飽和状態となった
珪弗化水素酸溶液の温度を上昇させる方法等が利用でき
る。
を含む処理液の調整方法は特に限定されず、例えば二酸
化珪素の略飽和状態となった珪弗化水素酸溶液に、Ｈ３
ＢＯ３，ＡＩ等の珪弗化水素酸の分解を促進させる物質
を添加する方法、及び二酸化珪素の略飽和状態となった
珪弗化水素酸溶液の温度を上昇させる方法等が利用でき
る。
本発明に適用される基材は、特に限定されず、アルカリ
金属含有ガラス、シリカガラス、無アルカリガラス等の
各種ガラスや、各種セラミックス、シリコンやガリウム
砒素等の各種半導体等、該処理液と不都合な反応を生じ
にくいあらゆる基材に適用できる。
金属含有ガラス、シリカガラス、無アルカリガラス等の
各種ガラスや、各種セラミックス、シリコンやガリウム
砒素等の各種半導体等、該処理液と不都合な反応を生じ
にくいあらゆる基材に適用できる。
［作用］
本発明によれば、二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗
化水素酸を含む処理液と気体の界面をな（しているため
、該処理液からのＳｉ成分（Ｈ２ＳｉＦ６または５ＩＦ
４と推定される）の蒸発を防ぐことが出来る。その結果
、成膜効率が大幅に増加し、成膜速度も増加する。特に
、処理液中の珪弗化水素酸溶液の濃度が高い場合や、処
理液温度が高い場合、高成膜速度を得る場合等の、処理
液からのＳｉ成分の蒸発が激しい場合に有効である。
化水素酸を含む処理液と気体の界面をな（しているため
、該処理液からのＳｉ成分（Ｈ２ＳｉＦ６または５ＩＦ
４と推定される）の蒸発を防ぐことが出来る。その結果
、成膜効率が大幅に増加し、成膜速度も増加する。特に
、処理液中の珪弗化水素酸溶液の濃度が高い場合や、処
理液温度が高い場合、高成膜速度を得る場合等の、処理
液からのＳｉ成分の蒸発が激しい場合に有効である。
以下処理液より比重の軽い物質としてＣ７Ｈ＋ｓ（ヘプ
タン）を使用した場合の実施例について述べる。
タン）を使用した場合の実施例について述べる。
［実施例］
実施例１
第１図に示す二酸化珪素被膜製造装置を用いて、縦１０
０ｍｍ、横１００ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのソーダライム
ガラス上に、二酸化珪素被膜を以下の手順で作成した。
０ｍｍ、横１００ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのソーダライム
ガラス上に、二酸化珪素被膜を以下の手順で作成した。
二酸化珪素被膜製造装置は、外槽（１）と内槽（２）か
らなり、内槽と外槽の間には水（３）が満たしである。
らなり、内槽と外槽の間には水（３）が満たしである。
本実施例ではこの水の温度が３５℃となるよう、温度調
節器（４）で調節した。
節器（４）で調節した。
また、水（３）は温度均一化のため、攪拌機（５）によ
り攪拌されている。内槽は前部（６）、中部（７）、後
部（８）からなり、各部にはシリカゲル粉末を溶解飽和
した２、５モル、ＱＺの濃度の珪弗化水素酸水溶液６７
χが処理液として満たしである。
り攪拌されている。内槽は前部（６）、中部（７）、後
部（８）からなり、各部にはシリカゲル粉末を溶解飽和
した２、５モル、ＱＺの濃度の珪弗化水素酸水溶液６７
χが処理液として満たしである。
ここでまず循環ポンプ（１０）を始動させ、内槽後部（
８）の処理液を一定量ずつ（み出してフィルター（１１
）で濾過し、内槽前部（６）へ戻す処理液循環を開始し
た。その後、内槽後部（８）に縦５（１ｍｍ、横５０ｍ
ｍ、厚さ３ｍｍの金属ＡＩ板を３枚浸漬し、１０時間保
持した。この状態で処理液は適度な二酸化珪素過飽和度
を有する処理液となった。
８）の処理液を一定量ずつ（み出してフィルター（１１
）で濾過し、内槽前部（６）へ戻す処理液循環を開始し
た。その後、内槽後部（８）に縦５（１ｍｍ、横５０ｍ
ｍ、厚さ３ｍｍの金属ＡＩ板を３枚浸漬し、１０時間保
持した。この状態で処理液は適度な二酸化珪素過飽和度
を有する処理液となった。
ここで、フィルター（ｌ ｌ）の絶対除去率を１．５６
ｍ（１，５ｐｍ以上のものは１００％通さない）および
、処理液循環流量を５００ｍ１／ｍ１ｎ（処理液全量が
６″１２であるので、循環流量は約８％／ ｍ １ ｎ
である）とし、処理液と気体の界面をなくす目的で処理
液上にヘプタン（１４）を浮遊させた。
ｍ（１，５ｐｍ以上のものは１００％通さない）および
、処理液循環流量を５００ｍ１／ｍ１ｎ（処理液全量が
６″１２であるので、循環流量は約８％／ ｍ １ ｎ
である）とし、処理液と気体の界面をなくす目的で処理
液上にヘプタン（１４）を浮遊させた。
その後、上記ソーダライムガラス基板（９）を内槽中部
（７）に垂直に浸漬した。そして、前記条件（内槽後部
（８）に縦５０ｍｍ、 横５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの金
属ＡＩ板を３枚浸漬し、８％／ｍ１ｎの循環をし、絶対
除去率１．５μｍフィルターで濾過する。）を継続して
８時間保持した。
（７）に垂直に浸漬した。そして、前記条件（内槽後部
（８）に縦５０ｍｍ、 横５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの金
属ＡＩ板を３枚浸漬し、８％／ｍ１ｎの循環をし、絶対
除去率１．５μｍフィルターで濾過する。）を継続して
８時間保持した。
処理終了後、処理液とへブタンとの界面や、ヘプタンと
大気との界面、処理液液面上の容器壁には二酸化珪素粒
子はみられなかった。
大気との界面、処理液液面上の容器壁には二酸化珪素粒
子はみられなかった。
８時間の間に溶解したＡＩの量は３．１８ｇであり、上
記処理で得られた二酸化珪素被膜の膜厚は、約６７８
ｎｍであった。したがって、平均の成膜速度は約８５ｎ
ｍ／時間、（二酸化珪素被膜成膜量）／（珪弗化水素酸
の分解を促進させるような物質または熱エネルギーの供
給量（本実施例の場合はＡＩ溶解量））の比で表わされ
る成膜効率は０． Ｑ ２１３ ｎ ｍ／ ｍ ｍ２
・ｇと計算できる。
記処理で得られた二酸化珪素被膜の膜厚は、約６７８
ｎｍであった。したがって、平均の成膜速度は約８５ｎ
ｍ／時間、（二酸化珪素被膜成膜量）／（珪弗化水素酸
の分解を促進させるような物質または熱エネルギーの供
給量（本実施例の場合はＡＩ溶解量））の比で表わされ
る成膜効率は０． Ｑ ２１３ ｎ ｍ／ ｍ ｍ２
・ｇと計算できる。
比較例１
実施例１と同様の装置を用いて、適度な二酸化珪素過飽
和度を有する処理液を得た。
和度を有する処理液を得た。
ここで、フィルター（１１）の絶対除去率ヲ１、 ５μ
ｍおよび、処理液循環流量を５００ｍ１／ ｍ ｉ ｎ
（処理液全量が６１Ｘであるので、循環流量は約８％
／ ｍ ｉ ｎである）としたが、処理液上には何も浮
遊させず、大気と直接接するようにした。
ｍおよび、処理液循環流量を５００ｍ１／ ｍ ｉ ｎ
（処理液全量が６１Ｘであるので、循環流量は約８％
／ ｍ ｉ ｎである）としたが、処理液上には何も浮
遊させず、大気と直接接するようにした。
その後、上記ソーダライムガラス基板（９）を内槽中部
（７）に垂直に浸漬し、前記条件（内槽後部（８）に縦
５０ｍｍ５ 横５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの金属ＡＩ板を３
枚浸漬し、８％／ ｍ ｉ ｎの循環をし、絶対除去率
１． ５μｍフィルターで濾過する。）で８時間保持し
た。
（７）に垂直に浸漬し、前記条件（内槽後部（８）に縦
５０ｍｍ５ 横５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの金属ＡＩ板を３
枚浸漬し、８％／ ｍ ｉ ｎの循環をし、絶対除去率
１． ５μｍフィルターで濾過する。）で８時間保持し
た。
処理終了後、処理液と大気との界面や処理液液面上の容
器壁には微量の二酸化珪素粒子が見られた。
器壁には微量の二酸化珪素粒子が見られた。
８時間の間に溶解したＡ１の鳳は１．９８ｇであり、上
記処理で得られた二酸化珪素被膜の膜厚は、約４０５ｎ
ｍであった。したがって、平均の成膜速度は約５１ｎｍ
／時間、（二酸化珪素被膜成膜量）／（珪弗化水素酸の
分解を促進させるような物質または熱エネルギーの供給
量（本実施例の場合はＡ１溶解量））の比で表わされる
成膜効率は、０． ０２０５ ｎｍ／ｍｍ２・ｇと計算
できる。
記処理で得られた二酸化珪素被膜の膜厚は、約４０５ｎ
ｍであった。したがって、平均の成膜速度は約５１ｎｍ
／時間、（二酸化珪素被膜成膜量）／（珪弗化水素酸の
分解を促進させるような物質または熱エネルギーの供給
量（本実施例の場合はＡ１溶解量））の比で表わされる
成膜効率は、０． ０２０５ ｎｍ／ｍｍ２・ｇと計算
できる。
実施例２
３．８モル／１χの濃度の珪弗化水素酸水溶液を一３℃
に冷却し、二酸化珪素〈工業用シリカゲル〉を溶解飽和
して処理液とした。
に冷却し、二酸化珪素〈工業用シリカゲル〉を溶解飽和
して処理液とした。
この処理液を１００ｍ１ずつ４ケの容器にいれ、それぞ
れに縦５０ｍｍ、横２５ｍｍ、 厚さ１．１ｍｍのソー
ダライムガラスを浸漬した。次いで、各容器の処理液上
にヘプタンを浮遊させ、直ちに容器を３５°Ｃに加熱し
、それぞれ、３時間、６時間、１６時間、２４時間保持
した。その後、ガラス表面に積層された二酸化珪素被膜
の膜厚を測定した。
れに縦５０ｍｍ、横２５ｍｍ、 厚さ１．１ｍｍのソー
ダライムガラスを浸漬した。次いで、各容器の処理液上
にヘプタンを浮遊させ、直ちに容器を３５°Ｃに加熱し
、それぞれ、３時間、６時間、１６時間、２４時間保持
した。その後、ガラス表面に積層された二酸化珪素被膜
の膜厚を測定した。
結果を第１表に示す。二酸化珪素被膜の膜厚は、ソーダ
ライムガラスを処理液中に保持した時間にほぼ比例して
増加していることがわかる。
ライムガラスを処理液中に保持した時間にほぼ比例して
増加していることがわかる。
第１表
また、処理終了後の処理液とへブタンとの界面及びヘプ
タンと大気との界面、処理液液面上の容器壁には、二酸
化珪素粒子はみられなかった。
タンと大気との界面、処理液液面上の容器壁には、二酸
化珪素粒子はみられなかった。
比較例２
実施例２と同様にソーダライムガラス上に二酸化珪素被
膜を作成した。ただし、処理液上にはへブタンを浮遊さ
せず、処理液と大気が直接接触した状態で行なった。
膜を作成した。ただし、処理液上にはへブタンを浮遊さ
せず、処理液と大気が直接接触した状態で行なった。
結果を第２表に示す。二酸化珪素被膜の膜厚は、６時間
以下の処理では実施例２とあまり差が無いが、１６時間
以上の処理ではあまり増加せず１６時間処理では約４０
％、２４時間処理では約３５％の膜厚の二酸化珪素被膜
しか得られなかった。
以下の処理では実施例２とあまり差が無いが、１６時間
以上の処理ではあまり増加せず１６時間処理では約４０
％、２４時間処理では約３５％の膜厚の二酸化珪素被膜
しか得られなかった。
また、処理終了後、処理液と大気との界面や処理液液面
上の容器壁には二酸化珪素粒子が見られ、特に１６時間
処理と２４時間処理の場合は、多量の二酸化珪素粒子が
生成していた。
上の容器壁には二酸化珪素粒子が見られ、特に１６時間
処理と２４時間処理の場合は、多量の二酸化珪素粒子が
生成していた。
第２表
［発明の効果］
本発明によれば、成膜効率を大幅に増加させ、成膜速度
も増加させることができる。そのため、珪弗化水素酸の
分解を促進させるような物質または熱エネルギーの供給
量を減少させることが出来るため、製造コストが低くな
るという利点がある。
も増加させることができる。そのため、珪弗化水素酸の
分解を促進させるような物質または熱エネルギーの供給
量を減少させることが出来るため、製造コストが低くな
るという利点がある。
さらに、処理液からのＳｉ成分（Ｈ２Ｓ ｉ Ｆｓまた
は５ｉＦｎと推定される）の蒸発を抑制し、その結果、
処理液中以外での二酸化珪素粒子の発生を防止できるた
め、蒸発したＳｉ成分による作業環境の悪化や、二酸化
珪素被膜による製品歩留まりの低下を防ぐことができる
という効果がある。
は５ｉＦｎと推定される）の蒸発を抑制し、その結果、
処理液中以外での二酸化珪素粒子の発生を防止できるた
め、蒸発したＳｉ成分による作業環境の悪化や、二酸化
珪素被膜による製品歩留まりの低下を防ぐことができる
という効果がある。
第１図は、本発明の実施例に使用した二酸化珪素被膜製
造装置の系統説明図である。 （１）外槽 （２）内槽 （３）水 （４）温度調節器（５）攪拌器
（６）内槽前部 （７）内槽中部 （８）内槽後部 （９）ソーダライムガラス （１０）循環ポンプ （１１）フィルター（１２）金属
ＡＩ板 （１３）攪拌器 （１４）比重の軽い物質
造装置の系統説明図である。 （１）外槽 （２）内槽 （３）水 （４）温度調節器（５）攪拌器
（６）内槽前部 （７）内槽中部 （８）内槽後部 （９）ソーダライムガラス （１０）循環ポンプ （１１）フィルター（１２）金属
ＡＩ板 （１３）攪拌器 （１４）比重の軽い物質
Claims (2)
- （１）二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化水素酸を
含む処理液と基材とを接触させて基材表面に二酸化珪素
被膜を析出させる二酸化珪素被膜の製造方法において、
該処理液と気体との界面をなくすことを特徴とする二酸
化珪素被膜の製造方法。 - （２）該処理液と気体との界面をなくす方法が、該処理
液上に該処理液との反応性の低い、かつ該処理液より比
重の軽い液状物質を浮遊させる方法である特許請求の範
囲第１項記載の二酸化珪素被膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10813189A JPH0694368B2 (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 二酸化珪素被膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10813189A JPH0694368B2 (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 二酸化珪素被膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02289414A true JPH02289414A (ja) | 1990-11-29 |
| JPH0694368B2 JPH0694368B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=14476721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10813189A Expired - Lifetime JPH0694368B2 (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 二酸化珪素被膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0694368B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5153035A (en) * | 1990-09-29 | 1992-10-06 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Process for forming silica films |
| US5326720A (en) * | 1990-10-25 | 1994-07-05 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method for producing silicon dioxide film which prevents escape of Si component to the environment |
-
1989
- 1989-04-27 JP JP10813189A patent/JPH0694368B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5153035A (en) * | 1990-09-29 | 1992-10-06 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Process for forming silica films |
| US5326720A (en) * | 1990-10-25 | 1994-07-05 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method for producing silicon dioxide film which prevents escape of Si component to the environment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0694368B2 (ja) | 1994-11-24 |
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