JPH03112806A - 二酸化珪素被膜の製造方法及び装置 - Google Patents
二酸化珪素被膜の製造方法及び装置Info
- Publication number
- JPH03112806A JPH03112806A JP24965789A JP24965789A JPH03112806A JP H03112806 A JPH03112806 A JP H03112806A JP 24965789 A JP24965789 A JP 24965789A JP 24965789 A JP24965789 A JP 24965789A JP H03112806 A JPH03112806 A JP H03112806A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon dioxide
- liquid
- solution
- processing
- tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 122
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title claims abstract description 60
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title abstract description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 83
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- LRCFXGAMWKDGLA-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;hydrate Chemical class O.O=[Si]=O LRCFXGAMWKDGLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は二酸化珪素被膜の製造方法及び装置に関し、特
に二酸化珪素の珪弗化水素酸溶液への溶解度の温度依存
性を利用した珪弗化水素酸の二酸化珪素過飽和溶液と基
材とを接触させて基材表面に二酸化珪素被膜を製造する
方法及び装置の改良法に関する。
に二酸化珪素の珪弗化水素酸溶液への溶解度の温度依存
性を利用した珪弗化水素酸の二酸化珪素過飽和溶液と基
材とを接触させて基材表面に二酸化珪素被膜を製造する
方法及び装置の改良法に関する。
[従来の技術]
二酸化珪素被膜形成方法として、真空蒸着、スパッター
CVD、浸漬塗布法(ディッピング法)のほか、装置
が簡便でありかつ大きな基材への二酸化珪素被膜形成が
可能な方法として二酸化珪素が過飽和状態となった珪弗
化水素酸溶液を含む処理液に基材を浸漬して基材表面に
二酸化珪素被膜を析出させる方法(以後析出法と呼ぶ)
が知られている。(例えば特開昭6O−33233)ま
た析出法のうち特に廃液処理の必要がな(ひいては製造
コストが低いという利点を有する、二酸化珪素の珪弗化
水素酸溶液への溶解度の温度依存性を利用した珪弗化水
素酸の二酸化珪素飽和溶液を含む処理液に基材を浸漬す
る方法(特開昭6l−281047)およびその方法に
適した二酸化珪素被膜の製造装置(実開昭63−102
738)が知られている。
CVD、浸漬塗布法(ディッピング法)のほか、装置
が簡便でありかつ大きな基材への二酸化珪素被膜形成が
可能な方法として二酸化珪素が過飽和状態となった珪弗
化水素酸溶液を含む処理液に基材を浸漬して基材表面に
二酸化珪素被膜を析出させる方法(以後析出法と呼ぶ)
が知られている。(例えば特開昭6O−33233)ま
た析出法のうち特に廃液処理の必要がな(ひいては製造
コストが低いという利点を有する、二酸化珪素の珪弗化
水素酸溶液への溶解度の温度依存性を利用した珪弗化水
素酸の二酸化珪素飽和溶液を含む処理液に基材を浸漬す
る方法(特開昭6l−281047)およびその方法に
適した二酸化珪素被膜の製造装置(実開昭63−102
738)が知られている。
上記の二酸化珪素被膜製造装置は、基材を浸漬する処理
槽と処理液調合槽、処理液予備加熱槽からなり、処理液
はこれら3つの槽の間を循環され、常に二酸化珪素が過
飽和状態となった処理液を処理槽内に導入することによ
り長時間にわたり連続的かつ安定した速度で被膜の製造
を行うことができる。さらにその経路途中に設けられた
フィルターにて粒子を濾過し、析出速度を早めても平滑
な表面を持つ被膜を得ることができる。
槽と処理液調合槽、処理液予備加熱槽からなり、処理液
はこれら3つの槽の間を循環され、常に二酸化珪素が過
飽和状態となった処理液を処理槽内に導入することによ
り長時間にわたり連続的かつ安定した速度で被膜の製造
を行うことができる。さらにその経路途中に設けられた
フィルターにて粒子を濾過し、析出速度を早めても平滑
な表面を持つ被膜を得ることができる。
[発明が解決しようとする問題点]
しかし上記の製造装置は、フィルターによる粒子の濾過
と処理液の調合を1つの循環経路で行うため、循環され
る処理液の全量(処理槽内の処理液1に対し3%/wi
n以上)を−旦冷却し二酸化珪素を飽和溶解してから再
度加熱しなければならず、加熱及び冷却に要する費用が
高くなりひいては被膜の製造コストが高くなるといった
欠点があった。
と処理液の調合を1つの循環経路で行うため、循環され
る処理液の全量(処理槽内の処理液1に対し3%/wi
n以上)を−旦冷却し二酸化珪素を飽和溶解してから再
度加熱しなければならず、加熱及び冷却に要する費用が
高くなりひいては被膜の製造コストが高くなるといった
欠点があった。
[問題点を解決するための手段]
本発明は上記の問題点を解決するために、二酸化珪素が
略飽和状態となった珪弗化水素酸溶液の溶液温度を上昇
させて得られる二酸化珪素が過飽和状態である珪弗化水
素酸溶液を含む処理液と基材とを接触させて基材表面に
二酸化珪素を析出させる二酸化珪素被膜の製造方法およ
び装置において、溶液温度を上昇させることにより二酸
化珪素が過飽和状態となった処理槽内の処理液に対し、
低温において二酸化珪素が略飽和状態である珪弗化水素
酸溶液を添加し処理槽内の処理液中の二酸化珪素を過飽
和状態に保つことにより、長期に渡り安定した速度で二
酸化珪素被膜を製造する方法およびその方法に適した装
置を提供するものである。
略飽和状態となった珪弗化水素酸溶液の溶液温度を上昇
させて得られる二酸化珪素が過飽和状態である珪弗化水
素酸溶液を含む処理液と基材とを接触させて基材表面に
二酸化珪素を析出させる二酸化珪素被膜の製造方法およ
び装置において、溶液温度を上昇させることにより二酸
化珪素が過飽和状態となった処理槽内の処理液に対し、
低温において二酸化珪素が略飽和状態である珪弗化水素
酸溶液を添加し処理槽内の処理液中の二酸化珪素を過飽
和状態に保つことにより、長期に渡り安定した速度で二
酸化珪素被膜を製造する方法およびその方法に適した装
置を提供するものである。
ここで略飽和状態とは完全な飽和状態及びほぼ飽和に近
い状態を含めた言葉であり、本発明において略飽和状態
としては、完全飽和状態であることが好ましい。
い状態を含めた言葉であり、本発明において略飽和状態
としては、完全飽和状態であることが好ましい。
この方法において処理槽内の処理液を一定量に保つため
、添加された処理液と同量を処理槽から排出することが
必要である。また、平滑な表面を持つ被膜を得るため上
記に示した処理液添加の経路とは別に、処理液源適用に
メツシュ径が1.5μm以下のフィルターを備えた経路
を設け1分あたりに処理槽内の処理液量の3%以上を循
環する必要かある。
、添加された処理液と同量を処理槽から排出することが
必要である。また、平滑な表面を持つ被膜を得るため上
記に示した処理液添加の経路とは別に、処理液源適用に
メツシュ径が1.5μm以下のフィルターを備えた経路
を設け1分あたりに処理槽内の処理液量の3%以上を循
環する必要かある。
ここで、添加される処理液の温度TIは35°C以下で
あり、処理槽内の処理液温度T2は70″C以下であり
、処理槽内の処理液温度と添加さhる処理液温度との差
(T2−TI)は10℃尊上であることが処理液からの
四弗化珪素蒸気の発生の抑制による処理液濃度変化の低
減や二酸化珪素被膜形成速度の点から好ましい。
あり、処理槽内の処理液温度T2は70″C以下であり
、処理槽内の処理液温度と添加さhる処理液温度との差
(T2−TI)は10℃尊上であることが処理液からの
四弗化珪素蒸気の発生の抑制による処理液濃度変化の低
減や二酸化珪素被膜形成速度の点から好ましい。
また処理液の添加速度は速い方が、珪弗化水素酸溶液に
溶解した二酸化珪素を多(処理槽内に供給することにな
るので、より高い成膜速度が得られる。ただし、1分あ
たりに添加される処理液の量が処理槽内の処理液量に対
して1.2%以上となると、成膜速度は上昇せず、製造
コストが高くなるだけであるので好ましくない。この理
由に関してはよく分かっていないが、処理液の添加量の
増加と共に処理槽内の二酸化珪素が過飽和状態である処
理液の排出mも多くなるためと予想される。
溶解した二酸化珪素を多(処理槽内に供給することにな
るので、より高い成膜速度が得られる。ただし、1分あ
たりに添加される処理液の量が処理槽内の処理液量に対
して1.2%以上となると、成膜速度は上昇せず、製造
コストが高くなるだけであるので好ましくない。この理
由に関してはよく分かっていないが、処理液の添加量の
増加と共に処理槽内の二酸化珪素が過飽和状態である処
理液の排出mも多くなるためと予想される。
また処理液の添加は連続あるいは不連続でもかまわない
が、不連続に添加した場合には処理液中に溶解する二酸
化珪素の濃度分布が起こり、高濃度の部分にて二酸化珪
素の粒子が発生し易くなるので好ましくない。
が、不連続に添加した場合には処理液中に溶解する二酸
化珪素の濃度分布が起こり、高濃度の部分にて二酸化珪
素の粒子が発生し易くなるので好ましくない。
本発明に用いる珪弗化水素酸の二酸化珪素略飽和溶液は
、例えば珪弗化水素酸溶液に二酸化珪素(例えば工業用
シリカゲル、石英ガラス等)を溶解することで得られる
。また珪弗化水素酸の−ra Wは任意のものが使用で
きるが、1モル/Q以上の濃度が工業的に使用できる速
さの析出速度が得られるので好ましい。尚、3モル/$
1より高濃度の場合には四弗化珪素蒸気の発生が激しく
なり被膜の成膜速度の低下を導くが、気液の界面を制御
することにより解消可能である。
、例えば珪弗化水素酸溶液に二酸化珪素(例えば工業用
シリカゲル、石英ガラス等)を溶解することで得られる
。また珪弗化水素酸の−ra Wは任意のものが使用で
きるが、1モル/Q以上の濃度が工業的に使用できる速
さの析出速度が得られるので好ましい。尚、3モル/$
1より高濃度の場合には四弗化珪素蒸気の発生が激しく
なり被膜の成膜速度の低下を導くが、気液の界面を制御
することにより解消可能である。
[作用]
本発明は、二酸化珪素の珪弗化水素酸溶液への溶解度の
温度依存性を利用した二酸化珪素被膜の製造方法および
装置において、処理槽内の温度上昇により二酸化珪素の
過飽和状態となった処理液に対して、低温において二酸
化珪素が略胞和状態である処理液を1分あたりに処理槽
内の処理液全量の1.2x以下を添加するだけで工業的
に使用可能な成膜速度を得られることを見いだすことに
よりなされた。
温度依存性を利用した二酸化珪素被膜の製造方法および
装置において、処理槽内の温度上昇により二酸化珪素の
過飽和状態となった処理液に対して、低温において二酸
化珪素が略胞和状態である処理液を1分あたりに処理槽
内の処理液全量の1.2x以下を添加するだけで工業的
に使用可能な成膜速度を得られることを見いだすことに
よりなされた。
この方法により、長期間にわたり連続的にかつ安定した
成膜速度で被膜の製造を安価にて行うことができる。ま
た、処理液の添加の際に同時に排出された処理液を冷却
し二酸化珪素の飽和溶解を行うことにより、再度添加用
の処理液として用いることができ、さらに製造コストを
下げることが可能である。
成膜速度で被膜の製造を安価にて行うことができる。ま
た、処理液の添加の際に同時に排出された処理液を冷却
し二酸化珪素の飽和溶解を行うことにより、再度添加用
の処理液として用いることができ、さらに製造コストを
下げることが可能である。
[実施例1]
処理液調合槽(1)にて−3°Cの温度で2モル、11
度の珪弗化水素酸に二酸化珪素(工業用シリカゲル)を
飽和溶解して処理液を調合し、得られた処理液全量を送
液ポンプ(12A)にて送液管(11A)を通し処理液
保存槽(2)に送液した。この際濾過フィルター(13
A)にて、処理液を調合した際に溶は残った二酸化珪素
粒子を濾過した。
度の珪弗化水素酸に二酸化珪素(工業用シリカゲル)を
飽和溶解して処理液を調合し、得られた処理液全量を送
液ポンプ(12A)にて送液管(11A)を通し処理液
保存槽(2)に送液した。この際濾過フィルター(13
A)にて、処理液を調合した際に溶は残った二酸化珪素
粒子を濾過した。
次に送液ポンプ(12B)にて送液管(11B)を通し
処理液保存槽内の処理液を、処理槽(3)の整流部(9
)へ1.72送液した。送液後、送液ポンプ(12D)
にて送液管(11D)を通し処理dυ ル カ1TI1
1tf16);’に’nnW / + n
S す1% S、力flT甲 −tr+ *
* 棟へ170J/1Ilinの速度で循環を開始
しその経路途中に設けられたフィルター(13Bまたは
13C)iこて処理液を濾過するとともに、ヒーター(
6)にて処理槽内の処理液を加熱し60°Cに昇温及び
その温度で保持した。
処理液保存槽内の処理液を、処理槽(3)の整流部(9
)へ1.72送液した。送液後、送液ポンプ(12D)
にて送液管(11D)を通し処理dυ ル カ1TI1
1tf16);’に’nnW / + n
S す1% S、力flT甲 −tr+ *
* 棟へ170J/1Ilinの速度で循環を開始
しその経路途中に設けられたフィルター(13Bまたは
13C)iこて処理液を濾過するとともに、ヒーター(
6)にて処理槽内の処理液を加熱し60°Cに昇温及び
その温度で保持した。
また、それと同時に送液ポンプ(12B)にて処理液を
処理液保存槽からそれぞれ5.10.20.30m2/
m1n(これらは処理槽内の処理液量に対しそれぞれ0
.3.0.6. !、 2.1.8%/minに該当す
る)の速度で処理槽の添加部(lO)に添加し、同時に
送液ポンプ(12C)にてそれぞれ添加と同じ速度で処
理槽の浸漬部のオーバーフロ一部より処理液を送液管(
11C)を通し処理液調合槽へ排出した。排出された処
理液を処理液調合槽にて再度冷却し二酸化珪素を飽和溶
解した。処理液調合槽、処理液保存槽そして処理槽間の
処理液の送液は、以後被膜の製造を終了するまで行った
。
処理液保存槽からそれぞれ5.10.20.30m2/
m1n(これらは処理槽内の処理液量に対しそれぞれ0
.3.0.6. !、 2.1.8%/minに該当す
る)の速度で処理槽の添加部(lO)に添加し、同時に
送液ポンプ(12C)にてそれぞれ添加と同じ速度で処
理槽の浸漬部のオーバーフロ一部より処理液を送液管(
11C)を通し処理液調合槽へ排出した。排出された処
理液を処理液調合槽にて再度冷却し二酸化珪素を飽和溶
解した。処理液調合槽、処理液保存槽そして処理槽間の
処理液の送液は、以後被膜の製造を終了するまで行った
。
二酸化珪素被膜を成膜させる基材には25mmX 25
mmの7リフンウエハーを用い、処理液の加熱開始から
1時間毎に浸tjシ、各々の基材上に成膜した二酸化珪
素被膜の膜厚から成膜速度の経時変化を調べた。
mmの7リフンウエハーを用い、処理液の加熱開始から
1時間毎に浸tjシ、各々の基材上に成膜した二酸化珪
素被膜の膜厚から成膜速度の経時変化を調べた。
上記の方法によって得られた被膜の24時間の平均成膜
速度の結果を第1表に示す。
速度の結果を第1表に示す。
第 1 表
この結果より従来のように循環される処理液全量(処理
槽内の処理液量の3%以上)を冷却し二酸化珪素を飽和
溶解しなくても、1分あたりに処理槽内の処理液全量の
1.2%以下の世を添加するだけで、工業用に用いるの
に十分な成膜速度が得られることが分かる。
槽内の処理液量の3%以上)を冷却し二酸化珪素を飽和
溶解しなくても、1分あたりに処理槽内の処理液全量の
1.2%以下の世を添加するだけで、工業用に用いるの
に十分な成膜速度が得られることが分かる。
[実施例2コ
実施例1と同様の方法にて二酸化珪素被膜の製造を行な
った。尚、処理液の添加はlomQ/min (処理槽
内の処理液量に対し0.6%/win)の速さで72時
間行なった。
った。尚、処理液の添加はlomQ/min (処理槽
内の処理液量に対し0.6%/win)の速さで72時
間行なった。
上記の方法において、被膜製造開始からの時間に対する
成膜速度の結果を第1図に示す。
成膜速度の結果を第1図に示す。
この結果より、処理液を添加する方法にて長期にわたり
成膜速度が劣ることなく被膜の製造が行なうことが可能
であることがわかる。
成膜速度が劣ることなく被膜の製造が行なうことが可能
であることがわかる。
[発明の効果]
本発明によれば、処理槽内の高温で過飽和状態の処理液
に対しさらに低温で略飽和状態の処理液を添加するだけ
で長時間にわたり安定した速度で被膜の形成を行うこと
ができる。
に対しさらに低温で略飽和状態の処理液を添加するだけ
で長時間にわたり安定した速度で被膜の形成を行うこと
ができる。
さらにその添加量は1分あたりに処理槽内の全処理液量
の1. 2%以下であるので非常に製造コストの低い二
酸化珪素被膜を形成することができる。
の1. 2%以下であるので非常に製造コストの低い二
酸化珪素被膜を形成することができる。
第1図は、本発明の二酸化珪素被膜製造装置を示す概略
系統図である。 第2図は、本発明による二酸化珪素被膜の製造方法にお
ける時間経過と連続成膜状況の結果を示す図である。 1・・・処理液調合槽、 2・・・処理液保存槽3
・・・処理槽、 4・・・冷却器5・・・ス
ターク−6・・・ヒーター
系統図である。 第2図は、本発明による二酸化珪素被膜の製造方法にお
ける時間経過と連続成膜状況の結果を示す図である。 1・・・処理液調合槽、 2・・・処理液保存槽3
・・・処理槽、 4・・・冷却器5・・・ス
ターク−6・・・ヒーター
Claims (2)
- (1)二酸化珪素が略飽和状態となった珪弗化水素酸溶
液の溶液温度を上昇させて得られる二酸化珪素の過飽和
状態の珪弗化水素酸溶液を含む処理液と基材とを接触さ
せて基材表面に二酸化珪素を析出させる二酸化珪素被膜
の製造方法において、基材を接触させた後の処理液温度
を高温に維持した状態で該処理液中に、別途低温におい
て調整した二酸化珪素が略飽和状態である珪弗化水素酸
溶液を添加することにより、該処理液中の二酸化珪素を
過飽和状態に保つことを特徴とする二酸化珪素被膜の製
造方法。 - (2)二酸化珪素が略飽和状態となった珪弗化水素酸溶
液の溶液温度を上昇させて得られる二酸化珪素の過飽和
状態の珪弗化水素酸溶液を含む処理液と基材とを接触さ
せて基材表面に二酸化珪素を析出させる二酸化珪素被膜
の製造装置において、珪弗化水素酸溶液に二酸化珪素を
溶解し処理液を作製するために攪拌器(5)を有し珪弗
化水素酸溶液を恒温に保つための加熱及び/または冷却
手段を有する恒温槽内に設けられた処理液調合槽(1)
と、調合された処理液を恒温に保つため同じく恒温槽内
に設けられた処理液保存槽(2)と、基材表面に二酸化
珪素被膜を形成するために基材を浸漬する浸漬部(7)
と、浸漬部に流れ込む処理液の流れを整えるために浸漬
部に連なって設けられた整流部(9)と、浸漬部から処
理液がオーバーフローにより流れ込みさらに処理液が添
加される添加部(10)からなり、浸漬部と整流部との
境界に設けられた整流板(8)を有し、さらに処理液温
度を所定の温度まで上昇させ恒温に保つための加熱手段
を有する処理槽(3)からなり、さらに処理槽内の処理
液を循環するための送液管(11D)と送液管の途中に
設けられた送液ポンプ(12D)及び処理液濾過フィル
ター(13Bおよび13C)を有し、さらに処理液調合
槽内の処理液を処理液保存槽に送液するための送液管(
11A)と送液管の途中に設けられた送液ポンプ(12
A)及び処理液濾過フィルター(13A)を有し、さら
に処理液保存槽内の処理液を処理槽整流部へ、また処理
槽浸漬部内の処理液を処理液調合槽へ送るための送液管
(それぞれ11B、11C)と送液管の途中にそれぞれ
設けられた送液ポンプ(それぞれ12B、12C)を有
する二酸化珪素被膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1249657A JPH0798652B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 二酸化珪素被膜の製造方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1249657A JPH0798652B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 二酸化珪素被膜の製造方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03112806A true JPH03112806A (ja) | 1991-05-14 |
| JPH0798652B2 JPH0798652B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=17196281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1249657A Expired - Fee Related JPH0798652B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 二酸化珪素被膜の製造方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0798652B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009184913A (ja) * | 2009-02-20 | 2009-08-20 | Shibaura Institute Of Technology | ガラス材料の回収方法 |
-
1989
- 1989-09-26 JP JP1249657A patent/JPH0798652B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009184913A (ja) * | 2009-02-20 | 2009-08-20 | Shibaura Institute Of Technology | ガラス材料の回収方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0798652B2 (ja) | 1995-10-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5132140A (en) | Process for depositing silicon dioxide films | |
| JPH08225957A (ja) | プレーナ導波路の作製用エーロゾルプロセス | |
| JP3320440B2 (ja) | 被膜形成用塗布液およびその製造方法 | |
| CN106698966A (zh) | 一种基于水滴模板法制备TiO2/SiO2薄膜的工艺 | |
| CN105665748B (zh) | 一种高纯超细银粉的制备方法 | |
| JPH03112806A (ja) | 二酸化珪素被膜の製造方法及び装置 | |
| JP3694900B2 (ja) | シリカ系被膜の製造方法 | |
| US6099911A (en) | Process for forming silica film | |
| JPH1036140A (ja) | シリカガラス治具表面処理液及びそれを用いた処理方法 | |
| JPS6365621B2 (ja) | ||
| JPS6112034A (ja) | シリコン基材表面に酸化珪素被膜を形成させる方法 | |
| JPH0538016Y2 (ja) | ||
| JPH02289414A (ja) | 二酸化珪素被膜の製造方法 | |
| JPH0616427A (ja) | シリカガラスの製造方法 | |
| JPH07165411A (ja) | 二酸化ケイ素被膜の製造方法および装置 | |
| JPH0781921A (ja) | 二酸化珪素被膜の製造装置 | |
| JPH06271310A (ja) | 二酸化珪素膜形成方法 | |
| JPH04310514A (ja) | 酸化珪素被覆基材の製造方法 | |
| JPH02167812A (ja) | 二酸化珪素被膜を製造する方法 | |
| JP4688115B2 (ja) | 液相での被膜の形成方法 | |
| JPH07144911A (ja) | 二酸化ケイ素被膜の製造方法 | |
| JP2953031B2 (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| JPH07101714A (ja) | 二酸化ケイ素被膜の製造方法および装置 | |
| JPH07165412A (ja) | 二酸化ケイ素被膜の製造方法 | |
| JPH09249673A (ja) | シリカ被膜形成用水溶液及びシリカ被膜の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |