JPH02289931A - 消去可能な光記録媒体 - Google Patents
消去可能な光記録媒体Info
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- JPH02289931A JPH02289931A JP1110401A JP11040189A JPH02289931A JP H02289931 A JPH02289931 A JP H02289931A JP 1110401 A JP1110401 A JP 1110401A JP 11040189 A JP11040189 A JP 11040189A JP H02289931 A JPH02289931 A JP H02289931A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- undercoat layer
- recording medium
- optical recording
- transparent substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は消去可能な光記録媒体に関し、特に光ディスク
,光カード,光テープなどに用いられるものである。
,光カード,光テープなどに用いられるものである。
[従来の技術と課題〕
近年、レーザ技術の進歩によりレーザ光により情報の書
き込み,読み出しを行う光ディスクが実用化され、また
活発に研究されている。ところで、光ディスクは非接触
で記録・再生ができ取扱いが容品であること等の特徴を
有し、更に磁気記録h式に比べて記憶容量が数十倍から
数百倍大きいという利点を有することから、コード情報
やイメジ情報等の大容量ファイルへの活用が期待されて
いる。
き込み,読み出しを行う光ディスクが実用化され、また
活発に研究されている。ところで、光ディスクは非接触
で記録・再生ができ取扱いが容品であること等の特徴を
有し、更に磁気記録h式に比べて記憶容量が数十倍から
数百倍大きいという利点を有することから、コード情報
やイメジ情報等の大容量ファイルへの活用が期待されて
いる。
こうした特徴により、先ず再生専用等のディジタルオー
ディオディスク、ビデオディスクか実用化され、次にユ
ーザーカ四コ山にf+’J報を古込める追記型光記録方
式が文書ファイルなどに実用化された。一方、ユーザー
が自由に書き込み,消去を繰返せる書換え可能型は盛ん
に研究開発がなされ、様々な提案がなされている。
ディオディスク、ビデオディスクか実用化され、次にユ
ーザーカ四コ山にf+’J報を古込める追記型光記録方
式が文書ファイルなどに実用化された。一方、ユーザー
が自由に書き込み,消去を繰返せる書換え可能型は盛ん
に研究開発がなされ、様々な提案がなされている。
追記型の記録祠料として主に用いられているものは、T
O化合物を始めとするカルコゲナイ1・元素(特開昭8
1−44092)等の無機系材料、及びポリメチン系シ
アニン色素、ナフ1・/フタ口シアニン色素等の有機系
材料である。これらの材料はメモリー特性に優れており
、既に小型ファイルから大型ファイルまで様々な形で実
用化されてきている。また、書換え型の記録祠料として
は、相変化型としてTe Ox ,Te−Sb−Gc
SGe−TeIn−Sb系等のカルコゲン元素系の無機
材料(特開昭63−91837) 、光磁気型としてT
bFe,Gd Fe Co,Cd TbFe,Tb C
o系等の希土類一遷移金属合金があるが、これらはメモ
リ特性が優れ、信頼性が高く量産が可能型で安価である
という記録材料としての要請を必ずしも満足しておらず
、毒性などの点で大きな間頴がある。
O化合物を始めとするカルコゲナイ1・元素(特開昭8
1−44092)等の無機系材料、及びポリメチン系シ
アニン色素、ナフ1・/フタ口シアニン色素等の有機系
材料である。これらの材料はメモリー特性に優れており
、既に小型ファイルから大型ファイルまで様々な形で実
用化されてきている。また、書換え型の記録祠料として
は、相変化型としてTe Ox ,Te−Sb−Gc
SGe−TeIn−Sb系等のカルコゲン元素系の無機
材料(特開昭63−91837) 、光磁気型としてT
bFe,Gd Fe Co,Cd TbFe,Tb C
o系等の希土類一遷移金属合金があるが、これらはメモ
リ特性が優れ、信頼性が高く量産が可能型で安価である
という記録材料としての要請を必ずしも満足しておらず
、毒性などの点で大きな間頴がある。
ところで、一般に無機系利料は記録感度が低いという他
、記録状態の安定性と高速消去性とが両立し難いという
欠点があり、この欠点を解決するために有機系記録4A
料の開発が積極的になされている。有機系書換えイA料
としてはスビロピラン、フルギド、インジゴ(特開昭8
1−128244 ) 、最近ではジアリルエテン系の
フォトミック色素(特開昭03−24245)をはじめ
、近赤外光吸収色素と熱可塑性高分子との複合祠料(特
開昭58−48245) 、液晶(特開昭60−168
481 )等、多くの材料が提案されている。しかし、
フォトクロミック材料は記録時に生じる副反応や再生光
に対する耐光性が小さいため、発色状態の安定性及び繰
返し性が良くないう欠点がある。また、色素と高分子と
の複合材料は変形を伴う方式のため可逆性がよくないと
いう欠点がある。液晶を用いた記録方式では、電極及び
セル構造を必要とするため、奴体構成が複tA1になる
他、システムをも−1築する上でも困難が残るという問
題がある。こうした問題により、宜機系,無機系ともに
実用化には至っていないのか現状である。つい最近では
高分子液晶を用いた光メモリ(特開昭61−2g004
(3 、特開IYイ62−175939 )が提案され
ているが、これらは光吸収能をもたないためコン1・ラ
スト、感度が悪いという欠点を何する。
、記録状態の安定性と高速消去性とが両立し難いという
欠点があり、この欠点を解決するために有機系記録4A
料の開発が積極的になされている。有機系書換えイA料
としてはスビロピラン、フルギド、インジゴ(特開昭8
1−128244 ) 、最近ではジアリルエテン系の
フォトミック色素(特開昭03−24245)をはじめ
、近赤外光吸収色素と熱可塑性高分子との複合祠料(特
開昭58−48245) 、液晶(特開昭60−168
481 )等、多くの材料が提案されている。しかし、
フォトクロミック材料は記録時に生じる副反応や再生光
に対する耐光性が小さいため、発色状態の安定性及び繰
返し性が良くないう欠点がある。また、色素と高分子と
の複合材料は変形を伴う方式のため可逆性がよくないと
いう欠点がある。液晶を用いた記録方式では、電極及び
セル構造を必要とするため、奴体構成が複tA1になる
他、システムをも−1築する上でも困難が残るという問
題がある。こうした問題により、宜機系,無機系ともに
実用化には至っていないのか現状である。つい最近では
高分子液晶を用いた光メモリ(特開昭61−2g004
(3 、特開IYイ62−175939 )が提案され
ているが、これらは光吸収能をもたないためコン1・ラ
スト、感度が悪いという欠点を何する。
ところで、高分子液晶には主鎖型高分子液晶と側鎖型高
分子液晶とかあり、それぞれ活発に研究がなされている
。更に、第3の液晶高分子であるコレステリック液品性
ルタミン酸エステル系共重合についても近年盛んに研究
が行われてきている(J.Vatanabe,ct.a
l, Macro+nolecules 17.
I[104−1009(1984), l.Uem
aLsu. Y.UemaLsu,Advanced
in Polymer Science 59.37.
(1984)) oまた、主鎖型としては、ネマチック
相あるいはスメクチック相から等方性相への転移を起こ
す種類があり、研究が活発になされている(飯村他第6
回液晶討論同予稿集101G)。更に、液晶基を側鎖に
有する側鎖型高分子液晶の研究も積極的になされており
(Adv. Poly. SciGO/01,1972
, Makromol. Chc+n179.27.1
978) 、その応用が検討されている。
分子液晶とかあり、それぞれ活発に研究がなされている
。更に、第3の液晶高分子であるコレステリック液品性
ルタミン酸エステル系共重合についても近年盛んに研究
が行われてきている(J.Vatanabe,ct.a
l, Macro+nolecules 17.
I[104−1009(1984), l.Uem
aLsu. Y.UemaLsu,Advanced
in Polymer Science 59.37.
(1984)) oまた、主鎖型としては、ネマチック
相あるいはスメクチック相から等方性相への転移を起こ
す種類があり、研究が活発になされている(飯村他第6
回液晶討論同予稿集101G)。更に、液晶基を側鎖に
有する側鎖型高分子液晶の研究も積極的になされており
(Adv. Poly. SciGO/01,1972
, Makromol. Chc+n179.27.1
978) 、その応用が検討されている。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、記録、再生
及び消去について十分な性能を有するとともに、コン1
・ラス1・、応答性の向上、及び繰返し特性の向上を実
現し得る消去可能な光記録媒体を提供することを1−1
的とする。
及び消去について十分な性能を有するとともに、コン1
・ラス1・、応答性の向上、及び繰返し特性の向上を実
現し得る消去可能な光記録媒体を提供することを1−1
的とする。
〔課題を解決するための千段]
本発明は、透明基板と、この透明基板上に形成された垂
直配向性を有する耐久性に優れたアンダーコート層と、
このアンダーコート層上に形成され,ザーモi・ロビッ
ク液晶高分子とレーザ光吸収色素からなる記ネ,A層と
を具備することを特徴とする消去+”iJ能な光記録媒
体である。
直配向性を有する耐久性に優れたアンダーコート層と、
このアンダーコート層上に形成され,ザーモi・ロビッ
ク液晶高分子とレーザ光吸収色素からなる記ネ,A層と
を具備することを特徴とする消去+”iJ能な光記録媒
体である。
本′fd明に係る透明基板の祠料としては、ガラス、P
M〜IA1ボリカーボネ−ト、エボキシ″.9か挙げら
れる。
M〜IA1ボリカーボネ−ト、エボキシ″.9か挙げら
れる。
本発明に係るアンダーコート層は垂直配向性を6iずる
ことか必要であり、;フ:Hi分了化合物″.(Jから
なる垂直配向膜てあるか、あるいは布等により表面をこ
する(ラビング)等の手段により垂直配向性が現われる
膜であればよい。具体的には、前記アンダーコート層の
祠料としては、末端に飽和又は不飽和炭化水素基叉は水
酸基である置換基を白゛しド記一般式(1)で表わされ
る少なくとも1種類の有機化音物が挙げられる。
ことか必要であり、;フ:Hi分了化合物″.(Jから
なる垂直配向膜てあるか、あるいは布等により表面をこ
する(ラビング)等の手段により垂直配向性が現われる
膜であればよい。具体的には、前記アンダーコート層の
祠料としては、末端に飽和又は不飽和炭化水素基叉は水
酸基である置換基を白゛しド記一般式(1)で表わされ
る少なくとも1種類の有機化音物が挙げられる。
但し、R1 =OCmH2m+1 (1≦m≦6
)R2 = O C O CIIH2n+I ( 1
≦n≦18)R 3 = O C O C p H 2
p−1( 1≦p≦18)R.,=OCOC,l−12
t10H (1≦q<1.8)M=A,Q ,
Si , Ti , Ni , Crq
−1− h + Ic+!=1 1≦q≦4また
、前記アンダーコート層の祠11としては、下記一般式
(II)で表わされる少なくとも1種類の有機金属化合
物が挙げられる。
)R2 = O C O CIIH2n+I ( 1
≦n≦18)R 3 = O C O C p H 2
p−1( 1≦p≦18)R.,=OCOC,l−12
t10H (1≦q<1.8)M=A,Q ,
Si , Ti , Ni , Crq
−1− h + Ic+!=1 1≦q≦4また
、前記アンダーコート層の祠11としては、下記一般式
(II)で表わされる少なくとも1種類の有機金属化合
物が挙げられる。
(R5 ) i −M 一(RL, ) j (i
+j−6)但し、R5 =OC,H2,+1(1<r<
6)Rb =[P (O CS H2S) 、O Hl
(1≦S≦18,]≦t≦6) 上記有機化合物は、溶媒溶液を用いてスピンコ1・法に
より塗布することができるが、この後50〜2υO℃の
温度で熱処理することによってその効果が発現される。
+j−6)但し、R5 =OC,H2,+1(1<r<
6)Rb =[P (O CS H2S) 、O Hl
(1≦S≦18,]≦t≦6) 上記有機化合物は、溶媒溶液を用いてスピンコ1・法に
より塗布することができるが、この後50〜2υO℃の
温度で熱処理することによってその効果が発現される。
ここに、その温度が5 0 ’C未満では硬化反応か起
こらず、200℃を越えると分解が見られ効果が現われ
なかった。前記a機金属化合物は、単独又は2種類以」
二混合して用いてもよい。
こらず、200℃を越えると分解が見られ効果が現われ
なかった。前記a機金属化合物は、単独又は2種類以」
二混合して用いてもよい。
イ11シ、透明b(板の祠オ−1かアクリルのように硬
化点か低い祠料である場合は、熱処理温度を90℃以−
1−に上げることか困難で、使用−Cきる白゛機金属化
合物かI+月恨される。従って、こうした場合は、rj
゜機金属化合物をU,V硬化樹脂−9の白゛機高分子膜
中に分散させて用いることもてきる。
化点か低い祠料である場合は、熱処理温度を90℃以−
1−に上げることか困難で、使用−Cきる白゛機金属化
合物かI+月恨される。従って、こうした場合は、rj
゜機金属化合物をU,V硬化樹脂−9の白゛機高分子膜
中に分散させて用いることもてきる。
本発明に係る記録層はザーモ}・ロピック液晶,:)分
子とレーサ光吸収色素から構成されるが、前記液晶高分
了の具体例は、後掲する別紙の第1表に示す弐〇〜(0
に示す通りである。こうした液晶性1!:j分〕′−は
室温ドでずべ゛C固相であり、従来の様にセルに月人す
る必要はない。また、これらのlfk品の転移温度は感
度及び耐久性の点から40℃〜250゜C2好ましくは
60℃〜250℃が望ましい。ここで、転移温度か40
゜Cより低くなると耐久性か、′ト”、くなり、350
゜Cよりも高くなると応答性(感度)が悪くなる。上記
ik品高分子は、中独で用いてもよいし、あるいは2種
以上を混合してもよい。
子とレーサ光吸収色素から構成されるが、前記液晶高分
了の具体例は、後掲する別紙の第1表に示す弐〇〜(0
に示す通りである。こうした液晶性1!:j分〕′−は
室温ドでずべ゛C固相であり、従来の様にセルに月人す
る必要はない。また、これらのlfk品の転移温度は感
度及び耐久性の点から40℃〜250゜C2好ましくは
60℃〜250℃が望ましい。ここで、転移温度か40
゜Cより低くなると耐久性か、′ト”、くなり、350
゜Cよりも高くなると応答性(感度)が悪くなる。上記
ik品高分子は、中独で用いてもよいし、あるいは2種
以上を混合してもよい。
−ij、−L記レーり゛光吸収性色素としては、後掲す
る別紙の第2表で示すンアニン系色素(特開昭5g−1
12790 ,特開昭58−125246 , U
S P 118913 ,USPlg94B)、メロシ
アニン系色素(特開昭58−21.2034 ,特開昭
58−11790) 、N iチオールijI体系色素
、ナフ1・フタロンアニン系色素(特開昭61−291
187 ,特開昭[i1−2[i8487 ,特開昭0
1−177281特開昭81177288 ,特開昭[
i1−1.88384 ,特開昭62−56191,特
開昭6 1−2588[i,特開昭[i1−19728
0 ,U S P 879470) 、ビリリウム系色
素(特開昭58−181688,特開昭58−181[
i89 ) 、ナフl・キノン系色素(特開昭59−2
0124) 、アントラキノン系色素、アゾ系色素等が
挙げられ、これらを単独又は2種以上一t合して用いて
もよい。これらの中でもシステム上゛16導体レーザの
発振波長域に吸収があるものか望ましく、かかる色素類
としては例えば上述したンアニン系色素が挙げられる。
る別紙の第2表で示すンアニン系色素(特開昭5g−1
12790 ,特開昭58−125246 , U
S P 118913 ,USPlg94B)、メロシ
アニン系色素(特開昭58−21.2034 ,特開昭
58−11790) 、N iチオールijI体系色素
、ナフ1・フタロンアニン系色素(特開昭61−291
187 ,特開昭[i1−2[i8487 ,特開昭0
1−177281特開昭81177288 ,特開昭[
i1−1.88384 ,特開昭62−56191,特
開昭6 1−2588[i,特開昭[i1−19728
0 ,U S P 879470) 、ビリリウム系色
素(特開昭58−181688,特開昭58−181[
i89 ) 、ナフl・キノン系色素(特開昭59−2
0124) 、アントラキノン系色素、アゾ系色素等が
挙げられ、これらを単独又は2種以上一t合して用いて
もよい。これらの中でもシステム上゛16導体レーザの
発振波長域に吸収があるものか望ましく、かかる色素類
としては例えば上述したンアニン系色素が挙げられる。
本発明において、上記記録層を用いれば可逆性反射率変
化を得ることができるが、前記透明基板上に記録方向に
沿って溝を設けたり、あるいはアンダーコート層・基板
間又は基板上にAβ,N i−C r等の金属・合金薄
膜、Aρナフ1・フタロ]0 シアニンの様な有機薄膜を反射層として形成することに
より一層可逆性,反射率変化(コントラスト)を増幅す
ることができる。また、記録層上又は記録層・反射膜間
に有機金属化合物,ポリエチレングリコールなどの有機
化合物等の薄膜を保護層として形成することにより、可
逆性,耐久性等の特性を向上させることも可能である。
化を得ることができるが、前記透明基板上に記録方向に
沿って溝を設けたり、あるいはアンダーコート層・基板
間又は基板上にAβ,N i−C r等の金属・合金薄
膜、Aρナフ1・フタロ]0 シアニンの様な有機薄膜を反射層として形成することに
より一層可逆性,反射率変化(コントラスト)を増幅す
ることができる。また、記録層上又は記録層・反射膜間
に有機金属化合物,ポリエチレングリコールなどの有機
化合物等の薄膜を保護層として形成することにより、可
逆性,耐久性等の特性を向上させることも可能である。
[作用]
本発明によれば、垂直配同性を有したアンダーコート層
を用いることにより、記録、再生及び消去について十分
な性能を有するとともに、コントラスト、応答性の向」
二、及び繰返し特性の向上を実現できる。
を用いることにより、記録、再生及び消去について十分
な性能を有するとともに、コントラスト、応答性の向」
二、及び繰返し特性の向上を実現できる。
なお、ポリイミド,ポリビニルアルコールなどは液晶水
平配向膜として広く知られているが、これを用いた場合
、コントラストが得られない。また、これらの膜にラビ
ングを行うと液晶高分子は水平配向を示すが、コン1・
ラストが得られないとともにノイズの原因となる。また
、これに対し垂直配向膜として知られるレシチン,ステ
アリン酸] 1 笠を用いた場合、反射率にして15%もの変化が見られ
、十分な効果が見られた。しかし、これらの垂直配向膜
は液晶高分子に対して耐久性がなかった。
平配向膜として広く知られているが、これを用いた場合
、コントラストが得られない。また、これらの膜にラビ
ングを行うと液晶高分子は水平配向を示すが、コン1・
ラストが得られないとともにノイズの原因となる。また
、これに対し垂直配向膜として知られるレシチン,ステ
アリン酸] 1 笠を用いた場合、反射率にして15%もの変化が見られ
、十分な効果が見られた。しかし、これらの垂直配向膜
は液晶高分子に対して耐久性がなかった。
以下、本発明の実施例について比較例とともに説明する
。
。
[実施例1]
第1図を参照する。
まず、後掲する第3表に示す有機化合物を0.5wt%
でトルエン(溶媒)に溶解させた後、これをスビンコー
ト法( 150Orpm , 10秒)により溝付き透
明基板1上に塗布した後、110℃で30分間熱処理す
ることによりアンダーコート層(下地層)2を形成した
。次に、第2表の式■に示す液晶高分子及び下記式(I
II)に示すシアニン色素をクロロホルムに2.2wt
%の濃度に溶解させた後、スビンコ−1・法( 200
Orpm , 20秒)により前記下地層2上に塗布し
、記録層3を形成した。つづいて、媒体の初期状態を揃
えるために液晶高分子の相転位よりも約10℃高い湿度
で30分間加熱した後、ゆつくり(−5℃/min)冷
却し、光記録奴体を得た。
でトルエン(溶媒)に溶解させた後、これをスビンコー
ト法( 150Orpm , 10秒)により溝付き透
明基板1上に塗布した後、110℃で30分間熱処理す
ることによりアンダーコート層(下地層)2を形成した
。次に、第2表の式■に示す液晶高分子及び下記式(I
II)に示すシアニン色素をクロロホルムに2.2wt
%の濃度に溶解させた後、スビンコ−1・法( 200
Orpm , 20秒)により前記下地層2上に塗布し
、記録層3を形成した。つづいて、媒体の初期状態を揃
えるために液晶高分子の相転位よりも約10℃高い湿度
で30分間加熱した後、ゆつくり(−5℃/min)冷
却し、光記録奴体を得た。
なお、後掲する第3表には、透明基板の祠質,反射膜の
a無等も合せて記載した。
a無等も合せて記載した。
しかるに、こうした構造の光記録媒体に対して発振波長
0.83μn1の半導体レーザ4 m Wのビームを光
学レンズにより1μ111の円形スポットに集光し、透
明基板側より1μsecの間パルス照射し、記録した。
0.83μn1の半導体レーザ4 m Wのビームを光
学レンズにより1μ111の円形スポットに集光し、透
明基板側より1μsecの間パルス照射し、記録した。
その結果、未記録時の反射率が8%であったが、記録時
には20%に上昇し、記録することが11工能であった
。また、記録部分をレーザのビームを3mWとし、楕円
のスボツ1・にして4μsecの間パルス照射して消去
を行った。この消去後には8%となり、記録部分は完全
に消去できることがわかった。この記録・消去の繰返し
を300回行っても、大きな反JIJ率変化を有してい
ることがわかった。なお、第3表には、初回と300回
目の記録前・記録後の反射率を形成すると共に、使用し
た溶媒・濃度、アンダーコート層の膜厚等を掲載した。
には20%に上昇し、記録することが11工能であった
。また、記録部分をレーザのビームを3mWとし、楕円
のスボツ1・にして4μsecの間パルス照射して消去
を行った。この消去後には8%となり、記録部分は完全
に消去できることがわかった。この記録・消去の繰返し
を300回行っても、大きな反JIJ率変化を有してい
ることがわかった。なお、第3表には、初回と300回
目の記録前・記録後の反射率を形成すると共に、使用し
た溶媒・濃度、アンダーコート層の膜厚等を掲載した。
[実施例2〜5]
後掲する第3表に示す液晶高分子や溶媒、有機金属化合
物を用いて、実施例1と同様にして光記録媒体を得た。
物を用いて、実施例1と同様にして光記録媒体を得た。
溶媒の種類、反射膜の白゛無、及び透明基板の祠質等は
、第3表に示す通りである。
、第3表に示す通りである。
なお、実施例2〜5においても実施例1と同様なシアニ
ン系色素を用いたが、これに限定されず、後記する別紙
に示すような色素を用いてもよいことは勿論の事である
。また、実施例1と同様に記録・消去を行ったところ、
記録・消去が行なえ、更に300回の繰返し後にも十分
な記録・消去の特性を有していることがわかった。これ
らの結果は、第3表に示す通りである。
ン系色素を用いたが、これに限定されず、後記する別紙
に示すような色素を用いてもよいことは勿論の事である
。また、実施例1と同様に記録・消去を行ったところ、
記録・消去が行なえ、更に300回の繰返し後にも十分
な記録・消去の特性を有していることがわかった。これ
らの結果は、第3表に示す通りである。
[実施例6〕
まず、第3表に示す有機金属化合物とUV硬化樹脂(商
品名, U. V. 3700、東亜合成化学社(製
))を、重量比で1.20の割nで酢酸エチルに1vL
%の濃度て溶解さぜた溶lfkを調整した後、これを用
いてスビンコー1・法(1600+・pn+ , 20
秒)により溝付き透明基板上に塗布した。つづいて、U
V光照射し、熱処理により下地層を形成した後、実施例
1と同様にして光記録媒体を寄だ。また、実施例1と同
様な記録・消去を行ったところ、第3表に示した様に反
』1・J率が変化し、300回繰返しても十分初期の胃
しを有していることがわかった。
品名, U. V. 3700、東亜合成化学社(製
))を、重量比で1.20の割nで酢酸エチルに1vL
%の濃度て溶解さぜた溶lfkを調整した後、これを用
いてスビンコー1・法(1600+・pn+ , 20
秒)により溝付き透明基板上に塗布した。つづいて、U
V光照射し、熱処理により下地層を形成した後、実施例
1と同様にして光記録媒体を寄だ。また、実施例1と同
様な記録・消去を行ったところ、第3表に示した様に反
』1・J率が変化し、300回繰返しても十分初期の胃
しを有していることがわかった。
[比較例1]
まず、第′3表の式◎にノバす液晶高分子を、実施例1
と同様な色素ど共にクロロホルムに溶解して2。2 v
t%の溶液をシ,リ整した。次に、これをアクリル基板
」二にスビンコート法( 200Orpm , 20秒
)により塗布し、jIIさ0.5μ■の記録層を形成し
た。
と同様な色素ど共にクロロホルムに溶解して2。2 v
t%の溶液をシ,リ整した。次に、これをアクリル基板
」二にスビンコート法( 200Orpm , 20秒
)により塗布し、jIIさ0.5μ■の記録層を形成し
た。
つづいて、媒体の初期化のため液晶高分子の相転移点よ
り約10℃高い61.jL度で30分加熱し、ゆっくり
(−5℃/m自1)冷却した。更に、前記記録層上に八
βからなる反射膜を形成し、光記録媒体を得た。この光
記録媒体についても実施例]と同様に記録・消去を行っ
たが、いすれも不i+J能であった。
り約10℃高い61.jL度で30分加熱し、ゆっくり
(−5℃/m自1)冷却した。更に、前記記録層上に八
βからなる反射膜を形成し、光記録媒体を得た。この光
記録媒体についても実施例]と同様に記録・消去を行っ
たが、いすれも不i+J能であった。
[比較例2]
まず、実施例6と同様なUV硬化樹脂を酢酸エチルにI
Wt9iiの濃疫で溶解して調整した。次に、この溶液
をスピンコー1・法(][i00rpm , 20秒)
により溝付き基板上に塗布した後、UV光照射,熱処理
を行い下地層を形成した。つづいて、第3表の式0に示
す液晶高分子と色素からなる記録層を下地層上に形成し
、光記録媒体を得た。この光記録媒体についても実施例
]と同様な記録・消去を行ったが、いずれも不可能であ
った。
Wt9iiの濃疫で溶解して調整した。次に、この溶液
をスピンコー1・法(][i00rpm , 20秒)
により溝付き基板上に塗布した後、UV光照射,熱処理
を行い下地層を形成した。つづいて、第3表の式0に示
す液晶高分子と色素からなる記録層を下地層上に形成し
、光記録媒体を得た。この光記録媒体についても実施例
]と同様な記録・消去を行ったが、いずれも不可能であ
った。
第 1 表 (式■〜式■)
但し、50≦1 −1− m≦1000,ん棉=O/1
00〜4 0/6 0n=3〜10、p=l〜5 但し、50≦L+m≦1000,7,名= O/1 0
0〜3 0/7 0n−1〜5、p−7〜20 18一 但し、 上記式■〜■において、 50≦L+m≦1000、 L/m 0/1 0 0〜5 0/5 0 n = 1〜10、 p=l〜10 但し、 上記式■〜■において、 50≦t+m≦1000、 t/m=o/100〜5 0/5 0、1〜10、 p=l〜10 H3C−C−COOCH3 =22= 第 表 CO CO シアニン系色素 0−CII3 0−C6H,3 但し、 ψ L X Y Zは下記に示す通りで O ある。
00〜4 0/6 0n=3〜10、p=l〜5 但し、50≦L+m≦1000,7,名= O/1 0
0〜3 0/7 0n−1〜5、p−7〜20 18一 但し、 上記式■〜■において、 50≦L+m≦1000、 L/m 0/1 0 0〜5 0/5 0 n = 1〜10、 p=l〜10 但し、 上記式■〜■において、 50≦t+m≦1000、 t/m=o/100〜5 0/5 0、1〜10、 p=l〜10 H3C−C−COOCH3 =22= 第 表 CO CO シアニン系色素 0−CII3 0−C6H,3 但し、 ψ L X Y Zは下記に示す通りで O ある。
但し、
上記式[相]
■において、
50≦t十m≦1000、
t/m
10/90〜lOo/o
■L・・・
{ CH
CH片CH=
(但し、
n == 1〜3)、
(2)メロシアニン系色素
Y
■X・・・■、Ct04。
BSFθ、BrO, BFe
但し、
R = 1{、CH5
X
(ハロヶ゛ン)
■Y=・CnI■2n−+i
(n=t〜18)、
OCm■■2m4−、
(m=1〜3)
Cn■−I2謬CmH2m+1
(n,r++=1〜18)、
A
S,Se
( CH。)nR
(0二〇〜18)、
n = l 〜6
罎
( R−SO s N a
So3H)、
(3)チオール錯体系色素
Cn”’2n − +CmI12m
( n , m = 1〜18)、
■Z・・・一X(ハロヶゝン)、
−R(アルキル)
−RO}−1、− RCOH、−RCOOH、− RO
R’、−RCOft’ .〜RCOOR’ 、 [相] −cJ+= cn@ −CH=CJ{−CN ,−OCF3、−0SF3但し
、 R=H , CA,Br M=Ni ,Pt (4)ナフ ト/フタ口シアニン系色素 (6)スクワ ウム系色素 (7)ナフ トキノン系色素 −29一 (5)ビリリウム,チオビリ リ ウム系色素 但し、 n = l、2 X=S,O、 N−C2H5 e e 1,CtO4 (8)アン ラキノン系色素 υ NII,,S =31= 但し、 R 炭素数1〜1 8のアルキル基、 アリ ル基、 アリールアルキル基 (9)チオールアゾ系色素 X N=N−Y N N Z 但し、 上式で −32一 [発明の効果] 以−1−詳述し,た如く本発明によれば、良好な記録 姿勢, 消去機能を白゛することは勿論、 従来と比べ 4 .
R’、−RCOft’ .〜RCOOR’ 、 [相] −cJ+= cn@ −CH=CJ{−CN ,−OCF3、−0SF3但し
、 R=H , CA,Br M=Ni ,Pt (4)ナフ ト/フタ口シアニン系色素 (6)スクワ ウム系色素 (7)ナフ トキノン系色素 −29一 (5)ビリリウム,チオビリ リ ウム系色素 但し、 n = l、2 X=S,O、 N−C2H5 e e 1,CtO4 (8)アン ラキノン系色素 υ NII,,S =31= 但し、 R 炭素数1〜1 8のアルキル基、 アリ ル基、 アリールアルキル基 (9)チオールアゾ系色素 X N=N−Y N N Z 但し、 上式で −32一 [発明の効果] 以−1−詳述し,た如く本発明によれば、良好な記録 姿勢, 消去機能を白゛することは勿論、 従来と比べ 4 .
第1−図本発明に係る光記録媒体の断面図を示す。
・・透明基板、
2・・・アンダ
1・層
(下地
層)
′3
・・記録層。
Claims (3)
- (1)透明基板と、この透明基板上に形成された垂直配
向性を有する耐久性に優れたアンダーコート層と、この
アンダーコート層上に形成され、サーモトロピック液晶
高分子とレーザ光吸収色素からなる記録層とを具備する
ことを特徴とする消去可能な光記録媒体。 - (2)前記アンダーコート層が、末端に飽和又は不飽和
炭化水素基又は水酸基である置換基を有し、下記一般式
で表わされる少なくとも1種類の有機金属化合物で形成
される請求項1記載の消去可能な光記録媒体。 ▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、R_1=OC_mH_2_m_+_1(1≦m≦
6)R_2=OCOC_nH_2_n_+_1(1≦n
≦18)R_3=OCOC_pH_2_p_−_1(1
≦p≦18)R_4=OCOC_qH_2_qOH(1
≦q≦18)M=Al、Si、Ti、Ni、Cr q+h+k+l=1、1≦q≦4 - (3)前記アンダーコート層が下記一般式で表わされる
少なくとも1種類の有機金属化合物で形成される請求項
1記載の消去可能な光記録媒体。 (R_5)i−M−(R_6)j(i+j=6)但し、
R_5=OC_rH_2_r_+_1(1≦r≦6)R
_6=[P(OC_sH_2_s)_tOH](1≦s
≦18、1≦t≦6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1110401A JPH02289931A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 消去可能な光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1110401A JPH02289931A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 消去可能な光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02289931A true JPH02289931A (ja) | 1990-11-29 |
Family
ID=14534868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1110401A Pending JPH02289931A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 消去可能な光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02289931A (ja) |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP1110401A patent/JPH02289931A/ja active Pending
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