JPH0362337A - 情報記憶媒体およびその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、可逆的、光学的に超大容量のデータを記憶す
ることが可能な情報記憶媒体およびその製造方法に関す
るものである。

［従来の技術］ 現在、光記憶方式は大容量かつランダムアクセスに優れ
たものとして実用化されている。その方式も多岐にわた
り、再生専用としてディジタルオーディオディスク（Ｃ
Ｏ）やレーザービデオディスク（ＬＤ）が実用化されて
いる。光記録が可能なものとしては追記型光ディスク（
ＷＯ）　、光カード（ＯＣ）が知られており、金属薄膜
の相変化を用いるものや、有機染料のピット形式を用い
るものがある。

さらに、書き換え型光ディスクの研究が進められており
、光磁気効果を用いたもの、相変化を用いたものの実用
化が図られている。その中にあって高分子液晶も情報記
憶媒体として提案されている（＃開閉５９−１０９３０
号公報、特開昭５９−　：１５９８９号公報、特開昭６
２−１５４３４０号公報）、その中では、記録方式とし
てコレステリック性高分子液晶のらせんピッチ長を変え
るか、あるいは無配向状態のピット形成によって光反射
率を多値的に変化せしめる方式も提案されている（特開
昭６２−１０７４４８号公報、＃開開６２−１２９３７
号公報）。

また、簡便な方式として、配向処理されていない高分子
液晶へレーザーを照射し、加熱して等実相にした後、ガ
ラス転移点以下へ急冷することにより等実相を固定記録
する方法も提案されている（特開昭６３−１９１６７３
号公報〉。

このような高分子液晶を記録層とする情報記憶媒体は、
蒸着等が不要であり、高感度で安定な記録を行うことが
可能である。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記高分子液晶を記録層として有する情
報記憶媒体において、前記高分子液晶化合物は溶解性の
強い溶媒にしか溶解しないものがほとんどであり、その
ために使用可能な基板としては耐溶媒性を有するものに
限定され、特にプラスチック基板を用いることが困難で
あった。

さらに、情報記憶媒体のトラッキングのためのグループ
を形成する必要かあるか、従来は高分子液晶化合物を含
有する溶液を基板上に塗布した後、金型等によりグルー
プ形成を行っているために、生産効率が低い問題点があ
った。また、形成したグループが熱変形しやすく、記録
・再生・消去によってトラッキングが不安定になり、レ
イズレベルか上昇する問題があった。

本発明は、この様な従来技術の問題点を解決するために
なされたものであり、架橋された高分子液晶よりなるグ
ループを、高分子液晶のモノマーを基板上で重合して形
成することにより、溶媒を用いることなく、熱変形に対
する耐久性か良好なグループを有する情報記憶媒体を簡
易な方法で効率よく提供することを目的とするものであ
る。

［課題を解決するための手段］ 即ち、本発明は、高分子液晶を含有する記録層を有する
情報記憶媒体において、前記高分子液晶を含有する記録
層にトラッキング用のグループが形成されていることを
特徴とする情報記憶媒体、および高分子液晶を含有する
記録層を有する情報記憶媒体の製造方法において、前記
高分子液晶のモノマーを基板上で重合することにより高
分子液晶を含有する記録層を形成することを特徴とする
情報記憶媒体の製造方法である。特に、記録層のトラッ
キング用のグループは、前記高分子液晶のモノマーを基
板上で重合するのと同時に形成する。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の情報記録媒体の一例を示す説明図であ
る。同第１図において、本発明の情報記録媒体は、基板
ｌ上にトラッキング用のグループが形成されている高分
子液晶を含有する記録層２を有し、該記録層の上に反射
層３を設け、さらに反射層３を保護するために下基板４
を反射層３の上に貼り合わせてなるものである。

本発明の情報記録媒体においては、基板上に高分子液晶
のモノマーを塗布し基板上で重合して記録層を形成する
ために、基板の耐溶媒性を配慮する必要はなくなり、基
板を自由に選択して用いることか可能である。特に、有
機溶剤に侵されやすいプラスチック基板を用いることが
可能である。

さらに、基板上での高分子液晶のモノマーの重合時に同
時にグループを形成するので、効率よく良好なグループ
を得ることが可能である。

また、本発明の高分子液晶を含有する記録層にグループ
を形成した情報記憶媒体においては、高分子液晶か架橋
されていることによって、記録・再生・消去をくり返し
ても、グループが変形・劣化したり、またトラッキング
が不安定になることがない。これによって、ノイズレベ
ル、ピットエラーレートも低くおさえることが可能であ
る。

本発明において、基板としては、ガラス、金属、セラミ
ック、プラスチック等を用いることか可能であり、それ
等の中で特に好ましくはプラスチック基板が用いられる
。基板に用いられるプラスチックとしては、ポリアクリ
レート、ポリメタクリレート、ポリエステル、ポリカー
ボネート。

エポキシ樹脂、ポリエチレン、ポリエーテル、ポリスル
フォン、ポリエーテルエーテルケトンリエーテルサルホ
ン、ポリエーテルイミド、ボリアリレート、ポリアミド
、ポリエチレン、ポリフロピレン、ポリスチレン等が挙
げられる。

読み出し光を入射する側の基板は、光学的に均質で複屈
折性の小さいものが望ましく、好ましくはポリメタクリ
レート、ポリカーボネート等が用いられる。

本発明の情報記録媒体において、記録層の形成に用いら
れる高分子液晶のモノマーはビニル基を有するものか好
ましい。高分子液晶のモノマーはビニル基を複数個有し
ていてもよく、また重合か完了した状態で液晶相を示し
ていればよい。また、モノマーは高分子液晶、プレポリ
マー等と混合して用いてもよい。

より具体的な高分子液晶のモノマーとしては下記に例示
するようなものが用いられる。

Ｒ＝−Ｈ，−Ｃ：Ｈ，、−Ｃ１ｌ ｑ＝ｌ〜１８ （２） Ｒ＝−Ｈ，−ＣＨ，１，−Ｃｊ） ｑ＝ｌ〜１８ （３） Ｒ＝−Ｈ，−ＣＩ、、−ＣＩ２ ｑ＝ｌ〜１８ （４） Ｒ＝−Ｈ，−ＣＨ，、−Ｃ１２ ｑ＝ｌ〜１８ Ｒ＝−Ｈ，−ＣＨ３，−ＣＪ ｑ＝ｌ〜１８ （６） Ｒ＝−１４，−ＣＩ＋、、−Ｃ１ｌ ｑ＝ｌ〜１８ （７） Ｒ＝−１（、−ＣＨ，、−ＣＩ！ Ｒ＝−１１，−ＣＨ３，−ＣＪ ９＝１〜１８ （９） Ｒ＝−Ｈ，−ＣＨ，、−Ｃ１２ ｑ＝ｌ〜１８ ｍ＝１〜５ （１０） Ｒ＝−Ｈ，−Ｃ）１．、−Ｃ１ｌ ｑ＝ｌ〜１８ （１１） Ｒ−−Ｈ、−ＣＨ３、−ＣＲｑ　＝　１〜１８Ｒ’　＝
Ｃ，〜Ｃ１２のアルキル基 （１２） Ｒ＝　−Ｈ，−ＣＨ５、−ＣＲｑ　＝　１〜１８Ｒ’　
＝Ｃ，〜Ｃ１□のアルキル基 また、２以上のビニル基を有する高分子液晶のモノマー
は、単独で重合したときに液晶相を示しても、または示
さなくてもよい。高分子液晶のモノマーの中に２以上の
ビニル基を有する高分子液晶のモノマーを加えて重合す
ることにより、架橋を行うことが可能になる。２以上の
ビニル基を有するモノマーの添加量は、０．１〜５０ｗ
ｔ％が好ましい、　０．１　ａｔ％未満ては架橋の効果
が十分でなく、５０ｗｔ％を越えると架橋点が多すぎる
ために粘度の上昇やひずみによるクラック等が生じて好
ましくない。より好ましくは、１〜：１０ｗｔ％の範囲
である。

次に、２以上のビニル基を有する高分子液晶のモノマー
の例としては、具体的には下記のようなものが挙げられ
る。

（１３） （１４） ｎ＝１〜５ （１５） Ｈ （１６） （１７） （１８） （１９） ＣＨ３ （２０） （２１） （２２） （２３） Ｈ３ （２４） （２５） （２６） Ｃ１１２＝ＣＨＣＯＯＣＲ２ （：Ｈｇ０ＣＣＨ＝ＣＨ２ 冒 次に、本発明の情報記録媒体の製造方法は、前記高分子
液晶のモノマーを含有する組成物を基板上へ塗布し、グ
ループを形成するための型を用いて所定の形状としたの
ち、モノマーを重合させることにより、高分子液晶から
なるグループが形成された記録層を宥する情報記録媒体
を得ることができる。

モノマーの重合は、一般的にはラジカル重合によって行
なわれるが、これに制限されることなく、カチオン重合
・グループトランスファー重合・重縮合・付加重合も用
いることが可能である。

ラジカル重合は、好ましくは光もしくは熱による重合反
応が用いられ、それぞれに適した光重合開始剤、熱重合
開始剤等のラジカル重合開始剤を添加することによって
行われる。

具体的な光重合開始剤としては、アセトフェノン類、ベ
ンゾフェノン類、ミヒラーケトン類、ベンジル類、ベン
ゾイン類、ベンゾインエーテル類、ベンジルジメチルケ
タール類、チオキサントン類等が用いられ、増感剤を併
用してもよい。

次に、具体的な熱重合開始剤としては、過酸化物（過酸
化水素、過硫酸塩、過酸化ジアルキル。

過酸化ジアシル、過酸化ベンゾイル類、過酸エステル類
、金属過酸化物類等）、アゾ化合物（アゾビスアルカン
誘導体、アゾビスインブチロニトリル、アゾビスイソ醋
酸エステル、次亜硝酸エステル、フェニルアゾトリフェ
ニルメタン、ジアゾチオエーテル、ジアゾアミノベンゼ
ン、アゾベンゾイン、テトラメチルテトラゼン、Ｎ−ニ
トロソアセトアニリド）、モノおよびジスルフィド、金
属キレート（マンガンアセチルアセトン〉等を用いるこ
とが可能である。

本発明の情報記録媒体において、記録層の厚みは、口、
ｏｔｇ■〜５０紗厘が望ましい、　０．ＯＩＩＬｍ未満
ではコントラストが得られないために好ましくなく、５
０ルーをこえると配向の乱れによる散乱のために有効な
トラッキングを行うことができない。さらに好ましくは
、　Ｏ，ＯＳ〜２０ド■である。

基板上に設けた高分子液晶を含有する記録層の溝形状の
一例を第３図（ａ）〜（ｄ）に示す。又、実験の結果か
ら、第４図に例示する溝の大きさ、すなわち溝の深さａ
、溝の幅す、溝のランド部幅Ｃは、溝の深さａは０．０
５ｐｍ　〜０．５　＃Ｌｌ、溝の幅すは０．５　ｐｓ〜
１０．０．璽、溝のランド部の幅Ｃは０．５〜１０、Ｏ
Ｂ、特に溝の深さａは０．１４ｍ　〜０．２４ｍ、溝の
＃Ａｂは０．５４ｍ〜５．０紗■、溝のランド部の幅Ｃ
は１．０岬−〜５．０−厘が好ましいことが確認できた
。たたし、上記条件の３つとも全てを満たさずとも、上
記条件の中で溝の深さを少なくとも上記範囲内に設定し
ておけば効果は得られる。又、溝の形はさほど影響しな
いことも確認できた。

さらに、レーザー光等にて書き込み、消去を行う場合に
は、レーザー光吸収層を設けるか、もしくは高分子液晶
層へレーザー光吸収化合物を添加することによって感度
を向上させることができる。これらは、高分子液晶への
溶解度の大きいものが好ましく、二色性色素等を用いる
ことで吸光係数を向上することが可能となる。高分子液
晶層へ添加するレーザー光吸収化合物の例としては、次
のようなものかある。アゾ系、ビスアゾ系、トリスアゾ
系の具体例としては下記に示すようなものが挙げられる
。

Ｄｉｒｅｃｔ　Ｒｅｄ　２８ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｖｉｏｌｅｔ　１２ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｌｕｅ　１ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｌｕｅ　１５ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｌｕｅ　９８ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｌｕｅ　１５１ ■ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｒｅｄ　８１ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｙｅｌｌｏｗ　４４ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｙｅｌｌｏｗ　１２ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｏｒａｎｇｅ　：１９ 次に、 ナフトキノン類、 アンスラキノン類と しては、 下記に示すようなものが挙げられる。

ｔ１２ 関 ５Ｆ６ｅ ｃＩ！ｏ、。

また、半導体レーザーの波長に適合したレーザー光吸収
化合物としては、下記に示すようなものが挙げられる。

具体的には、フタロシアニン類、ナフタロシアニン類、
テトラベンゾポルフィリン類やその他置換、非置換ポル
フィリン類が用いられる。

特に有効なものとして、下記一般式ＣＩ）で表わされる
フタロシアニン、ナフタロシアニン等がある。

（一般式 （ ） ％式％ ［但し、Ｒ，〜Ｒ２０は水素原子、炭素原子数４〜２０
の直鎖もしくは分岐したアルキル基、アルコキシ基、ア
ルケニル基もしくは下記から選択される置換基を示す。

一３ｊＱ＋ＱｔＱコ ５Ｑ４ −ＣＯＱ。

−ｃｏＱＱａ ＮＱｔＱａ （Ｑ、〜ｑ６は水素原子、炭素原子ａｌ〜２０の直鎖も
しくは分岐したアルキル基又はアルケニル基を示す、）
Ｉ ＭはＧｅ、　Ｓｎ、遷移金属、　ＡＲ，Ｃａ、　Ｉｎ、
アルカリ土類金属、ランタニド金属、アフチニト金属お
よびその酸化物、ハロゲン化合物もしくはアルコキシ化
合物を示す、） 光記録を行う場合に近赤外から赤色可視に波長を有する
半導体レーザーを用いることは記録再生装置の小型化、
高性能化に重要であるが、その波長域で用いることが可
能な可溶性有機大環状色素としてはナフタロシアニン類
が特に優れている。

特に、一般式（ｎ）で示される。ものは、溶解性に優れ
ているため本発明の記憶媒体に適している。

（×鳳４）ｂ ［一般式（ｎ）中 Ｍ　：　Ｇｅ、　Ｓｎ、遷移金属、　Ａｊ＞、　Ｃａ、
　Ｉｎ、アルカリ土類金属、ランタニド金属又はアフチ
ニト金属 Ｘ：ハロゲン基、アルキル基、カルボキシル基、アルコ
キシ基、エーテル基又はアルケニル基等を、 Ｘｓ、〜Ｘｌｌ４＝ハロゲン基、アルキル基、スルファ
セイル基、エーテル基又はアルケニル基等を、 ａ−ｄ：Ｏ〜４を示す。

（但しａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≧１）、］ これらの化合物は、特開昭６１−９０２９１号公報に開
示された方法等によって容易に合成できる。

さらに、他の半導体レーザー光の吸収剤として使用可能
な化合物としては、アくニウム塩化合物又はジイモニウ
ム塩化合物が挙げられる。

本発明で使用されるアミニウム塩化合物およびジイモニ
ウム塩化合物は、それぞれ下記の一般式［ｍｌ　、　　
［ＩＶＩおよび［Ｖ］で表わされる。

一般式［ｍｌ 一般式 ［］ 一般式［Ｖ］ 上記の一般式［ＩＩＩ］、　［ＩＶＩおよび［Ｖ］にお
いて、Ｒ８〜Ｒ０゜は同種または異種の水素原子、また
はアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、１ｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、５ｅｃ−
ブチル基、１ｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミ
ル基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基
、ｔ−オクチル基および、Ｃ９〜Ｃ１ｔのアルキル基な
ど）を示し、さらに他のアルキル基、例えば置換アルキ
ル基・（例えば、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロ
キシプロピル基、４−ヒドロキシブチル基、２−アセト
キシエチル基、カルボキシメチル基、２−カルボキシエ
チル基、３−カルボキシプロピル基、２−スルホエチル
基、３−スルホプロピル基、４−スルホブチル基、３−
スルフェートプロピル基、４−スルフェートブチル基、
Ｎ−（メチルスルホニル）−カルバミルメチル基、３−
（アセチルスルファミル）プロピル基、４−（アセチル
スルファミル〉ブチル基など）、環式アルキル基（例え
ば、シクロヘキシル基など）、アラルキル基（ビニル基
、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基
、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ドデシ
ニル基、プレニル基など）、アラルキル基（例えば、ベ
ンジル基、フェネチル基、α−ナフチルメチル基、β−
ナフチルメチル基など）、置換アラルキル基（例えば、
カルボキシベンジル基、スルホベンジル基、ヒドロキシ
ベンジル基など）を包含する。

Ｙは、−（）−または−（）−（）呻を示し、この芳香
族環上にアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基を置換
してもよい。

八〇は陰イオン、例えばバークロレート、フルオロボレ
ート、アイオダイド、クロライド、ブロマイド、サルフ
ェート、パーアイオダイド、ｐ−トルエンスルフォネー
ト これらのアミニウム塩化合物およびジイモニウム塩化合
物は、特公昭４３−２５３３５号公報などに開示される
合成法に準じて合成することができる。

アミニウム塩化合物およびジイモニウム塩化合物は近赤
外域に吸収をもち、安定な光吸収色素として有用であり
、かつ高分子液晶に対して相溶性もしくは分散性がよい
。

さらに、半導体レーザーの吸収剤として、次ぎのような
金属キレート化合物が挙げられる。

本発明で使用される金属キレート化合物の例を挙げると
下記の一般式［１］〜［７］で表わされる。

一般式 ［ ］ （式中、Ｌｓは水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基
、アリール基でもう一方のＲ４と結合しても良い、Ｒ１
６はアルキル基、ハロゲン原子、水素原子、ニトロ基又
はベンゾ縮合系基を表わし、中心金属ＭはＣｕ、　Ｎｉ
、　Ｇｏ又はＰｄを表わす、）一般式［２］ （式中、Ｒ１７は水素原子、水酸基、アルキル基、アリ
ール基でもう一方のＲ１？と結合しても良い。

Ｒ１８は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ニトロ
基又はベンゾ縮合系基な表わし、ＭはＣｕ。

Ｎｉ、　Ｇｏ又はＰｄを表わす。） 一般式［３］ （式中、ＲＩ９はアルキル基、アリール基、Ｒｈｏは水
素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ニト
ロ基又はベンゾ縮合系基を表わし、ＭはＣｕ、　Ｎｉ又
はＰｄを表わす、） 一般式［４］ （式中、 ２１ はアルキル基、 アリール基、 ２２ は 水素原子、 ハロゲン原子、 アルキル基又はベンゾ 縮合系基を表わし、 ＭはＣｕ。

Ｎｉ。

又はＰｄを表わ す。

） 一般式［５］ （式中、 Ｒ１！！ は水素原子、 ハロゲン原子又はアル キル基を表わし、 ＭはＣｕ又はＮｉを表わす。

） 一般式［６］ （式中、 ２４ は水素原子、 又はアルキル基を表わ し、 ＭはＣｕ。

Ｎｉ。

Ｇｏ又はＭｎを表わす。

） 一般式［７］ （式中、Ｒ２Ｓ、　Ｒ２６は、置換ないし非置換のアル
キル基、アシル基又はアリール基またはＲ２Ｓ＋　Ｒ２
Ｂで芳香族環を形成しても良い０ＭはＣｕ、　Ｎｉ、　
Ｃｏ又はＰｄを表わす。この場合１Ｍは電荷を持ち、カ
ウンターイオンを持っても良い。） 上記金属キレート化合物は近赤外域に吸収をもち、安定
な光吸収色素として有用であり、かつ高分子液晶に対し
て相溶性もしくは分散性がよい。

さらに、他の半導体レーザー光の吸収剤として使用可能
な化合物としては、次のようなものが挙げられる。

一般式［８］ （式中、Ｒ２？はイオウ原子、置換ないし非置換のアミ
ノ基、酸素原子又はチオケトン基、Ｒ２Ｂは水素原子、
アルキル基、ハロゲン原子又はアミノ基を表わし１Ｍは
Ｚｎ、　Ｃｕ又は旧を表わす。）一般式［９］ （式中、Ｒ２９はアルキル基、アリール基又はスチリル
基を表わし、ＭはＣｕ、　Ｎｉ、又はＧｏを表わす。） 一般式 ［１０ （式中、 Ｒ３゜ は水素原子、 ハロゲン原子、 アルキ ル基、 アシル基又はアリール基を表わし、 ＭはＮｉ 又は２「を表わす。

） 一般式［１１］ （式中、 ３Ｌ はアルキル基又はアリール基、 Ｍは Ｃｕ。

Ｎｉ又はＧｏを表わす。

） 一般式 ［１２］ （式中、８１２＋　Ｒ３３はアルキル基又はアリール基
。

ＭはＮｉを表わす、） 一般式 ［１３］ ％式％ （式中、Ｒ１４＋　Ｒ，ＩＳはアルキル基、アミノ基、
アリール基又はフラン基、又はＲ３４とＲ３５で脂環式
化合物を形成しても良い。ＭはＮｉを表わす、）一般式 ［１４］ （式中、Ｒ：１６１　Ｒ：１７は水素原子、ハロゲン原
子又はアルキル基でＸは酸素原子又は硫黄原子、ＭはＮ
ｉを表わす。） 一般式［１５］ （式中、　Ｒ３６，Ｒ３ｇは水素原子、アルキル基、ハ
ロゲン原子又はニトロ基、Ｘは酸素原子又は硫黄原子、
ＭはＮｉ、　Ｙ＠は４級アンモニウムカチオンを表わす
。） 一般式［１６］ （式中、　Ｒ２Ｏはアく）基、ＭはＣｕ、　Ｎｉ、　Ｃ
ｏ又はＰｄを表わす。） 一般式 ［１７］ （式中、　Ｒ４１は水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アシル基、ニトロ基又はアルコキシル基、ＭはＺｎ
、　Ｃｕ、　Ｎｉ又はＧｏを表わす。）本発明に用いら
れる上記金属錯体類は、バリー・ビー・グレイ等がジャ
ナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティ
　８８巻　４３〜５０頁および４８７０〜４８７５頁、
もしくはシュランツアおよびマイベーク等によるジャナ
ル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・ソサイエテイ　
８７巻　１４８３〜１４８９頁により記載されている方
法に準じて合成される。

前記半導体レーザー用化合物は近赤外域に吸収をもち、
安定な光吸収色素として有用であり、かつ高分子液晶に
対して相溶性もしくは分散性がよい、又中には二色性を
有するものもあり、これら二色性を有する化合物を高分
子液晶中に混合すれば、熱的に安定なホスト−ゲスト型
のメモリー及び表示媒体を得ることもできる。

また高分子液晶中には上記の化合物が二種類以上含有さ
れていてもよい。

また、上記化合物と他の近赤外吸収色素や２色性色素を
組み合せてもよい、好適に組み合せられる近赤外吸収色
素の代表的な例としては、シアニン、メロシアニン、フ
タロシアニン、テトラヒドロコリン、ジオキサジン、ア
ントラキノン、トリフエツジチアジン、キサンチン、ト
リフェニルメタン、ピリリウム、クロコニウム、アズレ
ンおよびトリフェニルアミン等の色素が挙げられる。

なお、液晶に対する上記化合物の添加量は重量％で、０
．１％〜２０％程度、好ましくは、０．５〜ｌＯ％がよ
い。本発明で用いる高分子液晶は高分子サーモトロピッ
ク液晶であり、中間相であるネマチックやスメクチック
やカイラルスメクチックやコレステリックの相を利用す
る。

前記、色素は重合前に添加しておいてもよいし、または
重合後、高分子液晶を含有する記録層へ熱的にもしくは
溶媒膨潤等によって拡散することも可能である。

［実施例］ 次に、実施例によってさらに詳細に本発明を説明する。

実施例１ 厚さ１．１ｍｍの表面を光学研磨した８５ｓｍＸ　５５
ｍｍのカード状ガラス基板に、下記の組成の七ツマー組
、を物を塗布した。

（：Ｌ＝ＣＨ−ＣＯＯ−（ＣＬ）ｙ−０＋　ｃｏｏ４ト
ＣＮ１０重量部 （１：Ｈｔ”ｃＨｃＯＯｃＨ＊ ＩＲ吸収色素 （山水化学合成■ＩＲＤ−１００１） ０．５ 重量部 次に、８０°Ｃで第２図に示す形状のスタンパ−５（巾
ｗ　＝　５μ■、高さｈ　＝　０．２５μｍ）を圧着し
て、１２０℃で３ｈｒ保持して重合を行った。スタンバ
−を除去したところ、深さ０．２１Ｌｍ　、巾５ル１の
良好なグループが形成された０次いで、その上にＡ２を
２０００大の厚さに蒸着して反射層を形成した。

７８０ｎｍ、　３０−の半導体レーザーを用いて、１０
０ｋＨｚで記録を行い、１ｍＷで再生したところ、Ｃ／
Ｎが４５ｄＢの良好な記録・再生を行うことができた。

基板温度を７０°Ｃとしてレーザー光をデフォーカスす
ることにより消去を行った。さらに、記録・消去を３０
０回くり返したが、Ｃ／Ｎは４３ｄＢと良好であった。

また、走査型電子顕微鏡による観測においてもグループ
の形状は正常であった。

実施例２ 厚さ１．１ｍｓの８５−重×５５１量のカード状ＰＭＭ
Ａ基板に下記の組成のモノマー組成物を塗布した。

ｃＬ−ｃｌ（−ｃｏｏ−（−Ｃ１，−）−ｘ螺トＣＯ螺
））ｌＯｃＨ，ｃＨｃ３Ｈ。

１０重量部 υ ＩＲ吸収色素（山水化学合成■ＩＲＤ−１００１）０．
３ 重量部 次に、８０℃で第２図に示す形状のスタンパ−を圧着し
て、Ｎ２中で１２ｈｒ保持して重合を行った。スタンパ
−を除去したところ、深さ０．２ル厘、巾５川−の良好
なグループが形成された０次いで、その上にＡＩ！を２
０００人の厚さに蒸着して反射層を形成した。

７８０ｎｓ、　３ｈＷの半導体レーザーを用いて１００
ｋＨｚで記録を行い、ｌ鳳Ｗで再生したところ、Ｃ／Ｎ
が４５ｄＢの良好な記録・再生を行うことができた。記
録に用いたレーザー光をデフォーカスすることにより消
去を行い、記録・消去を１００回くり返したが、Ｃ／Ｎ
は４２ｄＢと良好であった。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、架橋された高分
子液晶よりなるグループを基板上に重合によって形成す
ることにより、溶媒を使用することなく、簡易な方法で
効率よく情報記憶媒体な得ることかできた。また、この
グループは熱変形に対して良好な耐久性を有しており、
くり返し記録・再生・消去後も変化することがない優れ
た効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の情報記憶媒体の一例を示す説明図、第
２図はグループ形成用スタンパ−の部分断面図、第３図
（ａ）〜（ｄ）は記録層のグループの形状を示す断面模
式図および第４図は記録層のグループの大きさを示す説
明図である。 ｌ・・・基板　　　　　　２・・・記録層３・・・金属
反射層　　　４・・・下基板５・・・スタンパ−６・・
・構

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）高分子液晶を含有する記録層を有する情報記憶媒
   体において、前記高分子液晶を含有する記録層にトラッ
   キング用のグループが形成されていることを特徴とする
   情報記憶媒体。
2. （２）前記高分子液晶が架橋されている請求項１記載の
   情報記憶媒体。
3. （３）高分子液晶を含有する記録層を有する情報記憶媒
   体の製造方法において、前記高分子液晶のモノマーを基
   板上で重合することにより高分子液晶を含有する記録層
   を形成することを特徴とする情報記憶媒体の製造方法。
4. （４）前記高分子液晶のモノマーを基板上で重合するの
   と同時にグループを形成する請求項３記載の情報記憶媒
   体の製造方法。