JPH02294055A - Ｉｃパッケージ - Google Patents

Ｉｃパッケージ

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JPH02294055A
JPH02294055A JP1114705A JP11470589A JPH02294055A JP H02294055 A JPH02294055 A JP H02294055A JP 1114705 A JP1114705 A JP 1114705A JP 11470589 A JP11470589 A JP 11470589A JP H02294055 A JPH02294055 A JP H02294055A
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protrusion
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package
chip
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浩一 鶴見
Yoshifumi Kitayama
北山　喜文
Yukio Maeda
幸男 前田
Akira Kabeshita
朗 壁下
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
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    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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    • H05K3/3415—Surface mounted components on both sides of the substrate or combined with lead-in-hole components
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    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、表面実装用ＩＣのパッケージ形状に関するも
のである。
従来の技術 電子回路基板の高密度化が進み、表面実装基板の割合が
ますます増加している。表面実装基板ではクリーム半田
を用いたりフロー半田付け工程を用いるのが一般的であ
る。高密度化の進んだ基板では両面に実装することも珍
しくない。部品の小型化に伴って、リフロ一半田付け工
程における半田付け不良が多発するようになった。たと
えば、ＩＣのリード間が半田によりショートしてしまう
現象（ブリッジ）、チップ部品の片側の電極が浮き上が
り垂直に立ってしまう現象（マンハッタン現象、チップ
立ち）や半田がｔＣのリードに吸い上がりランド上の半
田がな《なってしまう現象（ウィッキング）、半田の微
粒子が半田付け部の周辺に発生し（半田ボール）基板の
絶縁不良を引き起こす現象等が発生している。
発明が解決しようとする課題 ところで、表面実装用ＩＣを用いたりフロー半田付け工
程において、高密度化を実現するためにＩＣの下にチッ
プコンデンサーを実装することが多い。このような高密
度実装基板ではりフロー工程中にＩＣの下部のチップコ
ンデンサーがマンハッタン現象を起こすこという半田付
け不良が多発している。すなわち、チップコンデンサー
の片側の電極が浮き上がり、ＩＣパッケージの下面と接
触してしまうことをいう（第２図）。本発明の目的は、
このようなＩＣ下部に実装されたチップ部品のマンハッ
タン現象を防止することにある。
課題を解決するための手段 本発明に係るｔＣパッケージはＩＣパッケージ本体の下
面に突起を設け，この突起によりＩｃ下部に実装された
チップ部品の浮き上がりを押さえる。
作　　　用 本発明においては、ＩＣ下部に実装されたチップ部品の
マンハッタン現象を防止することができる。
実　　施　　例 第１図に本発明によるＩｃのパッゲージ形状と実装状態
の一例を示す。１はＩｃパッケージの本体であり、その
下部に突起２を設ける。ＩＣの下部とチップ部品３の間
にはいくらかの隙間があり、この隙間を埋めるようにＩ
Ｃ下部の突起の突き出し長さを決定する。突起の面禎は
チップ部品よりも小さくしておき、溶融半田と突起が接
触するのを防いでいる。突起は必ずしもチップ部品に接
触している必要はなく、チップ部品の片側の電極が浮き
上がりかけたときそれを抑止し、両方の電極に正常に半
田付けが可能な範囲とする。４はＪ字形のリードである
。
なお、突起の形状は上記の実施例で示した形状以外のも
のでもよいことは言うまでもない。
発明の効果 従来、ＩＣ下部に実装したチップ部品のマンハッタン現
象を防止するための方法としてはりフロ一方法の選定、
予熱温度や予熱時間などリフロ一条件の設定、クリーム
半田や電極の材料選定、厳密な工程管理を必要としてい
たが、それでも発生原因が明確に解明されていないため
完全に防止することはできなかった。
ところが、本発明によればＩＣ下部に実装したチップ部
品のマンハッタン現象は物理的に発生の可能性がまった
くなる。このため、いかなるリフ口一方法、リフロー条
件、クリーム半田を用いてもまったくマンハッタン現象
は発生しなくなる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）は本発明の一実施例におけるＩＣのパッケ
ージ形状と実装状態を示す側面図、第１図（ｂ）は同底
面図、第２図は従来のＩＣパッケージ形状と実装状態を
示す側面図である。 １・・・・・・ＩＣパッケージの本体、２・・・・・・
突起、３・・・・・・チップ部品、４・・・・・・Ｊ字
形リード。 ＩＭＩ図 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　はか１名弟　２　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　表面実装用ＩＣの本体下面に突起を設けることを特徴
    としたＩＣパッケージ。
JP1114705A 1989-05-08 1989-05-08 Ｉｃパッケージ Expired - Fee Related JP2682135B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08125069A (ja) * 1994-10-24 1996-05-17 Nec Kyushu Ltd 半導体装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6472546A (en) * 1987-09-11 1989-03-17 Kansai Nippon Electric Semiconductor device
JPH0298654U (ja) * 1989-01-26 1990-08-06

Patent Citations (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08125069A (ja) * 1994-10-24 1996-05-17 Nec Kyushu Ltd 半導体装置

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