JPH02296724A - 薄膜超電導体の製造方法 - Google Patents
薄膜超電導体の製造方法Info
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- JPH02296724A JPH02296724A JP1118943A JP11894389A JPH02296724A JP H02296724 A JPH02296724 A JP H02296724A JP 1118943 A JP1118943 A JP 1118943A JP 11894389 A JP11894389 A JP 11894389A JP H02296724 A JPH02296724 A JP H02296724A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、薄膜超電導体、特にＮｄ２ＣｕＯａ型結晶構
造の薄膜超電導体の製造方法に関するものである。
造の薄膜超電導体の製造方法に関するものである。
従来の技術
超電導転移温度Ｔ０が３０〜４０Ｋを示すＢａ−Ｌａ−
Ｃｕ−０系の高温超電導体［ジエイ・ジー・へ゛ト°ノ
ルフ アンド ケー・ニー・ミュラー、 （ファイト
シュリフト フェア フィシ゛−クヘ’−） −：ｌ
ンテ゛ンスト マク−（Ｊ、Ｇ、Ｂｅｄｎｏｒｚ
ａｎｄ Ｋ、Ａ。
Ｃｕ−０系の高温超電導体［ジエイ・ジー・へ゛ト°ノ
ルフ アンド ケー・ニー・ミュラー、 （ファイト
シュリフト フェア フィシ゛−クヘ’−） −：ｌ
ンテ゛ンスト マク−（Ｊ、Ｇ、Ｂｅｄｎｏｒｚ
ａｎｄ Ｋ、Ａ。
Ｍｕｌｌｅｒ、 （Ｚｅｉｔｓｈｒｉｆｔ ｆｕｒ
ｐｈｙｓｌｋ Ｂ）−ＣｏｎｄｅｎｓｅｄＭａｔ
ｔｅｒ Ｇ４，１８９−１９３ （１９８Ｇ））コが発
見されて以来、Ｔｏが９０ＫをこえるＹ−Ｂａ−Ｃｕ−
０系、また、Ｔｏが１００ＫをこえるＢ１−３ｒ−Ｃａ
−Ｃｕ−０系材料、そしてＴＩ Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−
０系材料が相次いで発見された。
ｐｈｙｓｌｋ Ｂ）−ＣｏｎｄｅｎｓｅｄＭａｔ
ｔｅｒ Ｇ４，１８９−１９３ （１９８Ｇ））コが発
見されて以来、Ｔｏが９０ＫをこえるＹ−Ｂａ−Ｃｕ−
０系、また、Ｔｏが１００ＫをこえるＢ１−３ｒ−Ｃａ
−Ｃｕ−０系材料、そしてＴＩ Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−
０系材料が相次いで発見された。
ところで最近、これら従来の酸化物超電導体とは常電導
状態における電荷輸送担体が異なるＮｄ−Ｃｅ−Ｃｕ−
０に代表されるＮｄ２ＣｕＯａ型結晶構造の新しい超電
導体が発見された［ワイ・トクラ、 エイｆ・タカキ゛
アント° ニス・ウチタ゛ 、 （ネイチｖ−）（Ｙ
、Ｔｏｋｕｒａ、 Ｈ，Ｔａｋａｇｌａｎｄ Ｓ、Ｕ
ｃｈｌｄａ、 （Ｎａｔｕｒｅ） ｖｏｌ、 ３３７．
３４５−３４７ （１９８９））］。この種の材料の超
電導機構の詳細は明かではないが、転移温度がさらに高
くなる可能性があり、また新しいデバイスの実現等の有
望な応用が期待される。
状態における電荷輸送担体が異なるＮｄ−Ｃｅ−Ｃｕ−
０に代表されるＮｄ２ＣｕＯａ型結晶構造の新しい超電
導体が発見された［ワイ・トクラ、 エイｆ・タカキ゛
アント° ニス・ウチタ゛ 、 （ネイチｖ−）（Ｙ
、Ｔｏｋｕｒａ、 Ｈ，Ｔａｋａｇｌａｎｄ Ｓ、Ｕ
ｃｈｌｄａ、 （Ｎａｔｕｒｅ） ｖｏｌ、 ３３７．
３４５−３４７ （１９８９））］。この種の材料の超
電導機構の詳細は明かではないが、転移温度がさらに高
くなる可能性があり、また新しいデバイスの実現等の有
望な応用が期待される。
発明が解決しようとする課題
Ｎｄ−Ｃｅ−Ｃｕ−０系の材料は、例えばスパッタリン
グ法等の薄膜形成手法を用いると、薄膜状の超電導体と
して形成される。しかしながら、形成された膜は形成時
の酸素量あるいは弗素量によりその超電導特性が変化す
る。すなわち、酸素あるいは弗素濃度が高い場合、超電
導特性は示さないかもしくは良好でない。従って、１０
００℃程度の高温で熱処理をして不必要な酸素あるいは
弗素をとる必要があった。
グ法等の薄膜形成手法を用いると、薄膜状の超電導体と
して形成される。しかしながら、形成された膜は形成時
の酸素量あるいは弗素量によりその超電導特性が変化す
る。すなわち、酸素あるいは弗素濃度が高い場合、超電
導特性は示さないかもしくは良好でない。従って、１０
００℃程度の高温で熱処理をして不必要な酸素あるいは
弗素をとる必要があった。
本発明者等はこの種の材料が酸化物もしくは弗化物であ
り、酸素あるいは弗素原子量の精密制御によりその超電
導特性が制御できると考え、水素イオンや水素プラズマ
の照射効果を研究した。
り、酸素あるいは弗素原子量の精密制御によりその超電
導特性が制御できると考え、水素イオンや水素プラズマ
の照射効果を研究した。
本発明は、これに基づいて従来の課題を解決した新規な
薄膜超電導体の製造方法を提供することを目的とする。
薄膜超電導体の製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明の薄膜超電導体の製造方法は、主成分がＮｄ２Ｃ
ｕ０４型結晶構造の（Ａ＋−、Ｂｙ） ２ｃｕＸａで表
わされる複合化合物被膜に対し、水素イオンあるいは水
素プラズマを照射することにより超電導特性を実現して
形成するというものである。
ｕ０４型結晶構造の（Ａ＋−、Ｂｙ） ２ｃｕＸａで表
わされる複合化合物被膜に対し、水素イオンあるいは水
素プラズマを照射することにより超電導特性を実現して
形成するというものである。
ここに、ＡはＮｄ１ Ｓｍ１ Ｐｒのうちの少なくとも
一種、ＢはＣｅ、Ｔｈのうちの少なく、とも一種、Ｘは
Ｏ（酸素）、Ｆ（弗素）のうちの少なくとも一種の元素
を示す。またｙは、 ０≦ｙ：ａｏ、２の範囲の数値で
ある。
一種、ＢはＣｅ、Ｔｈのうちの少なく、とも一種、Ｘは
Ｏ（酸素）、Ｆ（弗素）のうちの少なくとも一種の元素
を示す。またｙは、 ０≦ｙ：ａｏ、２の範囲の数値で
ある。
作用
本発明にかかる薄膜超電導体の製造方法は、水素イオン
や水素プラズマをＮｄ−Ｃｅ−Ｃｕ−０に代表される複
合化合物被膜に対し照射することにより、膜中の酸素あ
るいは弗素原子量が制御でき、その結果、膜の超電導特
性を制御することができる。しかも、５００’Ｃ以下と
いう低温プロセスで従来とは常電導状態における電荷輸
送担体の異なる薄膜超電導体を形成することが可能な方
法を提供するものである。
や水素プラズマをＮｄ−Ｃｅ−Ｃｕ−０に代表される複
合化合物被膜に対し照射することにより、膜中の酸素あ
るいは弗素原子量が制御でき、その結果、膜の超電導特
性を制御することができる。しかも、５００’Ｃ以下と
いう低温プロセスで従来とは常電導状態における電荷輸
送担体の異なる薄膜超電導体を形成することが可能な方
法を提供するものである。
実施例
以下に、本発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図において、主成分がＮ ｄ２ Ｃｕ Ｏａ型結晶
構造の（ＡＨ−ｖＢｖ） ２ｃｕＸ４で表わされる複合
化合物被膜１２は、基体１１上に例えばスパッタリング
法で形成する。さらに、被膜１２の表面１３に対して水
素イオンあるいは水素プラズマを照射することにより被
膜１２は良好な超電導特性を示す。これは水素のイオン
あるいはプラズマの作用により膜中の酸素あるいは弗素
が還元されているものと考えられる。また、照射される
水素イオンあるいは水素プラズマの濃度によって超電導
特性が制御できることを本発明者らは確認した。
構造の（ＡＨ−ｖＢｖ） ２ｃｕＸ４で表わされる複合
化合物被膜１２は、基体１１上に例えばスパッタリング
法で形成する。さらに、被膜１２の表面１３に対して水
素イオンあるいは水素プラズマを照射することにより被
膜１２は良好な超電導特性を示す。これは水素のイオン
あるいはプラズマの作用により膜中の酸素あるいは弗素
が還元されているものと考えられる。また、照射される
水素イオンあるいは水素プラズマの濃度によって超電導
特性が制御できることを本発明者らは確認した。
本発明者らはこの種の複合化合物被膜を真空中あるいは
還元性ガス雰囲気中で１０００℃程度の高温で熱処理す
るか、あるいは少なくとも水素を含むガスの放電により
生成される水素イオンあるいは水素プラズマにより処理
することにより超電導特性が実現することを発見した。
還元性ガス雰囲気中で１０００℃程度の高温で熱処理す
るか、あるいは少なくとも水素を含むガスの放電により
生成される水素イオンあるいは水素プラズマにより処理
することにより超電導特性が実現することを発見した。
この水素イオンあるいは水素プラズマにより処理する場
合、基体を加熱することにより超電導特性が改善される
ことを見いだした。最適の加熱温度は室温〜５００″Ｃ
であった。これ以上の温度になると水素による酸素ある
いは弗素の還元作用が著しくなり、膜を構成するのに必
要な酸素あるいは弗素までも還元してしまう。従って、
抵抗率が高くなるとともに、被膜の特性が不安定になり
、急峻な超電導特性を示さない。
合、基体を加熱することにより超電導特性が改善される
ことを見いだした。最適の加熱温度は室温〜５００″Ｃ
であった。これ以上の温度になると水素による酸素ある
いは弗素の還元作用が著しくなり、膜を構成するのに必
要な酸素あるいは弗素までも還元してしまう。従って、
抵抗率が高くなるとともに、被膜の特性が不安定になり
、急峻な超電導特性を示さない。
水素は軽元素であり、照射時に基板を室温〜５００℃ま
での所定の温度に加熱することにより、１ＫＶ以下の低
加速電圧で加速して照射してもかなり均一性の良好な処
理が可能であるので、本発明は薄膜に大きな損傷を与え
ないという利点を有する。
での所定の温度に加熱することにより、１ＫＶ以下の低
加速電圧で加速して照射してもかなり均一性の良好な処
理が可能であるので、本発明は薄膜に大きな損傷を与え
ないという利点を有する。
以下本発明の内容をさらに深く理解するために、さらに
具体的な実施例を示す。
具体的な実施例を示す。
（実施例）
チタン酸ストロンチウム（１００）面を基体１１として
用い、高周波ブレナーマグネトロンスバッタにより、焼
結したＮｄ＋、５ｓＣｅｓ、＋５ＣｕｚＯｘターゲツト
をＡｒと０２の混合ガス雰囲気でスパッタリング蒸着し
て薄膜形成を行なった。この場合、基体温度を６５０″
Ｃとし、トータルガス圧力５×１０−”Ｔｏｒｒ、
スパッタリング電力１６０Ｗの条件のもとで、約１時間
スパッタリング蒸着することにより、膜厚約０．８ μ
ｍの薄膜が得られた。形成された膜の組成を調べたとこ
ろ、金属元素の比率はＮｄ： Ｃｅ： Ｃｕ＝１．８４
： ｏ、ｔｓ：、ｔ、Ｏとほぼ化学量論比になっていた
。また、薄膜の結晶構造は、Ｘ線回折法によりＣ軸が基
体に垂直に配向したＮ ｄ２Ｃｕｏ Ｊ型の結晶構造で
あることがわかった。しかしながら、形成された膜は超
電導を示さず、その電気抵抗の温度依存性は半導体的な
特性を示した。そこで、形成された化合物被膜１２を３
００″Ｃに加熱して水素イオン・プラズマ処理を行った
。２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒの真空槽内で加速電圧５０
ｖ１処理時間１０分であった。このようにして得られた
被膜は超電導を示し、その転移温度はオンセラ）？Ｍ度
２４に１ ゼロ抵抗温度２０にであった。この様子を第
２図に示す。
用い、高周波ブレナーマグネトロンスバッタにより、焼
結したＮｄ＋、５ｓＣｅｓ、＋５ＣｕｚＯｘターゲツト
をＡｒと０２の混合ガス雰囲気でスパッタリング蒸着し
て薄膜形成を行なった。この場合、基体温度を６５０″
Ｃとし、トータルガス圧力５×１０−”Ｔｏｒｒ、
スパッタリング電力１６０Ｗの条件のもとで、約１時間
スパッタリング蒸着することにより、膜厚約０．８ μ
ｍの薄膜が得られた。形成された膜の組成を調べたとこ
ろ、金属元素の比率はＮｄ： Ｃｅ： Ｃｕ＝１．８４
： ｏ、ｔｓ：、ｔ、Ｏとほぼ化学量論比になっていた
。また、薄膜の結晶構造は、Ｘ線回折法によりＣ軸が基
体に垂直に配向したＮ ｄ２Ｃｕｏ Ｊ型の結晶構造で
あることがわかった。しかしながら、形成された膜は超
電導を示さず、その電気抵抗の温度依存性は半導体的な
特性を示した。そこで、形成された化合物被膜１２を３
００″Ｃに加熱して水素イオン・プラズマ処理を行った
。２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒの真空槽内で加速電圧５０
ｖ１処理時間１０分であった。このようにして得られた
被膜は超電導を示し、その転移温度はオンセラ）？Ｍ度
２４に１ ゼロ抵抗温度２０にであった。この様子を第
２図に示す。
上述のような水素イオンあるいはプラズマの照射方法と
して第３図、第４図に示すような構成の装置を用いた。
して第３図、第４図に示すような構成の装置を用いた。
まず、第３図のイオン源３１に水素ガスを導入し、この
ガスをはさんで対向した電極３２．３３に高周波信号を
印加してプラズマを発生させる。
ガスをはさんで対向した電極３２．３３に高周波信号を
印加してプラズマを発生させる。
このプラズマ中に磁場を形成するための磁場発生源３４
を配置し、効率よく発生させた水素イオンおよびプラズ
マを、複合化合物被膜を形成した基体１１を配置した基
板台３５と上記イオン源のプラズマの間に電圧を印加す
ることにより、水素イオンをイオン源より引き出し、被
膜１２に照射する。この時、プラズマと基板台３５の間
に印加する電圧が１ＫＶ以下の場合には被膜１２の表面
１３はわずかにスパッタリングされるが、被膜内部に対
して効果的に酸素または弗素の還元処理が行えることを
確認した。また、水素処理時の基板加熱はヒータ３６に
より行なう。
を配置し、効率よく発生させた水素イオンおよびプラズ
マを、複合化合物被膜を形成した基体１１を配置した基
板台３５と上記イオン源のプラズマの間に電圧を印加す
ることにより、水素イオンをイオン源より引き出し、被
膜１２に照射する。この時、プラズマと基板台３５の間
に印加する電圧が１ＫＶ以下の場合には被膜１２の表面
１３はわずかにスパッタリングされるが、被膜内部に対
して効果的に酸素または弗素の還元処理が行えることを
確認した。また、水素処理時の基板加熱はヒータ３６に
より行なう。
第４図はプラズマ生成室４１内に水素ガスを導入し、こ
のガスに対し、マイクロ波電源４２で発生させたマイク
ロ波を導波管４３を介して導入して放電させることによ
り水素プラズマを発生させる。その水素プラズマに磁場
光′生源３４により磁場を印加して水素イオンのイオン
化効率を上げたものをイオン源として用いたものである
。この場合、通常マイクロ波源４２には２．４５ Ｇ
Ｈｚのマイクロ波を使用し磁場強度を８７５ガウス程度
にすると電子のサイクロトロン共鳴が生じるので水素の
イオン化効率が上がる。このイオン源により引き出され
た水素イオンを試料室４４内の基板台３５上に設置され
た複合化合物被膜１２に照射する構造になっている。こ
の場合マイクロ波により効率よくイオン化された高エネ
ルギーの水素イオンおよび発散磁場により引き出された
水素プラズマが化合物被膜１２に対し制御性よく照射さ
れる。さらに制御性をよくするために、プラズマ生成室
４１と試料室４４との間に絶縁部４５を介して電圧を印
加することにより水素プラズマ中の水素イオンのエネル
ギーを制御することができる。
のガスに対し、マイクロ波電源４２で発生させたマイク
ロ波を導波管４３を介して導入して放電させることによ
り水素プラズマを発生させる。その水素プラズマに磁場
光′生源３４により磁場を印加して水素イオンのイオン
化効率を上げたものをイオン源として用いたものである
。この場合、通常マイクロ波源４２には２．４５ Ｇ
Ｈｚのマイクロ波を使用し磁場強度を８７５ガウス程度
にすると電子のサイクロトロン共鳴が生じるので水素の
イオン化効率が上がる。このイオン源により引き出され
た水素イオンを試料室４４内の基板台３５上に設置され
た複合化合物被膜１２に照射する構造になっている。こ
の場合マイクロ波により効率よくイオン化された高エネ
ルギーの水素イオンおよび発散磁場により引き出された
水素プラズマが化合物被膜１２に対し制御性よく照射さ
れる。さらに制御性をよくするために、プラズマ生成室
４１と試料室４４との間に絶縁部４５を介して電圧を印
加することにより水素プラズマ中の水素イオンのエネル
ギーを制御することができる。
この方法では、印加する加速電圧により水素イオンを、
また、マイクロ波電力により水素イオンおよび水素プラ
ズマをそれぞれ制御することが可能である。
また、マイクロ波電力により水素イオンおよび水素プラ
ズマをそれぞれ制御することが可能である。
第４図の装置を用いて、前述と同様な方法および条件で
作製したＮｄ−Ｃｅ−Ｃｕ−０被膜に対し、印加する加
速電圧を変化させて水素処理した場合の電気抵抗の温度
依存の特性図を第５図に示す。
作製したＮｄ−Ｃｅ−Ｃｕ−０被膜に対し、印加する加
速電圧を変化させて水素処理した場合の電気抵抗の温度
依存の特性図を第５図に示す。
水素処理条件は、導入する水素ガス流量１５５ＣＣＪガ
ス圧力２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ、 ｖイクロ波電力
３００Ｗ１ 処理温度３００℃とし、印加する加速電圧
を２ＫＶ（ａ）、５００Ｖ（ｂ）、５０Ｖ （ｃ）およ
びＯＶ （ｄ）と変化させた。加速電圧が２ＫＶのもの
については、超電導の兆候は認められるが、ゼロ抵抗は
実現していない。それ以外の３つのものについては、室
温での電気抵抗率に違いがみられるものの、２０に付近
でゼロ抵抗を示し超電導が実現している。特に、加速電
圧が５０Ｖのものは、常電導状態の電気抵抗率自体も小
さく、超電導転移もシャープな良好な特性が得られた。
ス圧力２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ、 ｖイクロ波電力
３００Ｗ１ 処理温度３００℃とし、印加する加速電圧
を２ＫＶ（ａ）、５００Ｖ（ｂ）、５０Ｖ （ｃ）およ
びＯＶ （ｄ）と変化させた。加速電圧が２ＫＶのもの
については、超電導の兆候は認められるが、ゼロ抵抗は
実現していない。それ以外の３つのものについては、室
温での電気抵抗率に違いがみられるものの、２０に付近
でゼロ抵抗を示し超電導が実現している。特に、加速電
圧が５０Ｖのものは、常電導状態の電気抵抗率自体も小
さく、超電導転移もシャープな良好な特性が得られた。
また、加速電圧を印加しないものについても超電導が実
現しており、水素のプラズマも有効であることが確認さ
れた。
現しており、水素のプラズマも有効であることが確認さ
れた。
処理装置については、これ以外にも真空槽内に水素ガス
を導入し、このガスに高周波を平行電極に印加して放電
させ、この放電プラズマ中に化合物被膜を配置して、水
素処理することもできる。
を導入し、このガスに高周波を平行電極に印加して放電
させ、この放電プラズマ中に化合物被膜を配置して、水
素処理することもできる。
水素イオンおよびプラズマの発生源としてはこれらの装
置を組合せることも可能でこの場合はさらに制御性が向
上するという利点がある。
置を組合せることも可能でこの場合はさらに制御性が向
上するという利点がある。
この種の複合化合物超電導体（Ａ＋−Ｂｗ）２ＣＬＩＸ
４の構成元素Ａ１ ＢおよびＸの変化による超電導特性
の変化の詳細は明かではない。へ元素としてＮｄについ
て例をあげて説明したが、Ｓｎ＋、Ｐｒあるいはこの少
なくとも一種を含む組合せでも、超電導転移温度が変化
する程度で本質的な発明の特性を変えるものではない。
４の構成元素Ａ１ ＢおよびＸの変化による超電導特性
の変化の詳細は明かではない。へ元素としてＮｄについ
て例をあげて説明したが、Ｓｎ＋、Ｐｒあるいはこの少
なくとも一種を含む組合せでも、超電導転移温度が変化
する程度で本質的な発明の特性を変えるものではない。
また、Ｂ元素においても、Ｃｅの代わりにＴｈあるいは
この少なくとも一種を含む組合せでも、超電導転移温度
が変化する程度で本質的な本発明の特性を変えるもので
はない。
この少なくとも一種を含む組合せでも、超電導転移温度
が変化する程度で本質的な本発明の特性を変えるもので
はない。
また、Ｘ元素においても、０の代わりにＦあるいはこの
少なくとも一種を含む組合せでも、超電導転移温度が変
化する程度で本質的な本発明の特性を変えるものではな
い。
少なくとも一種を含む組合せでも、超電導転移温度が変
化する程度で本質的な本発明の特性を変えるものではな
い。
さらに、ｙの値が、０≦ｙ≦０．２の範囲であれば超電
導転移温度が変化する程度で本質的な本発明の特性を変
えるものではないことを確認している。
導転移温度が変化する程度で本質的な本発明の特性を変
えるものではないことを確認している。
発明の詳細
な説明したように、本発明により、良質で高性能なＮ
ｄ２ＣｕＯａ型結晶構造の薄膜超電導体を再現性よく得
ることが可能である。水素イオンあるいは水素プラズマ
による照射効果は制御性がよく、膜に大きな損傷を与え
ることなく、シかも５００℃以下という条件下で処理が
簡単に行える。従って、非常に容易にそして低温でダメ
ージレスな薄膜超電導体が本発明で実現される。本発明
の製造方法は、この種の材料を用いたデバ、ｆス等の応
用には必須であり、本発明の工業的価値は高い。
ｄ２ＣｕＯａ型結晶構造の薄膜超電導体を再現性よく得
ることが可能である。水素イオンあるいは水素プラズマ
による照射効果は制御性がよく、膜に大きな損傷を与え
ることなく、シかも５００℃以下という条件下で処理が
簡単に行える。従って、非常に容易にそして低温でダメ
ージレスな薄膜超電導体が本発明で実現される。本発明
の製造方法は、この種の材料を用いたデバ、ｆス等の応
用には必須であり、本発明の工業的価値は高い。
第１図は本発明の一実施例の薄膜超電導体の製造方法に
より製造される薄膜超電導体の概念的断面図、第２図は
本発明により実現された薄膜超電導体の電気抵抗の温度
依存の特性図、第３図、第４図は本発明に用いる水素処
理装置の概略を示す構成図、第５図は本発明の同実施例
において加速電圧を変化させて処理を行なった場合の薄
膜超電導体の電気抵抗の温度依存性を示す特性図である
。 １１・・・基体、１２・・・複合化合物被膜、１３・・
・表面、３１・Φ・イオン源、３２．３３・・・電極、
３４・・・磁場発生源、３５・・・基板台、３６・・・
ヒータ、４１・・φプラズマ生成室、４２・・Ｏマイク
ロ波電源、４３・・・導波管、４４・争・試料室、４５
・・・絶縁部。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 ほか１８箒 図 第 牙 ７３表面 （Ｋ）
より製造される薄膜超電導体の概念的断面図、第２図は
本発明により実現された薄膜超電導体の電気抵抗の温度
依存の特性図、第３図、第４図は本発明に用いる水素処
理装置の概略を示す構成図、第５図は本発明の同実施例
において加速電圧を変化させて処理を行なった場合の薄
膜超電導体の電気抵抗の温度依存性を示す特性図である
。 １１・・・基体、１２・・・複合化合物被膜、１３・・
・表面、３１・Φ・イオン源、３２．３３・・・電極、
３４・・・磁場発生源、３５・・・基板台、３６・・・
ヒータ、４１・・φプラズマ生成室、４２・・Ｏマイク
ロ波電源、４３・・・導波管、４４・争・試料室、４５
・・・絶縁部。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 ほか１８箒 図 第 牙 ７３表面 （Ｋ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）主成分がＮｄ＿２ＣｕＯ＿４型結晶構造の、（Ａ
＿１＿−＿ｙＢ＿ｙ）＿２ＣｕＸ＿４で表わされる複合
化合物被膜に対し、水素イオンあるいは水素プラズマを
照射する（ここに、ＡはＮｄ、Ｓｍ、ｐｒのうちの少な
くとも一種、ＢはＣｅ、Ｔｈのうちの少なくとも一種、
ＸはＯ（酸素）、Ｆ（弗素）のうちの少なくとも一種の
元素を示す。またｙは、０≦ｙ≦０．２の範囲の数値で
ある。）ことを特徴とする薄膜超電導体の製造方法。 （２）水素イオンあるいは水素プラズマ照射時の複合化
合物被膜を加熱することを特徴とする請求項１記載の薄
膜超電導体の製造方法。 （３）水素イオンあるいは水素プラズマ源として、少な
くとも水素を含むガスの真空槽内での放電により生成し
たプラズマを用いることを特徴とする請求項１記載の薄
膜超電導体の製造方法。 （４）水素イオンあるいは水素プラズマ源装置として、
マイクロ波を用いたプラズマ分解によるプラズマ処理装
置を用いることを特徴とする請求項３記載の薄膜超電導
体の製造方法。 （５）水素イオンあるいは水素プラズマ源装置として、
電子サイクロトロン共鳴吸収条件を満たすように磁界を
印加する方法を用いることを特徴とする請求項４記載の
薄膜超電導体の製造方法。 （８）真空槽内での放電により生成した水素イオンをこ
の真空槽内のプラズマと複合化合物被膜を設置した試料
台との間に電圧を印加して加速し照射することを特徴と
する請求項３記載の薄膜超電導体の製造方法。 （７）水素イオンあるいは水素プラズマ照射時の複合化
合物被膜を５００℃以下の所定の温度に保持して加熱す
ることを特徴とする請求項２記載の薄膜超電導体の製造
方法。 （８）少なくとも水素を含むガスに高周波電圧を印加し
て生成したプラズマと試料台との間に所定の電位に設定
した電極を設置して水素イオンを照射することを特徴と
する請求項６記載の薄膜超電導体の製造方法。 （９）プラズマと試料台の間に１ＫＶ以下の直流電圧を
印加することを特徴とする請求項６記載の薄膜超電導体
の製造方法。 （１０）少なくとも水素を含むガスに高周波電圧を印加
して生成したプラズマ中に複合化合物被膜を設置したこ
とを特徴とする請求項６記載の薄膜超電導体の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1118943A JPH02296724A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 薄膜超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1118943A JPH02296724A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 薄膜超電導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02296724A true JPH02296724A (ja) | 1990-12-07 |
Family
ID=14749078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1118943A Pending JPH02296724A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 薄膜超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02296724A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04257315A (ja) * | 1990-10-15 | 1992-09-11 | Lenzing Ag | 難燃性高耐熱性ポリイミド繊維およびその製法 |
| JP2009231233A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Kobe Steel Ltd | ＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超電導テープ線材の製造方法及びそれに用いるプラズマ処理装置 |
-
1989
- 1989-05-12 JP JP1118943A patent/JPH02296724A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04257315A (ja) * | 1990-10-15 | 1992-09-11 | Lenzing Ag | 難燃性高耐熱性ポリイミド繊維およびその製法 |
| JP2009231233A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Kobe Steel Ltd | ＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超電導テープ線材の製造方法及びそれに用いるプラズマ処理装置 |
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