JPH0229905A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPH0229905A JPH0229905A JP63056633A JP5663388A JPH0229905A JP H0229905 A JPH0229905 A JP H0229905A JP 63056633 A JP63056633 A JP 63056633A JP 5663388 A JP5663388 A JP 5663388A JP H0229905 A JPH0229905 A JP H0229905A
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- JP
- Japan
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- thin film
- magnetic head
- magnetic
- manufacturing
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＶＴＲあるいは、ＤＡＴ等に用いられる高保
磁力の磁気記録媒体に高密度に情報を記録するのに適し
た磁気ヘッドの製造方法に関する。
磁力の磁気記録媒体に高密度に情報を記録するのに適し
た磁気ヘッドの製造方法に関する。
従来の技術
高密度磁気記録再生においては、記録媒体の保磁力を大
きくすれば有利であることが一般に知られているが、高
保磁力の記録媒体に情報を記録するためには強い磁場が
必要となる。ヘッドコア材として主流をなすフェライト
材はその飽和磁束密度が４０００〜５０００ガウス程度
であるため、磁気記録媒体の保磁力が１０００エルステ
ツドを越えて（ると記録が不十分になるという欠点があ
る。
きくすれば有利であることが一般に知られているが、高
保磁力の記録媒体に情報を記録するためには強い磁場が
必要となる。ヘッドコア材として主流をなすフェライト
材はその飽和磁束密度が４０００〜５０００ガウス程度
であるため、磁気記録媒体の保磁力が１０００エルステ
ツドを越えて（ると記録が不十分になるという欠点があ
る。
そこでフェライトよりも飽和磁束密度の大きいことがら
ＣｏＮｂＺｒ等の非晶質合金が利用されている。しかし
ながらこれらに於いても飽和磁束密度を大きくするため
には合金中のＣｏ量を多くすることが必要となり、一方
Ｃｏ１１を多（すると非晶質合金の結晶化温度が低（な
り、熱処理工程の多いヘッドの製造に支障を来すという
ことで９０００ガウス程度以下の飽和磁束密度を示す物
しかヘッドとして製造できていない。
ＣｏＮｂＺｒ等の非晶質合金が利用されている。しかし
ながらこれらに於いても飽和磁束密度を大きくするため
には合金中のＣｏ量を多くすることが必要となり、一方
Ｃｏ１１を多（すると非晶質合金の結晶化温度が低（な
り、熱処理工程の多いヘッドの製造に支障を来すという
ことで９０００ガウス程度以下の飽和磁束密度を示す物
しかヘッドとして製造できていない。
そこでヘッドの材料として１００００以上の飽和磁束密
度を示すセンダス）（ＦｅＡＩＳｌ）合金が利用されつ
つある。（例えば、第９回日本応用磁気学会学術講演概
要集、２９ｐＡ−２）。
度を示すセンダス）（ＦｅＡＩＳｌ）合金が利用されつ
つある。（例えば、第９回日本応用磁気学会学術講演概
要集、２９ｐＡ−２）。
発明が解決しようとする課題
しかしながらセンダスト薄膜をスパッタ法などで形成す
る場合、基板の熱膨張係数、スパッタ時のアルゴンガス
圧力など種の条件を細かく検討しなければ基板と膜の間
に歪が生じて応力が発生し、その結果基板が反るなどし
て、このことがヘッドの製造に大きな支障となり、生産
分留まりを落としている。
る場合、基板の熱膨張係数、スパッタ時のアルゴンガス
圧力など種の条件を細かく検討しなければ基板と膜の間
に歪が生じて応力が発生し、その結果基板が反るなどし
て、このことがヘッドの製造に大きな支障となり、生産
分留まりを落としている。
そこでここでは熱工程を加えることにより比較的容易に
膜と基板の反りを減少させることのできるセンダスト薄
膜の形成方法を示す。
膜と基板の反りを減少させることのできるセンダスト薄
膜の形成方法を示す。
課題を解決するための手段
スパッタ法によりセンダスト薄膜を作製する際に基板状
にまず非晶質合金薄膜を形成し、その後にヘッドのコア
材料となるべきセンダスト薄膜を形成する。
にまず非晶質合金薄膜を形成し、その後にヘッドのコア
材料となるべきセンダスト薄膜を形成する。
作用
この技術的手段の作用は次のようになる。非晶質薄膜は
一般に熱処理を加えると応力緩和を起こす、そこで基板
とセンダスト薄膜の間に形成された非晶質薄膜は熱処理
を施すと応力緩和を生じ、このために非晶質合金上に形
成されたセンダスト薄膜もこの影響を受ける。この結果
これら両薄膜境界付近での歪も減少し、基板の反り量も
著しく減少する。
一般に熱処理を加えると応力緩和を起こす、そこで基板
とセンダスト薄膜の間に形成された非晶質薄膜は熱処理
を施すと応力緩和を生じ、このために非晶質合金上に形
成されたセンダスト薄膜もこの影響を受ける。この結果
これら両薄膜境界付近での歪も減少し、基板の反り量も
著しく減少する。
実施例
以下本発明の磁気ヘッドの製造方法の一実施例について
、図面を用いて、詳細に説明する。
、図面を用いて、詳細に説明する。
第１図＋ａｌ、 （ｂｌは、本発明により形成した磁気
ヘッドの一例を示す、第１図（ａｌは非磁性基板を用い
た磁気ヘッドである。１は非磁性酸化物基板、２は非晶
質薄膜、３はヘッドのコア材となるセンダスト薄膜であ
る。第１図（ＩＴＪはギャップ近傍に高飽和磁束密度の
センダスト薄膜４を用い、それ以外の磁路はフェライト
５を用いたいわゆるＭＩＧタイプのヘッドである。なお
６はガラスである。非晶質薄膜７がフェライト５とセン
ダスト４の間に形成されている。
ヘッドの一例を示す、第１図（ａｌは非磁性基板を用い
た磁気ヘッドである。１は非磁性酸化物基板、２は非晶
質薄膜、３はヘッドのコア材となるセンダスト薄膜であ
る。第１図（ＩＴＪはギャップ近傍に高飽和磁束密度の
センダスト薄膜４を用い、それ以外の磁路はフェライト
５を用いたいわゆるＭＩＧタイプのヘッドである。なお
６はガラスである。非晶質薄膜７がフェライト５とセン
ダスト４の間に形成されている。
第２図ｉａｌ〜＋８１は本発明により製造される磁気へ
ラドの製造方法の一例である。ここでは第１図（ａｌＯ
タイプのヘッドの製造方法を示す。
ラドの製造方法の一例である。ここでは第１図（ａｌＯ
タイプのヘッドの製造方法を示す。
第２図（ａｌではまず１枚の非磁性セミラクス基板１０
上に非晶質薄膜１１をスパッタ法にて形成する。この非
晶質薄膜はこの後のヘッド製造工程の熱処理において結
晶化しない様な組成の物、例えばＣｏ Ｎ ｂ Ｚ ｒ
ｉｌ膜でＣｏが７４ａｔ０％程度含まれている物であ
る。またこの非晶質合金の膜厚は、０．３μｍ〜１．０
μｍの範囲であれば問題はない、この後センダスト薄膜
１２を所望の厚さ形成する。この際高周波領域での磁気
特性を向上させるために絶縁物（例えばＳｉＯ□１３）
とセンダストとの積層構造にするのが望ましい。
上に非晶質薄膜１１をスパッタ法にて形成する。この非
晶質薄膜はこの後のヘッド製造工程の熱処理において結
晶化しない様な組成の物、例えばＣｏ Ｎ ｂ Ｚ ｒ
ｉｌ膜でＣｏが７４ａｔ０％程度含まれている物であ
る。またこの非晶質合金の膜厚は、０．３μｍ〜１．０
μｍの範囲であれば問題はない、この後センダスト薄膜
１２を所望の厚さ形成する。この際高周波領域での磁気
特性を向上させるために絶縁物（例えばＳｉＯ□１３）
とセンダストとの積層構造にするのが望ましい。
もう１枚の非磁性基板上にはガラス層１４を１μｍ〜３
μｍ形成する。
μｍ形成する。
第２図山）では第２図＋ａ）で作った２枚の基板を電気
炉の中で加熱加圧接着し、複合ブロック１５を製造する
。この際温度は６００℃程度、窒素雰囲気中で行うのが
望ましい。
炉の中で加熱加圧接着し、複合ブロック１５を製造する
。この際温度は６００℃程度、窒素雰囲気中で行うのが
望ましい。
第２図（ｅ）ではこの複合ブロックを短冊切断し、２本
のバー１６．１７を１組として、１本のバーには巻線溝
加工などを行う（１１，１３，１４は図では省略）。
のバー１６．１７を１組として、１本のバーには巻線溝
加工などを行う（１１，１３，１４は図では省略）。
第２図＋ｄｌでは２本のバー１６．１７の突合せ面１８
．１９（ギャップ面）を研磨した後、この面にＳ ｉ
Ｏ２、ガウス（共に図では省略）を順にスパッタ法で形
成し、電気炉内で加圧加熱接着し、ヘッドバー２０する
。このときの温度は工程第２図（ｂｌで行った接着がゆ
るまないようにこの温度より少し低い５６０℃くらいが
望ましい。
．１９（ギャップ面）を研磨した後、この面にＳ ｉ
Ｏ２、ガウス（共に図では省略）を順にスパッタ法で形
成し、電気炉内で加圧加熱接着し、ヘッドバー２０する
。このときの温度は工程第２図（ｂｌで行った接着がゆ
るまないようにこの温度より少し低い５６０℃くらいが
望ましい。
第２図（ｅ）ではヘッドパー２０を適当に切断して磁気
ヘッドができあがる。
ヘッドができあがる。
なお第２図（ａｌ工程で用いられる非晶質薄膜はその後
の加圧加熱工程で結晶化しないものであればよい、した
がって第２図（ｂｌ、 （ｄ）での温度が５５０℃程度
であけばＣＯを７９ａｔ、％程度含むＣｏＮｂＺｒ。
の加圧加熱工程で結晶化しないものであればよい、した
がって第２図（ｂｌ、 （ｄ）での温度が５５０℃程度
であけばＣＯを７９ａｔ、％程度含むＣｏＮｂＺｒ。
ＣｏＮｂＴａＺｒ等の非晶質薄膜が利用できる。またこ
の非晶質薄膜の軟磁気特性もここでは特に触れていない
が、例えばＩＭＨｚにて実効透磁率が５００程度もあれ
ばその効果は十分である。
の非晶質薄膜の軟磁気特性もここでは特に触れていない
が、例えばＩＭＨｚにて実効透磁率が５００程度もあれ
ばその効果は十分である。
発明の効果
本発明による磁気ヘッドのコア材料製造方法により、例
えばＶＴＲ，ＤＡＴ用ヘッドのコア材料としてセンダス
ト合金薄膜が利用でき、高飽和磁束密度の記録効率の優
れた磁気ヘッドを今までに比べて分留り良く製造できる
。
えばＶＴＲ，ＤＡＴ用ヘッドのコア材料としてセンダス
ト合金薄膜が利用でき、高飽和磁束密度の記録効率の優
れた磁気ヘッドを今までに比べて分留り良く製造できる
。
第１図（ａｌ、 （ｂｌは本発明の磁気ヘッドの斜視図
、第２（ａ）〜（ｅｌは本発明の磁気ヘッドの製造方法
の工程を示す。 １・・・・・・非磁性酸化物基板、２・・・・・・非晶
質薄膜、３・・・・・・センダスト膜。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名図 ／−−−シトａ菫セ虹酸イＬ才初基板 ４− センダスト膜 ５− フエライト 手続補正書働式） ｌ事件の表示 昭和６３年特許願第６６６３３ 号 発明の名称 磁気ヘッドの製造方法 補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 大
佐 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名 称
（５８２）松下電器産業株式会社代表者 谷
井 昭 雄
、第２（ａ）〜（ｅｌは本発明の磁気ヘッドの製造方法
の工程を示す。 １・・・・・・非磁性酸化物基板、２・・・・・・非晶
質薄膜、３・・・・・・センダスト膜。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名図 ／−−−シトａ菫セ虹酸イＬ才初基板 ４− センダスト膜 ５− フエライト 手続補正書働式） ｌ事件の表示 昭和６３年特許願第６６６３３ 号 発明の名称 磁気ヘッドの製造方法 補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 大
佐 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名 称
（５８２）松下電器産業株式会社代表者 谷
井 昭 雄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）磁気ヘッドの主コアとなるセンダスト薄膜を作製
する際、基板上に非晶質薄膜を形成した後、その上にセ
ンダスト薄膜を形成することを特徴とする磁気ヘッドの
製造方法。（２）非晶質薄膜がスパッタ法を用いて形成
されることを特徴とする請求項第（１）項記載の磁気ヘ
ッドの製造方法。 （３）非晶質薄膜の主成分がＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＺｒＴ
ａ、ＣｏＮｂＺｒＴａであり、磁気ヘッド製造後も結晶
化しないことを特徴とする請求項第（１）項または第（
２）項のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63056633A JPH0229905A (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63056633A JPH0229905A (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0229905A true JPH0229905A (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=13032719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63056633A Pending JPH0229905A (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0229905A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6169646B1 (en) | 1998-11-18 | 2001-01-02 | Seagate Technology, Inc. | Magnetoresistive shield incorporating seedlayer for anisotropy enhancement |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6134707A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS62222416A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-30 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツド用部材 |
-
1988
- 1988-03-10 JP JP63056633A patent/JPH0229905A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6134707A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS62222416A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-30 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツド用部材 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6169646B1 (en) | 1998-11-18 | 2001-01-02 | Seagate Technology, Inc. | Magnetoresistive shield incorporating seedlayer for anisotropy enhancement |
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