JPH0254409A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH0254409A JPH0254409A JP63205148A JP20514888A JPH0254409A JP H0254409 A JPH0254409 A JP H0254409A JP 63205148 A JP63205148 A JP 63205148A JP 20514888 A JP20514888 A JP 20514888A JP H0254409 A JPH0254409 A JP H0254409A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- iron
- magnetic head
- gap
- film
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＶＴＲ，ＤＡＴあるいはＦＤＤ等に用いられる
高保磁力の磁気記録媒体に高密度に情報を記録するのに
適した磁気ヘッドに関する。
高保磁力の磁気記録媒体に高密度に情報を記録するのに
適した磁気ヘッドに関する。
従来の技術
高密度磁気記録再生においては、記録媒体の保磁力を大
きくすれば有利であることが一般に知られているが、高
保磁力の記録媒体に情報を記録するためには強い磁場が
必要となる。ヘッドコア材として主流をなすフェライ上
材はその飽和磁束密度が４０００〜５０００ガウス程度
であるため、磁気記録媒体の保磁力が１０００エルステ
ッド以上の磁気記録媒体（例えばメタルテープ）になる
と記録が不十分になるという欠点がある。
きくすれば有利であることが一般に知られているが、高
保磁力の記録媒体に情報を記録するためには強い磁場が
必要となる。ヘッドコア材として主流をなすフェライ上
材はその飽和磁束密度が４０００〜５０００ガウス程度
であるため、磁気記録媒体の保磁力が１０００エルステ
ッド以上の磁気記録媒体（例えばメタルテープ）になる
と記録が不十分になるという欠点がある。
そこでフェライトよりも飽和磁束密度の大きいＣｏＮｂ
Ｚｒ、ＣｏＮｂＴａ′Ｚ、ｒ等のＣｏ系の非品質合金が
利用されている。しかしながらこれら非晶質磁性合金に
於いても飽和磁束密度を大きくするためには合金中のＣ
ｏ量を多くすることが必要となる。一方Ｃｏ量を多くす
ると非晶質合金の結晶化温度が低くなり、熱処理工程の
多いヘッドの製造に支障をきたす、従って現状では９０
００ガウス程度以下の飽和磁束密度を示す非晶質合金を
利用してしか磁気ヘッドとして製造できていない。
Ｚｒ、ＣｏＮｂＴａ′Ｚ、ｒ等のＣｏ系の非品質合金が
利用されている。しかしながらこれら非晶質磁性合金に
於いても飽和磁束密度を大きくするためには合金中のＣ
ｏ量を多くすることが必要となる。一方Ｃｏ量を多くす
ると非晶質合金の結晶化温度が低くなり、熱処理工程の
多いヘッドの製造に支障をきたす、従って現状では９０
００ガウス程度以下の飽和磁束密度を示す非晶質合金を
利用してしか磁気ヘッドとして製造できていない。
そこでヘッド材料として１００００ガウス以上の飽和磁
束密度を示すセンダスト（ＦｅＡＩｌＳｉ）合金が利用
されている（例えば、第９回日本応用磁気学会学術講演
概要集、２９ＰＡ−２）、そして磁気ヘッドの形として
は第２図（ａ）に示すように主コアがフェライトからな
り、ギャップ近傍のみが高飽和磁束密度のセンダスト薄
膜からなるＭＩＧタイプのヘッド、第２スル）に示すよ
うに補助コアにフェライトを用いて、トラックとなるセ
ンダスト薄膜をサンドインチしたタイプのヘッドなどが
ある０両者ともにセンダスト薄膜をフェライト基板上に
１０μｍ程度以上に堆積することが必要になる。
束密度を示すセンダスト（ＦｅＡＩｌＳｉ）合金が利用
されている（例えば、第９回日本応用磁気学会学術講演
概要集、２９ＰＡ−２）、そして磁気ヘッドの形として
は第２図（ａ）に示すように主コアがフェライトからな
り、ギャップ近傍のみが高飽和磁束密度のセンダスト薄
膜からなるＭＩＧタイプのヘッド、第２スル）に示すよ
うに補助コアにフェライトを用いて、トラックとなるセ
ンダスト薄膜をサンドインチしたタイプのヘッドなどが
ある０両者ともにセンダスト薄膜をフェライト基板上に
１０μｍ程度以上に堆積することが必要になる。
発明が解決しようとする課題
しかしながらＦｅＡｆｆｉＳｉ合金薄膜をフェライト基
板上に１０μｍ程度形成し、ＦｅＡ／！Ｓｉ合金の軟磁
気特性を良くするために６００℃程度で熱処理を行うと
、ＦｅＡｌ５１合金膜がフェライトから剥離する。この
程度の激しいものはＦｅＡｊ！Ｓ１合金膜がフェライト
を引き剥す形で剥離する。
板上に１０μｍ程度形成し、ＦｅＡ／！Ｓｉ合金の軟磁
気特性を良くするために６００℃程度で熱処理を行うと
、ＦｅＡｌ５１合金膜がフェライトから剥離する。この
程度の激しいものはＦｅＡｊ！Ｓ１合金膜がフェライト
を引き剥す形で剥離する。
これはＦｅＡｊ！ＳＬ合金中のＳｔ、Ａｆｆｉがフェラ
イトと反応して、ＦｅＡｊｉ！Ｓｉ合金膜とフェライト
の境界でこれらの反応層（ＳｉＯ□、。
イトと反応して、ＦｅＡｊｉ！Ｓｉ合金膜とフェライト
の境界でこれらの反応層（ＳｉＯ□、。
Ａ２□Ｏ１１等）が形成されるためである。これらの反
応層の熱膨張計数はＦｅＡｌＳｉ合金に比べると小さい
ために境界において大きな歪が生じて剥離などの原因と
なる。また剥離にいたらなかった場合でもこれらの反応
層は第２図（ａ）では疑似ギャップ、第２図（６）では
初期形成膜の特性劣化による記録再生特性の劣化、等の
原因となり磁気ヘッドに悪影響を及ぼす。
応層の熱膨張計数はＦｅＡｌＳｉ合金に比べると小さい
ために境界において大きな歪が生じて剥離などの原因と
なる。また剥離にいたらなかった場合でもこれらの反応
層は第２図（ａ）では疑似ギャップ、第２図（６）では
初期形成膜の特性劣化による記録再生特性の劣化、等の
原因となり磁気ヘッドに悪影響を及ぼす。
また非磁性酸化物基板上にＦｅＡ４４３３合金膜を形成
する場合でも、両者の境界で大きな歪が生じるため、Ｆ
ｅＡｌ１Ｓｉ合金膜の初期形成膜の特性劣化、記録再生
特性の劣化、膜の剥離等の現象が現れ、磁気ヘッドに悪
影響を及ぼす。
する場合でも、両者の境界で大きな歪が生じるため、Ｆ
ｅＡｌ１Ｓｉ合金膜の初期形成膜の特性劣化、記録再生
特性の劣化、膜の剥離等の現象が現れ、磁気ヘッドに悪
影響を及ぼす。
課題を解決するための手段
合金膜を作製する際にフェライト基板上、もしくは非磁
性酸化物基板上にまずＦｅ系膜を形成し、その後ＦｅＡ
ｊ！ＳＬ剛毅膜を所望の膜厚だけ形成する。
性酸化物基板上にまずＦｅ系膜を形成し、その後ＦｅＡ
ｊ！ＳＬ剛毅膜を所望の膜厚だけ形成する。
作用
この技術的手段の作用は次のようになる。
フェライトもしくは非磁性酸化物基板とＦｅＡ４４３３
合金膜の境界にＦｅ系薄膜を形成し、両者の反応を防止
する。
合金膜の境界にＦｅ系薄膜を形成し、両者の反応を防止
する。
フェライトもしくは非磁性酸化物基板上にＦｅ系膜を形
成することでＦｅＡｆ！３１合金の初期形成膜の特性が
大幅に改善できる。またＦｅＡｆｆｉＳＩ合金薄膜とフ
ェライトの境界での反応層の形成を防止することで、フ
ェライト基板上にＦｅＡｌ５ｔ合金膜が１０μｍ以上形
成可能となる。この結果第２図のヘッドに現れていた疑
似ギャップ、記録再生特性の劣化、歪の増大などの現象
を減少させることが可能となる。
成することでＦｅＡｆ！３１合金の初期形成膜の特性が
大幅に改善できる。またＦｅＡｆｆｉＳＩ合金薄膜とフ
ェライトの境界での反応層の形成を防止することで、フ
ェライト基板上にＦｅＡｌ５ｔ合金膜が１０μｍ以上形
成可能となる。この結果第２図のヘッドに現れていた疑
似ギャップ、記録再生特性の劣化、歪の増大などの現象
を減少させることが可能となる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
（実施例１）
第１図（ａ）は本発明により形成した磁気ヘッドの一例
である。ギャップ近傍に高飽和磁束密度のＦｅＡｌＳｉ
を主成分とした合金薄膜１を用い、それ以外の磁路はフ
ェライト２を用いたいわゆるＭＩＧタイプのヘッドであ
る。この例では合金薄膜１の膜厚を１０μｍとしている
。
である。ギャップ近傍に高飽和磁束密度のＦｅＡｌＳｉ
を主成分とした合金薄膜１を用い、それ以外の磁路はフ
ェライト２を用いたいわゆるＭＩＧタイプのヘッドであ
る。この例では合金薄膜１の膜厚を１０μｍとしている
。
なお３はガラスである。窒化鉄膜４がフェライト２と合
金薄膜１の間に０．１μｍ形成されている。
金薄膜１の間に０．１μｍ形成されている。
従来例では、−１０ｄＢ（ＩＭＨｚ）あった疑似ギャッ
プ効果が窒化鉄膜４を用いることにより一２４ｄＢ （
ＩＭ七）に減少した。
プ効果が窒化鉄膜４を用いることにより一２４ｄＢ （
ＩＭ七）に減少した。
（実施例２）
第１図山）は本発明により形成した磁気ヘッドの一例で
ある。主コアとなるのがＦｅＡｌＳｉを主成分とした合
金膜５である。この厚さがトラック幅になっている。こ
こではトラック幅２０μｍとした。補助コアとなるのが
フェライト６、そのあいだにあるのが、厚さ０．１μｍ
の窒化鉄膜７である。
ある。主コアとなるのがＦｅＡｌＳｉを主成分とした合
金膜５である。この厚さがトラック幅になっている。こ
こではトラック幅２０μｍとした。補助コアとなるのが
フェライト６、そのあいだにあるのが、厚さ０．１μｍ
の窒化鉄膜７である。
従来フェライト上にＦｅＡｆｆｉＳｉ合金膜を２０μｍ
堆積することは非常に困難であったが、この手法を用い
ることにより可能となった。
堆積することは非常に困難であったが、この手法を用い
ることにより可能となった。
（実施例３）
第１図（Ｃ）は本発明により形成した磁気ヘッドの一例
である。主コアとなるのがＦｅＡｌＳｉを主成分とした
合金膜５、それを挟持しているのが非磁性セラミック基
板９である。５と９のあいだにあるのが、厚さ０．１μ
ｍの窒化鉄膜７である。この例では、ＦｅＡｆＳｉ合金
薄膜の厚みがトラックになっている。
である。主コアとなるのがＦｅＡｌＳｉを主成分とした
合金膜５、それを挟持しているのが非磁性セラミック基
板９である。５と９のあいだにあるのが、厚さ０．１μ
ｍの窒化鉄膜７である。この例では、ＦｅＡｆＳｉ合金
薄膜の厚みがトラックになっている。
初期成形膜の特性向上に記録再生特性が１ｄＢ（０，１
ＭＨｚ〜５Ｍ七）アップした。
ＭＨｚ〜５Ｍ七）アップした。
（実施例４）
実施例１で窒化鉄の代わりに炭化鉄を用いたもの。
（実施例５）
実施例２で窒化鉄の代わりに炭化鉄を用いたもの。
（実施例６）
実施例３で窒化鉄の代わりに炭化鉄を用いたもの。
（実施例７）
実施例１で窒化鉄の代わりに鉄−ボロンを用いたもの。
（実施例８）
実施例２で窒化鉄の代わりに鉄−ボロンを用いたもの。
（実施例９）
実施例３で窒化鉄の代わりに鉄−ボロンを用いたもの。
（実施例１０）
実施例１で窒化鉄の代わりに鉄を用いたもの。
（実施例１１）
実施例２で窒化鉄の代わりに鉄を用いたもの。
（実施例１２）
実施例３で窒化鉄の代わりに鉄を用いたもの。
第３図は本発明により製造される磁気へっドの製造方法
の一例である。
の一例である。
第３図（ａ）ではまず研摩、ケミカルエツチングを施し
た磁気劣化層のなフェライト基板１１上に鉄糸薄１１！
１２を０．１μｍ、ＦｅＡｌＳｉ合金薄膜１３を１０μ
ｍ順にスパッタ法で形成する。このサンプルを複合バー
１４とする。１２．１３の膜は真空を破らずに形成する
のが望ましい。
た磁気劣化層のなフェライト基板１１上に鉄糸薄１１！
１２を０．１μｍ、ＦｅＡｌＳｉ合金薄膜１３を１０μ
ｍ順にスパッタ法で形成する。このサンプルを複合バー
１４とする。１２．１３の膜は真空を破らずに形成する
のが望ましい。
なお鉄系薄膜の形成方法は後で述べる。
第３図（ｂ）では第３図（ａ）で形成した複合バー１４
にトラック加工を施す、１７はトラックである。その後
ギャップ面１９にギャップ材料としてＳ ｉＯ２、ガラ
ス（図では省略）を所望量形成する。
にトラック加工を施す、１７はトラックである。その後
ギャップ面１９にギャップ材料としてＳ ｉＯ２、ガラ
ス（図では省略）を所望量形成する。
第３図（Ｃ）では第３図（ｂ）で形成したバー２本を１
組としてギャップ形成を行う。巻線窓の部分にガラス１
５をいれ、このガラスをトラック溝部に流し込む、でき
あがったバーをギャップバー１６とする。ギャップ形成
条件は最高温度６００℃、保持時間１時間、Ｎ２雰囲気
中で行った第３図（ｄ）ではギャップパー１６にチップ
スライスを施す。
組としてギャップ形成を行う。巻線窓の部分にガラス１
５をいれ、このガラスをトラック溝部に流し込む、でき
あがったバーをギャップバー１６とする。ギャップ形成
条件は最高温度６００℃、保持時間１時間、Ｎ２雰囲気
中で行った第３図（ｄ）ではギャップパー１６にチップ
スライスを施す。
所望の形状の磁気ヘッドができあがる。１７ａ〜ｂは切
断線である。
断線である。
第４図は本発明により製造される磁気ヘッドの製造方法
の一例である。
の一例である。
第４図（ａ）ではＭｎＺｎ−フェライト基板２１に所定
幅の溝を所定間隔に形成し、その溝部にガラス２２が形
成しである複合基板の２枚を１組とする。
幅の溝を所定間隔に形成し、その溝部にガラス２２が形
成しである複合基板の２枚を１組とする。
１枚の複合基板上にまず鉄系薄膜２４を０．１μｍ、Ｆ
ｅＡ４２３１合金膜２５を２０μｍ形成する（トラック
幅２０μｍの磁気ヘッドを作る場合）、この際高周波領
域での磁気特性を向上させるために絶縁物（例えばＳｔ
Ｏ，（図では省略））とＦｅＡｌＳｉ合金との積層構造
にするのが望ましい、２４．２５の膜は真空を破らずに
形成するのが望ましい。
ｅＡ４２３１合金膜２５を２０μｍ形成する（トラック
幅２０μｍの磁気ヘッドを作る場合）、この際高周波領
域での磁気特性を向上させるために絶縁物（例えばＳｔ
Ｏ，（図では省略））とＦｅＡｌＳｉ合金との積層構造
にするのが望ましい、２４．２５の膜は真空を破らずに
形成するのが望ましい。
もう１枚の基板上にはガラス層２６を２μｍ形成する。
第４図（１））では第４図（ａ）で作った２枚の基板を
電気炉の中で約６００℃で加熱加圧接着し、複合ブロッ
ク２７を製造する。この際、窒素雰囲気中で行うのが望
ましい。
電気炉の中で約６００℃で加熱加圧接着し、複合ブロッ
ク２７を製造する。この際、窒素雰囲気中で行うのが望
ましい。
第４図（Ｃ）ではこの複合ブロックを短冊切断し、２本
のバー２８．２９を１Ａｌｌとして、１本のバーには巻
線溝加工などを行う。３０ａ−ｅは切断線である。
のバー２８．２９を１Ａｌｌとして、１本のバーには巻
線溝加工などを行う。３０ａ−ｅは切断線である。
第４図（ｄ）では２本のバー２８．２９の突合せ面（ギ
ャップ面）を研磨した後、この面にＳｌＯ□、ガラス（
共に図では省略）を順にスパッタ法で形成し、電気炉内
で加圧加熱接着し、ヘッドバー３２とする。このときの
温度は工程（ｂ）で行った接着がゆるまないようにこの
温度より少し低い５６０°Ｃくらいが望ましい。
ャップ面）を研磨した後、この面にＳｌＯ□、ガラス（
共に図では省略）を順にスパッタ法で形成し、電気炉内
で加圧加熱接着し、ヘッドバー３２とする。このときの
温度は工程（ｂ）で行った接着がゆるまないようにこの
温度より少し低い５６０°Ｃくらいが望ましい。
その後ヘツドバー３２を適当に切断して磁気ヘッドがで
きあがる＊３３ａ−ｃは切断線である。
きあがる＊３３ａ−ｃは切断線である。
第５図は本発明により製造される磁気ヘッドの製造方法
の一例である。
の一例である。
第５図（ａ）は非磁性酸化物基板４１の２枚を１組とし
、１枚の基板４１上にまず窒化鉄膜４２を０．１μｍ、
ＦｅＡｊ！３１合金膜４３を２０．ｙｍ形成する（トラ
ック幅２０μｍの磁気ヘッドを作る場合）。
、１枚の基板４１上にまず窒化鉄膜４２を０．１μｍ、
ＦｅＡｊ！３１合金膜４３を２０．ｙｍ形成する（トラ
ック幅２０μｍの磁気ヘッドを作る場合）。
この際高周波領域での磁気特性を向上させるために絶縁
物（例えば３１０□ （図では省略））とＦｅＡ、ｊ！
Ｓｔ合金との積層構造にするのが望ましい。
物（例えば３１０□ （図では省略））とＦｅＡ、ｊ！
Ｓｔ合金との積層構造にするのが望ましい。
４２．４３の膜は真空を破らずに形成するのが望ましい
。
。
もう１枚の基板上にはガラス層４４を２μｍ形成する。
第５図（ｂ）では第５図（ａ）で作った２枚の基板を電
気炉の中で約６００℃で加熱加圧接着し、複合ブロック
４５を製造する。この際、窒素雰囲気中で行うのが望ま
しい。
気炉の中で約６００℃で加熱加圧接着し、複合ブロック
４５を製造する。この際、窒素雰囲気中で行うのが望ま
しい。
第５図（Ｃ）ではこの複合ブロックを短冊切断し、２本
のバー４６．４７を１組として、１本のバーには巻線溝
加工などを行う、４８ａ−ｅは切断線である。
のバー４６．４７を１組として、１本のバーには巻線溝
加工などを行う、４８ａ−ｅは切断線である。
第５図（ロ）では２本のバー４６．４７の突合せ面（ギ
ャップ面）を研磨した後、この面に５ｉ０２、ガラス（
共に図では省略）を順にスパッタ法で形成し、電気炉内
で加圧加熱接着し、ヘッドパー５０とする。このときの
温度は工程（ｂ）で行った接着がゆるまないようにこの
温度より少し低い５６０°Ｃくらいが望ましい。
ャップ面）を研磨した後、この面に５ｉ０２、ガラス（
共に図では省略）を順にスパッタ法で形成し、電気炉内
で加圧加熱接着し、ヘッドパー５０とする。このときの
温度は工程（ｂ）で行った接着がゆるまないようにこの
温度より少し低い５６０°Ｃくらいが望ましい。
その後ヘツドパー５０を適当に切断して磁気ヘッドがで
きあがる。５１ａ、ｂは切断線である。
きあがる。５１ａ、ｂは切断線である。
鉄系薄膜の形成方法の一例を示す。
窒化鉄の時
ターゲットに鉄、スパッタガスとしてアルゴンと窒素の
混合ガスを用いて反応性スパッタを行う。
混合ガスを用いて反応性スパッタを行う。
窒素ガスの分圧を調節することで、窒化鉄の組成をコン
トロールする。
トロールする。
炭化鉄の時
ターゲットに炭化鉄を用いる。
鉄の時
ターゲットに鉄を用いる。
実施例では鉄系膜の膜厚に０．１／７ｍを用いたが、Ｆ
−ｅ Ａ Ｉ Ｓ ｌとフェライトの反応を防止するた
めには０．０３μｍもあれば十分である。
−ｅ Ａ Ｉ Ｓ ｌとフェライトの反応を防止するた
めには０．０３μｍもあれば十分である。
発明の効果
本発明による磁気ヘッドにより、例えばＶＴＲＤＡＴ、
ＦＤＤ用ヘッドのコア材料として高飽和磁束密度のＦｅ
ＡｌＳｉ合金薄膜が利用でき、記録効率の優れた磁気ヘ
ッドを今までに比べて歩留り良く製造できる。
ＦＤＤ用ヘッドのコア材料として高飽和磁束密度のＦｅ
ＡｌＳｉ合金薄膜が利用でき、記録効率の優れた磁気ヘ
ッドを今までに比べて歩留り良く製造できる。
第１図Ｗは本発明の磁気ヘッドの斜視図、第２図は従来
の磁気ヘッドの実施例を示す斜視図、第３図、第４図、
第５図は本発明の磁気ヘッドの製造方法の工程図である
。 １・・・・・・合金薄膜、２・・・・・・フェライト、
３・・・・・・ガラス、４・・・・・・窒化鉄膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第 図 ２−ｍ−フエライト 第 第 図 図 ３ムあり３３ｃ
の磁気ヘッドの実施例を示す斜視図、第３図、第４図、
第５図は本発明の磁気ヘッドの製造方法の工程図である
。 １・・・・・・合金薄膜、２・・・・・・フェライト、
３・・・・・・ガラス、４・・・・・・窒化鉄膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第 図 ２−ｍ−フエライト 第 第 図 図 ３ムあり３３ｃ
Claims (5)
- （１）主コアがフェライトで、ギャップ近傍がＦｅＡｌ
Ｓｉを主成分とする合金膜からなる磁気ヘッドで、フェ
ライト基板上に鉄系膜が０．０２μｍから１．０μｍ形
成され、その上にＦｅＡｌＳｉを主成分とする合金膜が
所望の厚さ形成されていることを特徴とする磁気ヘッド
。 - （２）非磁性酸化物基板上もしくはフェライト基板上に
鉄系膜が０．０２μｍから１．０μｍ形成され、その上
にＦｅＡｌＳｉを主成分とする合金膜が所望の厚さ形成
されていることを特徴とする磁気ヘッド。 - （３）鉄系膜が窒化鉄、もしくは炭化鉄であることを特
徴とする請求項（１），（２）のいずれかに記載の磁気
ヘッド。 - （４）鉄系膜が鉄−ボロンであることを特徴とする請求
項（１），（２）のいずれかに記載の磁気ヘッド。 - （５）鉄系膜が鉄を９９ｗｔ．％以上含む鉄膜から形成
されることを特徴とする請求項（１），（２）のいずれ
かに記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63205148A JPH0254409A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63205148A JPH0254409A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254409A true JPH0254409A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16502216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63205148A Pending JPH0254409A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0254409A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60132305A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Hitachi Ltd | 鉄−窒素系積層磁性体膜およびそれを用いた磁気ヘツド |
| JPS6381609A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Tdk Corp | 磁気ヘツド |
| JPS63279404A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-11-16 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 複合型磁気ヘッド |
-
1988
- 1988-08-18 JP JP63205148A patent/JPH0254409A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60132305A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Hitachi Ltd | 鉄−窒素系積層磁性体膜およびそれを用いた磁気ヘツド |
| JPS6381609A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Tdk Corp | 磁気ヘツド |
| JPS63279404A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-11-16 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 複合型磁気ヘッド |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63191310A (ja) | 複合磁気ヘツド | |
| US5585984A (en) | Magnetic head | |
| JPH0624044B2 (ja) | 複合型磁気ヘッド | |
| JP3127613B2 (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH0254409A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0254405A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH02208811A (ja) | 磁気ヘッド | |
| WO1992016934A1 (en) | A magnetic head for high-frequency, high-density recording | |
| JP2775770B2 (ja) | 軟磁性薄膜の製造方法 | |
| JP2523854B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP3127075B2 (ja) | 軟磁性合金膜と磁気ヘッドおよび軟磁性合金膜の熱膨張係数の調整方法 | |
| JPH0254406A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP2519554B2 (ja) | Ｍｉｇ型磁気ヘッド | |
| KR100232141B1 (ko) | 자기헤드의 제조 방법 | |
| JP3452594B2 (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| KR950007905Y1 (ko) | 복합자기헤드 | |
| JPS63112809A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JP2882927B2 (ja) | 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS63311611A (ja) | 複合型磁気ヘッド | |
| JPH0237510A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0366008A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0555036A (ja) | 軟磁性薄膜およびその製造方法、軟磁性多層膜およびその製造方法ならびに磁気ヘツド | |
| JPH0229905A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0565042B2 (ja) | ||
| JPH0522284B2 (ja) |