JPH03112105A - 多層磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド - Google Patents
多層磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッドInfo
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- JPH03112105A JPH03112105A JP24912789A JP24912789A JPH03112105A JP H03112105 A JPH03112105 A JP H03112105A JP 24912789 A JP24912789 A JP 24912789A JP 24912789 A JP24912789 A JP 24912789A JP H03112105 A JPH03112105 A JP H03112105A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高い結晶化温度を有する非晶質多層磁性薄膜に
関し、特に磁気ディスク装Ｌ ＶＴＲなどに用いる磁気
ヘッドおよび磁気ヘッドのコア材料に適した多層磁性薄
膜に関する。
関し、特に磁気ディスク装Ｌ ＶＴＲなどに用いる磁気
ヘッドおよび磁気ヘッドのコア材料に適した多層磁性薄
膜に関する。
近年、磁気記録技術の発展は著しく、記録密度の向上が
進められている。記録密度を高くするためには高保磁力
の記録媒体を使用する必要があり。
進められている。記録密度を高くするためには高保磁力
の記録媒体を使用する必要があり。
また高保磁力の記録媒体を磁化するためには、高飽和磁
束密度を有する磁極材料が必要となる。このため、従来
のフェライトなどに代ってＣｏ系非晶質合金薄膜が磁極
材料として使われ始めている。
束密度を有する磁極材料が必要となる。このため、従来
のフェライトなどに代ってＣｏ系非晶質合金薄膜が磁極
材料として使われ始めている。
しかし、飽和磁束密度の高い、Ｃｏ濃度が高い非晶質合
金薄膜は、結晶化温度が低いという問題があった。
金薄膜は、結晶化温度が低いという問題があった。
通常、Ｃｏ系非晶質合金が結晶化すると、結晶が析出し
軟磁気特性が劣化する。
軟磁気特性が劣化する。
このため、アイ・イー・イー・イー トランザクション
オン マグネチックス、エム エージ−２３，５（１
９８７年）第３７０７ページから第３７１２ページ（Ｉ
Ｅ Ｅ Ｅ 、 Ｔｒａｎｓ。
オン マグネチックス、エム エージ−２３，５（１
９８７年）第３７０７ページから第３７１２ページ（Ｉ
Ｅ Ｅ Ｅ 、 Ｔｒａｎｓ。
Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ、 ＭＡＧ−２３，５（１９８７）
ＰＰ３７０７−３７１２）において論じられているよ
うに、磁性膜をスパッタリングする時に周期的に窒素ガ
スをスパッタリングガスに混ぜ、窒化物層を周期的に形
成して結晶化温度を高くする方法が考案された。この方
法は結晶化温度を非常に高くし、効果的な方法である。
ＰＰ３７０７−３７１２）において論じられているよ
うに、磁性膜をスパッタリングする時に周期的に窒素ガ
スをスパッタリングガスに混ぜ、窒化物層を周期的に形
成して結晶化温度を高くする方法が考案された。この方
法は結晶化温度を非常に高くし、効果的な方法である。
しかし、上記窒化物層は磁性層であり、このため、磁性
膜を磁気ヘッドの磁極形状に切断すると磁極の端に環流
磁区を生ずるという問題があった。
膜を磁気ヘッドの磁極形状に切断すると磁極の端に環流
磁区を生ずるという問題があった。
本発明の目的は、上述の従来技術の欠点を解消し、結晶
化温度が高く、また、実際の磁極形状における比透磁率
が高い多層磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッドを提
供することにある。
化温度が高く、また、実際の磁極形状における比透磁率
が高い多層磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッドを提
供することにある。
本発明者らは磁性合金層に非磁性窒化物層を介した多層
膜について鋭意研究を行った結果、非磁性窒化物層を介
することにより、上記磁性合金層の熱安定性が高くなる
ことを明らかにし１本発明を完成するに至った。
膜について鋭意研究を行った結果、非磁性窒化物層を介
することにより、上記磁性合金層の熱安定性が高くなる
ことを明らかにし１本発明を完成するに至った。
すなわち、Ｃｏ系非晶質合金層にＢＮ、Ｓ ｉ、Ｎ，Ｔ
ａＮ、ＴｉＮ，Ｗ２Ｎなどの非磁性窒化物層を介して積
層構造とすることにより、高い結晶化温度を有する多層
磁性薄膜を得た。また、上記多層膜は結晶化温度より高
い温度で熱処理しても析出した結晶の粒径が小さく、こ
のため、結晶化しても軟磁気特性が劣化しない。また、
上記多層磁性薄膜は非磁性層を介しであるために、実際
の磁気ヘッドの磁極形状に切断した時に速流磁区を生じ
ない。
ａＮ、ＴｉＮ，Ｗ２Ｎなどの非磁性窒化物層を介して積
層構造とすることにより、高い結晶化温度を有する多層
磁性薄膜を得た。また、上記多層膜は結晶化温度より高
い温度で熱処理しても析出した結晶の粒径が小さく、こ
のため、結晶化しても軟磁気特性が劣化しない。また、
上記多層磁性薄膜は非磁性層を介しであるために、実際
の磁気ヘッドの磁極形状に切断した時に速流磁区を生じ
ない。
またさらに、本発明の多層磁性薄膜を磁気ヘッドの磁気
回路の少なくとも一部に用いることにより、高温の熱処
理工程を有するヘッド作製プロセスにより磁気ヘッドを
作製しても、優れた記録再生特性を有する磁気ヘッドを
得ることができる。
回路の少なくとも一部に用いることにより、高温の熱処
理工程を有するヘッド作製プロセスにより磁気ヘッドを
作製しても、優れた記録再生特性を有する磁気ヘッドを
得ることができる。
上述のように、Ｃｏ系非晶質合金層にＢＮ、Ｓｉ、Ｎ４
、ＴａＮ、ＴｉＮ、Ｗ２Ｎなどの非磁性窒化物層を介し
て積層構造とすることにより、高い結晶化温度を有する
多層磁性薄膜を得た。また、上記多層膜は結晶化温度よ
り高い温度で熱処理しても析出した結晶の粒径が小さく
、このため、結晶化しても軟磁気特性が劣化しない。ま
た、上記多層磁性薄膜は非磁性層を介しであるために、
実際の磁気ヘッドの磁極形状に切断した時に速流磁区を
生じない。
、ＴａＮ、ＴｉＮ、Ｗ２Ｎなどの非磁性窒化物層を介し
て積層構造とすることにより、高い結晶化温度を有する
多層磁性薄膜を得た。また、上記多層膜は結晶化温度よ
り高い温度で熱処理しても析出した結晶の粒径が小さく
、このため、結晶化しても軟磁気特性が劣化しない。ま
た、上記多層磁性薄膜は非磁性層を介しであるために、
実際の磁気ヘッドの磁極形状に切断した時に速流磁区を
生じない。
またさらに、本発明の多層磁性薄膜を磁気ヘッドの磁気
回路の少なくとも一部に用いることにより、高温の熱処
理工程を有するヘッド作製プロセスにより磁気ヘッドを
作製しても、優れた記録再生特性を有する磁気ヘッドを
得ることができる。
回路の少なくとも一部に用いることにより、高温の熱処
理工程を有するヘッド作製プロセスにより磁気ヘッドを
作製しても、優れた記録再生特性を有する磁気ヘッドを
得ることができる。
以下に本発明の一実施例を挙げ、図表を参照し〔実施例
１〕 多層磁性薄膜の作製にはイオンビーム・スパッタリング
装置を用いた。スパッタリングは以下の条件で行った。
１〕 多層磁性薄膜の作製にはイオンビーム・スパッタリング
装置を用いた。スパッタリングは以下の条件で行った。
イオンガス・・・・・・Ａｒ
装置内Ａｒガス圧力・・・・・・２．５Ｘ１０−”Ｐａ
蒸着用イオンガン加速電圧・・・・・・８００ｖ蒸着用
イオンガンイオン電流・・・・・・１２０ｍＡターゲッ
ト基板間距離・・・・・・１２７ｍｍ上記条件で作製し
た磁性薄膜の断面図を第１図に示す。本実施例では基板
１１としてコーニング社製７０５９ガラス基板を用い、
主磁性層１２としてＣｏ，Ｔａ５Ｚｒ□合金、中間層１
３として膜厚５０人のＢＮを用いた。多層磁性薄ＩＩ！
４全体の膜厚は５０００人とし、主磁性［１２の暦数、
すなわち中間層１３を挿入する周期を変化した。
蒸着用イオンガン加速電圧・・・・・・８００ｖ蒸着用
イオンガンイオン電流・・・・・・１２０ｍＡターゲッ
ト基板間距離・・・・・・１２７ｍｍ上記条件で作製し
た磁性薄膜の断面図を第１図に示す。本実施例では基板
１１としてコーニング社製７０５９ガラス基板を用い、
主磁性層１２としてＣｏ，Ｔａ５Ｚｒ□合金、中間層１
３として膜厚５０人のＢＮを用いた。多層磁性薄ＩＩ！
４全体の膜厚は５０００人とし、主磁性［１２の暦数、
すなわち中間層１３を挿入する周期を変化した。
主磁性Ｍ１２の暦数と結晶化温度との関係を第１の時、
すなわち中間Ｍ１３を介さないＣｏ、２Ｔａ、Ｚｒ、合
金単層膜の結晶化温度は４３０℃であった。中間層１３
を介し、主磁性層１２の暦数が増加するに従って、結晶
化温度は高くなる。主磁性Ｍ１２の暦数が２ＯＮの時に
は、結晶化温度は５００℃になる。
すなわち中間Ｍ１３を介さないＣｏ、２Ｔａ、Ｚｒ、合
金単層膜の結晶化温度は４３０℃であった。中間層１３
を介し、主磁性層１２の暦数が増加するに従って、結晶
化温度は高くなる。主磁性Ｍ１２の暦数が２ＯＮの時に
は、結晶化温度は５００℃になる。
次に上記磁性薄膜を＠２０μｍの帯状の形にバターニン
グし、主磁性層１２の暦数とバターニング後の比透磁率
との関係を調べた。第３図に結果を示す。同図のように
主磁性層１２の暦数が１の時、すなわち中間［１３を介
さない Ｃｏ，Ｔ ａ、Ｚ ｒ、合金単層膜の比透磁率は８００
であった。ビック法により帯の磁区のａ祭を行ったとこ
ろ、三角形の面内還流磁区が存在し、このため比透磁率
が低いことがわかった。中間層１３を介し、主磁性層１
２の暦数が増加するに従って、比透磁率は高くなる。こ
れは非磁性である中間層１３の挿入により、磁性層が磁
気的に分離し、膜厚方向に磁化が還流したため、面内還
流磁区が消以上述べたように、Ｃｏ、□Ｔａ、Ｚｒ、合
金層にＢＮ非磁性中間層を介して積層構造とすると、Ｃ
ｏ，Ｔ ａ、 Ｚ ｒ、合金層の結晶化温度が高くなる
。
グし、主磁性層１２の暦数とバターニング後の比透磁率
との関係を調べた。第３図に結果を示す。同図のように
主磁性層１２の暦数が１の時、すなわち中間［１３を介
さない Ｃｏ，Ｔ ａ、Ｚ ｒ、合金単層膜の比透磁率は８００
であった。ビック法により帯の磁区のａ祭を行ったとこ
ろ、三角形の面内還流磁区が存在し、このため比透磁率
が低いことがわかった。中間層１３を介し、主磁性層１
２の暦数が増加するに従って、比透磁率は高くなる。こ
れは非磁性である中間層１３の挿入により、磁性層が磁
気的に分離し、膜厚方向に磁化が還流したため、面内還
流磁区が消以上述べたように、Ｃｏ、□Ｔａ、Ｚｒ、合
金層にＢＮ非磁性中間層を介して積層構造とすると、Ｃ
ｏ，Ｔ ａ、 Ｚ ｒ、合金層の結晶化温度が高くなる
。
またＢＮが非磁性であるため、ＢＮ層により磁性層が磁
気的に分離し、面内還流磁区が消失するため、比透磁率
が高くなる。
気的に分離し、面内還流磁区が消失するため、比透磁率
が高くなる。
また上記多層磁性膜を結晶化温度以上の６００℃で熱処
理したところ、ＣＯを主成分とする微細な結晶を析出し
た。結晶化したにもかかわらずこの多層磁性膜は良好な
軟磁気特性を示した。これは微結晶の粒径が１０ｎｍ以
下と小さいためであると考えられる。しかし、上記多層
磁性薄膜を６５０℃で熱処理したところ、結晶粒径が１
０ｎｍより大きくなり、その結果保磁力が大きくなり、
比透磁率が減少した。
理したところ、ＣＯを主成分とする微細な結晶を析出し
た。結晶化したにもかかわらずこの多層磁性膜は良好な
軟磁気特性を示した。これは微結晶の粒径が１０ｎｍ以
下と小さいためであると考えられる。しかし、上記多層
磁性薄膜を６５０℃で熱処理したところ、結晶粒径が１
０ｎｍより大きくなり、その結果保磁力が大きくなり、
比透磁率が減少した。
〔実施例２〕
実施例１と同様の条件で多層磁性薄膜を作製し、種々の
非磁性窒化物層の挿入の効果を調べた。本実施例では基
板１１としてコーニング社製７０５９ガラス基板を用い
、主磁性層１２として膜厚２００人のＣｏ−，２Ｔ ａ
、 Ｚ ｒ３合金、中間層１３として膜厚５０人のＳｉ
、Ｎ，ＴａＮ、ＴｉＮ，Ｗ２Ｎを用いた。多層磁性薄膜
全体の膜厚は５０００人とした。従って主磁性層の暦数
は２０Ｍであり、中間層挿入の周期は２５０人である。
非磁性窒化物層の挿入の効果を調べた。本実施例では基
板１１としてコーニング社製７０５９ガラス基板を用い
、主磁性層１２として膜厚２００人のＣｏ−，２Ｔ ａ
、 Ｚ ｒ３合金、中間層１３として膜厚５０人のＳｉ
、Ｎ，ＴａＮ、ＴｉＮ，Ｗ２Ｎを用いた。多層磁性薄膜
全体の膜厚は５０００人とした。従って主磁性層の暦数
は２０Ｍであり、中間層挿入の周期は２５０人である。
第１表に中間層材料とＣｏ，Ｔａ、Ｚｒ、合金層の結晶
化温度との関係を示す。
化温度との関係を示す。
第 １ 表
第１表に示すように、Ｃｏ、２Ｔａ、Ｚｒ、合金層に非
磁性窒化物層を介して積層構造とすると、結晶化温度が
高くなる。また実施例１と同様に、中間層が非磁性であ
るため、帯状にバターニングした時の比透磁率が高くな
る。
磁性窒化物層を介して積層構造とすると、結晶化温度が
高くなる。また実施例１と同様に、中間層が非磁性であ
るため、帯状にバターニングした時の比透磁率が高くな
る。
また上記多層磁性膜を結晶化温度以上の６００℃で熱処
理したところ、Ｃｏを主成分とする微細な結晶を析出し
た。結晶化したにもかかわらずこの多層磁性膜は良好な
軟磁気特性を示した。これは微結晶の粒径が１０ｎｍ以
下と小さいためであると考えられる。しかし、上記多層
磁性薄膜を６５０℃で熱処理したところ、結晶粒径が１
０ｎｍより大きくなり、その結果保磁力が大きくなり、
比透磁率が減少した。
理したところ、Ｃｏを主成分とする微細な結晶を析出し
た。結晶化したにもかかわらずこの多層磁性膜は良好な
軟磁気特性を示した。これは微結晶の粒径が１０ｎｍ以
下と小さいためであると考えられる。しかし、上記多層
磁性薄膜を６５０℃で熱処理したところ、結晶粒径が１
０ｎｍより大きくなり、その結果保磁力が大きくなり、
比透磁率が減少した。
〔実施例３〕
実施例１と同様の条件で多層磁性薄膜を形成し、種々の
非晶質磁性層に対するＢＮＮ挿入の効果を調べた。本実
施例では基板１１としてコーニング社製７０５９ガラス
基板を用い、主磁性層１２として膜厚２００人のＣｏ、
。Ｎｂ、Ｚｒ、合金、Ｃｏ，Ｍ ｏ５ Ｚ ｒ７合金、
Ｃｏ，Ｗ、Ｚｒ、合金、中間層１３として膜厚５０人の
ＢＮを用いた。多層磁性薄膜全体の膜厚は５０００人と
した。従って主磁性層の暦数は２０層であり、中間層挿
入の周期は２５０人である。
非晶質磁性層に対するＢＮＮ挿入の効果を調べた。本実
施例では基板１１としてコーニング社製７０５９ガラス
基板を用い、主磁性層１２として膜厚２００人のＣｏ、
。Ｎｂ、Ｚｒ、合金、Ｃｏ，Ｍ ｏ５ Ｚ ｒ７合金、
Ｃｏ，Ｗ、Ｚｒ、合金、中間層１３として膜厚５０人の
ＢＮを用いた。多層磁性薄膜全体の膜厚は５０００人と
した。従って主磁性層の暦数は２０層であり、中間層挿
入の周期は２５０人である。
ＢＮ層を用いた場合およびＢＮ層を用いない場合の上記
Ｃｏ系非晶質合金の結晶化温度を第２表に示す。
Ｃｏ系非晶質合金の結晶化温度を第２表に示す。
第 ２ 表
第２表に示すように種々の非晶質磁性合金層にＢＮ層を
介して積層構造とすると結晶化温度が高くなる。また実
施例１と同様に、中間層が非磁性であるため、帯状にパ
ターニングした時の比透磁率が高くなる。
介して積層構造とすると結晶化温度が高くなる。また実
施例１と同様に、中間層が非磁性であるため、帯状にパ
ターニングした時の比透磁率が高くなる。
また上記多層磁性膜を結晶化温度以上の６５０℃で熱処
理したところ、Ｃｏを主成分とする微細な結晶を析出し
た。結晶化したにもかかわらずこの多層磁性膜は良好な
軟磁気特性を示した。これは微結晶の粒径が１０層ｍ以
下と小さいためであると考えられる。しかし、上記多層
磁性薄膜を７００℃で熱処理したところ、結晶粒径が１
０層ｍより大きくなり、その結果保磁力が大きくなり、
比透磁率が減少した。
理したところ、Ｃｏを主成分とする微細な結晶を析出し
た。結晶化したにもかかわらずこの多層磁性膜は良好な
軟磁気特性を示した。これは微結晶の粒径が１０層ｍ以
下と小さいためであると考えられる。しかし、上記多層
磁性薄膜を７００℃で熱処理したところ、結晶粒径が１
０層ｍより大きくなり、その結果保磁力が大きくなり、
比透磁率が減少した。
〔実施例４〕
従来材料であるＣｏ□Ｔａ、Ｚｒ、合金単層膜（膜厚０
．３μｍ）および本発明の Ｃｏ９１Ｔ ａ、 Ｚ ｒ、合金層にＢＮ層を介して６
層積層した多層磁性薄膜（膜厚０．３μｍ）を用いて第
４図に示すような垂直磁気記録用単磁極型磁気ヘッド７
１を作製した。この磁気ヘッド７１を作製した。この磁
気ヘッド７１の作製工程を以下に述べる。
．３μｍ）および本発明の Ｃｏ９１Ｔ ａ、 Ｚ ｒ、合金層にＢＮ層を介して６
層積層した多層磁性薄膜（膜厚０．３μｍ）を用いて第
４図に示すような垂直磁気記録用単磁極型磁気ヘッド７
１を作製した。この磁気ヘッド７１を作製した。この磁
気ヘッド７１の作製工程を以下に述べる。
第４図（ａ）に示すＭｎ−Ｚｎフェライト６１および高
融点ガラス６２からなる基板６３を用い、その表面に第
４図（ｂ）に示すように上記磁性薄膜６４をイオンビー
ムスパッタリング法で形成した。さらにその上に接着用
ガラス膜をイオンビームスパッタリング法により形成し
、第４図（ａ）に示す基板６３を重ねあわせて４５０℃
で３０分間加熱し、上記ガラス膜を溶融固着させ、第４
図（ｃ）に示す主磁極ブロック６５を作製した。そして
第４図（ｄ）に示すＭ ｎ −Ｚ ｎフェライト６６お
よび高融点ガラス６７からなる補助コアブロック６８を
用意し、接合面７０に上記と同様の接着用ガラス膜を形
成した後、主磁極ブロック６５を補助コアブロック６８
の接合面によって挾み。
融点ガラス６２からなる基板６３を用い、その表面に第
４図（ｂ）に示すように上記磁性薄膜６４をイオンビー
ムスパッタリング法で形成した。さらにその上に接着用
ガラス膜をイオンビームスパッタリング法により形成し
、第４図（ａ）に示す基板６３を重ねあわせて４５０℃
で３０分間加熱し、上記ガラス膜を溶融固着させ、第４
図（ｃ）に示す主磁極ブロック６５を作製した。そして
第４図（ｄ）に示すＭ ｎ −Ｚ ｎフェライト６６お
よび高融点ガラス６７からなる補助コアブロック６８を
用意し、接合面７０に上記と同様の接着用ガラス膜を形
成した後、主磁極ブロック６５を補助コアブロック６８
の接合面によって挾み。
４５０℃で３０分間加熱することにより、上記ガラス膜
を溶融固着させて接合ブロック６９を作製した。次に第
４図（ｄ）に示す二点鎖線部を切断し、第４図（、）に
示す垂直磁気記録用単磁極型磁気ヘッド７１を得た。上
述の工程によって作製した本発明の多層磁性薄膜を用い
た磁気ヘッドおよび単層膜を用いた磁気ヘッドの記録再
生特性をＣｏ−Ｃｒ垂直磁気記録媒体を用いて測定した
。
を溶融固着させて接合ブロック６９を作製した。次に第
４図（ｄ）に示す二点鎖線部を切断し、第４図（、）に
示す垂直磁気記録用単磁極型磁気ヘッド７１を得た。上
述の工程によって作製した本発明の多層磁性薄膜を用い
た磁気ヘッドおよび単層膜を用いた磁気ヘッドの記録再
生特性をＣｏ−Ｃｒ垂直磁気記録媒体を用いて測定した
。
その結果、本発明の多層磁性薄膜を用いた磁気ヘッドは
、単層膜を用いた磁気ヘッドと比較して約１０ｄＢ高い
出力を示した。これは４５０℃の加熱により単層膜は結
晶化するのに対し、本発明の多層磁性薄膜は結晶化しな
いためと考えられる。
、単層膜を用いた磁気ヘッドと比較して約１０ｄＢ高い
出力を示した。これは４５０℃の加熱により単層膜は結
晶化するのに対し、本発明の多層磁性薄膜は結晶化しな
いためと考えられる。
以上詳細に説明したごとく、非晶質磁性合金層に非磁性
窒化物層を介することにより、上記非晶質合金層の結晶
化温度が高くなる。また、上記多層膜は結晶化温度をよ
り高い温度で熱処理しても析出した結晶の粒径が小さく
、このため、結晶化しても軟磁気特性が劣化しない。ま
た、この多層磁性薄膜は非磁性層を介しであるために、
実際の磁気ヘッドの磁極形状に切断した時に還流磁区を
生じない、またさらに、本発明の多層磁性薄膜を磁気ヘ
ッドの磁気回路の少なくとも一部に用いることにより、
高温の熱処理工程を有するヘッド作製プロセスにより磁
気ヘッドを作製しても、優れた記録再生特性を有する磁
気ヘッドを得ることができる。
窒化物層を介することにより、上記非晶質合金層の結晶
化温度が高くなる。また、上記多層膜は結晶化温度をよ
り高い温度で熱処理しても析出した結晶の粒径が小さく
、このため、結晶化しても軟磁気特性が劣化しない。ま
た、この多層磁性薄膜は非磁性層を介しであるために、
実際の磁気ヘッドの磁極形状に切断した時に還流磁区を
生じない、またさらに、本発明の多層磁性薄膜を磁気ヘ
ッドの磁気回路の少なくとも一部に用いることにより、
高温の熱処理工程を有するヘッド作製プロセスにより磁
気ヘッドを作製しても、優れた記録再生特性を有する磁
気ヘッドを得ることができる。
第１図は本発明の多層磁性薄膜の断面図、第２図は本発
明の多層磁性薄膜の主磁性層の暦数と結晶化温度との関
係を示すグラフ、第３図は２０μｍ幅の帯状の形に切断
した本発明の多層磁性薄膜の主磁性層の層数と比透磁率
との関係を示すグラフ、第４図は本発明の多層磁性薄膜
を用いた垂直磁気記録用単磁極型磁気ヘッドの作製工程
を示す斜視図である。 符号の説明 １１・・・基板、１２・・・主磁性層、１３・・・中間
層、６１ 、６６− Ｍ ｎ −Ｚ ｎフェライト、６
２．６７・・・高融点ガラス、６３・・・基板、６４・
・・磁性薄膜、６５・・・主磁極ブロック、６８・・・
補助コアブロック、６９・・・接合ブロック、７０・・
・接合面、７１・・・垂直磁気記録用単磁極型磁気ヘッ
ド。 第 因 冶 図 ｔμ性１峠Ｙ罠 璃 弓 ＣＤ）
明の多層磁性薄膜の主磁性層の暦数と結晶化温度との関
係を示すグラフ、第３図は２０μｍ幅の帯状の形に切断
した本発明の多層磁性薄膜の主磁性層の層数と比透磁率
との関係を示すグラフ、第４図は本発明の多層磁性薄膜
を用いた垂直磁気記録用単磁極型磁気ヘッドの作製工程
を示す斜視図である。 符号の説明 １１・・・基板、１２・・・主磁性層、１３・・・中間
層、６１ 、６６− Ｍ ｎ −Ｚ ｎフェライト、６
２．６７・・・高融点ガラス、６３・・・基板、６４・
・・磁性薄膜、６５・・・主磁極ブロック、６８・・・
補助コアブロック、６９・・・接合ブロック、７０・・
・接合面、７１・・・垂直磁気記録用単磁極型磁気ヘッ
ド。 第 因 冶 図 ｔμ性１峠Ｙ罠 璃 弓 ＣＤ）
Claims (7)
- １．非晶質合金層と非磁性窒化物層を積層してなる多層
磁性薄膜。 - ２．前記非晶質合金層中に結晶粒径１０ｎｍ以下の結晶
を析出させた請求項１記載の多層磁性薄膜。 - ３．前記非晶質合金はＣｏを最も多く含有する請求項１
記載の多層磁性薄膜。 - ４．前記非磁性窒化物層はＢＮ，Ｓｉ，Ｎ，ＴａＮ，Ｔ
ｉＮ，Ｗ＿２Ｎのうちから選ばれる少なくとも１種から
なる請求項１記載の多層磁性薄膜。 - ５．前記非晶質合金層の結晶化温度が４５０℃以上であ
る請求項１記載の多層磁性薄膜。 - ６．請求項１乃至５のうちいずれかに記載の多層磁性薄
膜を磁気回路の少なくとも一部に用いた磁気ヘッド。 - ７．請求項１記載の多層磁性薄膜を熱処理し、前記非晶
質合金層中に結晶を析出せしめる多層磁性薄膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24912789A JP2816199B2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 多層磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24912789A JP2816199B2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 多層磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03112105A true JPH03112105A (ja) | 1991-05-13 |
| JP2816199B2 JP2816199B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=17188337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24912789A Expired - Lifetime JP2816199B2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 多層磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2816199B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5576098A (en) * | 1992-07-08 | 1996-11-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
-
1989
- 1989-09-27 JP JP24912789A patent/JP2816199B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5576098A (en) * | 1992-07-08 | 1996-11-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2816199B2 (ja) | 1998-10-27 |
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