JPH02299224A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPH02299224A JPH02299224A JP12101489A JP12101489A JPH02299224A JP H02299224 A JPH02299224 A JP H02299224A JP 12101489 A JP12101489 A JP 12101489A JP 12101489 A JP12101489 A JP 12101489A JP H02299224 A JPH02299224 A JP H02299224A
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- JP
- Japan
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- susceptor
- shielding plate
- substrate
- reactor
- dust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概 要］
原料ガスを流すリアクタ内に配置されて基板を保持し加
熱するサセプタを具え、基板の熱により原料ガスを分解
して基板上に成長膜を形成する気相成長装置に関し、 リアクタ内のダストの発生を減少させることを目的とし
、 サセプタの基板で占める部分以外の表面が間隙を介在さ
せて遮蔽板で覆われているように構成する。
熱するサセプタを具え、基板の熱により原料ガスを分解
して基板上に成長膜を形成する気相成長装置に関し、 リアクタ内のダストの発生を減少させることを目的とし
、 サセプタの基板で占める部分以外の表面が間隙を介在さ
せて遮蔽板で覆われているように構成する。
本発明は、原料ガスを流すリアクタ内に配置されて基板
を保持し加熱するサセプタを具え、基板の熱により原料
ガスを分解して基板上に成長膜を形成する気相成長装置
に関する。
を保持し加熱するサセプタを具え、基板の熱により原料
ガスを分解して基板上に成長膜を形成する気相成長装置
に関する。
上記気相成長装置は、半導体装置の製造において基板上
に半導体などの成長膜を形成するのに使用されるもので
、具体的には、ＭＯＣＶＤ （有機金属化学気相成長）
装置、ＡＬＥ （原子層エピタキシー）装置、などがあ
る。
に半導体などの成長膜を形成するのに使用されるもので
、具体的には、ＭＯＣＶＤ （有機金属化学気相成長）
装置、ＡＬＥ （原子層エピタキシー）装置、などがあ
る。
そして半導体装置の品質確保の点から、成長膜にダスト
付着が生じないよにすることが望まれている。
付着が生じないよにすることが望まれている。
第５図は気相成長装置の一従来例（チムニ−型）の要部
断面図であり、図中、１は基板、２はサセブタ、３はサ
セプタ２を支える治具、４はリアクタ、５はリアクタ４
へのガス導入口、６はリアクタ４からのガス排気口、で
ある。
断面図であり、図中、１は基板、２はサセブタ、３はサ
セプタ２を支える治具、４はリアクタ、５はリアクタ４
へのガス導入口、６はリアクタ４からのガス排気口、で
ある。
サセプタ２は、基板１を保持し、高周波誘導または内部
ヒータにより昇温して基板ｌを加熱する。
ヒータにより昇温して基板ｌを加熱する。
リアクタ４は、原料ガスが下部のガス導入口５から供給
されて上部のガス排気口６に向かって上方に流れ、内部
にサセプタ２がほぼ水平に配置される。
されて上部のガス排気口６に向かって上方に流れ、内部
にサセプタ２がほぼ水平に配置される。
そして、この原料ガスは、基Ｆｉ１の熱により分解して
基板ｌ上に成長膜を形成する。
基板ｌ上に成長膜を形成する。
しかしながら、上記構成の装置は、基板ｌを加熱するサ
セプタ２が高温になっているので、原料ガスがサセプタ
２の露出表面でも分解してリアクタ４内のダストとなり
、そのダストが、リアクタ４の内壁面など装置の壁面に
付着して装置を汚すだけではなく、重力により落下し再
びガス流により舞上げられて基Ｉｆの表面に付着してい
た。
セプタ２が高温になっているので、原料ガスがサセプタ
２の露出表面でも分解してリアクタ４内のダストとなり
、そのダストが、リアクタ４の内壁面など装置の壁面に
付着して装置を汚すだけではなく、重力により落下し再
びガス流により舞上げられて基Ｉｆの表面に付着してい
た。
この基板ｌへの付着は、製造する半導体装置の品質を劣
化させ、また、装置を汚すことは、装置のメンテナンス
を煩雑にさせるものである。
化させ、また、装置を汚すことは、装置のメンテナンス
を煩雑にさせるものである。
そこで本発明は、原料ガスを流すリアクタ内に配置され
て基板を保持し加熱するサセプタを具え、基板の熱によ
り原料ガスを分解して基板上に成長膜を形成する気相成
長装置において、リアクタ内のダストの発生を減少させ
ることを目的とする。
て基板を保持し加熱するサセプタを具え、基板の熱によ
り原料ガスを分解して基板上に成長膜を形成する気相成
長装置において、リアクタ内のダストの発生を減少させ
ることを目的とする。
上記目的は、サセプタの基板で占める部分以外の表面が
間隙を介在させて遮蔽板で覆われている本発明の気相成
長装置によって達成される。
間隙を介在させて遮蔽板で覆われている本発明の気相成
長装置によって達成される。
〔作 用］
上記断熱体の存在により従来サセプタに触れていた原料
ガスはこの遮蔽板に触れるようになり、上記間隙の存在
により遮蔽板の表面温度がサセプタのそれよりも低くな
ることから、成長膜の形成に寄与しない原料ガスの分解
が抑えられてリアクタ内のダストの発生が少なくなる。
ガスはこの遮蔽板に触れるようになり、上記間隙の存在
により遮蔽板の表面温度がサセプタのそれよりも低くな
ることから、成長膜の形成に寄与しない原料ガスの分解
が抑えられてリアクタ内のダストの発生が少なくなる。
以下本発明の実施例について第１図〜第４図を用いて説
明する。全図を通し同一符号は同一機能対象物を示す。
明する。全図を通し同一符号は同一機能対象物を示す。
第１図は第１実施例の要部断面図であり、この実施例は
、第５図で説明した装置に遮蔽板７を配設したものであ
る。
、第５図で説明した装置に遮蔽板７を配設したものであ
る。
遮蔽板７は、石英ガラスからなり、サセプタ２の基板ｌ
が占める部分以外の表面を間隙を介在させて覆っている
。遮蔽板７の厚さは約１ｍｍであり、サセプタ２との間
の間隙寸法は、サセプタ２の側面で約１ｍｍ、背面で約
５ＩＩＩ−である。サセプタ２前面の基板ｌが占める部
分の周囲は、斜めに削り落とされて遮蔽板７が張り出し
ている。
が占める部分以外の表面を間隙を介在させて覆っている
。遮蔽板７の厚さは約１ｍｍであり、サセプタ２との間
の間隙寸法は、サセプタ２の側面で約１ｍｍ、背面で約
５ＩＩＩ−である。サセプタ２前面の基板ｌが占める部
分の周囲は、斜めに削り落とされて遮蔽板７が張り出し
ている。
この遮蔽板７の存在は、先に述べたように、成長膜の形
成に寄与しない原料ガスの分解を抑えて、リアクタ４内
のダストの発生を減少させる。
成に寄与しない原料ガスの分解を抑えて、リアクタ４内
のダストの発生を減少させる。
このことから、この装置は、基板１表面へのダスト付着
が減少し、また装置の汚れも少なくなってメンテナンス
が簡単になる。
が減少し、また装置の汚れも少なくなってメンテナンス
が簡単になる。
本発明者の確認によれば、ＧａＡｓで厚さ０．５μ鵠の
成長膜形成を繰り返した場合、清掃直後の第５図の従来
例を使用した際に３〜ＩＯ回目から基板１表面のダスト
付着が認められたが、本実施例の使用では少なくとも３
０回以上に渡ってそのダスト付着が認められなかった。
成長膜形成を繰り返した場合、清掃直後の第５図の従来
例を使用した際に３〜ＩＯ回目から基板１表面のダスト
付着が認められたが、本実施例の使用では少なくとも３
０回以上に渡ってそのダスト付着が認められなかった。
第２図は第２実施例の要部断面図であり、この実施例は
、原料ガスが上から下に向かって流れサセプタ４がほぼ
水平に配置される従来の縦型の装置に遮蔽板７を配設し
たものであり、遮蔽板７は上記第１実施例と同様な構成
である。
、原料ガスが上から下に向かって流れサセプタ４がほぼ
水平に配置される従来の縦型の装置に遮蔽板７を配設し
たものであり、遮蔽板７は上記第１実施例と同様な構成
である。
この場合も遮蔽板７の配設により、基Ｆｉ１表面へのダ
スト付着が減少し、また装置の汚れも少なくなってメン
テナンスが簡単になる。
スト付着が減少し、また装置の汚れも少なくなってメン
テナンスが簡単になる。
第３図は第３実施例の要部断面図であり、この実施例は
、原料ガスが横方向に流れサセプタ４がほぼ水平に配置
される横型の装置に遮蔽板７を配設したものである。遮
蔽板７は、サセプタ２との間の間隙寸法をサセプタ２の
側面と背面で同程度にして背面側がリアクタ４に接し、
その他は上記第１実施例と同様な構成である。
、原料ガスが横方向に流れサセプタ４がほぼ水平に配置
される横型の装置に遮蔽板７を配設したものである。遮
蔽板７は、サセプタ２との間の間隙寸法をサセプタ２の
側面と背面で同程度にして背面側がリアクタ４に接し、
その他は上記第１実施例と同様な構成である。
この場合も遮蔽板７の配設により、基板１表面へのダス
ト付着が減少し、また装置の汚れも少なくなってメンテ
ナンスが簡単になる。
ト付着が減少し、また装置の汚れも少なくなってメンテ
ナンスが簡単になる。
第４図は第４実施例の要部断面図であり、この実施例は
、原料ガスが上から下に向かって流れるバレル型の装置
に遮蔽板７を配設したものである。
、原料ガスが上から下に向かって流れるバレル型の装置
に遮蔽板７を配設したものである。
遮蔽板７は、石英ガラスからなり、サセプタ２の基板１
が占める部分以外の表面を適宜な間隙を介在させて覆っ
ている。
が占める部分以外の表面を適宜な間隙を介在させて覆っ
ている。
この場合も遮蔽板７の配設により、基板１表面へのダス
ト付着が減少し、また装置の汚れも少なくなってメンテ
ナンスが簡単になる。
ト付着が減少し、また装置の汚れも少なくなってメンテ
ナンスが簡単になる。
なお、遮蔽板７の材料は、上述では石英ガラスにしたが
、遮蔽板７の機能からして石英ガラスに限定されない。
、遮蔽板７の機能からして石英ガラスに限定されない。
〔発明の効果］
以上説明したように本発明の構成によれば、原料ガスを
流すリアクタ内に配置されて基板を保持し加熱するサセ
プタを具え、基板の熱により原料ガスを分解して基板上
に成長膜を形成する気相成長装置において、リアクタ内
のダストの発生を減少させることができて、基板表面へ
のダスト付着が減少して製造する半導体装置の品質向上
を可能にさせ、また、装置の汚れが少なくなって装置の
メンテナンスを簡単にさせる効果がある。
流すリアクタ内に配置されて基板を保持し加熱するサセ
プタを具え、基板の熱により原料ガスを分解して基板上
に成長膜を形成する気相成長装置において、リアクタ内
のダストの発生を減少させることができて、基板表面へ
のダスト付着が減少して製造する半導体装置の品質向上
を可能にさせ、また、装置の汚れが少なくなって装置の
メンテナンスを簡単にさせる効果がある。
第１図は第１実施例の要部断面図、
第２図は第２実施例の要部断面図、
第３図は第３実施例の要部断面図、
第４図は第４実施例の要部断面図、
第５図は一従来例の要部断面図、
である。
図において、
■は基板、
５はガス導入口、
６はガス排気口、
７は遮蔽板、
である。
）に ノ ｆｆｉ
ｈＬｊ舎ムイムイン１芝ヲシｄＮ五〇図キλ口
脣３図
亭４図
棒５図
Claims (1)
- 原料ガスを流すリアクタ内に配置されて基板を保持し
加熱するサセプタを具え、該サセプタの該基板で占める
部分以外の表面が間隙を介在させて遮蔽板で覆われてい
ることを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12101489A JPH02299224A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12101489A JPH02299224A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02299224A true JPH02299224A (ja) | 1990-12-11 |
Family
ID=14800674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12101489A Pending JPH02299224A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02299224A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016163025A (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置および半導体デバイスの製造方法 |
-
1989
- 1989-05-15 JP JP12101489A patent/JPH02299224A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016163025A (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置および半導体デバイスの製造方法 |
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