JPH0230204B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電荷転送素子（CTD）、例えばBBD
の接続回路に関する。

BBDは一般に第１図に示すように構成される。
図において入力端子１がnpn形のトランジスタ２
のベースに接続され、このトランジスタ２のエミ
ツタが定電流源３を通じて接地され、コレクタが
電源端子４に接続される。このトランジスタ２の
エミツタが逆方向のダイオード５を通じてコンデ
ンサC₀の一端に接続され、このコンデンサC₀を
通じてクロツク端子６に接続される。またコンデ
ンサC₀の一端がnpn形のトランジスタQ₁のエミツ
タに接続され、このトランジスタQ₁のコレクタ
が次段のnpn形のトランジスタQ₂のエミツタに接
続され、以下同様にnpn形のトランジスタQ₂〜Q_o
のコレクタとエミツタとが順次接続される。これ
らのトランジスタQ₁〜Q_o-1のコレクタとベース
との間にそれぞれコンデンサC₁〜C_o-1が接続され
る。なお、コンデンサC₁〜C_o-1の容量値は全てコ
ンデンサC₀に等しく、Ｃとする。さらにサフイ
ツクスが奇数のトランジスタQ₁，Q₃……のベー
スがクロツク端子７を通じてクロツク信号発生回
路８に接続され、サフイツクスが偶数のトランジ
スタQ₂，Q₄……のベースがクロツク端子６を通
じてクロツク信号発生回路８に接続される。

そしてクロツク端子６，７には、それぞれ第２
図Ａ，Ｂに示すように、V_DCとV_DC＋V_Pの電位を
取り、デユーテイー比が50％で、互いに逆極性に
なるクロツク信号φ₁，φ₂が供給される。なお電
圧V_Pは、電源端子４に供給される電源電圧V_CCに
対して、 V_CC＞V_DC＋2V_P とされる。

さらに入力端子１に供給される入力信号の電圧
V_Sが、V_DC＋V_P≦V_S≦V_DC＋2V_Pの範囲とされる。

この装置において、初期状態では、コンデンサ
C₀〜C_o-1はすべて端子電圧がV_Pに充電されてい
る。また入力信号の電圧V_Sを直流成分V_SDCと交
流成分V_SACとに分けると、初期状態では交流成分
V_SACのみ０になつている。

従つて初期状態において、サフイツクスが偶数
のコンデンサC₀，C₂……のホツトエンド側は、
第２図Ｃに示すように、信号φ₁がV_DC＋V_Pの期間
に、一旦V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_Pまで上がつた後にV_SDC になり、信号φ₂がV_DC＋V_Pの期間に、一旦V_SDC−
Ｃ／Ｃ＋C_SV_Pまで下がつた後にV_DC＋V_Pになる。ま たサフイツクスが奇数のコンデンサC₁，C₃……
のホツトエンド側は、第２図Ｄに示すように、信
号φ₁がV_DC＋V_Pの期間に、一旦V_SDC−Ｃ／Ｃ＋C_SV_P まで下がつた後にV_DC＋V_Pになり、信号φ₂がV_DC
＋V_Pの期間に、一旦V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_Pまで上がつ た後にV_SDCになる。但しC_Sは浮遊容量である。

そして入力信号が供給された直後の最初の信号
φ₁がV_DC＋V_Pの期間において、このときの入力信
号の電圧をV_S＝V_S1とするとコンデンサC₀のホツ
トエンド側の電位は一旦V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_Pまで上 がつた後にV_S1になる。すなわちコンデンサC₀は
放電して、｛V_S1−（V_DC＋Ｃ／Ｃ＋C_SV_P）｝Ｃの電荷 を蓄える。このときトランジスタQ₁はオフなの
で、コンデンサC₁，C₂……には変化はない。

次に、続く信号φ₂がV_DC＋V_Pの期間において、
まず信号φ₁の電位がV_DCになるので、コンデンサ
C₀のホツトエンド側の電位はV_S1−（V_DC＋
Ｃ／Ｃ＋C_SV_P）＋V_DC＝V_S1−Ｃ／Ｃ＋C_SV_Pになる。そし てトランジスタQ₁がオンするので、コンデンサ
C₀のホツトエンド側の電位は最終的にトランジ
スタQ₁のベース電位（V_DC＋V_P）まで上昇する。
このときトランジスタQ₁は能動領域で動作して
いるので、コンデンサC₀の充電は、端子７→コ
ンデンサC₁→トランジスタQ₁のコレクタ・エミ
ツタ→コンデンサC₀の経路で行われる。そして
コンデンサC₀のホツトエンド側の電位がV_S1−
Ｃ／Ｃ＋C_SV_PからV_DC＋V_Pに変化するので、コンデ ンサC₁のホツトエンド側からコンデンサC₀のホ
ツトエンド側へ移動される電荷Q_Tは、 Q_T＝｛（V_DC＋V_P）−（V_S1−Ｃ／Ｃ＋C_SV_P）｝（Ｃ＋C_S
）＝（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_S1）（Ｃ＋C_S） で与えられる。これに対してコンデンサC₁及び
浮遊容量C_Sには最初V_P（Ｃ＋C_S）の電荷が蓄えら
れていたので、コンデンサC₁の最終電荷量は、 V_P（Ｃ＋C_S）−（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_S1）（Ｃ＋
C_S）＝｛V_S1−（V_DC＋Ｃ／Ｃ＋C_SV_P）｝（Ｃ＋C_S） とする。すなわち、信号φ₁がV_DC＋V_Pの期間にコ
ンデンサC₀がV_S1−（V_DC＋Ｃ／Ｃ＋C_SV_P）であつた ものが、信号φ₂がV_DC＋V_Pの期間にコンデンサC₁
に移動し、コンデンサC₀はV_DC＋V_Pに戻る。なお
トランジスタQ₂がオフであるので、コンデンサ
C₂，C₃……には変化はない。

さらに、次の信号φ₁がV_DC＋V_Pの期間におい
て、入力信号の電圧がV_S＝V_S2とすると、コンデ
ンサC₀はV_S2−（V_DC＋Ｃ／Ｃ＋C_SV_P）に充電され、 コンデンサC₁はV_DC＋V_Pに戻され、コンデンサC₂
はV_S1−（V_DC＋Ｃ／Ｃ＋C_S）V_P）に充電される。な おトランジスタQ₃がオフなのでコンデンサC₃以
降は変化しない。

以上の動作がくり返されて、信号は図面の左か
ら右へと、信号φ₁，φ₂に同期して移動される。

このようなBBDによるトランスバーサルフイ
ルタを用いて、種々のフイルタ装置を構成するこ
とができる。その場合に、各BBDの間は接続回
路にて接続される。そのような接続回路として、
次のようなものが提案されている。

第３図は非巡回形のトランスバーサルフイルタ
とBBDを接続する場合である。図において、ま
ずトランスバーサルフイルタは次のように構成さ
れる。すなわちBBDのコンデンサC₀，C₁，C₄，
C₅……が分割され、それぞれC₀′，C₀″，C₁′，
C₁″，C₄′，C₄″，C₅′，C₅″……とされると共に、
これらの容量値がそれぞれa₀C、（１−a₀）Ｃ、
a₁C、（１−a₁）Ｃ、a₄C、（１−a₄）Ｃ、a₅C、
（１−a₅）Ｃ……とされる。これらのコンデンサ
C₁′，C₅′……のコールドエンド側が互いに接続さ
れ、コンデンサC₁″，C₅″……のコールドエンド側
が端子７に接続される。またコンデンサC₀′，
C₄′……のコールドエンド側が互いに接続され、
コンデンサC₀″，C₄″……のコールドエンド側が端
子６に接続される。

このトランスバーサルフイルタからの信号が接
続回路９に供給される。

すなわちコンプリメンタリーなトランジスタ１
１，１２のエミツタが互いに接続され、この接続
点が端子１３を通じてコンデンサC₀′，C₄′……の
コールドエンド側の接続点に接続される。さらに
トランジスタ１１，１２のベースが互いに接続さ
れ、この接続点が端子６′を通じて駆動回路８に
接続され、この端子６′には信号φ₁と同位相で、
V_DC−V_BEとV_DC＋V_P＋V_BEの電位を取る信号φ₁′が
供給される。そしてpnp形のトランジスタ１２の
コレクタが接地され、pnp形のトランジスタ１１
のコレクタがカレントミラー回路M₁を構成する
入力側のnpn形のトランジスタ１４のコレクタ及
びベースに接続され、トランジスタ１４のエミツ
タが電源端子４に接続される。このカレントミラ
ー回路M₁を構成する出力側のpnp形のトランジ
スタ１５のベースがトランジスタ１４のベースに
接続され、トランジスタ１５のエミツタが電源端
子４に接続される。

またコンプリメンタリーなトランジスタ１６，
１７のエミツタが互いに接続され、この接続点が
端子１８を通じてコンデンサC₁′，C₅′……のコー
ルドエンド側の接続点に接続される。さらにトラ
ンジスタ１６，１７のベースが互いに接続され、
この接続点が端子７′を通じて駆動回路８に接続
され、この端子７′には信号φ₂と同位相で、V_DC
−V_BEとV_DC＋V_P＋V_BEの電圧を取る信号φ₂′が供
給される。そしてnpn形のトランジスタ１６のコ
レクタが電源端子４に接続され、pnp形のトラン
ジスタ１７のコレクタが、カレントミラー回路
M₂を構成する入力側のnpn形のトランジスタ１
９のコレクタ及びベースに接続され、トランジス
タ１９のエミツタが接地される。このカレントミ
ラー回路M₂を構成する出力側のnpn形のトラン
ジスタ２０のベースがトランジスタ１９のベース
に接続され、トランジスタ２０のエミツタが接地
される。そしてトランジスタ１５，２０のコレク
タが互いに接続され、この接続点が端子２１を通
じて後段のBBDbを構成するコンデンサC_b0のホ
ツトエンド側に接続される。

この回路において、入力信号が供給されていな
いときは、BBDのコンデンサは全ての端子電圧
がＣ／Ｃ＋C_SV_Pになつている。

これに対して入力信号が供給された直後の信号
φ₁がV_DC＋V_Pの期間において、この期間に供給さ
れた信号の電圧をV_S＝V_S1とすると、コンデンサ
C₀′，C₀″の端子電圧が共にＣ／Ｃ＋C_SV_PからV_S1− （V_DC＋V_P）に変化され、この間にコンデンサ
C₀′から a₀CＣ／Ｃ＋C_SV_P−a₀C｛V_S1−（V_DC＋V_P）｝＝a₀C（V_DC
＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_S1） の電荷がトランジスタ１１のコレクタを通じて放
電される。またこのとき浮遊容量C_Sにより、a₀
Ｃ・C_S／Ｃ＋C_SV_Pの電荷が同じくトランジスタ１１を通 じて放電される。さらに１クロツク期間をτ＝
１／f_c：f_cはクロツク周波数として、2τ後の信号φ₁ がV_DC＋V_Pの期間に、コンデンサC₄及び浮遊容量
C_Sが放電され、このときの放電電荷は、 a₄C（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_S1）＋a₄Ｃ・C_S／Ｃ＋C
_SV_P となり、この電荷がトランジスタ１１のコレクタ
を通じて放電される。同様にしてコンデンサ
C₈′……が2τずつ遅延されて放電される。

そしてこれらの全ての放電電荷がトランジスタ
１１を通じて流されるので、トランジスタ１１を
流れる電荷量Q_Pは次のようになる。

Q_P＝（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_S）Ｃ（a₀＋a₄Z^-2＋…
）＋Ｃ・C_S／Ｃ＋C_S（a₀＋a₄＋…）V_P 但し、Z^-1＝e^-S〓 Ｓ＝jω＝2πf： ｆは入力信号の周波数 すなわちトランジスタ１１には、入力信号を０
遅延、2τ遅延……した信号をそれぞれa₀，a₄……
で重み付けし、これらを加算した値に対応する電
荷が流される。そしてこの電荷量Q_Pがトランジ
スタ１４を通じて流されることにより、これと同
等の電荷がトランジスタ１５を通じて流される。

同様にして、信号φ₂がV_DC＋V_Pの期間にコンデ
ンサC₁′，C₅′……からの電荷がトランジスタ１６
を通じて流され、それぞれ次の信号φ₁がV_DC＋V_P
の期間に同じ量の電荷がトランジスタ１７を通じ
て流される。そしてこの電荷量Q_Nは次のように
なる。

Q_N＝（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_S）Ｃ（a₁Z^-1＋a₅Z^-3
＋…）＋Ｃ・C_S／Ｃ＋C_S（a₁＋a₅＋…）V_P この電荷量Q_Nがトランジスタ１９を通じて流
されることにより、これと同等の電荷がトランジ
スタ２０を通じて流される。

このため端子２１にはQ_PとQ_Nの差の電荷が流
され、この端子２１に出力される電荷量Q_OUTは Q_OUT＝Q_N−Q_P ＝（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_S）Ｃ（−a₀＋a₁Z^-1−
a₄Z^-2＋a₅Z^-3…）＋Ｃ・C_S／Ｃ＋C_S（−a₀＋a₁−a₄＋a₅
…）V_P となる。

そしてここでV_S＝V_SAC＋V_SDCとおいてQ_OUTの信
号成分Q_ACを求めると Q_AC＝（−a₀＋a₁Z^-1−a₄Z^-2＋a₅Z^-3＋…）Ｃ・V_SAC となり、入力端子１から端子２１までの伝達関数
H_(Z)は H_(Z)＝Ｃ／Ｃ＋C_S（−a₀＋a₁Z^-1−a₄Z^-2＋a₅Z^-3…） となる。

従つてこの回路において非巡回形のトランスバ
ーサルフイルタが構成され、その信号がBBDbに
供給される。

ところがここでQ_OUTの直流成分Q_DCは、Ｚ＝１
とおいて Q_DC＝（−a₀＋a₁−a₄＋a₅−…）Ｃ（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋
C_SV_P−V_SDC） ＋Ｃ・C_S／Ｃ＋C_S（−a₀＋a₁−a₄＋a₅−…）V_P となる。

一方BBDの中を転送される電荷Q_Tは上述した
ように Q_T＝（Ｃ＋C_S）（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_S） であり、この転送電荷Q_Tの直流成分Q_TDCは Q_TDC＝（Ｃ＋C_S）（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_SDC） になつている。

ここで、BBDの接続を行う場合には、BBDの
ダイナミツクレンジを有効に使うために、各
BBDの直流レベルを一致させる必要がある。

そこで上述の回路において、端子１３あるいは
１８と接地との間に、所定の容量値C_Xのコンデ
ンサ２２を設けて直流レベルを一致させることが
提案された。

すなわち例えば図のように端子１３と接地との
間にコンデンサ２２を設けた場合には、電荷量
Q_Pが Q_P＝（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_S）Ｃ（a₀Z^-1＋a₄Z^-3
＋…）＋｛Ｃ・C_S／Ｃ＋C_S（a₀＋a₄＋…）＋C_X｝V_P となり、出力電荷Q_OUTは Q_OUT＝（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_S）Ｃ（−a₀＋a₁Z^-1
−a₄Z^-2＋a₅Z^-3…） ＋｛Ｃ・C_S／Ｃ＋C_S（−a₀＋a₁−a₄＋a₅−…）−C_X｝
V_P となる。ここで出力電荷Q_OUTの交流成分Q_ACは Q_AC＝（a₀−a₁Z^-1＋a₄Z^-2−a₅Z^-3＋…）Ｃ・V_SAC で、上述と同じであり、また直流成分Q_DCは Q_DC＝（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_SDC）Ｃ（−a₀＋a₁−
a₄＋a₅−…） ＋｛Ｃ・C_S／Ｃ＋C_S（−a₀＋a₁−a₄＋a₅−…）−C_X｝
V_P となる。

そしてこのQ_DCと上述した転送電荷Q_Tの直流成
分Q_TDC （Ｃ＋C_S）（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_SDC） とが一致するようにC_Xの値を定める。

すなわち （V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_SDC）Ｃ（−a₀＋a₁−a₄＋a
₅…） ＋｛Ｃ・C_S／Ｃ＋C_S（−a₀＋a₁−a₄＋a₅…）−C_X｝V_P
＝（Ｃ＋C_S）（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_SDC） とおいて、 C_X＝V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_SDC／V_P｛（−a₀＋a₁−a
₄＋a₅−…） Ｃ−（Ｃ＋C_S）｝Ｃ・C_S／Ｃ＋C_S（−a₀＋a₁−a₄＋a₅
−…） となるようにコンデンサ２２の容量値を定めるこ
とにより、直流レベルを一致させることができ
る。なおC_Xの値が負になるときは端子１３と接
地との間に接続する。

ところがこの回路において、C_Xの値はV_Pと
V_SDCの両方の値によつて決定され、これらのの値
にばらつきや温度ドリフト等の変動があると直流
レベルが一致しなくなるおそれがある。

またC_Xの値は浮遊容量C_Sの値にも影響され、
一般にこのような浮遊容量C_Sのばらつきは大きい
ので、これによつても直流レベルが一致しなくな
るおそれがある。

そしてこのように直流レベルが一致しなくなる
と、ダイナミツクレンジが低下し、波形ひずみ等
の信号劣化を起こしやすくなる。

本発明はこのような点にかんがみ、上述の欠点
を除去し、簡単な構成で直流レベルが一致される
ようにしたものである。以下図面を参照しながら
本発明の一実施例について説明しよう。

第４図は上述と同様、非巡回形のトランスバー
サルフイルタとBBDを接続する場合である。

図において、端子２１がBBDbのコンデンサ
Cb₂のホツトエンド側に接続される。さらに入力
端子１ｂにV_SDCが供給される。またコンデンサ
Cb₀が分割され、Cb₀′，Cb₀″とされると共に、容
量値がb₀C、（１−b₀）Ｃとされる。そして一方
のコンデンサCb₀′のコールドエンド側が端子１３
に接続され、他方のコンデンサCb₀″のコールド
エンド側が端子６に接続される。

この回路において、端子１３にはコンデンサ
C₀′，C₄′……からの電荷と、コンデンサCb₀′から
の直流成分V_SDCに基づく電荷が供給される。すな
わちBBDbは直流電荷を検出するために端子１３
に接続された第１のタツプとこの第１のタツプの
後段に設けられ、且つ信号電荷を抽入するために
端子２１に接続された第２のタツプを有してい
る。従つてQ_P，Q_Nの値は Q_P＝（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_SＣ（a₀＋a₄Z^-2＋…） ＋b₀C（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_S）Ｃ・C_S／Ｃ＋C_S
（b₀＋a₀＋a₄＋…）V_P Q_N＝（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_S）Ｃ（a₁Z^-1＋a₅Z^-3
＋…）＋Ｃ・C_S／Ｃ＋C_S（a₁＋a₅＋…）V_P となる。

そしてコンデンサCb₂以降のBBDbには、この
Q_P、Q_Nと入力端子１ｂからの信号による電荷が
供給され、その値Q_Aは Q_A＝（Ｃ＋C_S）（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_SDC）＋Q_N
−Q_P ＝（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_S）Ｃ（−a₀＋a₁Z^-1−
a₄Z^-2＋a₅Z^-3…） −b₀C（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_PV_SDC）＋Ｃ・C_S／Ｃ＋
C_S（−b₀−a₀ ＋a₁−a₄＋a₅…）V_P＋（Ｃ＋C_S）（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ
＋C_SV_P−V_SDC） となる。ここで電荷Q_Aの交流成分Q_AACは、この
式の第１項から Q_AAC＝（a₀−a₁Z^-1＋a₄Z^-2−a₅Z^-3＋…）Ｃ・V_SAC で、上述の第３図の場合と同じになる。

また直流成分Q_ADCは Q_ADC＝（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_SDC）Ｃ（−b₀−a₀
＋a₁−a₄＋a₅…） ＋Ｃ・C_S／Ｃ＋C_S（−b₀−a₀＋a₁−a₄＋a₅−…）＋（
Ｃ＋C_S）（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_SDC） となり、ここで b₀＋a₀＋a₄＋…＝a₁＋a₅＋… とすれば Q_ADC＝（Ｃ＋C_S）（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_SDC） となり、コンデンサCb₂以降の直流レベルが、
BBDaの直流レベルに一致される。

従つてこの回路において、コンデンサCb₀の分
割の係数b₀を b₀＝−a₀＋a₁−a₄＋a₅… することにより、BBDa，BBDbの直流レベルを
一致させることができる。

そしてこの場合に、b₀の値はV_P、V_SDC等の値
の影響を受けないので、これらの値にばらつきや
温度ドリフト等の変動があつても、直流レベルは
常に一致している。

またb₀の値は浮遊容量C_Sの値も影響されないの
で、C_Sの値が変動しても直流レベルは常に一致さ
れる。

なおb₀の値が負になるときは、コンデンサCb₁
を分割し、その一方のコンデンサCb₁′のコールド
エンド側を端子１８に接続し、他方のコンデンサ
Cb₁″のコールドエンド側を端子７に接続する。
そしてこの場合に、コンデンサCb₀及びトランジ
スタQb₁は取り除いてもよい。

こうしてBBDa，BBDbを流れる信号の直流レ
ベルが一致されるわけであるが、本発明によれ
ば、V_P、V_SDC、C_S等の値の影響を受けないので、
これらの値にばらつきや温度ドリフト等の変動が
あつても、常に直流レベルを一致させることがで
きる。

従つて本発明によればダイナミツクレンジが充
分に確保され、波形ひずみ等の信号劣化のおそれ
がないので、特に大規模なフイルタ装置をIC化
する場合に有効である。

さらに第５図はBBDと巡回形のトランスバー
サルフイルタを接続する場合である。

図において、BBDcの入力端子１ｃに信号V_S
（＝V_SAC＋V_SDC）が供給される。このBBDcの任
意のコンデンサ、例えばCc₂のコールドエンド側
が端子６から切り離され、接続回路９の端子１３
に接続される。またBBDdの入力端子１ｄにV_SDC
が供給される。このBBDdのコンデンサCd₃，
Cd₅……が分割され、それぞれCd₃′，Cd³″，Cd₅′，
Cd₅″……とされると共に、これらの容量値がそ
れぞれd₃C、（１−d₃）Ｃ、d₅C、（１−d₅）Ｃ…
…とされる。これらの分割された一方のコンデン
サCd₃′，Cd₅′……のコールドエンド側が互いに接
続されてこの接続点が端子１８に接続され、他方
のコンデンサCd₃″，Cd₅″……のコールドエンド
側が端子７に接続される。さらにコンデンサCd₀
が分割され、Cd₀′，Cd₀″とされると共に、容量値
がd₀C、（１−d₀）Ｃとされ、一方のコンデンサ
Cd₀′のコールドエンド側が端子１３に接続され、
他方のコンデンサCd₀″のコールドエンド側が端
子６に接続される。

そしてこのコンデンサCd₀の分割の係数d₀が １＋d₀＝d₃＋d₅＋…d₀＝（d₃＋d₅＋…）−１ とされる。

この回路において、BBDcからの信号がBBDd
のコンデンサCd₂のホツトエンド側に供給される
と共に、BBDdのコンデンサCd₃，Cd₅……の信
号が所定の重み付けされてコンデンサCd₂のホツ
トエンド側に帰還される。

そしてこの回路において、コンデンサCd₂のホ
ツトエンド側に供給される電荷Q_Bの交流成分
Q_BACは Q_BAC＝Z^-1・１／１＋b₃Z^-1＋b₅Z^-2＋…Ｃ・（−V_SA
C） となり、ここでコンデンサCc₂から前段へ抽出さ
れる電荷の交流成分Q_BA′_Cは Q_BA′_C＝（Ｃ＋C_S）（−V_SAC） となるので、入力端子１からの伝達関数H_(Z)は H_(Z)＝Z^{-2 1/2}・Ｃ／Ｃ＋C_S・１／１＋b₃Z^-1＋b₅Z^-2
＋… となる。すなわちこの回路において、巡回形のト
ランスバーサルフイルタが構成される。

また電荷Q_Bの直流成分Q_BDCは、上述と同様 Q_BDC＝（Ｃ＋C_S）（V_DC＋2C＋C_S／Ｃ＋C_SV_P−V_SDC） となり、直流レベルは一致している。

なおd₀の値が負になるときは、コンデンサCd₁
を分割し、その一方のコンデンサCd₁′のコールド
エンド側を端子１８に接続し、他方のコンデンサ
Cd₁″のコールドエンド側を端子７に接続する。
そしてこの場合に、コンデンサCd₀及びトランジ
スタQd₁は取り除いてもよい。

こうして本発明によれば、簡単な構成で、直流
レベルを一致させることができ、ダイナミツクレ
ンジが有効に利用されて、波形ひずみ等のおそれ
が無くなる。

なお本発明はBBDに限らずCCDにも適用でき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は従来の装置の説明のための
図、第４図は本発明の一例の接続図、第５図は他
の例の接続図である。 １，１ｂは入力端子、９は接続回路、Ｃ，Cb
はBBDを構成するコンデンサ、Ｑ，QbはBBDを
構成するトランジスタである。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 信号成分と直流成分が供給される第１の電荷
   転送素子と、上記直流成分のみが供給される第１
   のタツプとこの第１のタツプの後段に設けられた
   第２のタツプを有する第２の電荷転送素子とが設
   けられ、上記第１の電荷転送素子からの信号電荷
   と上記第２の電荷転送素子の上記第１のタツプか
   ら検出される直流電荷を合成して上記第２の電荷
   転送素子の上記第２のタツプに抽入し、上記第１
   のタツプから検出される上記直流電荷に基づいて
   直流補正が行われるようにしたことを特徴とする
   電荷転送素子の接続回路。