JPS63195687A - アクテイブマトリツクス基板の端子構造 - Google Patents
アクテイブマトリツクス基板の端子構造Info
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- JPS63195687A JPS63195687A JP62027812A JP2781287A JPS63195687A JP S63195687 A JPS63195687 A JP S63195687A JP 62027812 A JP62027812 A JP 62027812A JP 2781287 A JP2781287 A JP 2781287A JP S63195687 A JPS63195687 A JP S63195687A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＭＩＭ素子をアクティブ素子として用いたア
クティブマトリックス基板の周辺部に形成される外部信
号入力端子の端子構造に関する。
クティブマトリックス基板の周辺部に形成される外部信
号入力端子の端子構造に関する。
アクティブマトリックス基板は、高画質が実現出来るア
クティブマトリックス方式液晶パネルの構成基板であり
、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やダイオードあるいはＭ
ＩＭ素子等を透明基板上にマトリックス状に形成したも
のであるーアクティブ素子としては、ＴＦＴに比べてＭ
ＩＭ素子の方が、構造がシンプルであるため、製造プロ
セスが短かく、高い歩留りが得られるために、コスト的
に有利であると共に、大型画面化にも適している、第１
図に讐工Ｍ素子を用いたアクティブマトリックス基板で
構成したパネルの等価回路図を示す、図中の１は、パネ
ル外形、２は、ＭＩＭ素子を形成したガラス８にＦのＩ
Ｋ頬備半予ネリ−カ六の方向に連結したＭＩＭ素子に駆
動信号を入力する端子である。３は、ＭＩＭ基板と液晶
をはさんで対向するガラス基板上に形成されたストライ
プ状の電極パターンの外部端子であり、通常は工ＴＯ等
の透明導電膜にて形成される。４はＭＩＭ素子、５は液
晶層である。ＭＩＭ素子は、電圧−電流特性が、ダイオ
ード特性に似た特性を持つために、外部端子２及び３に
加わる電圧によって、ある画素には信号が書き込まれた
り、ある画素には信号が書き込まれなかったりする。
クティブマトリックス方式液晶パネルの構成基板であり
、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やダイオードあるいはＭ
ＩＭ素子等を透明基板上にマトリックス状に形成したも
のであるーアクティブ素子としては、ＴＦＴに比べてＭ
ＩＭ素子の方が、構造がシンプルであるため、製造プロ
セスが短かく、高い歩留りが得られるために、コスト的
に有利であると共に、大型画面化にも適している、第１
図に讐工Ｍ素子を用いたアクティブマトリックス基板で
構成したパネルの等価回路図を示す、図中の１は、パネ
ル外形、２は、ＭＩＭ素子を形成したガラス８にＦのＩ
Ｋ頬備半予ネリ−カ六の方向に連結したＭＩＭ素子に駆
動信号を入力する端子である。３は、ＭＩＭ基板と液晶
をはさんで対向するガラス基板上に形成されたストライ
プ状の電極パターンの外部端子であり、通常は工ＴＯ等
の透明導電膜にて形成される。４はＭＩＭ素子、５は液
晶層である。ＭＩＭ素子は、電圧−電流特性が、ダイオ
ード特性に似た特性を持つために、外部端子２及び３に
加わる電圧によって、ある画素には信号が書き込まれた
り、ある画素には信号が書き込まれなかったりする。
第２図は、ＭＩＭ基板のパターン図である。
図中の６はガラス基板、７は第一の金属膜から成るパタ
ーン、８は第二の金属膜から成るパターンである。９は
、工ＴＯ等の透明電極から成るパターンであり、画素の
液晶駆動電極となる。に−の金属のパターンと、第二の
金ｉｓのパターンとの交点１０が、ＭＩＭ素子となる。
ーン、８は第二の金属膜から成るパターンである。９は
、工ＴＯ等の透明電極から成るパターンであり、画素の
液晶駆動電極となる。に−の金属のパターンと、第二の
金ｉｓのパターンとの交点１０が、ＭＩＭ素子となる。
ＭＩＭ素子基板の製造工程を簡単に説明すると、次の様
である。
である。
まずガラス基板６０表面に、Ｔａ薄膜を形成しパターニ
ングする、Ｃ図中の７及び１１）、その後Ｔａパターン
の表面を陽極酸化して、ＴＩＬ酸化膜を形成する０次に
Ｏｒ薄膜を形成後、所定のパターンにパターニングする
、（図中の８）０次に液晶駆動電極となる工ＴＯ薄膜を
形成後、パターニングすると、第２図に示すパターンで
ＭＩＭ素子がマトリックス状に形成出来る０図中の１１
部分は、ＭＩＭ素子を行方向に接読した外部端子部であ
るが、この部分のＴａ表面のＴａ１ｊｆｉ化膜は、前記
のプロセスの任意の工程にて、エツチング除去し、’ｒ
ａ金属表面を露出させておく０図中の１２は、端子上の
Ｔａ酸化膜を除去する際のパターンである。
ングする、Ｃ図中の７及び１１）、その後Ｔａパターン
の表面を陽極酸化して、ＴＩＬ酸化膜を形成する０次に
Ｏｒ薄膜を形成後、所定のパターンにパターニングする
、（図中の８）０次に液晶駆動電極となる工ＴＯ薄膜を
形成後、パターニングすると、第２図に示すパターンで
ＭＩＭ素子がマトリックス状に形成出来る０図中の１１
部分は、ＭＩＭ素子を行方向に接読した外部端子部であ
るが、この部分のＴａ表面のＴａ１ｊｆｉ化膜は、前記
のプロセスの任意の工程にて、エツチング除去し、’ｒ
ａ金属表面を露出させておく０図中の１２は、端子上の
Ｔａ酸化膜を除去する際のパターンである。
第３図は、このＭＩＭパネル端子部１１に外部信号を入
力する際のパネル周辺実装構造の断面図である０図中の
６は、ガラス基板、１３はＴａ薄膜パターン、１４はＴ
＆醗化膜である。この実装は一例として、異方性導電シ
ート１７を用いた実装方式にて説明する１図中の１５は
ポリイミドテープ等の７レキシプルテープであり、１６
は該テープ上のリード線である。リード線と、ＭＩＭ基
板上のＴａ端子部とは、その間に異方性導電シート１７
をはさんで加熱圧着することにより導通がとれる様にな
る。この実装方式は、構造的にシンプルであり、信頼性
が十分確保出来ると予想されたが、信頼性上の大きな問
題が生じた。
力する際のパネル周辺実装構造の断面図である０図中の
６は、ガラス基板、１３はＴａ薄膜パターン、１４はＴ
＆醗化膜である。この実装は一例として、異方性導電シ
ート１７を用いた実装方式にて説明する１図中の１５は
ポリイミドテープ等の７レキシプルテープであり、１６
は該テープ上のリード線である。リード線と、ＭＩＭ基
板上のＴａ端子部とは、その間に異方性導電シート１７
をはさんで加熱圧着することにより導通がとれる様にな
る。この実装方式は、構造的にシンプルであり、信頼性
が十分確保出来ると予想されたが、信頼性上の大きな問
題が生じた。
すなわち、第３図Ｃｂ）の実装構造において、高温動作
もしくは、耐湿試験等を実施すると、リード線１６とＴ
ａ端子間の抵抗が増大し、ある時間以降では、耐圧を持
つてしまうという点であった、この現象は、雰囲気中の
酸素が、異方性導電膜中を拡散し、７６表面にてＩｌｌ
、原子と結合して簿−酸化被膜を作るためと考えられる
１本発明は、この様な致命的な問題を解決するた・めに
発明されたものである。
もしくは、耐湿試験等を実施すると、リード線１６とＴ
ａ端子間の抵抗が増大し、ある時間以降では、耐圧を持
つてしまうという点であった、この現象は、雰囲気中の
酸素が、異方性導電膜中を拡散し、７６表面にてＩｌｌ
、原子と結合して簿−酸化被膜を作るためと考えられる
１本発明は、この様な致命的な問題を解決するた・めに
発明されたものである。
この問題は、前記した如く、試験３［気中の酸専屑ヱ為
２に十編増−Ｐａ ＋ Ｊ １山φ−赫起１−鋼−表
面でＴａ酸化膜を形成するために生じる現象であるから
、Ｔａの金目表面を何らかの酸化に対して強い被膜でお
おう必要がある。金の薄膜等を用いることも考えられる
が、プロセスが長くなるため、・メリッシは少ない０本
ＭＩＭ基板においては前述した如く、液晶駆動電極とし
て工ＴＯ薄膜を用いているため、同一プロセスで形成出
来る工ＴＯＡＩ膜でＴａ金属表面をおおう構造を検討し
た。
２に十編増−Ｐａ ＋ Ｊ １山φ−赫起１−鋼−表
面でＴａ酸化膜を形成するために生じる現象であるから
、Ｔａの金目表面を何らかの酸化に対して強い被膜でお
おう必要がある。金の薄膜等を用いることも考えられる
が、プロセスが長くなるため、・メリッシは少ない０本
ＭＩＭ基板においては前述した如く、液晶駆動電極とし
て工ＴＯ薄膜を用いているため、同一プロセスで形成出
来る工ＴＯＡＩ膜でＴａ金属表面をおおう構造を検討し
た。
第４図は、本発明によるアクティブマトリックス基板の
端子構造のパターンを説明するパターン図である０図中
の１８は、液晶駆動ｉ！電極パターン同一プロセスで形
成されたｘ′ｒＯパターンでありＴａ端子上に２層状態
で形成されている。
端子構造のパターンを説明するパターン図である０図中
の１８は、液晶駆動ｉ！電極パターン同一プロセスで形
成されたｘ′ｒＯパターンでありＴａ端子上に２層状態
で形成されている。
第５図に断、面図を示す、第５図（α）中の６はガラス
基板、１３はＴａから成る端子部、１４はＴａ酸化膜で
ある。端子部の′！′ａ酸化膜を除去した上に図中の１
８で示す工ＴＯ薄膜を形成し、端一１４堪／Ａ）−１，
１−Ｔ’Ｆｎ／Ｔ’＊増”！、”５）−１−す−、＝ｙ
ｉｍ造を採用したパネル実装構造を第５図Ｃｂ）に示す
、この構造を従来と同様の高温動作及び耐湿度試験等で
、接続部の接触抵抗の変化を調べた結果、はとんど実用
上問題ないレベルでありた。
基板、１３はＴａから成る端子部、１４はＴａ酸化膜で
ある。端子部の′！′ａ酸化膜を除去した上に図中の１
８で示す工ＴＯ薄膜を形成し、端一１４堪／Ａ）−１，
１−Ｔ’Ｆｎ／Ｔ’＊増”！、”５）−１−す−、＝ｙ
ｉｍ造を採用したパネル実装構造を第５図Ｃｂ）に示す
、この構造を従来と同様の高温動作及び耐湿度試験等で
、接続部の接触抵抗の変化を調べた結果、はとんど実用
上問題ないレベルでありた。
第６図は、接触抵抗の経時変化の一例を示した図である
。６０℃９０％の耐湿度試験での結果である。縦軸は接
触抵抗の初期値を１として、時間毎の変化を記入しであ
る。端子がＴａのみのものは、徐々に抵抗が増加し、２
０〜１００１１［後で数ＶＩＱ度の耐圧をもつのに対し
、端子が工Ｔ Ｏ／ Ｔａの２層構造のものは、はとん
ど抵抗の変化がない。
。６０℃９０％の耐湿度試験での結果である。縦軸は接
触抵抗の初期値を１として、時間毎の変化を記入しであ
る。端子がＴａのみのものは、徐々に抵抗が増加し、２
０〜１００１１［後で数ＶＩＱ度の耐圧をもつのに対し
、端子が工Ｔ Ｏ／ Ｔａの２層構造のものは、はとん
ど抵抗の変化がない。
本発明は以上説明した如く、透明基板主に、ＭＩＭ素子
をマトリックス状に形成したアクティブパネル用のアク
ティブマトリックス基板の端子構造として、行あるいは
列方向に結ばれたＭＩＭ素子の金ｍ膜上に、液晶駆動電
極用の透明導電膜を重ね合わせた二層構造を採用するこ
とにより、非常に信頼性の高い実装方式を確立出来たこ
とを特徴とするものであり、文工Ｍ素子を用いたものは
もちろんであるが、それ以外のアクティブマトリックス
素子の場合においても適用出来る端子構造を提供するも
のである０本発明は、工Ｔ Ｏ／ Ｔ ａの端子構造に
ついて説明したが、Ｔａ以外の金目でも適用出来ること
は言うに及ばない。
をマトリックス状に形成したアクティブパネル用のアク
ティブマトリックス基板の端子構造として、行あるいは
列方向に結ばれたＭＩＭ素子の金ｍ膜上に、液晶駆動電
極用の透明導電膜を重ね合わせた二層構造を採用するこ
とにより、非常に信頼性の高い実装方式を確立出来たこ
とを特徴とするものであり、文工Ｍ素子を用いたものは
もちろんであるが、それ以外のアクティブマトリックス
素子の場合においても適用出来る端子構造を提供するも
のである０本発明は、工Ｔ Ｏ／ Ｔ ａの端子構造に
ついて説明したが、Ｔａ以外の金目でも適用出来ること
は言うに及ばない。
また実施例は、異方性導電膜を用いた実装方法について
説明したが、Ｔａ端子表面の酸化が問題となる他の実装
方式におりても、本発明による二層構造端子は、大変有
効である。
説明したが、Ｔａ端子表面の酸化が問題となる他の実装
方式におりても、本発明による二層構造端子は、大変有
効である。
第１図は、非線形素子ＭＩＭを用いたアクティブマトリ
ックスパネルの等価回路図、第２図は、Ｍ工Ｖアクティ
ブマトリックス基板のパターン図、第３図は、従来のＭ
ＩＭパネルの周辺端子の実装構造図。第４図は、本発明
による工Ｔ Ｏ／ Ｔ ａ２層構造パターンの説明図、
第５図は本発明によるアクティブマトリックス基板の端
子構造を採用した実装構造図、第６図は、従来の端子構
造と、本発明の端子構造の接触抵抗の経時変化を比較し
たデータ図。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 （ｂ） １４図 （ａ） （ｂ） 第５図
ックスパネルの等価回路図、第２図は、Ｍ工Ｖアクティ
ブマトリックス基板のパターン図、第３図は、従来のＭ
ＩＭパネルの周辺端子の実装構造図。第４図は、本発明
による工Ｔ Ｏ／ Ｔ ａ２層構造パターンの説明図、
第５図は本発明によるアクティブマトリックス基板の端
子構造を採用した実装構造図、第６図は、従来の端子構
造と、本発明の端子構造の接触抵抗の経時変化を比較し
たデータ図。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 （ｂ） １４図 （ａ） （ｂ） 第５図
Claims (2)
- （１）透明基板上に、ＭＩＭ（金属膜−絶縁膜−金属膜
）素子と、一方の該金属膜に接続された透明駆動電極と
からなる画素回路がマトリックス状に形成され、他方の
該金属膜が行あるいは列方向に互いに結ばれたアクティ
ブマトリックス基板の端子構造として、行あるいは列方
向に互いに結ばれた金属膜の終端部の上に、該透明駆動
電極用の薄膜が形成された２層構造であることを特徴と
するアクティブマトリックス基板の端子構造。 - （２）端子構造として、Ｔａ（タンタル）膜の上にＩＴ
Ｏ（インジウム−スズ酸化物）膜が形成された２層構造
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のア
クティブマトリックス基板の端子構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62027812A JPS63195687A (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | アクテイブマトリツクス基板の端子構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62027812A JPS63195687A (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | アクテイブマトリツクス基板の端子構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63195687A true JPS63195687A (ja) | 1988-08-12 |
Family
ID=12231384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62027812A Pending JPS63195687A (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | アクテイブマトリツクス基板の端子構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63195687A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63296021A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-02 | Canon Inc | 液晶表示パネル基板，液晶表示パネルおよびその製造方法 |
| JPS6447084U (ja) * | 1987-09-16 | 1989-03-23 | ||
| JPH02149920U (ja) * | 1989-05-25 | 1990-12-21 | ||
| JPH0457883U (ja) * | 1990-09-20 | 1992-05-18 | ||
| WO1996014599A1 (en) * | 1994-11-08 | 1996-05-17 | Citizen Watch Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| US5608559A (en) * | 1993-12-07 | 1997-03-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display board having wiring with three-layered structure and a display device including the display board |
| WO2010058738A1 (ja) * | 2008-11-21 | 2010-05-27 | シャープ株式会社 | 表示パネル用の基板、表示パネル |
| JP2011248696A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Kyocera Corp | 入力装置、およびこれを備えた表示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60161686A (ja) * | 1984-02-02 | 1985-08-23 | Seiko Epson Corp | 薄膜非線形素子の製造方法 |
-
1987
- 1987-02-09 JP JP62027812A patent/JPS63195687A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60161686A (ja) * | 1984-02-02 | 1985-08-23 | Seiko Epson Corp | 薄膜非線形素子の製造方法 |
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| WO1996014599A1 (en) * | 1994-11-08 | 1996-05-17 | Citizen Watch Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| US6327443B1 (en) | 1994-11-08 | 2001-12-04 | Citizen Watch Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US6388720B1 (en) | 1994-11-08 | 2002-05-14 | Citizen Watch Co., Ltd. | Liquid crystal display including signal electrodes connected to each other by first anode oxide electrode and auxiliary electrode connected to second anode oxide electrode |
| WO2010058738A1 (ja) * | 2008-11-21 | 2010-05-27 | シャープ株式会社 | 表示パネル用の基板、表示パネル |
| CN102224536A (zh) * | 2008-11-21 | 2011-10-19 | 夏普株式会社 | 显示面板用基板、显示面板 |
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| JP2011248696A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Kyocera Corp | 入力装置、およびこれを備えた表示装置 |
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