JPH02304572A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規なトリスアゾ化合物を含有する電子写真
感光層を有することを特徴とした電子写真感光体に関す
るものである。
感光層を有することを特徴とした電子写真感光体に関す
るものである。
従来、電子写真感光体に用いられる光導電組成物として
は、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛、アモルファス
シリコンなどの゛無i物賞がよく知られている。これら
の無機物質は、良好なる電子写真特性即ち、極めて良好
な光導電性と暗所での電荷受容性及び絶縁性を備えてい
るという長所を持つ、しかしその反面、様々な欠点があ
る0例えば、セレン感光体は製造コストが高く、可撓性
がなく、熱や機械的衝撃に弱いなどの欠点を持つ、硫化
カドミウム感光体は、材料にカドミウムという有毒物質
を用いているため公害性に問題がある。酸化亜鉛は、長
期間繰り返し使用した場合、画像の安定性に難点がある
。さらにアモルファスシリコン感光体は、製造コストが
極めて高く、感光体表面の劣化を防止するために特殊な
表面処理を要する等の欠点を持つ。
は、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛、アモルファス
シリコンなどの゛無i物賞がよく知られている。これら
の無機物質は、良好なる電子写真特性即ち、極めて良好
な光導電性と暗所での電荷受容性及び絶縁性を備えてい
るという長所を持つ、しかしその反面、様々な欠点があ
る0例えば、セレン感光体は製造コストが高く、可撓性
がなく、熱や機械的衝撃に弱いなどの欠点を持つ、硫化
カドミウム感光体は、材料にカドミウムという有毒物質
を用いているため公害性に問題がある。酸化亜鉛は、長
期間繰り返し使用した場合、画像の安定性に難点がある
。さらにアモルファスシリコン感光体は、製造コストが
極めて高く、感光体表面の劣化を防止するために特殊な
表面処理を要する等の欠点を持つ。
近年、これら無機物質の欠点を排除するためにいろいろ
の有機物質を用いた電子写真感光体が提案され、実用に
供されているものもある。たとえば、ポリ−N−ビニル
カルバゾールと2. 4. 7−ドリニトロフルオレノ
ンー9−オンとからなる電子写真感光体(米国特許3,
484,237)ポリ N−ビニルカルバゾールをピリ
リウム塩系色素で増感したもの(特公昭48−2565
8>。
の有機物質を用いた電子写真感光体が提案され、実用に
供されているものもある。たとえば、ポリ−N−ビニル
カルバゾールと2. 4. 7−ドリニトロフルオレノ
ンー9−オンとからなる電子写真感光体(米国特許3,
484,237)ポリ N−ビニルカルバゾールをピリ
リウム塩系色素で増感したもの(特公昭48−2565
8>。
染料と樹脂とからなる共晶錯体を主成分とする電子写真
感光体(特開昭47−10,735)などである。
感光体(特開昭47−10,735)などである。
また、ペリレン顔料(米国特許第3,371゜884号
等)、フタロシアニン顔料(米国特許第3.397.0
86号、第4,666.802号等)、アズレニウム塩
系顔料(特開昭59−53850.61−212,54
2等)スクアリウム塩基顔料(米国特許第4,396,
610号、第4.644,082号等)、多環キノン系
顔料(特開昭59−184,348.62−28,73
8等)等の有Ja顔料や、次に示すようなアゾ顔料を主
成分とする電子写真感光体も最近活発に研究が行われ、
数多くの提案がなされている。
等)、フタロシアニン顔料(米国特許第3.397.0
86号、第4,666.802号等)、アズレニウム塩
系顔料(特開昭59−53850.61−212,54
2等)スクアリウム塩基顔料(米国特許第4,396,
610号、第4.644,082号等)、多環キノン系
顔料(特開昭59−184,348.62−28,73
8等)等の有Ja顔料や、次に示すようなアゾ顔料を主
成分とする電子写真感光体も最近活発に研究が行われ、
数多くの提案がなされている。
(ビスアゾ系顔料)
特開昭47−37,543、特公昭60−5゜9411
特公昭60−45,664、特開昭56、 −116
,039、特開昭58−123,541、特開昭61−
260,250、特開昭61−228.453、特開昭
61−275,849、特開昭61−275,850 (トリスアゾ系IF4) 米国特許第4,436,800号、同第4,439.5
06号、特開昭53−132,347、特開昭55−6
9.148.特開昭57−195゜767、特開昭57
−200,045、特開昭57−204,556、特開
昭58−31,340、特開昭58−31,341.特
開昭58−154゜560、特開昭58−160,35
8、特開昭58−160.359、特開昭59−127
.044、特開昭59−196.366、特開昭59−
204.046、特開昭59−204,841、特開昭
59−218./、54、特開昭60−111.249
、特開昭60−111,250.特開昭61−11.7
54、特開昭61−22,346、特開昭61−15,
451.特開昭61−67.865、特開昭61−12
1,059、特開昭61−163.969、特開昭61
−179゜746、特開昭61−230,157、特開
昭61−251.1162、特開昭61−251,86
5、特開昭61−269.164、特開昭62−21.
157.特開昭62−78,563.特開昭62−11
5.452 (テトラキスアゾ系顔料) 米国特許第4,447,513号、特開昭60−108
,857、特開昭60−108,858、特開昭60−
111,247、特開昭60−111.248、特開昭
60−118.843、特開昭60−176.046、
特開昭61−103゜157、特開昭61−117,5
59、特開昭61−182,051、特開昭61−19
4,447、特開昭61−196,253、特開昭61
−212.848、特開昭61−240.246、特開
昭61−273,548、特開昭61−284.769
、特開昭62−18,565、特開昭62−18,56
6、特開昭62〜19,875一方近年では、小型、低
価格の半導体レーザー(780nm〜830 nmに発
振波長を持つ)が実用化され、それを光源とした電子写
真システムに用いる近赤外で高感度な感光体が開示され
ている。
特公昭60−45,664、特開昭56、 −116
,039、特開昭58−123,541、特開昭61−
260,250、特開昭61−228.453、特開昭
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9.148.特開昭57−195゜767、特開昭57
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54、特開昭61−22,346、特開昭61−15,
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−179゜746、特開昭61−230,157、特開
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157.特開昭62−78,563.特開昭62−11
5.452 (テトラキスアゾ系顔料) 米国特許第4,447,513号、特開昭60−108
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特開昭61−103゜157、特開昭61−117,5
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4,447、特開昭61−196,253、特開昭61
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昭61−273,548、特開昭61−284.769
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6、特開昭62〜19,875一方近年では、小型、低
価格の半導体レーザー(780nm〜830 nmに発
振波長を持つ)が実用化され、それを光源とした電子写
真システムに用いる近赤外で高感度な感光体が開示され
ている。
これらの電子写真感光体は、前記無機電子写真感光体の
a械的特性及び可撓性もある程度まで改善したものの、
概して光感度が低くまた、多数回の繰り返し使用に適さ
ない場合があり、電子写真感光体として要求を必ずしも
十分満足するものではなかった。また、半導体レーザー
用の感光体としても種々開発されてはいるが、感度、繰
り返し特性等の点で、必ずしも十分なものではなく、更
に改良することが望まれていた。
a械的特性及び可撓性もある程度まで改善したものの、
概して光感度が低くまた、多数回の繰り返し使用に適さ
ない場合があり、電子写真感光体として要求を必ずしも
十分満足するものではなかった。また、半導体レーザー
用の感光体としても種々開発されてはいるが、感度、繰
り返し特性等の点で、必ずしも十分なものではなく、更
に改良することが望まれていた。
本発明の目的は、高感度で高耐久性を有する新規な電子
写真感光体を提案することである。また、発明の他の目
的は、繰り返し使用しても光感度の低下の少ない新規な
電子写真感光体を提供することである。さらに他の目的
は、半導体レーザー光源に適応した感光体を提供するこ
とである。
写真感光体を提案することである。また、発明の他の目
的は、繰り返し使用しても光感度の低下の少ない新規な
電子写真感光体を提供することである。さらに他の目的
は、半導体レーザー光源に適応した感光体を提供するこ
とである。
〔課題を解決するための手段]
本発明は、導電性支持体上に、電荷担体輸送化合物及び
電荷担体発生化合物を含有した層より成るか、また4声
電荷担体輸送化合物含有層及び、電荷発生化合物含有層
より成る電子写真感光体において、電荷担体発生化合物
として下記の一般式〔1〕で表されるトリスアゾ化合物
を含有することを特徴とする電子写真感光体に関するも
のである。
電荷担体発生化合物を含有した層より成るか、また4声
電荷担体輸送化合物含有層及び、電荷発生化合物含有層
より成る電子写真感光体において、電荷担体発生化合物
として下記の一般式〔1〕で表されるトリスアゾ化合物
を含有することを特徴とする電子写真感光体に関するも
のである。
一般式〔1〕
%式%
一般式〔1〕において、Ar’ 、Ar” 、Ar”
。
。
Ar’及びAr’はアリーレン基、2価の縮合多環式芳
香族または2価の複素芳香環基を表す。
香族または2価の複素芳香環基を表す。
Cp’はカプラー残基を表す。
一般式〔1〕で表されるトリスアゾ化合物についてさら
に詳しく説明する。
に詳しく説明する。
Ar’ 、Ar” 、 Ar3.fi、r’及びAr5
としては、例えばフェニレン、ナフタジン、アントリレ
ン、ビフェニレン、ターフェニレン等のようなアリーレ
ン基、インデン、フルオレン、アセナフテン、ペリレン
、フルオレノン、アントロン、アントラキノン、ベンゾ
アントロン、イソクマリン等の縮合多環式芳香環より導
いた2価の基、ピリジン、キノリン、オキサゾール、チ
アゾール、オキサジアゾール、ベンゾオキサゾール、ペ
ンゾイミダソ゛−ル、ベンツ゛チ7ソ゛−ル、ベンゾオ
キサゾール、ジベンゾフラン、カルバゾール、キサンチ
ン等の複素芳香環より導いた2価の基が挙げられる。
としては、例えばフェニレン、ナフタジン、アントリレ
ン、ビフェニレン、ターフェニレン等のようなアリーレ
ン基、インデン、フルオレン、アセナフテン、ペリレン
、フルオレノン、アントロン、アントラキノン、ベンゾ
アントロン、イソクマリン等の縮合多環式芳香環より導
いた2価の基、ピリジン、キノリン、オキサゾール、チ
アゾール、オキサジアゾール、ベンゾオキサゾール、ペ
ンゾイミダソ゛−ル、ベンツ゛チ7ソ゛−ル、ベンゾオ
キサゾール、ジベンゾフラン、カルバゾール、キサンチ
ン等の複素芳香環より導いた2価の基が挙げられる。
Ar’ r Ar”、Ar”、Ar’及びArSが置換
基を有する場合、その置換基としては、炭素数1−18
のアルキル基、炭素数1−18のアルコキシ基、炭素数
1〜18のアルキル基を2個有するジアルキルアミノ基
、炭素数1−18のアシル槙、炭素数i〜18のアシル
オキシ基、炭素数1〜!8のアミド基、炭素数6〜15
のアリール基、炭素数6〜15の7リールオキシ基、ハ
ロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ニトロ基
、シアノ基、トリフルオロメチル基等をあげることがで
きる。
基を有する場合、その置換基としては、炭素数1−18
のアルキル基、炭素数1−18のアルコキシ基、炭素数
1〜18のアルキル基を2個有するジアルキルアミノ基
、炭素数1−18のアシル槙、炭素数i〜18のアシル
オキシ基、炭素数1〜!8のアミド基、炭素数6〜15
のアリール基、炭素数6〜15の7リールオキシ基、ハ
ロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ニトロ基
、シアノ基、トリフルオロメチル基等をあげることがで
きる。
Cp′は、ジアゾニウム塩と反応する公知のカプラー残
基を表し、電子写真感光体の電荷発生化合物として用い
られるアゾ化合物の公知のカプラー残基が好ましい、こ
のうち特に、Cpとしては、以下の債造式で示されるカ
プラー残基が好ましい。
基を表し、電子写真感光体の電荷発生化合物として用い
られるアゾ化合物の公知のカプラー残基が好ましい、こ
のうち特に、Cpとしては、以下の債造式で示されるカ
プラー残基が好ましい。
RI RI
R’0
上記Cp′の一般式中のXは、ヒドロキシ基とYとが結
合しているベンゼン環と縮合して、ナフクレン環、アン
トラセン環などの芳香族環または、インドール環、カル
バゾール環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾフラン環
、などの複素環を形成するのに必要な原子団を表す。
合しているベンゼン環と縮合して、ナフクレン環、アン
トラセン環などの芳香族環または、インドール環、カル
バゾール環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾフラン環
、などの複素環を形成するのに必要な原子団を表す。
Xが置換基を有する芳香族環または複素環系の場合、置
換基としてはハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子等)、炭素数l〜18のアルキル基(例
えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ド
デシル基、オクタデシル基、イソプロピル基、イソブチ
ル基等)、トリフルオロメチル基、ニトロ基、アミノ基
、シアノ基、炭素数1〜8のアルコキシ基(例えばメト
キシ基、エトキシ基、ブトキシ基等)等があげられ、置
換基の個数及び置換位置は任意である。
換基としてはハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子等)、炭素数l〜18のアルキル基(例
えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ド
デシル基、オクタデシル基、イソプロピル基、イソブチ
ル基等)、トリフルオロメチル基、ニトロ基、アミノ基
、シアノ基、炭素数1〜8のアルコキシ基(例えばメト
キシ基、エトキシ基、ブトキシ基等)等があげられ、置
換基の個数及び置換位置は任意である。
Yは−CONR’R’ 、−CONHN=CR3R’−
COOR3または置換基を有しても良い複素5Q環また
は複素6環を表す。
COOR3または置換基を有しても良い複素5Q環また
は複素6環を表す。
R1は炭素数1〜18のアルキル基またはアリール基を
表す。
表す。
R1が無置換のアルキル基の場合、その具体例としてメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基
、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、イソア
ミル基、イソヘキシル基、ネオペンチル基、tert−
ブチル基等をあげることができる。
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基
、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、イソア
ミル基、イソヘキシル基、ネオペンチル基、tert−
ブチル基等をあげることができる。
R1が置換アルキル基の場合、置換基としてはヒドロキ
シ基、炭素数1−18のアルコキシ基、シアノ基、アミ
ノ基、炭素数1〜18のアルキルアミノ基、炭素数1−
18のアルキル基を2個有するジアルキルアミノ基、ハ
ロゲン原子、炭素数6〜15のアリール基等がある。そ
の例として、ヒドロキシアルキル基(例えば、ヒドロキ
シメチル基、2−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシ
プロピル基、2−ヒドロキシプロピル基等)、アルコキ
シアルキル基(例えば、メトキシメチル基、2−メトキ
シメチル基、3−メトキシプロピル基、エトキシメチル
基、2−エトキシエチル基等)、シアノアルキル基(例
えば、シアノメチル基、2−シアノエチル基等)、アミ
ノアルキル基(例えば、アミノメチル基、2−アミノエ
チル基、3−アミノプロピル基等)、(アルキルアミノ
)アルキル基(例えば、(メチルアミノ)メチル基、2
−(メチルアミノ)エチル基、(エチルアミノ)メチル
基等)、(ジアルキルアミノ)アルキル基(例えば、(
ジメチルアミノ)メチル基、2−(ジメチルアミノ)エ
チル基等)、ハロゲノアルキル基(例えば、フルオロメ
チル基、トリフルオロメチル基、クロロメチル基等)、
アラルキル基(例えば、ベンジル基、フェネチル基等)
をあげることができる。
シ基、炭素数1−18のアルコキシ基、シアノ基、アミ
ノ基、炭素数1〜18のアルキルアミノ基、炭素数1−
18のアルキル基を2個有するジアルキルアミノ基、ハ
ロゲン原子、炭素数6〜15のアリール基等がある。そ
の例として、ヒドロキシアルキル基(例えば、ヒドロキ
シメチル基、2−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシ
プロピル基、2−ヒドロキシプロピル基等)、アルコキ
シアルキル基(例えば、メトキシメチル基、2−メトキ
シメチル基、3−メトキシプロピル基、エトキシメチル
基、2−エトキシエチル基等)、シアノアルキル基(例
えば、シアノメチル基、2−シアノエチル基等)、アミ
ノアルキル基(例えば、アミノメチル基、2−アミノエ
チル基、3−アミノプロピル基等)、(アルキルアミノ
)アルキル基(例えば、(メチルアミノ)メチル基、2
−(メチルアミノ)エチル基、(エチルアミノ)メチル
基等)、(ジアルキルアミノ)アルキル基(例えば、(
ジメチルアミノ)メチル基、2−(ジメチルアミノ)エ
チル基等)、ハロゲノアルキル基(例えば、フルオロメ
チル基、トリフルオロメチル基、クロロメチル基等)、
アラルキル基(例えば、ベンジル基、フェネチル基等)
をあげることができる。
R1が無置換アリール基の場合、その具体例としてフェ
ニル基、ナフチル基、アントリル基等をあげることがで
きる。
ニル基、ナフチル基、アントリル基等をあげることがで
きる。
R1が置換アリール基の場合、置換基としてはヒドロキ
シ基、炭素数1〜18のアルコキシ基、シアノ基、アミ
ノ基、炭素数l〜18のアルキルアミノ基、炭素数1−
18のアルキル基を2個有するジアルキルアミノ基、炭
素数6〜18のアリールアゾ基、ハロゲン原子、炭素数
1−18のアルキル基、ニトロ基、トリフルオロメチル
基等がある。その例として、ヒドロキシフェニル基、ア
ルコキシフェニル基(例えば、メトキシフェニル基、エ
トキシフェニル基等)、シアノフェニル基、アミノフェ
ニル基、(アルキルアミノ)フェニル基(例えば、(メ
チルアミノ)フェニル基、(エチルアミノ)フェニル基
等)、(ジアルキルアミノ)フェニル基(例えば、(ジ
メチルアミノ)フェニル基、(ジエチルアミノ)フェニ
ル基等)、ハロゲノフェニル基(例えば、フルオロフェ
ニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基等)、ア
ルキルフェニル基(例えば、トリル基、エチルフェニル
基、クメニル基、キシリル基、メシチル基等> 、ニト
ロフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、及びこ
れらの置換基(互いに同じでも異なっても良い。)を2
個または3個を有するフェニル基をあげることができる
。ただし置換基の位置は任意である。
シ基、炭素数1〜18のアルコキシ基、シアノ基、アミ
ノ基、炭素数l〜18のアルキルアミノ基、炭素数1−
18のアルキル基を2個有するジアルキルアミノ基、炭
素数6〜18のアリールアゾ基、ハロゲン原子、炭素数
1−18のアルキル基、ニトロ基、トリフルオロメチル
基等がある。その例として、ヒドロキシフェニル基、ア
ルコキシフェニル基(例えば、メトキシフェニル基、エ
トキシフェニル基等)、シアノフェニル基、アミノフェ
ニル基、(アルキルアミノ)フェニル基(例えば、(メ
チルアミノ)フェニル基、(エチルアミノ)フェニル基
等)、(ジアルキルアミノ)フェニル基(例えば、(ジ
メチルアミノ)フェニル基、(ジエチルアミノ)フェニ
ル基等)、ハロゲノフェニル基(例えば、フルオロフェ
ニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基等)、ア
ルキルフェニル基(例えば、トリル基、エチルフェニル
基、クメニル基、キシリル基、メシチル基等> 、ニト
ロフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、及びこ
れらの置換基(互いに同じでも異なっても良い。)を2
個または3個を有するフェニル基をあげることができる
。ただし置換基の位置は任意である。
nt としては水素原子、炭素数1〜6の低級アルキル
基、カルバモイル基、カルボキシル基、炭素数1〜18
のアルコキシ基を有するアルコキシカルボニル基、炭素
数6〜20のアリールオキシ基を有するアリールオキシ
カルボニル基及び置換または無置換のアミノ基が好まし
い。
基、カルバモイル基、カルボキシル基、炭素数1〜18
のアルコキシ基を有するアルコキシカルボニル基、炭素
数6〜20のアリールオキシ基を有するアリールオキシ
カルボニル基及び置換または無置換のアミノ基が好まし
い。
RZがN換アミノ基の場合、その具体例としてメチルア
ミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、フェニル
アミノ基、トリルアミノ基、ベンジルアミノ基、ジエチ
ルアミノ基、ジフェニルアミノ基等をあげることができ
る。
ミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、フェニル
アミノ基、トリルアミノ基、ベンジルアミノ基、ジエチ
ルアミノ基、ジフェニルアミノ基等をあげることができ
る。
R2が低級アルキル基の場合、その具体例としてメチル
基、エチル基、プロピル基、ルチル基、イソプロピル基
、イソブチル基、等があげられる。
基、エチル基、プロピル基、ルチル基、イソプロピル基
、イソブチル基、等があげられる。
R2がアルコキシカルボニル基の場合、その具体例とし
てメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロ
ポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソプロ
ポキシカルボニル基、ヘンシルオキシカルボニル基など
があげられる。
てメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロ
ポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソプロ
ポキシカルボニル基、ヘンシルオキシカルボニル基など
があげられる。
R8がアリールオキシカルボニル基の場合、その具体例
として、フェノキシカルボニル基、ドルオキシカルボニ
ル基等があげられる。
として、フェノキシカルボニル基、ドルオキシカルボニ
ル基等があげられる。
R】としては、炭素数1〜20のアルキル基、フェニル
基、ナフチル基等の芳香族炭素環基、ジベンゾフラニル
基、カルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基等の芳香
族複素環基またはこれらの置換体が好ましい。
基、ナフチル基等の芳香族炭素環基、ジベンゾフラニル
基、カルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基等の芳香
族複素環基またはこれらの置換体が好ましい。
R3が置換または無置換のアルキル基の場合、その具体
例としてはそれぞれ前述のR1における置換または無置
換のアルキル基の具体例と同し基をあげることができる
。
例としてはそれぞれ前述のR1における置換または無置
換のアルキル基の具体例と同し基をあげることができる
。
R3が置換基を有する芳香族環基または置換基を有する
複素芳香族環基の場合、置換基の具体例としてはヒドロ
キシ基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子(例えば、
弗素原子、塩素原子、臭素原子等)、炭素数1〜18の
アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基
、イソプロピル基等)、炭素数1−12のアルコキシ基
(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブ
トキシ基、ペンチルオキシ基、インプロポキシ基、イソ
ブトキシ基、イソアミルオキシ基、terL−ブトキシ
基、ネオペンチルオキシ基等)、トリフルオロメチル基
、トリメチルシリル基、メタンスルホニル基、アミノ基
、炭素数1〜12のアルキル7ミノ基(例えば、メチル
アミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基等)、炭
素数1−12のジアルキルアミノ基(例えば、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−エチル
アミノ基等)、炭素数6〜12のアリールアミノ基(例
えば、フェニルアミノ基、トリルアミノ基等)、炭素数
6〜15のアリール基を2個有するジアリールアミノ基
(例えば、ジフェニルアミノ基等)、炭素数6〜12の
アリールアゾ基(例えばフェニルアゾ基、クロロフェニ
ルアゾ基、フルオロフェニルアゾ基、ブロモフェニルア
ゾ基、シアノフェニル7ゾ基、エトキシカルボニルフェ
ニルアゾ基、ニトロフェニルアゾ基、アセトアミドフェ
ニルアゾ基、メトキシフェニルアゾ基、メチルフェニル
アゾ基、n−オクチルフェニルアゾ基、トリフルオロメ
チルフェニルアゾ基、トリメチルシリルフェニルアゾ基
、メタンスルホニルフェニルアゾ基等)、カルボキシル
基、炭素数1〜18までのアルコキシ基を持つアルコキ
シカルボニル基(例えばメトキシカルボニル基、エトキ
シカルボニル基等)、炭素数6〜16までのアリールオ
キシ基を持つアリールオキシカルボニル基(例えば、フ
ェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基等)、
アルカリ金属カルボキシラド基(アルカリ金属陽イオン
の例、R4a 6、K@、LtΦ等)、アルカリ金属ス
ルホナト基(アルカリ金属陽イオンノ例、Na[F]、
K’SL ie等) 、フルキルカルボニル基(例えば
、アセチル基、プロピオニル基、ベンジルカルボニル基
等)、炭素数6〜12のアリール基を存するアリールカ
ルボニル基(例えば、ベンゾイル基、トリオイル基等)
、炭素数1−12のアルキルチオ基(例えば、メチルチ
オ基、エチルチオ基等)、または炭素数l〜12のアリ
ールチオS(例えば、フェニルチオ基、トリルチオ基等
)をあげることができ、置換基の個数は1ないし5個で
あり、複数の置換基が結合している場合にはそれらは互
いに同じでも異なってもよく、また置換基の結合位置は
任意である。
複素芳香族環基の場合、置換基の具体例としてはヒドロ
キシ基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子(例えば、
弗素原子、塩素原子、臭素原子等)、炭素数1〜18の
アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基
、イソプロピル基等)、炭素数1−12のアルコキシ基
(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブ
トキシ基、ペンチルオキシ基、インプロポキシ基、イソ
ブトキシ基、イソアミルオキシ基、terL−ブトキシ
基、ネオペンチルオキシ基等)、トリフルオロメチル基
、トリメチルシリル基、メタンスルホニル基、アミノ基
、炭素数1〜12のアルキル7ミノ基(例えば、メチル
アミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基等)、炭
素数1−12のジアルキルアミノ基(例えば、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−エチル
アミノ基等)、炭素数6〜12のアリールアミノ基(例
えば、フェニルアミノ基、トリルアミノ基等)、炭素数
6〜15のアリール基を2個有するジアリールアミノ基
(例えば、ジフェニルアミノ基等)、炭素数6〜12の
アリールアゾ基(例えばフェニルアゾ基、クロロフェニ
ルアゾ基、フルオロフェニルアゾ基、ブロモフェニルア
ゾ基、シアノフェニル7ゾ基、エトキシカルボニルフェ
ニルアゾ基、ニトロフェニルアゾ基、アセトアミドフェ
ニルアゾ基、メトキシフェニルアゾ基、メチルフェニル
アゾ基、n−オクチルフェニルアゾ基、トリフルオロメ
チルフェニルアゾ基、トリメチルシリルフェニルアゾ基
、メタンスルホニルフェニルアゾ基等)、カルボキシル
基、炭素数1〜18までのアルコキシ基を持つアルコキ
シカルボニル基(例えばメトキシカルボニル基、エトキ
シカルボニル基等)、炭素数6〜16までのアリールオ
キシ基を持つアリールオキシカルボニル基(例えば、フ
ェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基等)、
アルカリ金属カルボキシラド基(アルカリ金属陽イオン
の例、R4a 6、K@、LtΦ等)、アルカリ金属ス
ルホナト基(アルカリ金属陽イオンノ例、Na[F]、
K’SL ie等) 、フルキルカルボニル基(例えば
、アセチル基、プロピオニル基、ベンジルカルボニル基
等)、炭素数6〜12のアリール基を存するアリールカ
ルボニル基(例えば、ベンゾイル基、トリオイル基等)
、炭素数1−12のアルキルチオ基(例えば、メチルチ
オ基、エチルチオ基等)、または炭素数l〜12のアリ
ールチオS(例えば、フェニルチオ基、トリルチオ基等
)をあげることができ、置換基の個数は1ないし5個で
あり、複数の置換基が結合している場合にはそれらは互
いに同じでも異なってもよく、また置換基の結合位置は
任意である。
R4としては、水素原子もしくは前述のR″の具体例と
同じ基をあげることができる。
同じ基をあげることができる。
Yが無置換の複素5員環または複素6員環を表す場合、
具体例として、イミダゾール環、オキサゾール環ミチア
ゾール環、ヘンシイミダゾール環、ヘンジチアゾール環
、ベンゾオキサゾール環、ピリミジン環、ペリミジン環
をあげることができる。
具体例として、イミダゾール環、オキサゾール環ミチア
ゾール環、ヘンシイミダゾール環、ヘンジチアゾール環
、ベンゾオキサゾール環、ピリミジン環、ペリミジン環
をあげることができる。
Yが置換基を有する複素5員環または複素6員環を表す
場合、置換基の具体例としては、前述のR3が置換基を
有する芳香族炭素環基の場合の置換基の具体例と同じ基
をあげることができる。
場合、置換基の具体例としては、前述のR3が置換基を
有する芳香族炭素環基の場合の置換基の具体例と同じ基
をあげることができる。
はナフタレン環の3位〜8位の任意の位置に置換するこ
とが可能であるが、8位に置換することが好ましい。
とが可能であるが、8位に置換することが好ましい。
Wは芳香族炭化水素の2価基、または窒素原子を環内に
含む複素環の2価基を表し、これらはいずれもアルキル
基、ハロゲン原子、ニトロ基、トリフルオロメチル基、
シアノ基またはヒドロキシ基等で置換されても良い。芳
香族炭化水素の2価基としては、0−フェニレン基、0
−ナフチレン基、peri−ナフチレン基、1,2−ア
ントラキノニレン!、9.10−フエナントリレン71
をあげることができる。また窒素原子を環内に含む複素
環の2価基としては例えば、3,4−ピラゾールシリル
基、2,3−ピリジイル基、4,5−ピリミジンジイル
基、6,7−インダゾールジイル基、5.6−ベンズイ
ミダゾールジイル基、6.7−キラリンジイル基等をあ
げることができる。
含む複素環の2価基を表し、これらはいずれもアルキル
基、ハロゲン原子、ニトロ基、トリフルオロメチル基、
シアノ基またはヒドロキシ基等で置換されても良い。芳
香族炭化水素の2価基としては、0−フェニレン基、0
−ナフチレン基、peri−ナフチレン基、1,2−ア
ントラキノニレン!、9.10−フエナントリレン71
をあげることができる。また窒素原子を環内に含む複素
環の2価基としては例えば、3,4−ピラゾールシリル
基、2,3−ピリジイル基、4,5−ピリミジンジイル
基、6,7−インダゾールジイル基、5.6−ベンズイ
ミダゾールジイル基、6.7−キラリンジイル基等をあ
げることができる。
つき2に本発明のトリスアゾ化合物の代表例を、一般式
〔1〕の置換基を具体的に示す形で第1表に列記する。
〔1〕の置換基を具体的に示す形で第1表に列記する。
もちろん、本発明はこれによって限定されるものではな
い。一般式〔1〕のトリスアゾ化合物中のCp’は第2
表、第3表もしくは第4表に具体例として示されるカプ
ラー残基を表す。
い。一般式〔1〕のトリスアゾ化合物中のCp’は第2
表、第3表もしくは第4表に具体例として示されるカプ
ラー残基を表す。
第2表
第2表(続き)
第2表(yEき)
第2表(続き)
第2表<′Iftき)
第2表(続き)
第2表(続き)
第2表(続き)
第2表(続き)
第2表(続き)
第4表
第4表(続き)
第4表(続き)
第4表<brき)
第4表<Vtき)
第4表(続き)
第4表(Vtき)
第4表(続き)
第4表(続き)
本発明の新規なトリスアゾ化合物は下記の方法により容
易に合成することができる。即ち一般式〔2〕で示され
るトリスアミノ化合物を常法によリヘキサアゾ化し、ア
ルカリの存在下対応するカプラーとカップリングさせる
か、あるいはへキサゾニウム塩をホウフッ化塩や塩化亜
鉛複塩などの形で単離した後、N、N−ジメチルホルム
アミド、ジメチルスルホキシド等の溶媒中でアルカリの
存在下にカプラーとカップリングさせることにより容易
に合成することができる。
易に合成することができる。即ち一般式〔2〕で示され
るトリスアミノ化合物を常法によリヘキサアゾ化し、ア
ルカリの存在下対応するカプラーとカップリングさせる
か、あるいはへキサゾニウム塩をホウフッ化塩や塩化亜
鉛複塩などの形で単離した後、N、N−ジメチルホルム
アミド、ジメチルスルホキシド等の溶媒中でアルカリの
存在下にカプラーとカップリングさせることにより容易
に合成することができる。
一般式〔2〕
NH。
Ar’
1hN−^r’−C=C−Ar”−N−Ar″−C=C
−Ar’−Nllz但しAr’ 、Ar” 、Ar3.
Ar’及びAr’は前記一般式〔1〕のAr’ 、Ar
” 、Ar” 。
−Ar’−Nllz但しAr’ 、Ar” 、Ar3.
Ar’及びAr’は前記一般式〔1〕のAr’ 、Ar
” 、Ar” 。
Ar“及びAr’と同じ意味を表す。
合成例
第1表の化合物群磁1でカプラーが第2表の(Cp’−
21)であるトリスアゾ化合物の合成下記構造式〔3〕
で表されるトリスアミノ化合物4.90g (0,Ol
mol)を濃塩酸25mIt及び水30mlから調製し
た希塩酸に加えて60℃の水浴上で約30分間攪拌した
0次にこの混合物を0℃に冷却し、それに亜硝酸ナトリ
ウム3゜04gを水10m1に溶解した溶液を0℃で約
20分間かけて滴下した。その後同温度で1時間攪拌し
、少量の未反応物を濾別した後、濾液を別の容器に調製
したカプラー(Cp ’−21) 11゜5 g (
0,03mol) 、酢酸ナトリウム4.92g、水1
0m1とDMF 300mff1からなる溶液に、水冷
下、攪拌しながら滴下した。その後室温で2時間攪拌し
た後、生成した結晶を濾取し、水洗い、アセトン洗いを
繰り返し行い精製した。13.7gのトリスアゾ化合物
の黒粉束が得られた。
21)であるトリスアゾ化合物の合成下記構造式〔3〕
で表されるトリスアミノ化合物4.90g (0,Ol
mol)を濃塩酸25mIt及び水30mlから調製し
た希塩酸に加えて60℃の水浴上で約30分間攪拌した
0次にこの混合物を0℃に冷却し、それに亜硝酸ナトリ
ウム3゜04gを水10m1に溶解した溶液を0℃で約
20分間かけて滴下した。その後同温度で1時間攪拌し
、少量の未反応物を濾別した後、濾液を別の容器に調製
したカプラー(Cp ’−21) 11゜5 g (
0,03mol) 、酢酸ナトリウム4.92g、水1
0m1とDMF 300mff1からなる溶液に、水冷
下、攪拌しながら滴下した。その後室温で2時間攪拌し
た後、生成した結晶を濾取し、水洗い、アセトン洗いを
繰り返し行い精製した。13.7gのトリスアゾ化合物
の黒粉束が得られた。
収率82%。分解温度270℃以上。
元素分析値 C1゜6 Hll I’J13 0
*とし構造式〔3〕 て 計算値 C76,20%、 H4,28%、 N 10
.90%実測値 C76,01%、 H4,30%、
N 10.75%本発明の電子写真感光体は前記一般式
〔1〕で表されるトリスアゾ化合物を1種または2種含
有する電子写真感光層を有する。各種の形態の電子写真
感光体が知られているが、本発明の電子写真感光体はそ
の何れのタイプの感光体であっても良いが通常に示す(
+)、(■)または(■)のタイプの電子写真感光体構
造を持つ。
*とし構造式〔3〕 て 計算値 C76,20%、 H4,28%、 N 10
.90%実測値 C76,01%、 H4,30%、
N 10.75%本発明の電子写真感光体は前記一般式
〔1〕で表されるトリスアゾ化合物を1種または2種含
有する電子写真感光層を有する。各種の形態の電子写真
感光体が知られているが、本発明の電子写真感光体はそ
の何れのタイプの感光体であっても良いが通常に示す(
+)、(■)または(■)のタイプの電子写真感光体構
造を持つ。
(N導電性支持体上にトリスアゾ化合物をバインダーあ
るいは電荷風体輸送媒体中に分散させてなる電子写真感
光層を設けたもの。
るいは電荷風体輸送媒体中に分散させてなる電子写真感
光層を設けたもの。
(「)導電性支持体上にトリスアゾ化合物を主成分とす
る電荷担体発生層を設け、その上に電荷担体輸送層を設
けたもの。
る電荷担体発生層を設け、その上に電荷担体輸送層を設
けたもの。
(III)導電性支持体上に電荷担体輸送層を設け、そ
の上にトリスアゾ化合物を主成分とする電荷担体発生層
を設けたもの。
の上にトリスアゾ化合物を主成分とする電荷担体発生層
を設けたもの。
本発明のトリスアゾ化合物は光を吸収すると極めて高い
効率で電荷担体を発生する作用を持つ。
効率で電荷担体を発生する作用を持つ。
発生した電荷坦体は、電荷担体輸送化合物によって輸送
される。
される。
タイプ(Hの電子写真感光体を作製するにはトリスアゾ
化合物の微粒子をバインダー溶液もしくは電荷担体輸送
化合物とバインダー溶液を溶解した溶液中に分散せしめ
、これを導電性支持体上に塗布した後、乾燥すれば良い
、このときの電子写真感光層の厚さは3〜30μ、好ま
しくは5〜20μが良い。
化合物の微粒子をバインダー溶液もしくは電荷担体輸送
化合物とバインダー溶液を溶解した溶液中に分散せしめ
、これを導電性支持体上に塗布した後、乾燥すれば良い
、このときの電子写真感光層の厚さは3〜30μ、好ま
しくは5〜20μが良い。
タイプ(II)の感光体を作製するには、導電性支持体
上にトリスアゾ化合物を真空蒸着して電荷担体発生層を
形成するか、トリスアゾ化合物の微粒子を、バインダー
樹脂を溶解した適当な溶媒中に分散して得られた分散液
を塗布、乾燥して電荷担体発生層を形成し、更に必要が
あれば、例えばパフ研磨などの方法によって表面仕上げ
をするか、膜厚を調整した後、その上に電荷担体輸送物
質及びバインダー樹脂を含む溶液を塗布、乾燥して得ら
れる。この時の電荷担体発生層の厚みは0.O1μ〜4
μ、好ましくは0.1μ〜2μが良く、電荷担体輸送層
の厚みは3μ〜30μ、好ましくは5μ〜20μがよい
。
上にトリスアゾ化合物を真空蒸着して電荷担体発生層を
形成するか、トリスアゾ化合物の微粒子を、バインダー
樹脂を溶解した適当な溶媒中に分散して得られた分散液
を塗布、乾燥して電荷担体発生層を形成し、更に必要が
あれば、例えばパフ研磨などの方法によって表面仕上げ
をするか、膜厚を調整した後、その上に電荷担体輸送物
質及びバインダー樹脂を含む溶液を塗布、乾燥して得ら
れる。この時の電荷担体発生層の厚みは0.O1μ〜4
μ、好ましくは0.1μ〜2μが良く、電荷担体輸送層
の厚みは3μ〜30μ、好ましくは5μ〜20μがよい
。
タイプ(Il!>の電子写真感光体1まタイプCI+)
の電子写真感光体の積層順序を逆にすることにより作製
できる。
の電子写真感光体の積層順序を逆にすることにより作製
できる。
〔1〕、(■)及び(瓜)のタイプの感光体で用いられ
るトリスアゾ化合物はボールミル、サンドミル、振動ミ
ル等の分散機により粒径0.1μ〜2μ、好ましくは0
.3μ〜2μに分散して用いられる。
るトリスアゾ化合物はボールミル、サンドミル、振動ミ
ル等の分散機により粒径0.1μ〜2μ、好ましくは0
.3μ〜2μに分散して用いられる。
タイプ(r)の電子写真感光体において使用されるトリ
スアゾ化合物の量は少なすぎると感度が悪く、多すぎる
と帯電性が悪くなったり、電子写真感光層の膜強度が悪
くなったりし、電子写真感光層中のトリスアゾ化合物を
占める割合は、バインダーを用いる場合、バインダーに
対し0.01〜2重量倍、好ましくは0.05〜1重量
倍がよく、電荷担体輸送化合物の割合はバインダーに対
しo、i〜2重量倍、好ましくは0.3〜1.5重量倍
の範囲がよい、またそれ自身バインダーとして使用でき
る電荷担体輸送化合物の場合には、トリスアゾ化合物の
添加量は電荷担体輸送化合物に対し0.01〜0.5重
量倍使用するのが好ましい。
スアゾ化合物の量は少なすぎると感度が悪く、多すぎる
と帯電性が悪くなったり、電子写真感光層の膜強度が悪
くなったりし、電子写真感光層中のトリスアゾ化合物を
占める割合は、バインダーを用いる場合、バインダーに
対し0.01〜2重量倍、好ましくは0.05〜1重量
倍がよく、電荷担体輸送化合物の割合はバインダーに対
しo、i〜2重量倍、好ましくは0.3〜1.5重量倍
の範囲がよい、またそれ自身バインダーとして使用でき
る電荷担体輸送化合物の場合には、トリスアゾ化合物の
添加量は電荷担体輸送化合物に対し0.01〜0.5重
量倍使用するのが好ましい。
またタイプ(■)及び([[[)の電子写真感光体にお
いて電荷担体発生化合物含有層となるトリスアゾ化合物
含有層を塗布形成する場合、バインダーに対するトリス
アゾ化合物の使用量は0.1重量倍以上が好ましく、そ
れ以下だと十分な感度が得られない、またバインダーは
無くとも使用できる。電荷担体輸送化合物含有層中の電
荷担体輸送化合物の割合は、バインダーに対し0.2〜
2重量陪、好ましくは0.3〜1.5重量倍が好ましい
、それ自身バインダーとして使用できる高分子!荷担体
輸送化合物を使用する場合は、池のバインダーは無くと
も使用できる。
いて電荷担体発生化合物含有層となるトリスアゾ化合物
含有層を塗布形成する場合、バインダーに対するトリス
アゾ化合物の使用量は0.1重量倍以上が好ましく、そ
れ以下だと十分な感度が得られない、またバインダーは
無くとも使用できる。電荷担体輸送化合物含有層中の電
荷担体輸送化合物の割合は、バインダーに対し0.2〜
2重量陪、好ましくは0.3〜1.5重量倍が好ましい
、それ自身バインダーとして使用できる高分子!荷担体
輸送化合物を使用する場合は、池のバインダーは無くと
も使用できる。
本発明の電子写真感光体において使用される導電性支持
体としては、アルミニウム、銅、亜鉛などの金属板、ポ
リエステル等のプラスチックシートまたはプラスチック
フィルムにアルミニウム、酸化インジウム、酸化スズ、
ヨウ化鋼等の導電材料を蒸看、もしくは分散塗布したも
の、あるいは塩化ナトリウム、塩化カルシウム等の無機
塩や有機四級アンモニウム塩により導電処理した紙など
が使用される。
体としては、アルミニウム、銅、亜鉛などの金属板、ポ
リエステル等のプラスチックシートまたはプラスチック
フィルムにアルミニウム、酸化インジウム、酸化スズ、
ヨウ化鋼等の導電材料を蒸看、もしくは分散塗布したも
の、あるいは塩化ナトリウム、塩化カルシウム等の無機
塩や有機四級アンモニウム塩により導電処理した紙など
が使用される。
バインダーが用いられる場合のバインダーとしては疎水
性で、かつ誘電率が高く、電気絶縁性のフィルム形成性
高分子重合体を用いるのが好ましい、この様な高分子重
合体としては例えば次のものをあげることができるが勿
論これらに限定されるものではない。
性で、かつ誘電率が高く、電気絶縁性のフィルム形成性
高分子重合体を用いるのが好ましい、この様な高分子重
合体としては例えば次のものをあげることができるが勿
論これらに限定されるものではない。
ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステルカーボ
ネート、ポリスルホン、メタクリル樹脂、アクリル樹脂
、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン
、ポリビニルアセテート、スチレンープクジエン共重合
体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化
ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル
−無水マレイン酸共重合体、シリコン樹脂、シリコン−
アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、
スチレン−アルキッド樹脂、スチレン−無水マレイン酸
共重合体、フェノキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂
、ポリ−N−ビニルカルバゾール。
ネート、ポリスルホン、メタクリル樹脂、アクリル樹脂
、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン
、ポリビニルアセテート、スチレンープクジエン共重合
体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化
ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル
−無水マレイン酸共重合体、シリコン樹脂、シリコン−
アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、
スチレン−アルキッド樹脂、スチレン−無水マレイン酸
共重合体、フェノキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂
、ポリ−N−ビニルカルバゾール。
これらの樹脂バインダーは、単独であるいは2種以上の
混合物として用いることができる。
混合物として用いることができる。
本発明の感光体において可塑剤を樹脂バインダーと混合
して用いることができる。
して用いることができる。
可塑剤としてはビフェニル、塩化ビフェニル、O−テル
フェニル、p−テルフェニル、チブチルフタレート、ジ
メチルグリコールフタレート、ジオクチルフタレート、
トリフェニル#M、塩素化パラフィン、ジウラリルチオ
ジプロピオネート等があげられる。
フェニル、p−テルフェニル、チブチルフタレート、ジ
メチルグリコールフタレート、ジオクチルフタレート、
トリフェニル#M、塩素化パラフィン、ジウラリルチオ
ジプロピオネート等があげられる。
本発明の電子写真感光体を作製する場合、感光層中に増
悪剤などの添加剤を使用しても良い。
悪剤などの添加剤を使用しても良い。
増悪剤としては、ブリリアントグリーン、ビクトリアブ
ルー81メチルバイオレツト、クリスタルバイオレフト
、アシッドハロB等のトリアリルメタン染料、ローダミ
ンB、ローダミン6G、ローダミンGエキストラ、エオ
シンS1エリトロシン、ローズベンガル、フルオレセイ
ン等のキサンテン染料、メチレンブルー等のチアジン染
料、C91,13asic、Violet7 (C,1
,48020)等のアントラセン染料、シアニン染料、
2.6−ジフェニル−4−(N、N−ジメチルアミノフ
ェニル)チアピリリウムペルクロレート、ベンゾビリリ
ウム塩(特公昭48−25.658号公報記載)等のピ
リリウム染料をあげることができる。
ルー81メチルバイオレツト、クリスタルバイオレフト
、アシッドハロB等のトリアリルメタン染料、ローダミ
ンB、ローダミン6G、ローダミンGエキストラ、エオ
シンS1エリトロシン、ローズベンガル、フルオレセイ
ン等のキサンテン染料、メチレンブルー等のチアジン染
料、C91,13asic、Violet7 (C,1
,48020)等のアントラセン染料、シアニン染料、
2.6−ジフェニル−4−(N、N−ジメチルアミノフ
ェニル)チアピリリウムペルクロレート、ベンゾビリリ
ウム塩(特公昭48−25.658号公報記載)等のピ
リリウム染料をあげることができる。
また、電子写真感光体の表面性をよ(するために、シリ
コンオイル、フッ素系界面活性剤等を使用することがで
きる。
コンオイル、フッ素系界面活性剤等を使用することがで
きる。
本発明において電荷担体輸送層に用いられる電荷担体輸
送物質としては、電子を輸送する化合物と正孔を輸送す
る化合物の2種類に分類される。
送物質としては、電子を輸送する化合物と正孔を輸送す
る化合物の2種類に分類される。
本発明の電子写真感光体には両者とも使用することがで
きる。
きる。
電子を輸送する化合物としては電子吸引性基を有する化
合物、例えば2,4.7.−)リートロー9−フルオレ
ノン、2.4.5.7−テトラニトロ−9−フルオレノ
ン、9−ジシアノメチレン−2,4,7−)リンドロフ
ルオレノン、9−ジシアノメチレン−2,4,5,7−
テトラニトロフルオレノン、テトラニトロカルバゾール
、クロラニル、2.3−ジクロロ−5,6−ジシアノベ
ンゾキノン、2,4.7−)ジニトロ−9,lO−フエ
ナントレンキノン、テトラクロロ無水フタール酸、テラ
シアノエチレン、テトラシアノキノジメタン等をあげる
ことができる。
合物、例えば2,4.7.−)リートロー9−フルオレ
ノン、2.4.5.7−テトラニトロ−9−フルオレノ
ン、9−ジシアノメチレン−2,4,7−)リンドロフ
ルオレノン、9−ジシアノメチレン−2,4,5,7−
テトラニトロフルオレノン、テトラニトロカルバゾール
、クロラニル、2.3−ジクロロ−5,6−ジシアノベ
ンゾキノン、2,4.7−)ジニトロ−9,lO−フエ
ナントレンキノン、テトラクロロ無水フタール酸、テラ
シアノエチレン、テトラシアノキノジメタン等をあげる
ことができる。
正孔を輸送する化合物としては、電子供与性基を有する
化合物、例えば高分子の物では、(al 特公昭34
−10.966号公報記載のポリビニルカルバゾール及
びその誘導体、 (bl 特公昭43−1111,674号、同43−
19゜192号公報記載のポリビニルピレン、ポリビニ
ルアントラセン、ポリ−2−ビニル−4−(4゜−ジメ
チルアミノフェニル)−5−フェニルオキサゾール、ポ
リ−3−ビニル−N−エチルカルバゾール等のビニル重
合体、 (C) 特公昭43−19,193号公報記載のポリ
アセナフチレン、ポリインデン、アセナフチレンとスチ
レンの共重合体等の重合体、 fdl 特公昭56〜13,940号公報などに記載
のピレン−ホルムアルデヒド樹脂、ブロムピレン−ホル
ムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾール−ホルムアルデ
ヒド樹脂等の縮合樹脂、 (el 特開昭56−90.8113号、同56−1
61.550号公報に記載された各種のトリフェニルメ
タンポリマー、 また低分子のものでは、 (fl 米国特許第3.112,197号明細書など
に記載されているトリアゾール誘導体、(明 米国特許
第3,189.447号明$IIl書などに記載されて
いるオキサジアゾール誘導体、th+ 特公昭37−
16.096号公報などに記載されているイミダゾール
誘導体、 (4) 米国特許第3,615.’402号、同3,
820.989号、同3.542,544号、特公昭4
5−555号、同51−10,983号、特開昭51−
93.224号、同55−108,667号、同55−
156953号、同55−36゜656号明細書、公報
などに記載のボリアリールアルカン誘導体、 01 米国特許第3,180,729号、同4,27
8.746号、特開昭55−88,064号、同55−
88.065号、同49−105,537号、同55−
51,086号、同56−80゜OSt号、同56−8
8.141号、同57−45.545号、同54−11
2,637号、同55−74,546号明細書、公報な
どに記載されているピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘
導体、(kl 米国特許第3,615,404号、特
公昭51−10,105号、同46−3,712号、同
47−28,336号、特開昭54−83.435号、
同54−110,836号、同54−119.925号
明細書、公報などに記載されているフェニレンジアミン
誘導体、 (り米国特許第3,567.450号、同3.180.
703号、同3,240.597号、同3゜658.5
20号、同4,232,103号、同4.175,96
1号、同4,012,376号、西独国特許(DAS)
1,110.518号、特公昭49−35,702号、
同39−27,577号、特開昭55−144,250
号、同56−119.132号、同56−22,437
号明細書、公報などに記載されているアリールアミン誘
導体、 (−米国特許第3,526.501号明細書記載のアミ
ノ置換カルコン誘導体、 tn+ 米国特許第3,542.546号明細書など
に記載のN、N−ジカルバジル誘導体、(0)米国特許
第3,257,203号明細書などに記載のオキサゾー
ル誘導体、 (pl 特開昭56−46,234号公報などに記載
のスチリルアントラセン誘導体、 (Ql 特開昭54−110,837号公報等に記載
されているフルオレノン誘導体、 frl 米国特許第3.717.462号、特開昭5
4−59,143号(米国特許第4. 150. 98
7号に対応)、同55−52,063号、同55−52
.064号、同55−46,760号、同55−85,
495号、同57−11,350号、同57−148.
749号、同57−104゜144号明細書、公報など
に記載されているヒドラゾン誘導体、 fsl 米国特許第4.047.948号、同4,0
47.949号、同4,265,990号、同4゜27
3.846号、同4,299,897号、同4.306
.008号明細書などに記載のベンジジン誘導体、 +1) 特開昭58−190,953号、同59−9
5.540号、同59−97,148号、同59−19
5,658号、同62−36,674号公報などに記載
されているスチルベン誘導体等がある。
化合物、例えば高分子の物では、(al 特公昭34
−10.966号公報記載のポリビニルカルバゾール及
びその誘導体、 (bl 特公昭43−1111,674号、同43−
19゜192号公報記載のポリビニルピレン、ポリビニ
ルアントラセン、ポリ−2−ビニル−4−(4゜−ジメ
チルアミノフェニル)−5−フェニルオキサゾール、ポ
リ−3−ビニル−N−エチルカルバゾール等のビニル重
合体、 (C) 特公昭43−19,193号公報記載のポリ
アセナフチレン、ポリインデン、アセナフチレンとスチ
レンの共重合体等の重合体、 fdl 特公昭56〜13,940号公報などに記載
のピレン−ホルムアルデヒド樹脂、ブロムピレン−ホル
ムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾール−ホルムアルデ
ヒド樹脂等の縮合樹脂、 (el 特開昭56−90.8113号、同56−1
61.550号公報に記載された各種のトリフェニルメ
タンポリマー、 また低分子のものでは、 (fl 米国特許第3.112,197号明細書など
に記載されているトリアゾール誘導体、(明 米国特許
第3,189.447号明$IIl書などに記載されて
いるオキサジアゾール誘導体、th+ 特公昭37−
16.096号公報などに記載されているイミダゾール
誘導体、 (4) 米国特許第3,615.’402号、同3,
820.989号、同3.542,544号、特公昭4
5−555号、同51−10,983号、特開昭51−
93.224号、同55−108,667号、同55−
156953号、同55−36゜656号明細書、公報
などに記載のボリアリールアルカン誘導体、 01 米国特許第3,180,729号、同4,27
8.746号、特開昭55−88,064号、同55−
88.065号、同49−105,537号、同55−
51,086号、同56−80゜OSt号、同56−8
8.141号、同57−45.545号、同54−11
2,637号、同55−74,546号明細書、公報な
どに記載されているピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘
導体、(kl 米国特許第3,615,404号、特
公昭51−10,105号、同46−3,712号、同
47−28,336号、特開昭54−83.435号、
同54−110,836号、同54−119.925号
明細書、公報などに記載されているフェニレンジアミン
誘導体、 (り米国特許第3,567.450号、同3.180.
703号、同3,240.597号、同3゜658.5
20号、同4,232,103号、同4.175,96
1号、同4,012,376号、西独国特許(DAS)
1,110.518号、特公昭49−35,702号、
同39−27,577号、特開昭55−144,250
号、同56−119.132号、同56−22,437
号明細書、公報などに記載されているアリールアミン誘
導体、 (−米国特許第3,526.501号明細書記載のアミ
ノ置換カルコン誘導体、 tn+ 米国特許第3,542.546号明細書など
に記載のN、N−ジカルバジル誘導体、(0)米国特許
第3,257,203号明細書などに記載のオキサゾー
ル誘導体、 (pl 特開昭56−46,234号公報などに記載
のスチリルアントラセン誘導体、 (Ql 特開昭54−110,837号公報等に記載
されているフルオレノン誘導体、 frl 米国特許第3.717.462号、特開昭5
4−59,143号(米国特許第4. 150. 98
7号に対応)、同55−52,063号、同55−52
.064号、同55−46,760号、同55−85,
495号、同57−11,350号、同57−148.
749号、同57−104゜144号明細書、公報など
に記載されているヒドラゾン誘導体、 fsl 米国特許第4.047.948号、同4,0
47.949号、同4,265,990号、同4゜27
3.846号、同4,299,897号、同4.306
.008号明細書などに記載のベンジジン誘導体、 +1) 特開昭58−190,953号、同59−9
5.540号、同59−97,148号、同59−19
5,658号、同62−36,674号公報などに記載
されているスチルベン誘導体等がある。
なお本発明において、電荷担体を輸送する化合物はta
+〜〔1〕にあげられた化合物に限定されず、これまで
公知の全ての電荷担体輸送化合物を用いることができる
。
+〜〔1〕にあげられた化合物に限定されず、これまで
公知の全ての電荷担体輸送化合物を用いることができる
。
本発明の電子写真感光体を作製する場合、電荷発生層及
び電荷輸送層中に増感剤などの添加剤を添加して使用し
てもよい、また電荷発生層中に電荷輸送化合物を添加し
て使用してもよい。
び電荷輸送層中に増感剤などの添加剤を添加して使用し
てもよい、また電荷発生層中に電荷輸送化合物を添加し
て使用してもよい。
増感剤としては、クロラニル、テトラシアノエチレン、
メチルバイオレフト、ローダミンB1シアニン染料、メ
ロシアニン染料、ピリリウム染料、チアピリリウム染料
などがあげられる。
メチルバイオレフト、ローダミンB1シアニン染料、メ
ロシアニン染料、ピリリウム染料、チアピリリウム染料
などがあげられる。
なお、本発明の電子写真感光体には、導電性支°持体と
感光層の間に、必要に応じて接着層又はバリヤ層を設け
ることができる。これらの層に用いられる材料としては
、前記樹脂バインダーに用いられるポリマーの他に、ゼ
ラチン、カゼイン、ポリビニルアルコール、エチルセル
ロース、カルボキシメチルセルロース、特開159−8
4,247号公報に記載の塩化ビニリデン系ポリマーラ
テックス、特開昭59−114,544号公報に記載の
スチレン−ブタジェン系ポリマーラテックスまたは酸化
アルミニウム等がありこれらの層の厚さはlIIm以下
が好ましい。
感光層の間に、必要に応じて接着層又はバリヤ層を設け
ることができる。これらの層に用いられる材料としては
、前記樹脂バインダーに用いられるポリマーの他に、ゼ
ラチン、カゼイン、ポリビニルアルコール、エチルセル
ロース、カルボキシメチルセルロース、特開159−8
4,247号公報に記載の塩化ビニリデン系ポリマーラ
テックス、特開昭59−114,544号公報に記載の
スチレン−ブタジェン系ポリマーラテックスまたは酸化
アルミニウム等がありこれらの層の厚さはlIIm以下
が好ましい。
以上のようにして得られた感光体には更にレーザーのよ
うな干渉性光を露光に使用した場合に発生ずる干渉縞防
止策を必要に応じて施すことができる。そのような技術
としては、特開昭60−186.850号記載の光散乱
反射面を有する下引き層の設置、特開昭60−184.
258号記載のチタンブラック含有下引き層の設置、特
開昭58−82.249号記載の電荷担体発生層で使用
光源の光の大部分を吸収させる方法、特開昭61−18
,963号記載の電荷担体輸送層にミクロ相分離構造を
とらせる方法、特開昭60−86゜550号記載の光導
電層中に干渉性光を吸収または散乱する物質を混入する
方法、特開昭63−106.757号記載の感光体表面
に干渉性光の波長の1/4以上の深さを持つ凹部を設け
る方法、特開昭62−172,371号、特開昭62−
174.771号記載の透明支持体の裏面に光散乱層あ
るいは光吸収層を設ける方法等をあげることができる。
うな干渉性光を露光に使用した場合に発生ずる干渉縞防
止策を必要に応じて施すことができる。そのような技術
としては、特開昭60−186.850号記載の光散乱
反射面を有する下引き層の設置、特開昭60−184.
258号記載のチタンブラック含有下引き層の設置、特
開昭58−82.249号記載の電荷担体発生層で使用
光源の光の大部分を吸収させる方法、特開昭61−18
,963号記載の電荷担体輸送層にミクロ相分離構造を
とらせる方法、特開昭60−86゜550号記載の光導
電層中に干渉性光を吸収または散乱する物質を混入する
方法、特開昭63−106.757号記載の感光体表面
に干渉性光の波長の1/4以上の深さを持つ凹部を設け
る方法、特開昭62−172,371号、特開昭62−
174.771号記載の透明支持体の裏面に光散乱層あ
るいは光吸収層を設ける方法等をあげることができる。
以上本発明の電子写真感光体について詳細に説明したが
、本発明の電子写真感光体は一般に感度が高く、繰り返
し使用時の電子写真特性の変化が小さい特徴を有してい
る。
、本発明の電子写真感光体は一般に感度が高く、繰り返
し使用時の電子写真特性の変化が小さい特徴を有してい
る。
本発明の電子写真感光体は電子写真複写機の他レーザー
、ブラウン管、LED等を光源とするプリンターの感光
体などの分野に広く応用することができる。
、ブラウン管、LED等を光源とするプリンターの感光
体などの分野に広く応用することができる。
本発明のトリスアゾ化合物を含む光導電性組成物はビデ
オカメラの撮像管の光導電層として、また信号転送や走
査を行う一次元または二次元配列された半導体回路上の
全面に設けた受光M(光導電N)を有する個体逼像素子
の光導電層として用いることができる。また、A、に、
Ghosh。
オカメラの撮像管の光導電層として、また信号転送や走
査を行う一次元または二次元配列された半導体回路上の
全面に設けた受光M(光導電N)を有する個体逼像素子
の光導電層として用いることができる。また、A、に、
Ghosh。
Tom Fang、J、Appl、Ph5y、。
49 (12) 、5982 (1978)に記載され
ているように太陽電池の光導電層としても用いることが
できる。
ているように太陽電池の光導電層としても用いることが
できる。
また、本発明のトリスアゾ化合物は光電気泳動システム
における光導電性着色粒子及び乾式または湿式の電子写
真現像剤の着色粒子としても用いることができる。
における光導電性着色粒子及び乾式または湿式の電子写
真現像剤の着色粒子としても用いることができる。
また、本発明のトリスアゾ化合物を、特公昭37−17
,162号、特開昭55−19.063号、特開昭55
−161.250号、特開昭57−147.656号公
報に開示されているように、オキサジアゾール誘導体、
ヒドラゾンmH一体等の前述の電荷担体輸送性化合物と
共にフェノール樹脂などのアルカリ可溶性樹脂中に分散
し、アルミニウムなどの導電性支持体上に塗布、乾燥後
、画像露光、トナー現像、アルカリ水溶液によるエツチ
ングにより、高解像力、高耐久性、高怒度の印刷版が得
られるほか、プリント回路を作成することができる。
,162号、特開昭55−19.063号、特開昭55
−161.250号、特開昭57−147.656号公
報に開示されているように、オキサジアゾール誘導体、
ヒドラゾンmH一体等の前述の電荷担体輸送性化合物と
共にフェノール樹脂などのアルカリ可溶性樹脂中に分散
し、アルミニウムなどの導電性支持体上に塗布、乾燥後
、画像露光、トナー現像、アルカリ水溶液によるエツチ
ングにより、高解像力、高耐久性、高怒度の印刷版が得
られるほか、プリント回路を作成することができる。
次に本発明を実施例により具体的に説明するが、これに
より本発明が実施例に限定されるものではない。なお、
実施例中「部」とあるのは「重量部」を表す。
より本発明が実施例に限定されるものではない。なお、
実施例中「部」とあるのは「重量部」を表す。
実施例1
合成例で示した第1表の化合物群−1の、カプラーが第
2表の(CG)’−21)であるトリスアゾ化合物5部
とポリエステル樹脂(商品名バイロン200.東洋紡■
製)5部をテトラヒドロフラン50部に添加し、ボール
ミルで12時間分散した後、この分散液をワイヤーラウ
ンドロッドを用いて導電性支持体(75μmのポリエチ
レンテレツクレート支持体上にアルミニウムの蒸着膜を
有する。商品名メタルミー757S、東し側型)上に惨
布、乾燥して厚さ約0.5μmの電荷発生層を得た。
2表の(CG)’−21)であるトリスアゾ化合物5部
とポリエステル樹脂(商品名バイロン200.東洋紡■
製)5部をテトラヒドロフラン50部に添加し、ボール
ミルで12時間分散した後、この分散液をワイヤーラウ
ンドロッドを用いて導電性支持体(75μmのポリエチ
レンテレツクレート支持体上にアルミニウムの蒸着膜を
有する。商品名メタルミー757S、東し側型)上に惨
布、乾燥して厚さ約0.5μmの電荷発生層を得た。
次にこの電荷発生層上にp−<ジフェニルアミノ)ベン
ズアルデヒド−No −メチル−N” −フェニルヒド
ラゾン 3.6部、ポリカーボネート樹脂(パンライトに−13
00,奇人側製)4部、ジクロロメタン13.3部と1
,2−ジクロロエタン26.6部を混合溶解した溶液を
アプリケーターを用いて塗布し、厚さ17μmの電荷輸
送層を形成させて2層からなる感光層を有する電子写真
感光体を作成した。
ズアルデヒド−No −メチル−N” −フェニルヒド
ラゾン 3.6部、ポリカーボネート樹脂(パンライトに−13
00,奇人側製)4部、ジクロロメタン13.3部と1
,2−ジクロロエタン26.6部を混合溶解した溶液を
アプリケーターを用いて塗布し、厚さ17μmの電荷輸
送層を形成させて2層からなる感光層を有する電子写真
感光体を作成した。
これらの感光体を静電複写紙試験装置(■用日電機製作
所製、5P−428型)を用いて次のようにして電子写
真特性を評価・した(スタチック方式で測定)、まず感
光体を一6KVのコロナ放電により帯電せしめた時の初
期表面電位Vs、30秒間暗所に放置した時の表面電位
v0を測定した。
所製、5P−428型)を用いて次のようにして電子写
真特性を評価・した(スタチック方式で測定)、まず感
光体を一6KVのコロナ放電により帯電せしめた時の初
期表面電位Vs、30秒間暗所に放置した時の表面電位
v0を測定した。
次いでタングステンランプの光を感光体表面における照
度を31uxになるようにして露光し、表面電位が初期
表面電位■。の半分に減衰するのに要する露光量E50
及び露光30秒後の表面電位(残留電位vm)をそれぞ
れ測定した。また同様の測定を3000回繰り返して行
った。結果を第5表に示す。
度を31uxになるようにして露光し、表面電位が初期
表面電位■。の半分に減衰するのに要する露光量E50
及び露光30秒後の表面電位(残留電位vm)をそれぞ
れ測定した。また同様の測定を3000回繰り返して行
った。結果を第5表に示す。
第5表
合成例2〜25
実施例1において用いたトリスアゾ化合物の代わりに第
6表に示すトリスアゾ化合物を用いた他は実施例1と同
様にして2層構成の電子写真感光体を作成し実施例1と
同様にE50.Vs 、Vo 。
6表に示すトリスアゾ化合物を用いた他は実施例1と同
様にして2層構成の電子写真感光体を作成し実施例1と
同様にE50.Vs 、Vo 。
■、を測定した。結果を第6表に示す。
実施例26
実施例1にて作製した電子写真感光体を用いモノクロメ
ータ−にて1μJ/dの780部m光を照射し、実施例
1と同様にV。およびEgoを測定した。その結果を以
下に示す。
ータ−にて1μJ/dの780部m光を照射し、実施例
1と同様にV。およびEgoを測定した。その結果を以
下に示す。
■。=−730V
E、。=0.7μJ/cd
実施例27〜35
実施例1に用いたトリスアゾ化合物の代りに、実施例階
12.tk15.Ik19〜阻25に用いたトリスアゾ
化合物を用いた他は、実施例26と同様にしてvoとE
、。を測定した。その結果を第7表に示す。
12.tk15.Ik19〜阻25に用いたトリスアゾ
化合物を用いた他は、実施例26と同様にしてvoとE
、。を測定した。その結果を第7表に示す。
第7表
以上により本発明の感光体は近赤外光に対し十分高感度
であり、半導体レーザープリンターに使用可能であるこ
とがわかる。
であり、半導体レーザープリンターに使用可能であるこ
とがわかる。
実施例36
表面にアルミニウムの蒸着膜を設けたポリエチレンテレ
フタレートフィルムより成る導電性支持体上に、実施例
1に示したヒドラゾン化合物7゜5部と、ビスフェノー
ルAのポリカーボネート10部とを、ジクロロメタン5
0部に溶解した溶液をワイヤーラウンドロッドを用いて
塗布乾燥し、厚さ12μmの電荷輸送層を設けた。
フタレートフィルムより成る導電性支持体上に、実施例
1に示したヒドラゾン化合物7゜5部と、ビスフェノー
ルAのポリカーボネート10部とを、ジクロロメタン5
0部に溶解した溶液をワイヤーラウンドロッドを用いて
塗布乾燥し、厚さ12μmの電荷輸送層を設けた。
次に、電荷輸送層上に実施例1にて用いたトリスアゾ化
合物2部とポリエステル樹脂(商品名バイロン、東洋紡
績■製)2部をクロロベンゼン5部に溶かした液とを共
にペイントシェーカーで1時間分散した後、ワイヤーラ
ウンドロッドを用いて塗布、乾燥して、厚さ1μmの電
荷発生層を形成させ、二層から成る電子写真感光層を存
する正帯電用電子写真感光体を作成した。
合物2部とポリエステル樹脂(商品名バイロン、東洋紡
績■製)2部をクロロベンゼン5部に溶かした液とを共
にペイントシェーカーで1時間分散した後、ワイヤーラ
ウンドロッドを用いて塗布、乾燥して、厚さ1μmの電
荷発生層を形成させ、二層から成る電子写真感光層を存
する正帯電用電子写真感光体を作成した。
電子写真感光体について静電複写紙試験装置(川口電機
■製5P−428型)を用いて、6kVのコロナ放電に
より正に帯電せしめた時の初期表面電位v0を測定し、
次いでタングステンランプの光を、感光体表面における
照度をl luxになるようにして光を照射し、その表
面電位が初期表面電位v0の半分に減衰するのに要する
露光量Eso(1ux−sec)を測定した。
■製5P−428型)を用いて、6kVのコロナ放電に
より正に帯電せしめた時の初期表面電位v0を測定し、
次いでタングステンランプの光を、感光体表面における
照度をl luxになるようにして光を照射し、その表
面電位が初期表面電位v0の半分に減衰するのに要する
露光量Eso(1ux−sec)を測定した。
また同様の操作を3000回繰り返して行った。
それらの結果を第8表に示す。
第8表
以上により、本発明の感光体は、正帯電においても高感
度かつ優れた耐久性を持つことがわかる。
度かつ優れた耐久性を持つことがわかる。
実施例37
実施例!で用いたトリスアゾ化合物5部とヒドラゾン化
合物40部とベンジルメタアクリレートとメタアクリル
酸のコポリマー(〔η〕 30℃メチルエチルケトン=
0.12.メタアクリル酸含有量32.9%)100部
とをジクロロメタン660部に添加し、ボールミルで1
2時間分散した。
合物40部とベンジルメタアクリレートとメタアクリル
酸のコポリマー(〔η〕 30℃メチルエチルケトン=
0.12.メタアクリル酸含有量32.9%)100部
とをジクロロメタン660部に添加し、ボールミルで1
2時間分散した。
この分散液を砂目室てした厚さ0.25mのアルミ板上
に塗布、乾燥し膜厚6μmの電子写真感光層を有する電
子写真印刷版材料を作製した。
に塗布、乾燥し膜厚6μmの電子写真感光層を有する電
子写真印刷版材料を作製した。
この試料を暗所でコロナ放電(+6KV)することによ
り、感光層の表面電位を+500Vに帯電させた後、色
温度2854にのタングステン光を試料面での照度2.
0ルツクスで露光したところ、半減露光量(Eso)は
2.01ux−seeであった。
り、感光層の表面電位を+500Vに帯電させた後、色
温度2854にのタングステン光を試料面での照度2.
0ルツクスで露光したところ、半減露光量(Eso)は
2.01ux−seeであった。
つぎに、この試料を暗所で表面電位を+500■に帯電
させた後、ポジ画像の透明原稿と密着させて画像露光し
た。これをl5operll (エッソスタンダード社
製1石油系溶剤)1000部中に微粒子状に分散された
ポリメチルメタアクリレート(トナー)5g及び大豆油
レシチン0.01gからなる液体現像中に浸漬し、鮮明
なポジのトナー画像を得ることができた。
させた後、ポジ画像の透明原稿と密着させて画像露光し
た。これをl5operll (エッソスタンダード社
製1石油系溶剤)1000部中に微粒子状に分散された
ポリメチルメタアクリレート(トナー)5g及び大豆油
レシチン0.01gからなる液体現像中に浸漬し、鮮明
なポジのトナー画像を得ることができた。
更に100℃で30秒間加熱してトナー画像を定着した
。この印刷版材料をメタ珪酸ナトリウム水和物70gを
グリセリン140部、エチレングリコール550部、お
よびエタノール150部に溶解したエツチング液に1分
間浸漬し、水流で軽くブラッシングしながら洗うことに
より、トナーの付着していない部分の感光層を除去し印
刷版を得た。
。この印刷版材料をメタ珪酸ナトリウム水和物70gを
グリセリン140部、エチレングリコール550部、お
よびエタノール150部に溶解したエツチング液に1分
間浸漬し、水流で軽くブラッシングしながら洗うことに
より、トナーの付着していない部分の感光層を除去し印
刷版を得た。
また液体現像液の代わりに、得られた静電潜像を、ゼロ
ックス3500用トナー(富士ゼロックス(R1)製)
を用いて磁気ブラシ現像した後80℃で30秒間加熱、
定着した0次にアルカリ溶液でトナー付着してない部分
の感光層を除去することによっても、刷版が得られた。
ックス3500用トナー(富士ゼロックス(R1)製)
を用いて磁気ブラシ現像した後80℃で30秒間加熱、
定着した0次にアルカリ溶液でトナー付着してない部分
の感光層を除去することによっても、刷版が得られた。
このようにして作製した刷版をハフダスター600CD
オフセツト印刷機を用いて常法により印刷した所地汚れ
のない非常に鮮明な印刷物を5万枚印刷することができ
た。
オフセツト印刷機を用いて常法により印刷した所地汚れ
のない非常に鮮明な印刷物を5万枚印刷することができ
た。
(発明の効果)
以上の通り、本発明の新規電子写真感光体は、正負両帯
電において怒度、耐久性に優れ、繰り返し使用時の感度
低下もごくわずかであることが明らかとなった。さらに
半導体レーザー光源用感光体として十分高感度であるこ
とが明らかとなった。
電において怒度、耐久性に優れ、繰り返し使用時の感度
低下もごくわずかであることが明らかとなった。さらに
半導体レーザー光源用感光体として十分高感度であるこ
とが明らかとなった。
特許出願人 富士写真フィルム株式会社手続補正書
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電性支持体上に、電荷輸送化合物及び電荷発生化合物
を含有した層を設けて成るか、または電荷輸送化合物含
有層及び電荷発生化合物含有層を設けて成る電子写真感
光体において、電荷発生化合物として下記の一般式〔1
〕で表されるトリスアゾ化合物を含有することを特徴と
する電子写真感光体。 一般式〔1〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式〔1〕において、Ar^1、Ar^2、Ar^3
、Ar^4及びAr^5はアリーレン基、2価の縮合多
環式芳香族または2価の複素芳香環基を表す。 Cp′はカプラー残基を表す。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12628289A JP2597911B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 電子写真感光体 |
| DE69018872T DE69018872T2 (de) | 1989-05-18 | 1990-05-18 | Elektrophotographischer Photorezeptor. |
| EP90109466A EP0399403B1 (en) | 1989-05-18 | 1990-05-18 | Electrophotographic photoreceptor |
| US07/524,955 US5073465A (en) | 1989-05-18 | 1990-05-18 | Electrophotographic photoreceptor comprising a trisazo charge generating compound |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12628289A JP2597911B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02304572A true JPH02304572A (ja) | 1990-12-18 |
| JP2597911B2 JP2597911B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=14931356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12628289A Expired - Fee Related JP2597911B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-19 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2597911B2 (ja) |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP12628289A patent/JP2597911B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2597911B2 (ja) | 1997-04-09 |
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