JPH0230554A - サーマルヘッド及びその製造方法 - Google Patents
サーマルヘッド及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0230554A JPH0230554A JP18213888A JP18213888A JPH0230554A JP H0230554 A JPH0230554 A JP H0230554A JP 18213888 A JP18213888 A JP 18213888A JP 18213888 A JP18213888 A JP 18213888A JP H0230554 A JPH0230554 A JP H0230554A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring conductor
- protective film
- conductor layer
- thermal head
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 64
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 29
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 24
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 abstract description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、発熱を利用して種々の情報を記録するため
に用いられるサーマルヘッドの構造と、その製造技術に
関するものである。
に用いられるサーマルヘッドの構造と、その製造技術に
関するものである。
(従来の技術)
従来から、発熱抵抗材料に電力を印加する際に生する熱
を利用して、感熱紙を発色させたつ、或いは熱転写イン
クか塗布されたリボンを記録紙に当接させて情報を記録
するための、サーマルヘッドか広く用いられでいる。
を利用して、感熱紙を発色させたつ、或いは熱転写イン
クか塗布されたリボンを記録紙に当接させて情報を記録
するための、サーマルヘッドか広く用いられでいる。
以下、図面ヲ参照して、従来のサーマルヘッドにつき説
明する。
明する。
第2図は、従来のサーマルヘッドの構造を説明するため
、概略的な要部断面により示す説明図であり、断面を示
すハツチングは一部省略して示す。また、11は例えば
アルミナまたはその他の絶縁材料から成る基板、13は
発熱素子部、15は駆動制御部、17は例えば窒化タン
タル(TaN)またはその他の発熱抵抗材料から成る発
熱抵抗体層、19a〜19cはアルミニウム(A9)ま
たはその他の金属から成る配線導体層、21は例えば二
酸化ケイ素(SiO□)から成る耐酸化性保護膜、23
は例えば五酸化タンタル(Ta205)がら成る耐摩耗
性保護膜、25は耐酸化性保護膜21及び耐摩耗性保護
膜23から成る保護膜、27は例えばガラスから成るグ
レーズ層、29は駆動回路、31は例えば金(Au)の
ような耐酸化性を有する金属から成る入力電極、33は
ポンディングに用いられるワイヤ、35は封止樹脂、3
7a−cはパターン保護膜、aは発熱部を示す。
、概略的な要部断面により示す説明図であり、断面を示
すハツチングは一部省略して示す。また、11は例えば
アルミナまたはその他の絶縁材料から成る基板、13は
発熱素子部、15は駆動制御部、17は例えば窒化タン
タル(TaN)またはその他の発熱抵抗材料から成る発
熱抵抗体層、19a〜19cはアルミニウム(A9)ま
たはその他の金属から成る配線導体層、21は例えば二
酸化ケイ素(SiO□)から成る耐酸化性保護膜、23
は例えば五酸化タンタル(Ta205)がら成る耐摩耗
性保護膜、25は耐酸化性保護膜21及び耐摩耗性保護
膜23から成る保護膜、27は例えばガラスから成るグ
レーズ層、29は駆動回路、31は例えば金(Au)の
ような耐酸化性を有する金属から成る入力電極、33は
ポンディングに用いられるワイヤ、35は封止樹脂、3
7a−cはパターン保護膜、aは発熱部を示す。
第2図からも理解できるように、この種のサーマルヘッ
ドは、主として、発熱素子部13と駆動制御部15とか
ら構成される。
ドは、主として、発熱素子部13と駆動制御部15とか
ら構成される。
ます、発熱素子部13の構成につき説明すれば、基板1
1の上側に、発熱抵抗体層17、配線導体層19aまた
は+9b、及び耐酸化性保護膜21と耐摩耗性保護膜2
3とから構成される保護膜25か、順次、被着形成され
る。これら構成成分を形成するに当っては、スパッタリ
ングまたはその他任意好適な被着技術を用いて行なうの
か一般的である。
1の上側に、発熱抵抗体層17、配線導体層19aまた
は+9b、及び耐酸化性保護膜21と耐摩耗性保護膜2
3とから構成される保護膜25か、順次、被着形成され
る。これら構成成分を形成するに当っては、スパッタリ
ングまたはその他任意好適な被着技術を用いて行なうの
か一般的である。
このうち、発熱抵抗体層17に電力を供給するための配
線導体層19aと+9bは、サーマルヘッドの設計に応
じた位でて離間して形成され、発熱部aが構成される。
線導体層19aと+9bは、サーマルヘッドの設計に応
じた位でて離間して形成され、発熱部aが構成される。
これがため、図示のサーマルヘッドでは、発熱部aによ
り生しる凹部を軽減して図示していない記録媒体に対す
る密着度を向上させ、かつ当該部aに対して保温性を付
与する目的で、部分的にグレーズ層27か設けられてい
る。
り生しる凹部を軽減して図示していない記録媒体に対す
る密着度を向上させ、かつ当該部aに対して保温性を付
与する目的で、部分的にグレーズ層27か設けられてい
る。
また、発熱素子部13と、駆動制御部15の駆動回路2
9とは配線導体層19cu介して電気的に接続される。
9とは配線導体層19cu介して電気的に接続される。
さらに、駆動回路29と、当該回路に対して電力を供給
するための入力電極31との間には、配線導体層19c
が配設される。
するための入力電極31との間には、配線導体層19c
が配設される。
上述した駆動回路29と、配線導体層+9bまたは19
cとの間は、例えば図示のようなポンディングワイヤ3
3によって接続され、この他、半田バンブを用いたフリ
ップチップポンディング技術等か用いられる。このよう
にしてポンディングされた駆動回路29は、例えばエポ
キシ系、シリコン系またはその他の樹脂から成る封止樹
脂35によって保護される。また、サーマルヘッドの細
部については、レジスト材料(ソルダーレジスト)から
成るパターン保護膜37a〜37cが形成される。
cとの間は、例えば図示のようなポンディングワイヤ3
3によって接続され、この他、半田バンブを用いたフリ
ップチップポンディング技術等か用いられる。このよう
にしてポンディングされた駆動回路29は、例えばエポ
キシ系、シリコン系またはその他の樹脂から成る封止樹
脂35によって保護される。また、サーマルヘッドの細
部については、レジスト材料(ソルダーレジスト)から
成るパターン保護膜37a〜37cが形成される。
(発明か解決しようとする課題)
上述した説明からも理解できるように、サーマルヘッド
の耐酸化性または耐摩耗性を高めるために、例えば保護
膜25、封止樹脂35及びパターン保護膜37a〜37
cが配設され、信頼性の向上が図られている。しかしな
から、これら構成成分のうち、保護膜25は、通常、無
機系の材料から構成され、例えばスパッタリング法のよ
うな技術によって被着形成されるのが一般的である。こ
れがため、保護膜25の成膜時ピンホールや、クラック
を生しる。
の耐酸化性または耐摩耗性を高めるために、例えば保護
膜25、封止樹脂35及びパターン保護膜37a〜37
cが配設され、信頼性の向上が図られている。しかしな
から、これら構成成分のうち、保護膜25は、通常、無
機系の材料から構成され、例えばスパッタリング法のよ
うな技術によって被着形成されるのが一般的である。こ
れがため、保護膜25の成膜時ピンホールや、クラック
を生しる。
この点につき、サーマルヘッドの要部を拡大して概略的
断面により示す第3図を参照し、詳細に説明する。但し
、同図においては、前述したグレーズ層を省略し、断面
を示すハツチングは省略してある。
断面により示す第3図を参照し、詳細に説明する。但し
、同図においては、前述したグレーズ層を省略し、断面
を示すハツチングは省略してある。
この図からも理解できるように、保護膜25に発生した
どンホールbやクラックCといった保護膜欠陥は、配線
導体層19aと+9bとの一部を露出させる。これがた
め、サーマルヘッドの動作時に生しる熱によって、例え
ば記録紙に含まれる水分が蒸発して保護膜表面に凝結し
、この水分或いは感熱紙に含まれるイオンが、上述した
保護膜欠陥を介して侵入し、配線導体層が腐食される。
どンホールbやクラックCといった保護膜欠陥は、配線
導体層19aと+9bとの一部を露出させる。これがた
め、サーマルヘッドの動作時に生しる熱によって、例え
ば記録紙に含まれる水分が蒸発して保護膜表面に凝結し
、この水分或いは感熱紙に含まれるイオンが、上述した
保護膜欠陥を介して侵入し、配線導体層が腐食される。
従って、この配線導体層が不良導体と成ることによって
サーマルヘッドの寿命が低下するという問題点か有っプ
と。
サーマルヘッドの寿命が低下するという問題点か有っプ
と。
このような問題点に対処するため、例えば特開昭61−
54951号公報に開示されるように、配線導体層をア
ルミニウムのような陽極酸化可能な材料で構成し、保護
膜欠陥により露出する当該導体層に対して前処理を行な
う技術か提案されている。ff1l′t5、この技術は
、第3図中、dの符号とハツチングを付して示す陽極酸
化部分によって配線導体層を遮蔽するものである。
54951号公報に開示されるように、配線導体層をア
ルミニウムのような陽極酸化可能な材料で構成し、保護
膜欠陥により露出する当該導体層に対して前処理を行な
う技術か提案されている。ff1l′t5、この技術は
、第3図中、dの符号とハツチングを付して示す陽極酸
化部分によって配線導体層を遮蔽するものである。
しかしなから、この技術は配線導体層に対する保護膜欠
陥の影響自体を解消するものではなく、当該欠陥の規模
の大小によっては陽極酸化か不充分となる場合や、サー
マルヘッドの使用による保護膜欠陥の進行に対処するこ
とかできす、陽極酸化による配線導体層の電気的な特性
の変化(こより、サーマルヘッドの経時的な特性変化を
来たすという問題か有った。
陥の影響自体を解消するものではなく、当該欠陥の規模
の大小によっては陽極酸化か不充分となる場合や、サー
マルヘッドの使用による保護膜欠陥の進行に対処するこ
とかできす、陽極酸化による配線導体層の電気的な特性
の変化(こより、サーマルヘッドの経時的な特性変化を
来たすという問題か有った。
また、上述した技術では発熱素子部における耐酸化′i
に対処する目的で陽極酸化可能な材料を用いる構成とな
っている。これがため、駆動制御部における配線材料の
選択にも制限を加える必要か有り、ざらには、駆動制御
部に、別途、酸化に対する手段を講じる必要が有る。
に対処する目的で陽極酸化可能な材料を用いる構成とな
っている。これがため、駆動制御部における配線材料の
選択にも制限を加える必要か有り、ざらには、駆動制御
部に、別途、酸化に対する手段を講じる必要が有る。
このような手段として、例えば第2図を参照して説明し
たソルダーレジストのようなパターン保護膜ヤ封止樹脂
か知られているか、酸化を防止するためには気密性を高
くする必要が有り、作業能率の低下を生じる場合も有っ
た。
たソルダーレジストのようなパターン保護膜ヤ封止樹脂
か知られているか、酸化を防止するためには気密性を高
くする必要が有り、作業能率の低下を生じる場合も有っ
た。
この発明の目的は、上述した従来の問題点に鑑み、配線
導体層を構成する材料に制限を加えることなく保護膜欠
陥や配線導体層自体の腐食(こ対処し得る技術を提供し
、さらに、耐食性に優れたサーマルヘッドを廉価に提供
することに有る。
導体層を構成する材料に制限を加えることなく保護膜欠
陥や配線導体層自体の腐食(こ対処し得る技術を提供し
、さらに、耐食性に優れたサーマルヘッドを廉価に提供
することに有る。
(課題を解決するための手段)
この目的の達成を図るため、この出願の第発明に係るサ
ーマルへ・ンドによれば、基板上(こ、発熱抵抗体層、
発熱部で離間して形成された配線導体層、及び保護膜か
順次被着形成されて成る発熱素子部と、 上述した配線導体層に接続された駆動回路を異えて成る
駆動制御部とをΩえたサーマルヘッドにおいて、 上述した配線導体層の上側にコーティング保護膜を具え
て成る ことを特徴としている。
ーマルへ・ンドによれば、基板上(こ、発熱抵抗体層、
発熱部で離間して形成された配線導体層、及び保護膜か
順次被着形成されて成る発熱素子部と、 上述した配線導体層に接続された駆動回路を異えて成る
駆動制御部とをΩえたサーマルヘッドにおいて、 上述した配線導体層の上側にコーティング保護膜を具え
て成る ことを特徴としている。
また、この出願の第二発明に係るサーマルヘッドの製造
方法によれば、基板上に、発熱抵抗体層、発熱部で離間
して形成された配線導体層、及び保護膜か順次被着形成
されて成る発熱素子部と、 上述した配線導体層に接続された駆動回路を具えて成る
駆動制御部とを具えたサーマルヘッドを製造するに当り
、 上述した配線導体層を形成した後、絶縁材料から構成さ
れるコーティング溶液を塗布・焼成してコーティング保
護膜を形成する工程と、上述したコーティング保護膜を
形成した後、このコーティング保護膜の所定部分を除去
して前述の配線導体層を露出する接続部を形成する工程
と、 上述した接続部に耐酸化性金属て被覆されたメツキ電極
を形成する工程と を含むことを特徴としている。
方法によれば、基板上に、発熱抵抗体層、発熱部で離間
して形成された配線導体層、及び保護膜か順次被着形成
されて成る発熱素子部と、 上述した配線導体層に接続された駆動回路を具えて成る
駆動制御部とを具えたサーマルヘッドを製造するに当り
、 上述した配線導体層を形成した後、絶縁材料から構成さ
れるコーティング溶液を塗布・焼成してコーティング保
護膜を形成する工程と、上述したコーティング保護膜を
形成した後、このコーティング保護膜の所定部分を除去
して前述の配線導体層を露出する接続部を形成する工程
と、 上述した接続部に耐酸化性金属て被覆されたメツキ電極
を形成する工程と を含むことを特徴としている。
(作用)
この出願の第一発明に係るサーマルヘッドによれば、保
護膜欠陥を介して侵入する水分やイオンかコーティング
保護膜で遮蔽され、発熱素子部及び駆動制御部にあける
配線導体層の腐食を回避し得る。
護膜欠陥を介して侵入する水分やイオンかコーティング
保護膜で遮蔽され、発熱素子部及び駆動制御部にあける
配線導体層の腐食を回避し得る。
また、この出願の第二発明に係るサーマルヘッドの製造
方法によれば、上述したコーティング保護膜の形成に際
して、コーティング溶液を塗布・焼成して行なわれるた
め、発熱部に生した凹部による段差を軽減したり、或い
は当該凹部自体を解消して、保護膜のクラックを防止す
ることかできる。
方法によれば、上述したコーティング保護膜の形成に際
して、コーティング溶液を塗布・焼成して行なわれるた
め、発熱部に生した凹部による段差を軽減したり、或い
は当該凹部自体を解消して、保護膜のクラックを防止す
ることかできる。
さらに、この方法発明では、駆動回路と配線導体層との
電気的な接続を行なうための接続部を形成した後、少な
くとも、表面か耐酸化性金属によって被覆されたメツキ
電極を形成するため、駆動制御部における配線導体層の
腐食をも回避することかできる。
電気的な接続を行なうための接続部を形成した後、少な
くとも、表面か耐酸化性金属によって被覆されたメツキ
電極を形成するため、駆動制御部における配線導体層の
腐食をも回避することかできる。
(実施例)
以下、図面を参照して、この発明の実施例につき詳細に
説明する。尚、以下の説明においては、この出願の方法
発明の実施例に係る製造工程に従って説明するものとす
る。また、以下の説明で参照する図面は、この発明の理
解が容易となる程度に概略的に示してあるに過ぎす、こ
の発明はこれら図示例にのみ限定されるものではないこ
とを理解されたい。ざらに、この実施例では、駆動回路
を基板上に実装してサーマルヘッドを作製するに当り、
半田バンブによるフリップチップポンディング技術を利
用した場合につき例示して説明する。
説明する。尚、以下の説明においては、この出願の方法
発明の実施例に係る製造工程に従って説明するものとす
る。また、以下の説明で参照する図面は、この発明の理
解が容易となる程度に概略的に示してあるに過ぎす、こ
の発明はこれら図示例にのみ限定されるものではないこ
とを理解されたい。ざらに、この実施例では、駆動回路
を基板上に実装してサーマルヘッドを作製するに当り、
半田バンブによるフリップチップポンディング技術を利
用した場合につき例示して説明する。
第1図(A)〜(G)は、実施例を説明するため、各製
造工程毎に概略的な基板断面によって示す説明図である
。これら図中、既に説明した構成成分と同一の機能を有
するものについては、同一の符号を付して示し、詳細な
説明を省略する。また、これら図中、39はコーティン
グ溶液を塗布・焼成して得られたコーティング保護膜、
41a−41cは接続部、47a−47cはニッケル(
Ni)層43と金(Au)から成る耐酸化性金属層45
とにより構成されるメツキ電極、49は半田から成るバ
ンブを示す。
造工程毎に概略的な基板断面によって示す説明図である
。これら図中、既に説明した構成成分と同一の機能を有
するものについては、同一の符号を付して示し、詳細な
説明を省略する。また、これら図中、39はコーティン
グ溶液を塗布・焼成して得られたコーティング保護膜、
41a−41cは接続部、47a−47cはニッケル(
Ni)層43と金(Au)から成る耐酸化性金属層45
とにより構成されるメツキ電極、49は半田から成るバ
ンブを示す。
まず始めに、発熱素子部13に相当する基板11の表面
に、従来と同様にして、例えばガラスから成るグレーズ
層27ヲ形成する。然る後、例えばスパッタリング技術
により、上述した基板11の全面に、窒化タンタル(T
aN)から成る発熱抵抗体層17及びアルミニウム(A
9)から成る配線導体層19を順次被着させる(第1図
(A))。
に、従来と同様にして、例えばガラスから成るグレーズ
層27ヲ形成する。然る後、例えばスパッタリング技術
により、上述した基板11の全面に、窒化タンタル(T
aN)から成る発熱抵抗体層17及びアルミニウム(A
9)から成る配線導体層19を順次被着させる(第1図
(A))。
続いて、ホトリソグラフィー技術によって、図示してい
ないレジストパターンを形成し、駆動回路を実装する領
域(第2図参照)の配線導体層19と発熱抵抗体層17
及び発熱部aの配線導体層19をエツチング除去する。
ないレジストパターンを形成し、駆動回路を実装する領
域(第2図参照)の配線導体層19と発熱抵抗体層17
及び発熱部aの配線導体層19をエツチング除去する。
このようにして、従来と同様に、配線導体層19a〜1
9cをパターン形成する(第1図(B))。
9cをパターン形成する(第1図(B))。
次に、配線導体層19a〜19cを被着形成した基板1
1上に、配線導体層19aと+9bとの間の凹部を実質
的に解消し、かつ配線導体層+9bと19cとの間の凹
部で破断を生じない程度の設計に応した膜厚で、例えば
ケイ素化合物(R、Si(叶)4□)(nは正数、日は
有機系の官能基を表わす。)を主成分とする液状のコー
ティング溶液をスピンコード法またはデイツプコート法
により塗布する。然る後、設計に応した温度で焼成して
、配線導体層19a〜19cの表面に、酸化ケイ素系の
コーティング保護膜39を形成する(第1図(C))。
1上に、配線導体層19aと+9bとの間の凹部を実質
的に解消し、かつ配線導体層+9bと19cとの間の凹
部で破断を生じない程度の設計に応した膜厚で、例えば
ケイ素化合物(R、Si(叶)4□)(nは正数、日は
有機系の官能基を表わす。)を主成分とする液状のコー
ティング溶液をスピンコード法またはデイツプコート法
により塗布する。然る後、設計に応した温度で焼成して
、配線導体層19a〜19cの表面に、酸化ケイ素系の
コーティング保護膜39を形成する(第1図(C))。
上述したコーティング溶液につき詳細に説明すれば、こ
の実施例では、当該溶液の一例としてrOcD Typ
e−7J (東京応化■製、商品名)を用いた。また
、製品として得られるサーマルヘッドの動作時に発生す
る熱によって、]−ティング保護膜39が劣化するのを
低減する目的で、上述した焼成温度を、動作時に発熱部
aか至る温度よりも高い温度とするのが好適である。
の実施例では、当該溶液の一例としてrOcD Typ
e−7J (東京応化■製、商品名)を用いた。また
、製品として得られるサーマルヘッドの動作時に発生す
る熱によって、]−ティング保護膜39が劣化するのを
低減する目的で、上述した焼成温度を、動作時に発熱部
aか至る温度よりも高い温度とするのが好適である。
続いて、従来周知のホリソグラフィ技術によって、上述
したコーティング保護膜39の所定部分をエツチング除
去して、下層に相当する配線導体層+9b及び19cを
露出させる接続部41a〜41cを形成する(第1図(
D))。
したコーティング保護膜39の所定部分をエツチング除
去して、下層に相当する配線導体層+9b及び19cを
露出させる接続部41a〜41cを形成する(第1図(
D))。
上述した接続部のうち、第1図(D)中に41aの符号
を付して示す接続部は、前述した第2図においで入力電
極31に相当する位置に配設されたものであり、接続部
41b及び41cは駆動回路を実装するために設けられ
るものである。
を付して示す接続部は、前述した第2図においで入力電
極31に相当する位置に配設されたものであり、接続部
41b及び41cは駆動回路を実装するために設けられ
るものである。
次に、第2図を参照して説明したのと同様に、例えば二
酸化ケイ素(SiO□)から成る□耐酸化性保護膜21
、及び五酸化タンタル(TaJs)から成る耐摩耗性保
護膜23ヲ、発熱素子部13の上にのみ、順次、被着形
成して保護膜25か形成される(第1図(E))。
酸化ケイ素(SiO□)から成る□耐酸化性保護膜21
、及び五酸化タンタル(TaJs)から成る耐摩耗性保
護膜23ヲ、発熱素子部13の上にのみ、順次、被着形
成して保護膜25か形成される(第1図(E))。
ここで、発熱素子部13上に上述した保護膜25を選択
的に形成するに当っては、例えば、スパッタホルダで駆
動制御部15ヲマスクした状態でスパッタを行なった。
的に形成するに当っては、例えば、スパッタホルダで駆
動制御部15ヲマスクした状態でスパッタを行なった。
この第1図(E)からも理解できるように、発熱素子部
13においでは、コーティング保護膜39を形成するこ
とによって、前述した発熱部aにあける凹部か実質的に
解消されるため、保護膜25にクラックか発生する頻度
を低下させることかできる。
13においでは、コーティング保護膜39を形成するこ
とによって、前述した発熱部aにあける凹部か実質的に
解消されるため、保護膜25にクラックか発生する頻度
を低下させることかできる。
次に、従来周知のメツキ技術により、前述しp接続部4
1a〜41cの各々にN1層43と耐酸化性金属層45
とを順次被着させ、メツキ電極47a〜47cを形成す
る(第1図(E))。
1a〜41cの各々にN1層43と耐酸化性金属層45
とを順次被着させ、メツキ電極47a〜47cを形成す
る(第1図(E))。
続いて、従来と同様に、予めバンブ49ヲ形成した駆動
回路29を上述したメ・ンキ電極47b及び47cに位
置合わせし、数百(℃)の温度てリノロ−して半田付け
を行なう。然る後、駆動回路29の耐湿性を図り、かつ
バンブ49の酸化を防ぐ目的で封止樹脂33により封止
・固定して、第1図(G)に示すようなサーマルへ・ン
トを完成する。
回路29を上述したメ・ンキ電極47b及び47cに位
置合わせし、数百(℃)の温度てリノロ−して半田付け
を行なう。然る後、駆動回路29の耐湿性を図り、かつ
バンブ49の酸化を防ぐ目的で封止樹脂33により封止
・固定して、第1図(G)に示すようなサーマルへ・ン
トを完成する。
上述の第1図(G)と前述した第2図との比較からも理
解できるように、メツキ電極47a〜47cのうち、4
7aの符号を付して示すメツキ電極は人力電極として配
設されたものであり、47b及び47cとして示すメツ
キ電極は駆動回路29を実装するために設けられたもの
である。
解できるように、メツキ電極47a〜47cのうち、4
7aの符号を付して示すメツキ電極は人力電極として配
設されたものであり、47b及び47cとして示すメツ
キ電極は駆動回路29を実装するために設けられたもの
である。
このうち、メツキ電極47b及び47cV構成するNi
層43は、上述した駆動回路を実装するための半田付け
に当って、バンブ49を構成する半田材料か配線導体層
+9b及び19cに拡散するのを防ぐ。
層43は、上述した駆動回路を実装するための半田付け
に当って、バンブ49を構成する半田材料か配線導体層
+9b及び19cに拡散するのを防ぐ。
また、入力電極として形成されたメツキ電極47aは、
この後に行なわれる外部の構成成分との接続工程まで露
出状態としても、酸化を生しることかない。
この後に行なわれる外部の構成成分との接続工程まで露
出状態としても、酸化を生しることかない。
従って、上述した第1図(A)〜(G)の各工程を経た
後の配線導体層19a〜19cは、コテイング保護膜3
9及び耐酸化性金属層45によって、サーマルヘッドを
使用する環境から遮断された状態で具えられることとな
る。
後の配線導体層19a〜19cは、コテイング保護膜3
9及び耐酸化性金属層45によって、サーマルヘッドを
使用する環境から遮断された状態で具えられることとな
る。
以上、この発明の実施例につき詳細に説明したか、この
発明は上述した実施例にのみ限定されるものではないこ
と明らかである。
発明は上述した実施例にのみ限定されるものではないこ
と明らかである。
例えば、上述した実施例では、発熱素子部13における
各構成成分の配置関係につき、配線導体層19、コーテ
ィング保護膜39、耐酸化性保護膜21及び耐摩耗性保
護膜23の順で発熱抵抗体層17の上側に4層を積層し
た場合につき説明した。
各構成成分の配置関係につき、配線導体層19、コーテ
ィング保護膜39、耐酸化性保護膜21及び耐摩耗性保
護膜23の順で発熱抵抗体層17の上側に4層を積層し
た場合につき説明した。
即ち、耐酸化゛i保護膜21(Si02)と耐摩耗性保
護膜23(Ta20.i)とを、各々、別の層として、
合計2層の保護膜25により構成した場合につき説明し
たか、これに限定されるものではなく、例えば窒化シリ
コン(S!J、)のように、耐酸化性と耐摩耗性とを兼
ね備えた材料によって1層のみにより保護膜25を構成
しても良い。さらに、上述した実施例のような積層数の
場合であっても、コーティング保護膜39の配置関係は
限定されるものではなく、サーマルヘッドか記録媒体と
接触する表面を1摩耗性保護膜23とすれば、当該保護
膜23と配線導体層19との間の積層関係を変更しても
良い。即ち、発熱抵抗体層17の表面に、配線導体層1
9、耐酸化性保護膜21、コーティング保護膜39及び
耐摩耗性保護膜23の順で発熱素子部13を構成するこ
とも好適である。
護膜23(Ta20.i)とを、各々、別の層として、
合計2層の保護膜25により構成した場合につき説明し
たか、これに限定されるものではなく、例えば窒化シリ
コン(S!J、)のように、耐酸化性と耐摩耗性とを兼
ね備えた材料によって1層のみにより保護膜25を構成
しても良い。さらに、上述した実施例のような積層数の
場合であっても、コーティング保護膜39の配置関係は
限定されるものではなく、サーマルヘッドか記録媒体と
接触する表面を1摩耗性保護膜23とすれば、当該保護
膜23と配線導体層19との間の積層関係を変更しても
良い。即ち、発熱抵抗体層17の表面に、配線導体層1
9、耐酸化性保護膜21、コーティング保護膜39及び
耐摩耗性保護膜23の順で発熱素子部13を構成するこ
とも好適である。
また、上述した実施例では、コーティング保護膜39を
構成する材料として、シリコン系化合物を主成分とする
コーティング溶液につき例示した。
構成する材料として、シリコン系化合物を主成分とする
コーティング溶液につき例示した。
しかしながら、このコーティング溶液の代わりに、例え
ばポリイミド系のコーティング溶液を用いた場合であっ
ても、上述と同様な効果を得ることかできる。
ばポリイミド系のコーティング溶液を用いた場合であっ
ても、上述と同様な効果を得ることかできる。
さらに、上述した実施例では、駆動制御部15に駆動回
路を実装するに当って、フリップチップポンティング技
術を利用した場合につき説明したか、これにのみ限定さ
れるものではなく、第2図を参照して説明したワイヤポ
ンティング技術またはその他任意好適な実装技術を適用
しても、上述した実施例と同様な効果を得ることができ
る。
路を実装するに当って、フリップチップポンティング技
術を利用した場合につき説明したか、これにのみ限定さ
れるものではなく、第2図を参照して説明したワイヤポ
ンティング技術またはその他任意好適な実装技術を適用
しても、上述した実施例と同様な効果を得ることができ
る。
これに加えて、上述の実施例では、メツキ電極を形成す
るに当って、下地となる配線導体層と耐酸化性金属層と
の間にN1層を設けた場合につき説明したか、耐酸化性
金属層と配線導体層との密着性またはその他、駆動回路
の実装に際して信頼性を確保し得る場合には、配線導体
層の表面に、直接、耐酸化性金属層を被着しても良い。
るに当って、下地となる配線導体層と耐酸化性金属層と
の間にN1層を設けた場合につき説明したか、耐酸化性
金属層と配線導体層との密着性またはその他、駆動回路
の実装に際して信頼性を確保し得る場合には、配線導体
層の表面に、直接、耐酸化性金属層を被着しても良い。
これら材料、数値的条件、配置関係及びその他の条件は
、この発明の目的の節回内で任意好適な設計の変更及び
変形を行ない得ること明らかである。
、この発明の目的の節回内で任意好適な設計の変更及び
変形を行ない得ること明らかである。
(発明の効果)
上述した説明からも明らかなように、この出願の第一発
明に係るサーマルヘッドによれば、コテイング保護膜を
前述した配置関係で設けることにより、水分やイオンに
よる発熱素子部及び駆動制御部における配線導体層の腐
食を回避することができる。
明に係るサーマルヘッドによれば、コテイング保護膜を
前述した配置関係で設けることにより、水分やイオンに
よる発熱素子部及び駆動制御部における配線導体層の腐
食を回避することができる。
また、この出願の第二発明に係るサーマルヘッドの製造
方法によれば、上述したコーティング保護膜の形成に際
して、コーティング溶液を塗布・焼成して行なわれるた
め、発熱部に生した凹部による段差の軽減または当該凹
部を解消してクラックの発生頻度を低下せしめることが
でき、ざらに、耐酸化性金属層で被覆されたメツキ電極
を介して、例えば駆動回路と配線導体層との電気的な接
続を行なうため、駆動制御部における配線導体層の腐食
をより低減せしめることか可能となる。
方法によれば、上述したコーティング保護膜の形成に際
して、コーティング溶液を塗布・焼成して行なわれるた
め、発熱部に生した凹部による段差の軽減または当該凹
部を解消してクラックの発生頻度を低下せしめることが
でき、ざらに、耐酸化性金属層で被覆されたメツキ電極
を介して、例えば駆動回路と配線導体層との電気的な接
続を行なうため、駆動制御部における配線導体層の腐食
をより低減せしめることか可能となる。
従って、この出願に係る技術を適用することにより、配
線導体層を構成する材料に制限を加えることなく、耐食
性に優れた安価なサーマルヘッドを提供することかでき
る。
線導体層を構成する材料に制限を加えることなく、耐食
性に優れた安価なサーマルヘッドを提供することかでき
る。
第1図(A)〜(G)は、この出願に係る発明の詳細な
説明するため、サーマルヘッドの各製造工程毎に、概略
的基板断面により示す説明図、 第2図及び第3図は、従来技術を説明するため、概略的
な基板断面により示す説明図である。 11・・・・基板、13・・・・発熱素子部15・・・
・駆動制御部、17・・・・発熱抵抗体層19、19a
、 19b、 19cm配線導体層21・・・・耐酸化
性保護膜、23・・・・耐摩耗性保護膜25・・・・保
護膜、27・・・・グレーズ層29・・・・駆動回路、
31・・・・入力電極33・・・・ポンディングワイヤ
、35・・・・封止樹脂37a、37b、37c・・・
・・パターン保護膜39・・・・コーティング保護膜 41a、41b、41c・・・・・接続部、43・・・
・ニッケル(Ni)層45・・・・耐酸化性金属層 47a・・−メツキ(入力)電極 47b、47c・・・・−メツキ電極、49・・・・バ
ンブa・・・・発熱部、b・・・・ピンホールC・・・
・クラック、d・・・・陽極酸化部分。 特許出願人 沖電気工業株式会社く ロコ
説明するため、サーマルヘッドの各製造工程毎に、概略
的基板断面により示す説明図、 第2図及び第3図は、従来技術を説明するため、概略的
な基板断面により示す説明図である。 11・・・・基板、13・・・・発熱素子部15・・・
・駆動制御部、17・・・・発熱抵抗体層19、19a
、 19b、 19cm配線導体層21・・・・耐酸化
性保護膜、23・・・・耐摩耗性保護膜25・・・・保
護膜、27・・・・グレーズ層29・・・・駆動回路、
31・・・・入力電極33・・・・ポンディングワイヤ
、35・・・・封止樹脂37a、37b、37c・・・
・・パターン保護膜39・・・・コーティング保護膜 41a、41b、41c・・・・・接続部、43・・・
・ニッケル(Ni)層45・・・・耐酸化性金属層 47a・・−メツキ(入力)電極 47b、47c・・・・−メツキ電極、49・・・・バ
ンブa・・・・発熱部、b・・・・ピンホールC・・・
・クラック、d・・・・陽極酸化部分。 特許出願人 沖電気工業株式会社く ロコ
Claims (2)
- (1)基板上に、発熱抵抗体層、発熱部で離間して形成
された配線導体層、及び保護膜が順次被着形成されて成
る発熱素子部と、 前記配線導体層に接続された駆動回路を具えて成る駆動
制御部とを具えたサーマルヘッドにおいて、 前記配線導体層の上側にコーティング保護膜を具えて成
る ことを特徴とするサーマルヘッド。 - (2)基板上に、発熱抵抗体層、発熱部で離間して形成
された配線導体層、及び保護膜が順次被着形成されて成
る発熱素子部と、 前記配線導体層に接続された駆動回路を具えて成る駆動
制御部とを具えたサーマルヘッドを製造するに当り、 前記配線導体層を形成した後、絶縁材料から構成される
コーティング溶液を塗布・焼成してコーティング保護膜
を形成する工程と、 前記コーティング保護膜を形成した後、該コーティング
保護膜に、前記配線導体層を露出する接続部を形成する
工程と、 前記接続部に耐酸化性金属で被覆されたメッキ電極を形
成する工程と を含むことを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18213888A JPH0230554A (ja) | 1988-07-21 | 1988-07-21 | サーマルヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18213888A JPH0230554A (ja) | 1988-07-21 | 1988-07-21 | サーマルヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0230554A true JPH0230554A (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=16113010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18213888A Pending JPH0230554A (ja) | 1988-07-21 | 1988-07-21 | サーマルヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0230554A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002011900A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-15 | Kyocera Corp | サーマルヘッド |
| JP2014104715A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Kyocera Corp | サーマルヘッドおよびこれを備えるサーマルプリンタ |
-
1988
- 1988-07-21 JP JP18213888A patent/JPH0230554A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002011900A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-15 | Kyocera Corp | サーマルヘッド |
| JP2014104715A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Kyocera Corp | サーマルヘッドおよびこれを備えるサーマルプリンタ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6242999B1 (en) | Resistor | |
| TWI413146B (zh) | 晶片熔絲及其製造方法 | |
| JP2839600B2 (ja) | サーマル・ヘッド及びその製造方法 | |
| JP2001232838A (ja) | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH10119335A (ja) | サーマルヘッドおよびその製造方法 | |
| JP3118509B2 (ja) | チップ抵抗器 | |
| US6201558B1 (en) | Thermal head | |
| JPH10125508A (ja) | チップサーミスタ及びその製造方法 | |
| TW202106523A (zh) | 熱印頭元件、熱印頭模組及其製造方法 | |
| JPH03101234A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0661947B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JPH068053B2 (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPH10315520A (ja) | サーマルヘッド及びサーマルヘッドの製造方法 | |
| JP4326670B2 (ja) | チップ抵抗器の製法 | |
| JPS5959474A (ja) | 薄膜サ−マルヘッド | |
| JPH0221656B2 (ja) | ||
| JPS63268663A (ja) | サーマルヘッド基板および製造方法 | |
| JPH01286333A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4795568B2 (ja) | チップ形抵抗ネットワークの製造方法 | |
| JPS61158166A (ja) | 突起金属形成用基板の製造方法 | |
| JPS62162562A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPH031834B2 (ja) | ||
| JPS63122576A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPS61244567A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPH0712694B2 (ja) | サ−マルヘツド |