JPH02306775A - 輪郭補正回路 - Google Patents
輪郭補正回路Info
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- JPH02306775A JPH02306775A JP1126608A JP12660889A JPH02306775A JP H02306775 A JPH02306775 A JP H02306775A JP 1126608 A JP1126608 A JP 1126608A JP 12660889 A JP12660889 A JP 12660889A JP H02306775 A JPH02306775 A JP H02306775A
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- Japan
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- signal
- clock
- memory
- contour
- circuit
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- Picture Signal Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、映像信号処理における輪郭補正回路に関する
。
。
最も簡便な輪郭補正回路としては、映像信号の2次微分
信号を原信号に重畳し、輪郭部を見かけ上急峻化する手
段が知られている。しかし、本手段は、輪郭部前後にプ
リシュート、ポストシュートのリンギングを生じるとい
う副作用を伴う。
信号を原信号に重畳し、輪郭部を見かけ上急峻化する手
段が知られている。しかし、本手段は、輪郭部前後にプ
リシュート、ポストシュートのリンギングを生じるとい
う副作用を伴う。
上記副作用を伴わないようにするために、例えば、特開
昭61−33078では、1水平走査期間(IH)分の
容量を持つ電荷転送素子(CCD)を用い、書き込みク
ロックを映像信号の2次微分成分に応じ変調し、読み出
しクロックを一定周波数とすることにより1輪郭部の立
上り時間を圧縮している。また、特開昭63−4688
1では一定周波数のクロックでメモリの書き込みを行な
い。
昭61−33078では、1水平走査期間(IH)分の
容量を持つ電荷転送素子(CCD)を用い、書き込みク
ロックを映像信号の2次微分成分に応じ変調し、読み出
しクロックを一定周波数とすることにより1輪郭部の立
上り時間を圧縮している。また、特開昭63−4688
1では一定周波数のクロックでメモリの書き込みを行な
い。
読み出しクロックの位相を2次微分信号に応じ可変とし
、先の従来例と同様な効果を得ている。
、先の従来例と同様な効果を得ている。
クロックのタイミングを制御する技術には、例えば、V
TR(ビデオテープレコーダー)等の時間軸変動を補正
するTBC(タイムベースコレクタ)や、異なる映像信
号を同期結合するフレームシンクロナイザ等が知られて
いる。
TR(ビデオテープレコーダー)等の時間軸変動を補正
するTBC(タイムベースコレクタ)や、異なる映像信
号を同期結合するフレームシンクロナイザ等が知られて
いる。
先述の輪郭補正技術は、上記のTBC等との他技術との
組み合せは考慮されておらず、それぞれ独立なシステム
を構成すると回路規模が増大し、クロックのタイミング
制御という共通性を生かすことができなかった。
組み合せは考慮されておらず、それぞれ独立なシステム
を構成すると回路規模が増大し、クロックのタイミング
制御という共通性を生かすことができなかった。
本発明の目的は、輪郭補正を行なうと同時にTBC等の
時間軸変換を行なうことにある。
時間軸変換を行なうことにある。
上記目的を達成するために1本発明では映像信号をディ
ジタル化A/D変換器、このディジタル信号を記憶する
メモリ、メモリ出力をアナログ信号に変換するD/A変
換器と、入力映像信号に同期したメモリ書き込み用クロ
ックを生成する手段と、フリーラン発振或いは入力映像
信号を同期結合させようとする外部映像信号に同期した
クロックを生成する手段により時間軸変換を行なう。さ
らに、入力映像信号の輪郭情報を検出し、この情報をも
とに、上記書き込み或いは読み出しクロックのいずれか
の周期を局所的に変化させる手段を設けた。
ジタル化A/D変換器、このディジタル信号を記憶する
メモリ、メモリ出力をアナログ信号に変換するD/A変
換器と、入力映像信号に同期したメモリ書き込み用クロ
ックを生成する手段と、フリーラン発振或いは入力映像
信号を同期結合させようとする外部映像信号に同期した
クロックを生成する手段により時間軸変換を行なう。さ
らに、入力映像信号の輪郭情報を検出し、この情報をも
とに、上記書き込み或いは読み出しクロックのいずれか
の周期を局所的に変化させる手段を設けた。
輪郭情報に応じて、輪郭部ではメモリへの書き込みクロ
ックの周期を非輪郭部に比べて長くする。
ックの周期を非輪郭部に比べて長くする。
このようにしてメモリに書き込まれた信号を一定周期の
クロックで読み出すことにより、@郭部のデータ感覚は
書き込み時に対して時間圧縮され、輪郭部の波形を急峻
にする輪郭補正効果を得る。
クロックで読み出すことにより、@郭部のデータ感覚は
書き込み時に対して時間圧縮され、輪郭部の波形を急峻
にする輪郭補正効果を得る。
かつ、入力信号の時間変動に同期したクロックでメモリ
に書き込み、読み出しは、時間変動を持たないクロック
で行なうので、時間軸補正も同時に行なうことができる
。
に書き込み、読み出しは、時間変動を持たないクロック
で行なうので、時間軸補正も同時に行なうことができる
。
また、逆に書き込みを一定周期のクロックで行ない、読
み出し時に輪郭部でクロックの周期を非輪郭部に対し短
くすることによっても、上記手段と同じ効果を得られる
。
み出し時に輪郭部でクロックの周期を非輪郭部に対し短
くすることによっても、上記手段と同じ効果を得られる
。
以下、本発明の実施例を図を用いて説明する。
第1図は、本発明の第1の実施例のブロック図である。
図中、1はA/D変換器、2はメモリ、3はD/A変換
器である。メモリ2は、書き込みと読み出しをそれぞれ
異なるクロックで行なうことが可能な、非同期方式のも
のとする(書き込みクロックWCK、読み出しクロック
RCK)。4はメモリ2の書き込み制御パルスを発生す
る回路、5は同じく読み出し制御パルスを発生する回路
である。上記制御パルスはメモリの方式により異なるが
、本実施例では、FIFO(ファーストインファースト
アウト)方式で、書き込み及び読み出しタイミングを定
める、リセット信号、WRES(書き込みリセット信号
)、RRES (読み出しリセット信号)により制御す
るものとする。勿論、アドレス指定方式でも以下に示す
効果を得ることはでき、この場合には、書き込み制御パ
ルス発生回路4.読み出し制御パルス発生回路5におい
て、アドレスを発生すればよい。6は水晶振動子であり
読み出しクロックを生成するものである。勿論発振器は
水晶発振器以外のものでもかまわない。
器である。メモリ2は、書き込みと読み出しをそれぞれ
異なるクロックで行なうことが可能な、非同期方式のも
のとする(書き込みクロックWCK、読み出しクロック
RCK)。4はメモリ2の書き込み制御パルスを発生す
る回路、5は同じく読み出し制御パルスを発生する回路
である。上記制御パルスはメモリの方式により異なるが
、本実施例では、FIFO(ファーストインファースト
アウト)方式で、書き込み及び読み出しタイミングを定
める、リセット信号、WRES(書き込みリセット信号
)、RRES (読み出しリセット信号)により制御す
るものとする。勿論、アドレス指定方式でも以下に示す
効果を得ることはでき、この場合には、書き込み制御パ
ルス発生回路4.読み出し制御パルス発生回路5におい
て、アドレスを発生すればよい。6は水晶振動子であり
読み出しクロックを生成するものである。勿論発振器は
水晶発振器以外のものでもかまわない。
7は電圧制御発振器(VCO)、8は位F+1比較器で
あり、位相比較器8に読み出しクロックと■CO出力ク
ロックを入力する。これによりPLL(フェーズロック
ドループ)を構成し、書き込みクロックと読み出しタロ
ツクを同期させる。
あり、位相比較器8に読み出しクロックと■CO出力ク
ロックを入力する。これによりPLL(フェーズロック
ドループ)を構成し、書き込みクロックと読み出しタロ
ツクを同期させる。
9は微分回路であり、入力信号の変化分を取り出す、1
0は絶対値回路で上記信号の変化量の絶対値をとる。1
1は比較回路、12は加算器。
0は絶対値回路で上記信号の変化量の絶対値をとる。1
1は比較回路、12は加算器。
13はコンデンサ、14は比較器の基準電位である。
vcoの発振周波数を制御する電圧は、位相比較回路徨
出力電圧(直流)に、入力信号の変化量に応じた電圧(
交流)を加えたものとなる。これにより、書き込みクロ
ックの周波数は平均すると読み出しクロックと同じであ
るが、局所的に周期の異なるクロックが得られる。
出力電圧(直流)に、入力信号の変化量に応じた電圧(
交流)を加えたものとなる。これにより、書き込みクロ
ックの周波数は平均すると読み出しクロックと同じであ
るが、局所的に周期の異なるクロックが得られる。
以下、本発明の動作の詳細について述べる。第2図は、
本発明の動作を示すタイミング図である。
本発明の動作を示すタイミング図である。
(α)は入力信号、(b)は入力信号を微分し、絶対値
をとったものであり、信号の輪郭を抽出した信号である
。但し比較器12で所定のレベル以上の差がある場合の
みを輪郭部と判定する。この輪郭成分を反映した交流電
圧を重畳した制御電圧をvCo7に加えることにより、
発生するクロックの周期が輪郭部で変化する。制御電圧
が高くなるに従い、クロックの周期が長くなるようなり
COの構成とすると、クロックは(Q)に示すようなも
のとなる(図中、クロックは立ち上り(或いは立ち下が
り)エツジのみを示す)、従って、入力信号(α)の黒
丸で示す点が、サンプリングされ、メモリ2へ書き込ま
れる。読み出しは、(d)に示す一定周期のクロックで
行なう。これにより、読み出される信号は、(e)に示
すような波形となる。即ち1輪郭部の信号は1時間圧縮
される効果があり、変化が急峻になる。これによって、
処理前はぼけていた輪郭を鮮明にする輪郭補正効果を得
る。1 尚、本実施例では、入力信号そのものから輪郭を検出し
ているが、コンポーネント信号、例えば輝度信号と色差
信号、或いはR,G、B信号を対象とする場合、相関を
持つお互いの信号を用いて輪郭を検出してもよい。また
、自分自身からの輪郭信号と他の信号の輪郭信号を用い
、両者を混合、或いはいずれかを選択してもよい。
をとったものであり、信号の輪郭を抽出した信号である
。但し比較器12で所定のレベル以上の差がある場合の
みを輪郭部と判定する。この輪郭成分を反映した交流電
圧を重畳した制御電圧をvCo7に加えることにより、
発生するクロックの周期が輪郭部で変化する。制御電圧
が高くなるに従い、クロックの周期が長くなるようなり
COの構成とすると、クロックは(Q)に示すようなも
のとなる(図中、クロックは立ち上り(或いは立ち下が
り)エツジのみを示す)、従って、入力信号(α)の黒
丸で示す点が、サンプリングされ、メモリ2へ書き込ま
れる。読み出しは、(d)に示す一定周期のクロックで
行なう。これにより、読み出される信号は、(e)に示
すような波形となる。即ち1輪郭部の信号は1時間圧縮
される効果があり、変化が急峻になる。これによって、
処理前はぼけていた輪郭を鮮明にする輪郭補正効果を得
る。1 尚、本実施例では、入力信号そのものから輪郭を検出し
ているが、コンポーネント信号、例えば輝度信号と色差
信号、或いはR,G、B信号を対象とする場合、相関を
持つお互いの信号を用いて輪郭を検出してもよい。また
、自分自身からの輪郭信号と他の信号の輪郭信号を用い
、両者を混合、或いはいずれかを選択してもよい。
次に本発明の第2の実施例について説明する。
第10図は本実施例のブロック図である。16は同期分
離回路であり映像信号より水平同期信号HDを分離する
。17は位相比較回路、18は分周回路である。同期分
離回路162位相比較回路17、分周回路18.vCo
7により、PLL回路を構成し、入力信号のHDにロッ
クしたクロックを発生する0分周回路の分周化を1/n
(n:自然数)とすると、vCo9の周波数は、HDの
周波数のn倍である。
離回路であり映像信号より水平同期信号HDを分離する
。17は位相比較回路、18は分周回路である。同期分
離回路162位相比較回路17、分周回路18.vCo
7により、PLL回路を構成し、入力信号のHDにロッ
クしたクロックを発生する0分周回路の分周化を1/n
(n:自然数)とすると、vCo9の周波数は、HDの
周波数のn倍である。
上記PLL回路により、メモリ2への書き込みは、入力
信号のジッタに追従したクロックにより行う。一方、読
み出しを水晶振動子15を用いた水晶発振器で発生させ
たクロックを用いる。
信号のジッタに追従したクロックにより行う。一方、読
み出しを水晶振動子15を用いた水晶発振器で発生させ
たクロックを用いる。
また、vCoの制御電圧は、第1の実施例と同様に、輪
郭情報に応じた交流成分を重畳し、輪郭部のクロック周
期を変化させる。
郭情報に応じた交流成分を重畳し、輪郭部のクロック周
期を変化させる。
メモリの記憶容量を1フレーム(フィールド)とすれば
本構成により、輪郭補正を行なうと同時にフレーム(フ
ィールド)シンクロナイジングを行ない1例えば、入力
信号をVTRの出力信号のようにジッタを有するものと
すると、ジッタを除去した信号を得ることができる。ま
た、読み出し制御パルス発生回路にも、書き込み側と同
様にPLL回路を設ければ、外部周期も可能である。
本構成により、輪郭補正を行なうと同時にフレーム(フ
ィールド)シンクロナイジングを行ない1例えば、入力
信号をVTRの出力信号のようにジッタを有するものと
すると、ジッタを除去した信号を得ることができる。ま
た、読み出し制御パルス発生回路にも、書き込み側と同
様にPLL回路を設ければ、外部周期も可能である。
また、VTRのサーボ制御を読み出し制御信号と位相ロ
ックをかければ、メモリ容量を減らすことができ、TB
C(タイムベースコレクタ)として用いることもできる
。
ックをかければ、メモリ容量を減らすことができ、TB
C(タイムベースコレクタ)として用いることもできる
。
次に本発明の第3の実施例について説明する。
第3図は第2の実施例のブロック図である。1゜2.3
.5は先述したものと同じである。21は遅延回路、2
2は信号の立ち上り、立ち下りを検出するエツジ検出回
路、23はメモリ2の書き込み制御パルス発生回路であ
り、第1の実施例で示したPLL回路を含む。24は加
算器13の出力電圧で発振周波数を制御するvCo、2
5は直流電源である。
.5は先述したものと同じである。21は遅延回路、2
2は信号の立ち上り、立ち下りを検出するエツジ検出回
路、23はメモリ2の書き込み制御パルス発生回路であ
り、第1の実施例で示したPLL回路を含む。24は加
算器13の出力電圧で発振周波数を制御するvCo、2
5は直流電源である。
第4図は、遅延回路21.エツジ検出回路22の構成例
である。51はDフリップフロップ等の遅延素子(但し
A/D変換器の分解能と同じビット数)であり、2n個
(n:自然数)を縦続接続する。52は減算器、53は
絶対値化回路、54は比較器、55は比較器の基準レベ
ル発生回路。
である。51はDフリップフロップ等の遅延素子(但し
A/D変換器の分解能と同じビット数)であり、2n個
(n:自然数)を縦続接続する。52は減算器、53は
絶対値化回路、54は比較器、55は比較器の基準レベ
ル発生回路。
56はAND回路である0本回路の動作のタイミング図
を第5図に示す。A−Hの各波形は、第4図に示すA−
Hの各点の波形である。DはAとBの差分の絶対値であ
り、比較器54で点線で示す5!51794レベルと比
較することによりEを得る。同様に、BとCの差分から
Gtil−得る。EとGのANDをとるとHとなるが、
これはBの立ち上り、立ち下り期間に相当する。メモリ
にはBのデータとともに、I−I(1ビツト)を同時に
書き込む。
を第5図に示す。A−Hの各波形は、第4図に示すA−
Hの各点の波形である。DはAとBの差分の絶対値であ
り、比較器54で点線で示す5!51794レベルと比
較することによりEを得る。同様に、BとCの差分から
Gtil−得る。EとGのANDをとるとHとなるが、
これはBの立ち上り、立ち下り期間に相当する。メモリ
にはBのデータとともに、I−I(1ビツト)を同時に
書き込む。
次に、本実施例の動作について説明する。第6図は、本
実施例の動作タイミング図である。(cL)は入力信号
、(b)は書き込みクロック、(C)はメモリ2に書き
込まれるエツジ情報、(d)はメモリから読み出された
エツジ情報、(e)は読み出しクロック、(f)は出力
信号である。
実施例の動作タイミング図である。(cL)は入力信号
、(b)は書き込みクロック、(C)はメモリ2に書き
込まれるエツジ情報、(d)はメモリから読み出された
エツジ情報、(e)は読み出しクロック、(f)は出力
信号である。
書き込みは、一定周期のクロックで行なわれ。
黒丸で示す値がメモリに書き込まれる。一方、読み出し
は、VCO24の制御電圧に、直流電圧vOにエツジ情
報(波形C)に比例した交流台を重畳することにより、
読み出しクロックは局所的に周期が変動する。ここでは
、制御電圧が大きくなるに従い、周期は短くなるものと
する。このように読み出しクロックを変化させることに
より出力信号は(f)に示すようにエツジの傾きを急峻
にすることができる。
は、VCO24の制御電圧に、直流電圧vOにエツジ情
報(波形C)に比例した交流台を重畳することにより、
読み出しクロックは局所的に周期が変動する。ここでは
、制御電圧が大きくなるに従い、周期は短くなるものと
する。このように読み出しクロックを変化させることに
より出力信号は(f)に示すようにエツジの傾きを急峻
にすることができる。
本実施例では、エツジ検出もディジタル信号処理で行な
うため、容易にIC化でき回路規模を削減できる利点を
有す。
うため、容易にIC化でき回路規模を削減できる利点を
有す。
本実施例では、フレームシンクロナイザ−の構成で示し
たが、第1の実施例のように、書き込みクロックと、読
み出しクロックの同期をとる構成であっても勿論かまわ
ない。
たが、第1の実施例のように、書き込みクロックと、読
み出しクロックの同期をとる構成であっても勿論かまわ
ない。
本発明の第4の実施例について説明する。第7図は本実
施例のブロック図である。本実施例で用いるメモリ2は
、書き込み、読み出しのアドレスを外部から指定するも
のとする。71はRき込み用のクロックアドレスを発生
する回路、72は読み出しのクロックアドレスを発生す
る回路、73はアドレス値に1を加算する回路、74は
同じく1を減算する回路、75はマルチプレクサである
。
施例のブロック図である。本実施例で用いるメモリ2は
、書き込み、読み出しのアドレスを外部から指定するも
のとする。71はRき込み用のクロックアドレスを発生
する回路、72は読み出しのクロックアドレスを発生す
る回路、73はアドレス値に1を加算する回路、74は
同じく1を減算する回路、75はマルチプレクサである
。
遅延回路21.エツジ検出回路22の一例を第8図に示
す。61.62はパルスエツジを検出する回路であり、
他は既に説明したものと同じである。第8図は本実施例
の動作タイミング図であり、A−にの各波形は第7図、
第8図のA−にの各点の波形である。
す。61.62はパルスエツジを検出する回路であり、
他は既に説明したものと同じである。第8図は本実施例
の動作タイミング図であり、A−にの各波形は第7図、
第8図のA−にの各点の波形である。
以下、本実施例の動作を説明する。A/D変換器でデジ
タル化された入力信号は、Dフリップフロップで1クロ
ック分づつの遅延を受け、A−Dの各点の波形は第9図
に示すものとなる。A点とB点の差分の絶対値をとると
Eの波形、また同様にB点と0点からFの波形を得る。
タル化された入力信号は、Dフリップフロップで1クロ
ック分づつの遅延を受け、A−Dの各点の波形は第9図
に示すものとなる。A点とB点の差分の絶対値をとると
Eの波形、また同様にB点と0点からFの波形を得る。
これをあらかじめ設定した基準レベルと比較し、基準レ
ベルを超える所は輪郭部と判定しG、Hに示すパルスを
発生する。さらに、パルスエツジ検出回路61でGのパ
ルスの立ち下りを検出し、■に示すパルスを発生する。
ベルを超える所は輪郭部と判定しG、Hに示すパルスを
発生する。さらに、パルスエツジ検出回路61でGのパ
ルスの立ち下りを検出し、■に示すパルスを発生する。
また、パルスエツジ検出回路62でHのパルスの立ち上
りを検出し、Jに示すパルスを発生する。メモリ2には
映像信号Cとともにエツジ情報、H,Iを書き込む、メ
モリ2から読み出す時に、エツジ情報Hがハイレベルで
あればマルチプレクサ75によりアドレスは1を減算し
たものを、また、エツジ情報lがハイレベルであればア
ドレスは1を加算したものを、H,Iがともにローレベ
ルであれば加減算は行なわれない。このように、輪郭部
でアドレスを変えることにより、メモリから読み出され
る信号は、第9図の■に示すように輪郭部は急峻になり
輪郭補正効果を得る。
りを検出し、Jに示すパルスを発生する。メモリ2には
映像信号Cとともにエツジ情報、H,Iを書き込む、メ
モリ2から読み出す時に、エツジ情報Hがハイレベルで
あればマルチプレクサ75によりアドレスは1を減算し
たものを、また、エツジ情報lがハイレベルであればア
ドレスは1を加算したものを、H,Iがともにローレベ
ルであれば加減算は行なわれない。このように、輪郭部
でアドレスを変えることにより、メモリから読み出され
る信号は、第9図の■に示すように輪郭部は急峻になり
輪郭補正効果を得る。
本実施例においても、先に示した実施例の如くフレーム
シンクロナイジングは勿論可能である。
シンクロナイジングは勿論可能である。
また、書き込み読み出しのクロックを同一にしても問題
はない。
はない。
本発明によれば、本質的に輪郭部の高域情報を増強でき
、プリシュート等の副作用を伴わずに、画像の輪郭部の
ぼけ、にじみを改善する効果がある。
、プリシュート等の副作用を伴わずに、画像の輪郭部の
ぼけ、にじみを改善する効果がある。
第1図は本発明の第1の実施例を示すブロック図、第2
図は第1の実施例の動作タイミング図。 第3図、第4図は本発明の第2の実施例を示すブロック
図、第5図、第6図は第・2の実施例の動作タイミング
図である。第7図、第8図は本発明の第3の実施例のブ
ロック図、第9図は第3の実施例の動作タイミンク図、
第10図は本発明の第4の実施例のブロック図である。 1・・A/D変換器。 2・・・メモリ。 3・・・D/A変換器。 9・・・VCO。 22・・・エツジ検出回路。 筋 11!1 躬 2I!] (し) 第 60 (こ) 躬 5 団 第 4閉 第 5 国 H 第 q 口 第 9 虐
図は第1の実施例の動作タイミング図。 第3図、第4図は本発明の第2の実施例を示すブロック
図、第5図、第6図は第・2の実施例の動作タイミング
図である。第7図、第8図は本発明の第3の実施例のブ
ロック図、第9図は第3の実施例の動作タイミンク図、
第10図は本発明の第4の実施例のブロック図である。 1・・A/D変換器。 2・・・メモリ。 3・・・D/A変換器。 9・・・VCO。 22・・・エツジ検出回路。 筋 11!1 躬 2I!] (し) 第 60 (こ) 躬 5 団 第 4閉 第 5 国 H 第 q 口 第 9 虐
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、入力信号をディジタル信号化するA/D変換器と該
ディジタル信号を記憶するメモリと、該メモリから読み
出したディジタル信号をアナログ信号化するD/A変換
器と、入力映像信号に同期したメモリ書き込み用クロッ
クを生成する手段と、フリーラン発振或いは入力映像信
号を同期結合させようとする外部映像信号に同期した読
み出し用クロックを生成する手段と、入力映像信号の輪
郭情報を検出し、この情報をもとに、上記書き込み或い
は読み出し用クロックのいずれかの周期を局所的に変化
させる手段を設けたことを特徴とする輪郭補正回路。 2、入力映像信号とメモリ書き込みクロック或いは、外
部周期信号と読み出しクロックの周期結合回路の少なく
とも一方を有することを特徴とする請求項1記載の輪郭
補正回路。 3、A/D変換器とメモリとD/A変換器と、該メモリ
の書き込み、読み出しアドレスを発生する回路と、入力
信号の輪郭を検出する手段と、該輪郭情報に応じ、該読
み出しアドレスを可変とする手段を設けたことを特徴と
する輪郭補正回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1126608A JPH02306775A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 輪郭補正回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1126608A JPH02306775A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 輪郭補正回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02306775A true JPH02306775A (ja) | 1990-12-20 |
Family
ID=14939408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1126608A Pending JPH02306775A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 輪郭補正回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02306775A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04208778A (ja) * | 1989-12-23 | 1992-07-30 | Samsung Electron Co Ltd | 輪郭補正方法及び回路 |
-
1989
- 1989-05-22 JP JP1126608A patent/JPH02306775A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04208778A (ja) * | 1989-12-23 | 1992-07-30 | Samsung Electron Co Ltd | 輪郭補正方法及び回路 |
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